JPH0359424B2

JPH0359424B2 -

Info

Publication number: JPH0359424B2
Application number: JP59239217A
Authority: JP
Inventors: Naonori Makino; Kenji Sano; Seiji Horie; Hideo Sato
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1984-11-13
Filing date: 1984-11-13
Publication date: 1991-09-10
Also published as: JPS61117559A; US4629672A

Description

【発明の詳細な説明】

「産業上の利用分野」本発明は、新規なテトラキスアゾ化合物を含有
する事を特徴とする光導電性組成物に関するもの
である。又、高密度エネルギービームによつて状
態変化を生ぜしめることにより記録再生を行なう
ヒートモードの光学情報記録媒体に関するもので
ある。「従来の技術」電子写真法はすでにカールソンが米国特許第
297691号明細書に明らかにしたように、画像露光
の間に受けた照射量に応じその電気抵抗が変化す
る暗所で絶縁性の物質をコーテイングした支持体
よりなる光導電性材料を用いる。この光導電性材
料は一般に適当な間の暗順応の後、暗所で、まず
一様な表面電荷が与えられる。次に、この材料は
照射パターンの種々の部分に含まれる相対エネル
ギーに応じて表面電荷を減らす効果を有する照射
のパターンにより画像露光される。このようにし
て光導電性物質層（電子写真感光層）表面に残つ
た表面電荷又は静電潜像は次にその表面が適当な
検電表示物質、すなわちトナーで接触されて可視
像となる。トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれ
るが、どちらの場合にも電荷パターンに応じて電
子写真感光層表面上に付着させることができる。
付着した表示物質は、熱、圧力、溶媒蒸気のよう
な公知の手段により定着することができる。又静
電潜像は第２の支持体（例えば紙、フイルムな
ど）に転写することができる。同様に静電潜像を
第２の支持体に転写し、そこで現像することも可
能である。電子写真法はこの様にして画像を形成
するようにした画像形成法の一つである。このような電子写真法において電子写真感光体
に要求される基本的な特性としては、(1)暗所で適
当な電位に帯電できること、(2)暗所において電荷
が逸散が少ないこと、(3)光照射によつて速やかに
電荷を逸散せしめうることなどがあげられる。従来、電子写真感光体の光導電性素材として用
いられているものに、セレン、硫化カドミウム、
酸化亜鉛などがある。しかしこれらの無機物質は、多くの長所を持つ
ていると同時にさまざまな欠点を有していること
は事実である。例えば、現在広く用いられている
セレンは前記(1)〜(3)の条件は十分に満足するが、
製造する条件がむづかしく、製造コストが高くな
り、可撓性がなく、ベルト状に加工することがむ
ずかしく、熱や機械的の衝撃に鋭敏なため取扱い
に注意を要するなどの欠点もある。硫化カドミウ
ムや酸化亜鉛は、結合剤としての樹脂に分散させ
て電子写真感光体として用いられているが、平滑
性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的な
欠点があるためにそのままでは反復して使用する
ことができない。近年、これら無機物質の欠点を排除するために
いろいろの有機物質を用いた電子写真感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例え
ば、ポリーＮ−ビニルカルバゾールと２，４，７
−トリニトロフルオレン−９−オンとからなる電
子写真感光体（米国特許3484237）、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾールをピリリウム塩系色素で増感し
たもの（特公昭48−25658）、有機顔料を主成分と
する電子写真感光体（特開昭47−37543）、染料と
樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真
感光体（特開昭47−10735）などがある。この様な有機物質を用いた電子写真感光体は、
バインダーを適当に選択することによつて塗布で
生産できるため、極めて生産性が高く、安価な感
光体を提供でき、機械的特性及び可撓性も改善で
きる。しかも、染料及び有機顔料の選択によつて
感光波長を自在にコントロールできる。しかし反
面、光感度が低くまた繰り返し使用に適さず電子
写真感光体としての要求を充分に満たすものでは
なかつた。本発明者らは、前記従来の電子写真感光体の持
つ欠点を解消すべく鋭意研究の結果、新規なテト
ラキスアゾ化合物を含有する光導電性組成物を用
いた電子写真感光体が、十分に実用に供しう程の
高感度・高耐久性を有する事を見出し、本発明に
到達したものである。一方、従来から高エネルギー密度のビームを情
報記録媒体に照射して透過率・反射率・屈折率等
の物性定数を変化させて記録する記録方法は、極
めて高解像力のコントラストのある画像を形成し
得ること、あとからの情報付加が可能であること
又露光すると同時に記録しうること等の特徴をも
つので、電子計算機の出力や伝送されてくる時系
列信号の記録に適しているなどの利点を有し
COM（コンピユータアウトプツトマイクロ）、
マイクロフアクシミリ、印刷用原版、光デイスク
等に応用されている。例えば、光デイスク技術で用いる記録媒体は、
光学的に検出可能な、約1μ前後の小さなピツト
をらせん状又は円形のトラツク形態にして、高密
度情報を記憶することができる。この様なデイス
クに情報を書込むには、レーザー感応層の表面に
集束したレーザーを走査しこのレーザー光線が照
射された表面のみがピツトを形成し、このピツト
をらせん状又は円形トラツクの形態で形成する。
ヒートモードの記録方式では、レーザー感応層
は、レーザー・ビーム照射で熱エネルギーを吸収
しその個所に蒸発又は融解により小さな凹部（ピ
ツト）を形成する。この様にして光デイスクに記録された情報は、
レーザーをトラツクに沿つて走査し、ピツトが形
成された部分とピツトが形成されていない部分の
光学的変化を読み取ることによつて検出される。この様なヒートモード記録し得る情報記録媒体
としては、従来プラスチツク等の透明な支持体上
に金属あるいは／および金属酸化物半金属誘電体
等の薄膜あるいは、自己酸化性の結合剤と色素を
含む薄膜を記録層として設け、これに保護層が設
けられた記録媒体が用いられてきた。しかし、従来の、無機物質を主成分とする薄膜
は、レーザー光に対する反射率が高いために、レ
ーザーの利用効率が低下し、それ故に高感度特性
が得られない、あるいは記録時のレーザー光の出
力が著しく増大する等の問題点があつた。一方、一般に有機化合物は、吸収特性が長波長
域になるにつれ不安定となり、温度の微かな上昇
で分解され易い等の問題点があつた。従つて、「書込み後直接読取り」能力〔DRAW
（direct read and write）〕を保有する記録媒体
に要求される使用レーザー光に対して吸収効率が
大きいこと、記録読み取りの際焦点制御が充分に
できる反射率があること、あるいは、記録像の安
定性等の各種の特性を満足しなければならず、必
ずしも実用性の点から充分に満足できる有機薄膜
を含有する記録媒体が開発されていない。本発明者らは、前記の欠点を解消すべく、鋭意
研究の結果、本発明に到達したものである。「発明が解決しようとする問題点」本発明の目的は各種の光導電体に適用できる光
導電性組成物を提供することである。更にまた他
の目的は高感度で繰り返し使用における安定な電
位特性を有する電子写真感光体を提供することに
ある。本発明の他の目的は、保存性が高く、高感度で
且つ充分なＳ／Ｎ比を有する光学情報記録媒体を
提供することである。「問題を解決するための手段」本発明は、下記の一般式〔１〕で表わされるテ
トラキスアゾ化合物の少なくとも１種を含有する
ことを特徴とする光感応性組成物である。一般式〔１〕においてCpはカプラー残基を表
わし、以下に示すカプラー成分より選択されるこ
とが好ましい。

