JPS61238063A - 光感応性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、ペルフルオロアルキル基で置換したアゾ化合
物を含有することを特徴とする光導電性組成物に関する
ものである。又、高密度エネルギーヒームによって状態
変化を生ぜしめることにより記録再生を行なうヒートモ
ードの光学情報記録媒体に関するものである。

「従来の技術」 電子写真法はすでにカールソンが米国特許第２２２７ｔ
り１号明細書に明らかにしたように、画像露光の間に受
けた照射量に応じその電気抵抗が変化する暗所で絶縁性
の物質をコーティングした支持体よりなる光導電性材料
を用いる。この光導電性材料は一般に適当な間の暗順応
の後、暗所で、まず一様な表面電荷が与えられる。次に
、この材料は照射ノターンの種々の部分に含まれる相対
エネルギーに応じて表面電荷を減らす効果を有する照射
のパターンにより画像露光される。このようにして光導
電性物質層（電子写真感光１１）表面に残った表面電荷
又は静電潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、す
なわちトナーで接触されて可視像となる。

トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれるが、ど
ちらの場合にも電荷／１ターンに応じて電子写真感光層
表面上に付着させることができる。

付着した表示物質は、熱、圧力、溶媒蒸気のような公知
の手段により定着することができる。又静電潜像は第２
の支持体（例えば紙、フィルムなど）に転写することが
できる。同様に静電潜像を第２の支持体に転写し、そこ
で現像することも可能である。電子写真法はこの様にし
て画像を形成するようにした画像形成法の一つである。

このような電子写真法において電子写真感光体に要求さ
れる基本的な特性としては、（１）暗所で適当な電位に
帯電できること、（２）暗所において電荷の逸散が少な
いこと、（３）光照゛射によって速やかに電荷を逸散せ
しめうろことなどがあげられる。

従来、電子写真感光体の光導電性素材として用いられて
いるものに、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などが
ある。

しかしこれらの無機物質は、多（の長所を持っていると
同時にさまざまな欠点を有していることは事実である。

例えば、現在底（用いられているセレンは前記（１）〜
（３）の条件は十分に満足するが、製造する条件がむす
かしく、製造コストが高（なり、可撓性がなく、ベルト
状に加工することがむすかしく、熱や機械的の衝撃に鋭
敏なため取扱いに注意を要するなどの欠点もある。硫化
カドミウムや酸化亜鉛は、結合剤としての樹脂に分散さ
せて電子写真感光体として用いられているが、平滑性、
硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点がある
ためにそのままでは反復して使用することができない。

近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾールと、２，４ｃ、７−ドリニトロフルオレンー
ターオンとからなる電子写真感光体（米国特許ｊ　、１
ｔｒｌｌ−，２３７）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
をピリリウム塩系色素で増感したもの（特公昭μｒ−２
３ｔＪ−１）、有機顔料を主成分とする電子写真感光体
（特開昭≠７−４７３’Ａ３）、染料と樹脂とからなる
共晶錯体を主成分とする電子写真感光体（特開昭≠７−
１０７３ｊ）などがある。

この様な有機物質を用いた電子写真感光体は、バインダ
ーを適当に選択することによって塗布で生産できるため
、極めて生産性が高く、安価な感光体を提供でき、機械
的特性及び可撓性も改善できる。しかも、染料及び有機
顔料の選択によって感光波長を自在にコントロールでき
る。

しかし反応、有機物質を用いた電子写真感光体は、 ■　光感度が低い。

■　光感度が高いものは帯電性が悪い。

■　光感度が高いものは暗所における電荷の逸散（暗減
衰ンが大きい。

■　繰り返し使用時に、光感度、帯電性、暗減衰等の特
性の変動が太きい。

■　有機顔料を用いた場合は、顔料の分散が難しく塗布
面状が悪い。

等の欠点が有り、電子写真感光体としての要求を充分に
満たすものではなかった。

本発明者らは前記従来の有機電子写真感光体の持つ欠点
を解消すべ（鋭意研究した結果、ペルフルオロアルキル
基で置換したアゾ化合物を含有する光導電性組成物を用
いた電子写真感光体が、驚くべきことに、前記■〜■の
有機電子写真感光体の持つ欠点を一挙に解消することを
見出し、本発明に到達したものである。

本発明の電子写真感光体は、極めて高感度であり、帯電
性に優れ、繰り返し時の特性の変化が小さく、且つ塗布
面状も良好なものである。

一方、従来から高エネルギー密度のビームを情報記録媒
体に照射して透過率・反射率・屈折率等の物性定数を変
化させて記録する記録方法は、極めて高解像力のコント
ラストのある画像を形成し得ること、あとからの情報付
加が可能であること又露光すると同時に記録しうろこと
等の特徴をもつので、電子計算機の出力や伝送されてく
る時系列信号の記録に適しているなどの利点を有しＣＯ
Ｍ（コンピュータ　アウトプット　マイクロン、マイク
ロファクシミリ、印刷用原版、光ディスク等に応用され
ている。