【式】

【式】または

【式】Ｘは、ヒドロキシ基とＹとが結合している上記
式中のベンゼン環と縮合して芳香族環または複素
環（これらの環は置換または無置換でもよい。）
を形成するのに必要な原子団を表わし、Ｙは水素原子、−CONR⁴R⁵、−COOR⁴、−
CONHNR⁴R⁵、−CONHN＝CH−R⁴または

【式】を表わす。 R¹はアルキル基、フエニル基またはこれらの
置換体を表わし、 R²は水素原子、低級アルキル基、カルバモイ
ル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
基、アリールオキシカルボニル基、または置換ま
たは無置換のアミノ基を表わし、 R³はアルキル基、芳香族環基、複素芳香族環
基またはそれらの置換体を表わし、 R⁴及びR⁵は水素原子、アルキル基、芳香族環
基、複素芳香族環基またはそれらの置換体を表わ
す。ＺはＮ−R⁶、−Ｏ−、−Ｓ−または−Se−を
表わす。 R⁶としては水素原子、炭素数１〜６のアルキ
ル基、炭素数６〜20のアリール基、炭素数１〜12
のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル
基、炭素数６〜20のアリールオキシカルボニル
基、炭素数１〜20のアシル基がある。 R⁶が無置換アルキル基の場合、その具体例と
してメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、
イソブチル基、イソヘキシル基、ネオペンチル
基、tert−ブチル基等をあげることができる。 R⁶が置換アルキル基の場合、置換基としては、
ヒドロキシ基、炭素数１〜12アルコキシ基、シア
ノ基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基、炭素数
１〜８のアルキル基を２個有するジアルキルアミ
ノ基、ハロゲン原子、炭素数６〜15のアリール基
などがある。その例として、ヒドロキシアルキル
基（例えばヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシ
エチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒド
ロキシプロピル基等）、アルコキシアルキル基
（例えば、メトキシメチル基、２−メトキシエチ
ル基、３−メトキシプロピル基、エトキシメチル
基、２−エトキシエチル基等）、シアノアルキル
基（例えばシアノメチル基、２−シアノエチル基
等）、（アルキルアミノ）アルキル基（例えば、
（メチルアミノ）メチル基、２−（メチルアミノ）
エチル基、（エチルアミノ）メチル基等）、（ジア
ルキルアミノ）アルキル基（例えば、（ジメチル
アミノ）メチル基、２−（ジメチルアミノ）エチ
ル基等）、ハロゲノアルキル基（例えば、フルオ
ロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基
等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フエ
ネチル基等）をあげることができる。 R⁶が無置換アルコキシカルボニル基の場合、
その具体例としてメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブト
キシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基
等をあげることができる。 R⁶が無置換アリール基、無置換アリール、オ
キシカルボニル基の場合、その具体例としてフエ
ニル基、ナフチル基、ピリジル基、フエノキシカ
ルボニル基、ナフトキシカルボニル基等ごあげる
ことができる。 R⁶が無置換アシル基の場合、その具体例とし
てアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基、
ナフトイル基、ニコチノイル基等をあげることが
できる。 R⁶が置換アルコキシカルボニル基、置換アリ
ールオキシカルボニル基及び置換アシル基の場
合、置換基としては前述のR⁶における置換アル
キル基の置換基と同じ基をあげることができ置換
基の個数は１個ないし３個であり、複数の置換基
が結合している場合にはそれらは互いに同じでも
異なつてもよく、任意の組合せをとつてもよく、
また置換基の結合位置は任意である。Ｘはヒドロキシ基とＹとが結合しているベンゼ
ン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環な
どの芳香族環またはインドール環、カルバゾール
環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環な
どの複素環を形成し得る基である。Ｘが置換基を有する芳香族環または複素環系の
場合、置換基としてはハロゲン原子（例えば、弗
素原子、塩素原子、臭素原子等）、低級アルキル
基好ましくは炭素数１〜８の低級アルキル基（例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、イソプロピル基、イソブチル基等）があげら
れ、置換基の数は１個または２個であり、置換基
が２個の場合にはそれらは同じでも異なつていて
もよい。 R¹としてはアルキル基、好ましくは炭素数１
〜12のアルキル基またはフエニル基がある。 R¹が無置換のアルキル基の場合、その具体例
としてメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、
イソブチル基、イソアミル基、イソヘキシル基、
ネオペンチル基、tert−ブチル基等をあげること
ができる。 R¹が置換アルキル基の場合、置換基としては
ヒドロキシ基、炭素数１〜12のアルコキシ基、シ
アノ基、アミノ基、炭素数１〜12のアルキルアミ
ノ基、炭素数１〜12のアルキル基を２個有するジ
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素数６〜15
のアリール基などがある。その例として、ヒドロ
キシアルキル基（例えば、ヒドロキシメチル基、
２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピ
ル基、２−ヒドロキシプロピル基等）、アルコキ
シアルキル基（例えば、メトキシメチル基、２−
メトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、エ
トキシメチル基、２−エトキシエチル基等）、シ
アノアルキル基（例えば、シアノメチル基、２−
シアノエチル基等）、アミノアルキル基（例えば、
アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−アミ
ノプロピル基等）、アルキルアミノ）アルキル基
（例えば、（メチルアミノ）メチル基、２−（メチ
ルアミノ）エチル基、（エチルアミノ）メチル基
等）、（ジアルキルアミノ）アルキル基（例、（ジ
メチルアミノ）メチル基、２−（ジメチルアミノ）
エチル基等）、ハロゲノアルキル基（例えば、フ
ルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル
基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フ
エネチル基等）をあげることができる。 R¹が置換フエニル基の場合、置換基としては
ヒドロキシ基、炭素数１〜12のアルコキシ基、シ
アノ基、アミノ基、炭素数１〜12のアルキルアミ
ノ基、炭素数１〜12のアルキル基を２個有するジ
アルキルアミノ基、ハロゲン原子、炭素数１〜６
のアルキル基、ニトロ基などがある。その例とし
て、ヒドロキシフエニル基、アルコキシフエニル
基（例えば、メトキシフエニル基、エトキシフエ
ニル基等）、シアノフエニル基、アミノフエニル
基、（アルキルアミノ）フエニル基（例えば、（メ
チルアミノ）フエニル基、（エチルアミノ）フエ
ニル基等）、（ジアルキルアミノ）フエニル基（例
えば、ジメチルアミノ）フエニル基等）、ハロゲ
ノフエニル基（例えば、フルオロフエニル基、ク
ロロフエニル基、ブロモフエニル基等）、アルキ
ルフエニル基（例えば、トリル基、エチルフエニ
ル基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等）、
ニトロフエニル基、およびこれらの置換基（互い
に同じでも異なつてもよい。）を２個または３個
を有する置換基（置換基の位置または複数個の置
換基相互の位置関係は任意である）をあげること
ができる。 R²としては水素原子、炭素数１〜６の低級ア
ルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭
素数１〜12のアルコキシ基を有するアルコキシカ
ルボニル基、炭素数〜20のアリールオキシ基を有
するアリールオキシカルボニル基及び置換または
無置換のアミノ基が好ましい。 R²が置換アミノ基の場合、その具体例として
メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、フエニルアミノ基、トリルアミノ基、ベン
ジルアミノ基、フエネチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジフエニルアミノ基
等をあげることができる。 R²が低級アルキル基の場合、その具体例とし
てメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
イソプロピル基、イソブチル基等があげられる。 R²がアルコキシカルボニル基の場合、その具
体例としてメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ベン
ジルオキシカルボニル基等があげられる。 R²がアリールオキシカルボニル基の場合、そ
の具体例として、フエノキシカルボニル基、トル
オキシカルボニル基等があげられる。 R³及びR⁵としては、炭素数１〜20のアルキル
基、フエニル基、ナフチル基などの芳香族環基、
ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ベンゾカ
ルバゾリル基などの酸素原子、窒素原子、硫黄原
子などを含んだ複素芳香族環基またはそれらの置
換基が好ましい。 R³またはR⁵が、置換または無置換のアルキル
基の場合、その例はそれぞれ前述のR¹における
置換または無置換のアルキル基の具体例と同じ基
をあげることができる。 R³またはR⁵が置換フエニル基、置換ナフチル
基等の置換芳香族基、置換ジベンゾフラニル基ま
たは置換カルバゾリル基等のヘテロ原子を含む置
換複素芳香族基の場合、置換基の例としてヒドロ
キシ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子（例
えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子等）、炭素
数１〜12のアルキル基（例えば、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基等）、炭素数
１〜12のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチル
オキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、
イソアミルオキシ基、tert−ブトキシ基、ネオペ
ンチルオキシ基等）、アミノ基、炭素数１〜12の
アルキルアミノ基（例えば、メチルアミノ基、エ
チルアミノ基、プロピルアミノ基等）、炭素数１
〜12のジアルキルアミノ基（例えば、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−エ
チルアミノ基等）、炭素数６〜12のアリールアミ
ノ基、（例えば、フエニルアミノ基、トリルアミ
ノ基等）、炭素数６〜15のアリール基を２個有す
るジアリールアミノ基（例えば、ジフエニルアミ
ノ基等）、カルボキシル基、アルカリ金属カルボ
キシラト基（アルカリ金属（陽イオン）の例、
Na 、Ｋ、Li 等）、アルカリ金属スルホナト
基（アルカリ金属（陽イオン）の例、Na 、Ｋ
、Li 等）、アルキルカルボニル基（例えば、
アセチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニ
ル基等）、炭素数６〜12のアリール基を有するア
リールカルボニル基（例えば、ベンゾイル基、ト
ルオイル基、炭素数１〜12のアルキルチオ基（例
えば、メチルチオ基、エチルチオ基等）、または
炭素数１〜12のアリールチオ基（例えば、フエニ
ルチオ基、トリルチオ基等）をあげることがで
き、置換基の個数は１個ないし３個であり、複数
の置換基が結合している場合にはそれら互いに同
じでも異なつてもよく任意の組合せをとつてよ
く、また置換基の結合位置は任意である。 R⁴としては、水素原子、炭素数１〜20のアル
キル基、フエニル基、ナフチル基などの芳香族環
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ベン
ゾカルバゾリル基などの酸素原子、窒素原子、硫
黄原子を含んだ複素芳香族環基またはこれらの置
換体がある。 R⁴が置換または無置換のアルキル基、芳香族
置換基、複素芳香族環基の場合、前述のR³及び
R⁵における場合の具体例と同じ基をあげること
ができる。またCpが

【式】の場合及び、

【式】でＹが−CONR⁴R⁵、− CONHNR⁴R⁵または

【式】の場合には、R⁴、R⁵は結合している窒素原子または炭
素原子とともに環を形成することができる。その
具体例としてピロリジン環、ピペリジン環、モル
ホリン環及びシクロペンタン環、シクロヘキサン
環をあげることができる。Ａは単結合、

【式】（但しｎは１〜３の整数を表わす。）、または芳香族性を有する２価
の有機残基を表わす。２価の有機残基の具体例としては以下に示され
る２価の有機残基及びその置換体があり、その置
換基としては前述のR³及びR⁵における置換基の
具体例と同じ基をあげることができる。

【式】

【式】上記具体例中R⁶は一般式〔１〕のR⁶と同じも
のを表わす。 B¹，B²は、水素原子または電子吸引性基を表
わす。電子吸引性基の具体例としては、ハロゲン
原子（例えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子
等）、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニ
ル基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基等）をあげることができる。 Arは２価の芳香族炭素環基、２価の芳香族複
素環基またはこれらの置換体を表わす。その具体
例としては、以下の構造で示される２価の芳香族
炭素環基、２価の芳香族炭素環基及びその置換体
がある。

【式】

【式】置換基として前述のR³及びR⁵における置換基
の具体例と同じ基をあげることができる。 Cpが

【式】の場合、

【式】はナフタレン環の３位〜８位の任意の位置に置換
することが可能であるが、８位に置換することが
好ましい。本発明の一般式〔１〕で表わされるテトラキス
アゾ化合物の中で、光感度の高い光導電性組成物
を与えことができること、あるいは光感度が高く
耐久性に優れた電子写真体を与えることができる
こと、あるいは製造原料化合物を容易に入手して
低コストでテトラキスアゾ化合物を製造すること
ができることから下記一般式〔２〕で表わされる
テトラキスアゾ化合物が好ましいが、一般式
〔２〕の化合物に限定されるものではない。式中A′は単結合、−CH＝CH−、

【式】

【式】を表わし、 Z′は−Ｏ−、

【式】−Ｓ−、−Se−を表わす。 C′pは好ましくは、

【式】を表わす。但しR⁴，R⁵，R⁶は一般式〔１〕のR⁴，R⁵，R⁶
と同じ意味を表わし、X′はベンゼン環、ナフタ
レン環、カルバゾール環またはジベンゾフラン環
を表わす。更にC′pの具体例は第１表で示されるカプラー
残基である。

【表】

【表】本発明の新規なテトラキスアゾ化合物は公知の
反応を用いることによつて容易に製造することが
できる。例えば前記一般式〔２〕に示されたテト
ラキスアゾ化合物は以下の方法によつて合成する
ことができる。下記一般式〔３〕のR⁷が水素である化合物を、
適当な条件下、例えば濃硫酸中で濃硝酸あるいは
硝酸カリウム等を用いてニトロ化して一般式
〔３〕のR⁷＝NO₂の化合物とする。次にこれを適
当な条件下、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド中で鉄粉と希塩酸あるいは塩化第１スズと塩酸
で還元して一般式〔３〕のR⁷＝NH₂の化合物と
する。次にこれを常法に従いジアゾ化して一般式
〔３〕のR⁷＝N₂ Ｑ（ＱはBF₄ 、ClO₄ な
どのアニオン官能基を表わす）で表わされるテト
ラキスジアゾニウム塩として単離した後、これを
適当な溶媒例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
中で前述の各カプラー残基（例えばナフトール
AS系等のカプラー）とアルカリ例えば酢酸ナト
リウム、水酸化ナトリウムの存在下にカツプリン
グ反応させることにより容易に合成することがで
きる。（式中A′，Z′は一般式〔２〕のA′，Z′と同じ意
味を表わす。）また一般式〔３〕のR⁷が水素である化合物は
Z′が酸素原子である場合にはJ.Heinze and H.
Baumga¨rtel，Chem.Chem.，103，1572（1970）
等に記載の方法により、Z′が窒素原子の場合、A.
H.Cook and D.G.Jones，J.Chem.Soc.，1941，
278等に記載の合成法を用いることにより、Ｚが
硫黄原子及びセレン原子の場合、前述のJ.
Heinzeら、Chem.Ber.，103，1572（1970）、P.
Karrer and F.Forster，Helv.chim.Acta，28，
315（1946）、G.Hofmann，Jus.Liebigs Ann.
Chem.，250，294（1889）等に記載の合成法を用
いることにより、容易に合成することができる。合成例１（一般式〔２〕でA′が単結合、Z′が硫黄原子、
Cp′がNo（Cp−１）であるテトラキスアゾ化合
物の合成）４，4′，５，5′−テトラフエニル−ジチアゾリ
ル−２，2′10ｇ（0.021mol）を濃硫酸100mlに溶
解し、氷冷した。これに硝酸カリウム9.4ｇ
（0.093mol）を徐々に添加した。この際反応温度
は５℃以下を保つた。添加終了後、反応混合物を
氷冷下３時間撹拌し、２の氷水中に注ぎ生成し
た黄色沈殿を取し、水洗、エタノール洗浄を行
い乾燥し、13.0ｇ（収率94％）の４，4′，５，5′，
−テトラキス（ｐ−ニトロフエニル）−ジチアゾ
リル−２，2′を得た。次にこの４，4′5，5′−テトラキス（ｐ−ニト
ロフエニル）ジチアゾリル−２，2′10ｇ
（0.015mol）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
500ml、鉄粉20ｇと混合し、この混合液に濃塩酸
10mlと水30mlを加えよく撹拌しつつ100℃に加熱
した。１時間後、反応温度を100℃に保ちつつ、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を用いて中和し反
応液のPHを８とし、この反応液を熱時過した。
液を３の氷水中に注ぎ生成した４，4′，５，
5′−テトラキス（ｐ−アミノフエニル）−ジチア
ゾリル−２，2′の淡黄色沈殿を取し乾燥した。
収量7.6ｇ（収率93％）さらに４，4′，５，5′−テトラキス（ｐ−アミ
ノフエニル）−ジチアゾリル−２，2′5.32ｇ
（0.01mol）を濃塩酸20ml及び水60mlから調整し
た希塩酸に加えて60℃の水浴上で撹拌した後０℃
に冷却し、この溶液に亜硝酸ナトリウム3.0ｇを
水20mlに溶解した溶液を０℃で約30分間かけて滴
下した。その後同温度で１時間撹拌し、少量の未
反応物を別した後、液に42％硼弗化水素酸20
mlを加え析出した結晶を取した。この結晶を少
量の水で洗つた後、乾燥して、テトラキスジアゾ
ニウム塩のかつ色結晶8.65ｇ（収率93％）を得
た。次にこうして得られたテトラキスジアゾニウム
塩２ｇ（2.16mmol）及びカプラーとして２−ヒ
ドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド（第１表にお
いてCp−１）2.27ｇ（8.62mmol）をＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド100mlに溶解し、０℃に冷却
した。この溶液に10％酢酸ナトリウム水溶液10ml
を０℃で滴下した後、室温で２時間撹拌した。次に、生成した沈殿を取し、300mlの水で洗
浄後、アセトン200mlで洗浄し、乾燥してテトラ
キスアゾ化合物3.12ｇ（収率90％）を得た。この化合物の分解温度は270℃以上であつた。元素分析値及び吸収スペクトルについては以下
の通りである。元素分析値 C₉₆H₆₄N₁₄O₈S₂として計算値Ｃ，71.81％Ｈ，4.02％Ｎ，12.21％Ｓ，3.99％実測値Ｃ，72.10％Ｈ，4.03％Ｎ，12.13％Ｓ，3.90％ IR吸収スペクトル（KBr錠剤）吸収スペクトルは第１図に示す。アミドに吸収：1670cm^-1 可視吸収スペクトル吸収極大波長 550nm （５％エチレンジアミン含有Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド中）合成例２〜12 合成例１におけるカプラー（Cp−１）の代り
に、第２表中に示すカプラーを用いた他は合成例
１と同様にして一般式〔２〕でA′が単結合、Z′が
硫黄原子であるテトラキスアゾ化合物を合成し
た。それぞれテトラキスアゾ化合物の分解温度、
IR吸収スペクトル（アミドの吸収値、KBr錠剤）
及び可視吸収スペクトル（吸収極大波長値、５％
エチレンジアミン含有Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド中）を第２表に示す。

【表】合成例 13 （一般式〔２〕でA′が

【式】Z′が硫黄原子、Cp′がNo（Cp−１）であるテトラキス
アゾ化合物の合成）合成例１における出発原料の４，4′，５，5′−
テトラフエニル−ジチアゾリル−２，2′の代りに
１，４−ビス−（4′，5′−ジフエニルチアゾリル
−2′）−ベンゼンを用いた他は合成例１と同様に
してテトラキスジアゾニウム塩を得た。次にこの
テトラキスジアゾニウム塩２ｇ（1.99mmol）及
びカプラーとして、２−ヒドロキシ−３−ナフト
エ酸アニリド（Cp−１）1.57ｇ（5.97mmol）を、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド100mlに溶解し０
℃に冷却した。この溶液に10％酢酸ナトリウム水
溶液10mlを０℃で滴下した後、室温で２時間撹拌
した。次に生成した沈殿を取し、300mlの水で洗浄
後、アセトン200mlで洗浄し、乾燥してテトラキ
スアゾ化合物2.88ｇ（収率87％）を得た。この化合物の分解温度は270℃以であつた。元素分析値及び吸収スペクトルについては以下
の通りである。元素分析値 C₁₀₂H₆₈N₁₄O₈S₂として計算値Ｃ，72.84％Ｈ，4.08％Ｎ，11.66％Ｓ，3.81％実測値Ｃ，72.95％Ｈ，4.39％Ｎ，11.38％Ｓ，3.77％ IR吸収スペクトル（KBr錠剤）吸収スペクトルは第２図に示す。アミドに吸収：1680cm^-1 可視吸収スペクトル吸収極大波長 545nm （５％エチレンジアミン含有Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド中）合成例 14〜24 合成例13におけるカプラー（Cp−１）の代り
に第３表中に示すカプラーを用いた他は合成例13
と同様にして一般式〔２〕でA′が

【式】Z′が硫黄原子であるテトラキスアゾ化合物を合成した。それぞ減のテトラキスア
ゾ化合物の分解温度、IR吸収スペクトル（アミ
ドの吸収値、KBr錠剤）及び可視吸収スペクト
ル（吸収極大波長値、５％エチレンジアミン含有
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中）を第３表に示
す。

【表】

【表】他のテトラキスアゾ化合物もカプラー及び、対
応するテトラキスジアゾニウム塩を変える他は、
上記合成例に従がつて合成する事ができる。本発明の電子写真感光体は前記一般式で表わさ
れるテトラキスアゾ化合物を１種又は２種以上含
有する電子写真感光層を有する。各種の形態の電
子写真感光体が知られているが、本発明の電子写
真感光体はそのいずれのタイプの感光体であつて
もよいが通常下に例示したタイプの電子写真感光
体構造をもつ。 (a) 導電性支持体上にテトラキスアゾ化合物をバ
インダーあるいは電荷担体輸送媒体中に分散さ
せて成る電子写真感光層に設けたもの。 (b) 導電性支持体上にテトラキスアゾ化合物を主
成分とする電荷担体発生層を設け、その上に電
荷担体輸送媒体層を設けたもの。本発明のテトラキスアゾ化合物は光導電性物質
として作用し、光を吸収すると極めて高い効率で
電叶担体を発生し、発生した電荷担体はテトラキ
スアゾ化合物を媒体として輸送することもできる
が、電荷担体輸送化合物を媒体として輸送させた
方が更に効果的である。タイプ(a)の電子写真感光体を作成するにはテト
ラキスアゾ化合物の微粒子をバインダー溶液もし
くは電荷担体輸送化合物とバインダーを溶解した
溶液中に分散せしめ、これを導電性支持体上に塗
布乾燥すればよい。この時の電子写真感光層の厚
さは３〜30μ、好ましくは５〜20μがよい。タイプ(b)の電子写真感光体を作成するには導電
性支持体上にテトラキスアゾ化合物を真空蒸着す
るか、アミン等の溶媒に溶解せしめて塗布する
か、あるいはテトラキスアゾ化合物の微粒子を適
当な溶剤もしくは必要があればバインダーを溶解
せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥した後、その
上に電荷担体輸送化合物及びバインダーを含む溶
液を塗布乾燥して得られる。この時の電荷担体発
生層となるテトラキスアゾ化合物層の厚みは4μ
以下、好ましくは2μ以下がよく、電荷担体輸送
媒体層の厚みは３〜30μ、好ましくは５〜20μが
よい。 (a)及び(b)のタイプの感光体で用いられるテトラ
キスアゾ化合物はボールミル、サンドミル、振動
ミル等の分散機により粒径5μ以下、好ましくは
2μ以下に粉砕して用いられる。タイプ(a)の電子写真感光体において使用される
テトラキスアゾ化合物の量は少な過ぎると感度が
悪く、多すぎると帯電性が悪くなつたり、電子写
真感光層の強度が弱くなつたりし、電子写真感光
層中のテトラキスアゾ化合物の占める割合はバイ
ンダーに対し0.01〜２重量倍、好ましくは0.05〜
１重量倍がよく、必要に応じて添加する電荷担体
輸送化合物の割合はバインダーに対し0.1〜２重
量倍、好ましくは0.3〜1.3重量倍の範囲がよい。
またそれ自身バインダーとして使用できる電荷担
体輸送化合物の場合には、テトラキスアゾ化合物
の添加量はバインダーに対し0.01〜0.5重量倍使
用するのが好ましい。またタイプ(b)の電子写真感光体において電荷担
体発生層となるテトラキスアゾ化合物含有層を塗
布形成する場合、バインダー樹脂に対するテトラ
キスアゾ化合物の使用量は0.1重量倍以上が好ま
しくそれ以下だと十分な感光体が得られない。電
荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合物の割合は
バインダーに対し0.2〜２重量倍、好ましくは0.2
〜1.3重量倍が好ましい。それ自身バインダーと
して使用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用
する場合、他のバインダーは無くとも使用でき
る。またタイプ(b)の感光体において特願昭59−
53183号、特願昭59−109906号、特願昭59−
118414号各明細書に記載されているように、電荷
担体発生層中にヒドラゾン化合物、オキシム化合
物等の電荷担体輸送化合物を添加することができ
る。本発明の電子写真感光体を作成する場合、バイ
ンダーと共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤
を使用してもよい。本発明の電子写真感光体において使用される導
電性支持体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等
の金属板、ポリエステル等のプラスチツクシート
またはプラスチツクフイルムにアルミニウム、酸
化インジウム、SnO₂等の導電材料を蒸着、もし
くは分散塗布したもの、あるいは導電処理した紙
等が使用される。バインダーとしては疎水性で、かつ誘電率が高
く、電気絶縁性のフイルム形成性高分子重合体を
用いるのが好ましい。この様な高分子重合体とし
ては例えば次のものを挙げることができるが勿論
これらに限定されるものではない。ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステ
ルカーボネート、メタクリル樹脂、アクリル樹
脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリビニルアセテート、スチレン−ブ
タジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキツド樹
脂、フエノールホルムアルデヒド樹脂、スチレン
−アルキツド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ルこれらの結着剤は、単独であるいは２種以上の
混合物として用いることができる。可塑性としてはビフエニル、塩化ビフエニル、
ｏ−テルフエニル、ｐ−テルフエニル、ジブチル
フタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチルフタレート、トリフエニル燐酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフエノン、塩素化パラフイ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ジラウリル
チオジプロピオネート、３，５−ジニトロサリチ
ル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる。その他、電子写真感光体の表面性をよくするた
めに、シリコンオイル等を加えてもよい。増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエ
チレン、メチルバイオレツト、ローダミンＢ、シ
アニン染料、メロシアニン染料、ピリリウム染
料、チアピリリウム染料等が挙げられる。電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を
輸送する化合物と正孔を輸送する化合物との二種
類に分類されるが、本発明の電子写真感光体には
両者とも使用することができる。電子を輸送する
化合物としては電子吸引性基を有する化合物、例
えば２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオ
レノン、９−ジシアノメチレン−２，４，７−ト
リニトロフルオレノン、９−ジシアノメチレン−
２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、テ
トラニトロカルバゾールクロラニル、２，３−ジ
クロル−５，６−ジシアノベンゾキノン、２，
４，７−トリニトロ−９，10−フエナントレンキ
ノン、テトラクロロ無水フタール酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげ
ることができる。正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を
有する化合物、例えば高分子のものでは、 (1) 特公昭34−10966号公報記載のポリビニルカ
ルバゾールおよびその誘導体、 (2) 特公昭43−18674号公報、特公昭43−19192号
公報記載のポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ポリ−２−ビニル４−（4′−ジメチ
ルアミノフエニル）−５−フエニル−オキサゾ
ール、ポリ−３−ビニル−Ｎ−エチルカルバゾ
ールなどのビニル重合体、 (3) 特公昭43−19193号公報記載のポリアセナフ
チレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチ
レンの共重合などのような重合体、 (4) 特公昭56−13940号公報などに記載のピレン
〜ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン〜ホル
ムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール〜ホル
ムアルデヒド樹脂などの縮合樹脂。 (5) 特開昭56−90883号及び特開昭56−161550号
明細書に記載された各種のトリフエニルメタン
ポリマー。また低分子のものでは、 (6) 米国特許第3112197号明細書などに記載され
ているトリアゾール誘導体、 (7) 米国特許第3189447号明細書などに記載され
ているオキサジアゾール誘導体、 (8) 特公昭37−16096号公報などに記載されてい
るイミダゾール誘導体、 (9) 米国特許第3615402号、同第3820989号、同
3542544号、特公昭45−555号、特公昭51−
10983号、特開昭51−93224号、特開昭55−
108667号、特開昭55−156953号、特開昭56−
36656号明細書、公報などに記載のポリアリー
ルアルカン誘導体、 (10) 米国特許第3180729号、米国特許第4278746
号、特開昭55−88064号、特開昭55−88065号、
特開昭49−105537号、特開昭55−51086号、特
開昭56−80051号、特開昭56−88141号、特開昭
57−45545号、特開昭54−112637号、特開昭55
−74546号明細書、公報などに記載されている
ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、 (11) 米国特許第3615404号明細書、特公昭51−
10105号、特開昭54−83435号、特開昭54−
110836号、特開昭54−119925号、特公昭46−
3712号、特公昭47−28336号明細書、公報など
に記載されているフエニレンジアミン誘導体、 (12) 米国特許第3567450号、特公昭49−35702号、
西独国特許（DAS）1110518号、米国特許第
3180703号、米国特許第3240597号、米国特許第
3658520号、米国特許第4232103号、米国特許第
4175961号、米国特許第4012376号、特開昭55−
144250号、特開昭56−119132号、特公昭39−
27577号、特開昭56−22437号明細書、公報など
に記載されているアリールアミン誘導体、 (13) 米国特許第3526501号明細書記載のアミノ
置換カルコン誘導体、 (14) 米国特許第3542546号明細書などに記載の
Ｎ，Ｎ−ビカルバジル誘導体、 (15) 米国特許第3257203号明細書などに記載の
オキサゾール誘導体、 (16) 特開昭56−46234号明細書などに記載のス
チリルアントラセン誘導体、 (17) 特開昭54−110837号明細書などに記載され
ているフルオレノン誘導体、 (18) 米国特許第3717462号、特開昭54−59143号
（米国特許第4150987号に対応）、特開昭55−
52063号、特開昭55−52064号、特開昭55−
46760、特開昭55−85495号、特開昭57−11350
号、特開昭57−148749号、特開昭57−104144号
明細書などに開示されているヒドラゾン誘導
体、 (19) 米国特許第4047948号、米国特許第4047949
号、米国特許第4265990号、米国特許4273846
号、米国特許4299897号、米国特許4306008号明
細書などに記載のベンジジン誘導体、 (20) 特開昭58−190953号、特開昭59−95540号、
特開昭59−97148号、特開昭59−195658号公報
などに記載されているスチルベン誘導体などが
ある。なお本発明において、電荷担体を輸送する化合
物は(1)〜（20）にあげられた化合物に限定され
ず、これまで公知の全ての電荷担体輸送化合物を
用いることができる。これらの電荷輸送材料は場合により２種類以上
を併用することも可能である。なお、以上のようにして得られる感光体には、
導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着
層またはバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としては、前記バインダー
に用いられる高分子重合体のほか、ゼラチン、カ
ゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース、特開昭59−
84247号、に記載の塩化ビニリデン系ポリマーラ
テツクス、特開昭59−114544号に記載のスチレン
−ブタジエン系ポリマーラテツクスまたは酸化ア
ルミニウムなどであり、これらの層の厚さは1μm
以下が好ましい。以上本発明の電子写真感光体について詳細に説
明したが、本発明の電子写真感光体は一般に感度
が高く耐久性が優れているというような特徴を有
している。本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のほ
かレーザー、ブラウン管を光源とするプリンター
の感光体などの分野に広く応用する事ができる。本発明のテトラキスアゾ化合物を含む光導電性
組成物はビデオカメラの撮像管の光導電層とし
て、また公知の信号転送や走査を行う一次元また
は二次元配列された半導体回路の上の全面に設け
られた受光層（光導電層）を有する固体撮像素子
の光導電層として用いることができる。また、
A.K.Ghosh，Tom Feng，J.Appl.Phys.，49
（12），5982（1978）に記載されている様に、太陽
電池の光導電層としても用いることができる。また本発明のテトラキスアゾ化合物は、光電気
泳動システムにおける光導電性着色粒子及び乾式
または湿式の電子写真現像剤における着色粒子と
しても用いることができる。また本発明のテトラキスアゾ化合物を、特公昭
37−17162号、特開昭55−19063号、特開昭55−
161250号、特開昭57−147656号明細書に開示され
ているように、オキサジアゾール誘導体、ヒドラ
ゾン誘導体などの前述の電荷担体輸送性化合物と
ともにフエノール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂
液中に分散し、アルミニウムなどの導電性支持体
上に塗布、乾燥後、画像露光、トナー現像、アル
カリ水溶液によるエツチングにより、高解像力、
高耐久性、高感度の印刷版が得られる他、プリン
ト回路を作成することもできる。次に、本発明の光感応性組成物を、光学情報記
録媒体として用いる例について述べる。即ち、本発明の光学情報記録媒体は、支持体上
に少なくとも本発明のテトラキスアゾ化合物を含
有する有機薄膜を形成することで構成されるが、
該有機薄膜は、前述の化合物を真空蒸着塗布等の
種々の方法を用いて形成することができる。塗布法を用いる場合には、その有機溶媒として
は、アルコール類（例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等）、ケトン類（例えばア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロヘキサノン等）アミド類（例え
ば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド等）エステル類（例えば、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等）、エーテ
ル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、モノグライム、ジグライム等）、ハロゲン化
炭化水素類（例えば、塩化メチレン、クロロホル
ム、メチルクロロホルム、四塩化炭素、モノクロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼン等）等を単独ある
いは混合して用いることができる。該色素のバイ
ンダーとしては、公知の天然あるいは合成樹脂の
中から選択することができ、具体的には、セルロ
ーズ樹脂（例えば、ニトロセルローズ、リン酸セ
ルローズ、酢酸セルローズ、酪酸セルローズ、メ
チルセルローズ、エチルセルローズ、ブチルセル
ローズ等）、アクリル樹脂、（例えば、ポリメチル
メタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポ
リブチルアクリレート、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリア
クリロニトリル等）、ビニル樹脂（例えば、ポリ
スチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等）、
ポリカーボネート類、ポリエステル類、ポリアミ
ド樹脂、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリオ
レフイン樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等）あるいは合成共重合体樹脂等を用いる
ことができる。塗布は、スプレー、ローラーコー
テイング、スピンナーコーテイング、ブレードコ
ーテイング等の汎用のコーテング法を用いて行な
うことができる。樹脂とともに有機薄膜を形相する場合、テトラ
キスアゾ化合物の含有量は、薄膜中において５〜
90重量％で好ましくは15〜80重量％であり、残り
はバインダーである。又有機薄膜の蒸着膜厚又は
乾燥膜厚は10μm以下で好ましくは2μm以下であ
る。更に有機薄膜中に必要に応じて退色防止剤、着
色剤を含有させることができる。本発明において使用される支持体の材料は、当
該業者には公知のものであり、使用レーザー光に
対して透明又は不透明のいずれでも良い。具体的
には、ガラス、石英、セラミツクス、紙、金属
類、プラスチツク類（例えば、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフイ
ン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂等）等を挙げることができ
る。支持体側からレーザー光の照射で書込み記録す
る場合は、そのレーザー光に対してて透明でなけ
ればならず、これに対して支持体と反対側即ち、
記録層の表面から書込み記録する場合には、レー
ザー光に対して透明である必要はない。しかし読
出し再生を透過光で行なう場合は、読出しレーザ
ー光に対して透明でなければならない。一方読出
し再生を反射光で行なう場合は、読出しレーザー
光に対して透明又は不透明のいずれでも良い。
又、支持体には必要に応じて凹凸で形成される案
内溝を設けても良いし、又、例えば紫外線硬化樹
脂等から成る下引き層を設けても良い。本発明の光学情報記録媒体は、基本的には、上
述した支持体上に、有機薄膜を設けたものである
が、必要に応じて、支持体と有機薄膜の間に、ア
ルミニウム、銀、クロム、スズ等の反射性金属の
蒸着層又はラミネート層等の反射層を設けること
ができる。情報の記録は、有機薄膜上に集束されたレーザ
ー光線の照射によつて熱作用による有機薄膜への
ピツト形成によつて行なわれる。ピツトの深さを
有機薄膜の膜厚と同一にすると、ピツト領域にお
ける反射率を増加させることができる。情報の再
生は、書込みに用いたレーザー光線と同一の波長
を有するが、強度の小さいレーザー光線を用いれ
ば読出し光がピツト領域で大きく反射されるが、
非ピツト領域においては吸収されることとなり、
このピツト形成部と非ピツト形成部からの反射光
の差を検出することによつて行なわれる。又、他
の方法は、有機薄膜が吸収する第１の波長のレー
ザー光線で実時間記録を行ない、再生に有機薄膜
を実質的に透過する第２の波長のレーザー光線を
用いることもできる。再生用レーザー光線が、ピ
ツト形成部と非ピツト形成部における異なる膜厚
によつて生じる反射相の変化に応答することによ
つて行なわれる。又、上述した様な同一の構成の２枚の記録媒体
を有機薄膜同士が対向する様に配置した構成の記
録媒体とすることもできる。これの場合には、有機薄膜が外気と遮断される
ため、ゴミの付着、キズの発生、有害ガスとの接
触から保護できることから記録層の保存は著しく
向上される。本発明の光学情報記録媒体に適用されるレーザ
ー光は、Arレーザー、He−Neレーザー、He−
Cdレーザー等のガスレーザーも可能である。次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明が実施例に限定されるもの
ではない。なお実施例中「部」とあるのは「重量
部」を示す。実施例１合成例１で合成した一般式〔２〕で示され、
A′が単結合、Z′が硫黄原子、Cp′が第１表のNo.
（Cp−１）であるテトラキスアゾ化合物１部と
４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−２，2′−ジメ
チルトリフエニルメタン５部とビスフエノールＡ
のポリカーボネート５部とをジクロロメタン95部
に加え、これをボールミル中で粉砕、混合して調
液し、この塗布液をワイヤーラウンドロツドを用
いて導電性透明支持体（100μmのポリエチレンテ
レフタレートフイルムの表面に酸化インジウムの
蒸着膜を設けたもの。表面抵抗10³Ω）上に塗布、
乾燥して、厚さ約8μmの単層型電子写真感光層を
有する電子写真感光体を調製した。この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置（川口電機(株)製SP−428型）を用いて＋
5KWのコロナ放電により＋400Vに帯電させ、つ
いで色温度2854〓のタングステンランプによつて
その表面が4luxになる様にして光を照射し、その
表面電位が初期表面電位の半分に減衰するのに要
する時間を求め、半減露光量E₅₀（lux・sec）を測
定したところ3.1lux・secであつた。実施例２〜31 実施例１において、合成例１で合成したテトラ
キスアゾ化合物の代りに、第３表に示すテトラキ
スアゾ化合物を用いる他は実施例１と同様にし
て、単層構成の電子写真感光体を作製し、実施例
１と同様にして正帯電による半減露光量E₅₀を測
定した。得られた結果を第４表に示す。

【表】

【表】実施例 32 合成例１で合成した一般式〔２〕で示され、
A′が単結合、Z′が硫黄原子、Cp′が第１表のNo，
（Cp−１）であるテトラキスアゾ化合物５部とポ
リエステル樹脂（商品名バイロン200、東洋紡
績(株)製）５部をテトラヒドロフラン50部に溶かし
た液と共にボールミルで、20時間分散した後、ワ
イヤーラウンドロツドを用いて、導電性支持体
（75μmのポリエチレンテレフタレートフイルムの
表面にアルミニウムの蒸着膜を設けたもの。表面
電気抵抗４×10²Ω）上に塗布、乾燥して、厚さ
0.5μmの電荷発生層を作製した。次に電荷発生層の上にｐ−（ジフエニルアミノ）
ベンズアルデヒドN′−メチル−N′−フエニルヒ
ドラゾン 3.6部とビスフエノールＡのポリカーボネート
４部とをジクロロメタン13.3部１，２−ジクロロ
エタン26.6部に溶解した溶液をワイヤーラウンド
ロツドを用いて塗布乾燥し、厚さ11μmの電荷輸
送層を形成させて２層からなる電子写真感光層を
有する電子写真感光体を作成した。この感光体を−6KVのコロナ放電により５秒
間帯電せしめた時の初期表面電位Vo、次いでタ
ングステンランプの光を感光体表面における照度
を30luxになるようにして光を照射し、その表面
電位が初期表面電位Voの半分に減衰するのに要
する露光量E₅₀及び60lux・secの露光量で露光し
た時の表面電位（残留電位）V_Rをそれぞれ測定
した。また同様の測定を3000回繰り返して行なつた。
結果は第５表に示す通りである。

【表】比較例１〜２実施例32において用いた合成例１で合成したテ
トラキスアゾ化合物の代りに、下記構造式（）、
（）で示すジスアゾ化合物を用いる他は実施例
32と同様にして二層構成の電子写真感光体を作製
し、実施例32と同様にして初期表面電位Vo、半
減露光量E₅₀及び残留電位V_Rを測定した。また実
施例32と同様にして3000回繰り返した結果を第６
表に示す。

【表】実施例 33〜107 実施例32において、合成例１で合成したテトラ
キスアゾ化合物の代りに、第７表に示すテトラキ
スアゾ化合物を用いる他は実施例32と同様にして
二層構成の電子写真感光体を作製し、実施例32と
同様にして半減露光量E₅₀を測定した。その結果
を第７表に示す。以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ感度
残留電位及び繰り返し使用時の安定性において極
めて、優れたものである。

【表】

【表】実施例 108 合成例１で合成した一般式〔２〕で示され、
A′が単結合、Z′が硫黄原子、Cp′が第１表のNo
（Cp−１）であるテトラキスアゾ化合物５部と実
施例32で用いたヒドラゾン化合物40部とベンジル
メタクリレートとメタアクリル酸のコポリマー
（〔η〕30℃メチルエチルケトン＝0.12、メタアク
リル酸含有32.9％）100部とをジクロロメタン660
部に添付し、超音波分散させた。この分散液を砂目立てした厚さ0.25mmのアルミ
ニウム版上に塗布、乾燥し乾燥膜厚６mmの電子写
真感光層を有する電子写真感光性印刷版材料を調
製した。この試料を暗所でコロナ放電（＋6KV）する
ことにより、感光層の表面電位を約＋600Vに帯
電させた後、色温度2854〓のタングステン光を試
料面に照度2.0luxで露光した所、半減露光量は
4.3lux・secであつた。つぎに、この試料を暗所で表面電位を約＋
400Vに帯電させた後、ポジ画像の透過原稿と密
着させて画像露光した。これをIsoperH（エツソ
スタンダード社、石油系溶剤）1000部中に微粒子
状に分散されたポリメチルメタアクリレート（ト
ナー）５部及び大豆油レシチン0.01部を添加する
ことによつて作製したトナーを含む液体現像中に
浸漬し、鮮明なポジのトナー画像を得ることがで
きた。更に100℃で30秒間加熱してトナー画像を定着
した。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和
物70部をグリセリン140部、エチレングリコール
550部、およびエタノール150部に溶解した液に約
１分間浸漬し、水流で軽くブラツシングしながら
洗うことにより、トナーの付着していない部分の
電子写真感光層を去し、印版が得られた。また液体現像液の代わりに、得られた静電潜像
を、ゼロツクス3500用トナー（富士ゼロツクス(株)
製）を用いて磁気ブラシ現像した後80℃で30秒間
加熱、定着した。次にアルカリ溶液でトナー付着
してない部分の感光層を去することによつても、
印版が得られた。このようにして作製した印版をハマダスター
600CDオフセツト印刷機を用いて常法により印刷
した所地汚れのない非常に鮮明な印刷物を５万枚
印刷することができた。実施例 109 ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業製、
メチルエチルケトン25wt％溶液）10ｇ、合成例
１で合成したテトラキスアゾ化合物3.0ｇ及びテ
トラヒドロフラン100ｇを混合し、十分に分散し
た。この分散液をアクリル基板にスピンナーコー
テイング法（1000rpm）で塗布した後、温度80℃
で２時間乾燥した（膜厚0.3μm）。この様にして
作製した記録媒体をターンテーブル上に取り付
け、ターンテーブルをモーターで1800r.p.m.に回
転しながら、スポツトサイド1.0μmに集束した
10mW及び8MHzのヘリウム−ネオンレーザー
光（発振波長633nm）を記録層面にトラツク状で
照射して記録を行なつた。この記録された記録層
の表面を走査型電子顕微鏡で観察した所、鮮明な
ピツトが認められた。更に、この記録媒体に低出力にした上記レーザ
ー光を入射し、反射光の検知を行なつた所、充分
なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のテトラキスアゾ化合物〔合
成例１で合成した化合物〕のIR吸収スペクトル
（KBr錠剤法）を示す。また第２図は、本発明のテトラキスアゾ化合物
〔合成例13で合成した化合物〕のIR吸収スペクト
ル（KBr錠剤法）を示す。

Claims

【特許請求の範囲】１下記一般式〔１〕で表わされるテトラキスア
ゾ化合物の少なくとも１種を含有することを特徴
とする光感応性組成物。一般式〔１〕においてCpはカプラー残基を表
わす。Ａは単結合、【式】（但しｎは１〜３の整数を表わす。）、または芳香族性を有する
２価の有機残基を表わす。B¹，B²は水素原子ま
たは電子吸引性基を表わす。ＺはＮ−R⁶、−Ｏ
−、−Ｓ−または−Se−を表わす。ただしR⁶は水
素原子、低級アルキル基、アリール基、アルコキ
シカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アシル基またはこれらの置換体を表わす。 Arは２価の芳香族炭素環基、２価の芳香族複
素環基またはこれらの置換体を表わす。