例えば、光デイスク技術で用いる記録媒体は、光学的に
検出可能な、約ｌμ前後の小さなピットをらせん状又は
円形のトラック形態にして、高密度情報を記憶すること
ができる。この様なディスクに情報を書込むには、Ｖ−
ザー感応層の表面に集束したレーザーを走査しこのレー
ザー光線が照射された表面のみがピットを形成し、この
ピットをらせん状又は円形トラックの形態で形成する。

ヒートモードの記録方式では、レーザー感応層は、レー
ザー・ビーム照射で熱エネルギーを吸収しその個所に蒸
発又は融解により小さな凹部（ピット）を形成する。

この様にして光ディスクに記録された情報は、レーザー
をトラックに沿って走査し、ピットが形成された部分と
ピットが形成されていない部分の光学的変化を読み取る
ことによって検出される。

この様なヒートモード記録し得る情報記録媒体としては
、従来プラスチック等の透明な支持体上に金属あるいは
／および金属酸化物半金属誘電体等の薄膜あるいは、自
己酸化性の結合剤と色素を含む薄膜を記録層として設け
、これに保護層が設けられた記録媒体が用いられてきた
。

しかし、従来の、無機物質を主成分とする薄膜は、レー
ザー光に対する反射率が高いために、レーザーの利用効
率が低下し、それ故に高感度特性が得られない、あるい
は記録時のレーザー光の出力が著しく増大する等の問題
点があった。

一方、一般に有機化合物は、吸収特性が長波長域になる
につれ不安定となり、温度の微かな上昇る記録媒体に要
求される使用レーザー光に対して吸収効率が大きいこと
、記録読み取りの際焦点制御が充分にできる反射率があ
ること、あるいは、記録像の安定性等の各種の特性を満
足しなげればならず、必ずしも実用性の点から充分に満
足できる有機薄膜を含有する記録媒体が開発されていな
い。

「本発明が解決しようとする問題点」 本発明者らは、前記の欠点を解消すべく、鋭意研究の結
果、本発明に到達したものである。

本発明の目的は各種の光導電体に適用できる光導電性組
成物を提供することである。更にまた他の目的は高感度
で繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子写
真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、保存性が高く、高感度で且つ充分
なＳ／Ｎ比を有する光学情報記録媒体を提供することで
ある。

「問題点を解決するための手段」 本発明の光感応性組成物は一般式〔１〕で表わされるア
ゾ化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする。

（式中、 Ａ１　：置換もしくは無置換の炭化水素系または複素系
芳香族環を表わし、 Ｘ　：ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭化
水素系または複素系芳香族環を形成するために必要な原
子団を表わし、 Ａｒ：少なくとも１個の４ルフルオロアルキル基で置換
した、炭化水素系または複素系芳香族１１　（−？ルフ
ルオロアルキル基以外の置換基で置換してもよい。〕を
表わす。

ｎ　：３、≠、！またはぶ整数を表わす。ノ一般式〔１
〕におゆるＡ１としてはベンゼン、ナフタレンアントラ
セン、ピノン、アントラキノンなどの炭化水素系芳香族
環、アントロンなどの多核キノン系芳香族環、フラン、
チオフェン、ピリジン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチ
アゾール。

カルバゾール、フタロシアニンなどの複素系芳香族環、
さらに上記芳香環を直接あるいは芳香族性または非芳香
族性基で結合したもの、例えばトリフェニルオキ丈ソー
ル、トリフェニルチアゾール、トリフェニルイミダゾー
ル、トリフェニルセレナゾール、トリフェニルアミン、
トリフェニルメタン、トリフェニルピリジン、トリフェ
ニルトＩＪ　７ゾール、テトラフェニルチオフェンなど
が例示できる。

また、これらの環の置換基としては炭素数ｌ〜乙の低級
アルキル基（例えば、メチル基、エチル基等〕、炭素数
／〜ｔの低級アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エト
キシ基等）、炭素数／−Ａの低級ハロアルキル基（例え
ば、クロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロ
メチル基等）、炭素数／−ｉｇのアルキル基をλ個有す
るジアルキルアミノ基（例えばジメチルアミノ基、ジエ
ＪＦ−／Ｉ／アミノ基等）、−・ロゲン原子（例えば、
弗素原子、塩素原子、臭素原子等へヒドロ午シ基、ニト
ロ基、シアノ基などが例示でき、置換基の個数は１個な
いしμ個であり複数の置換基が結合している場合にはそ
れらは互いに同じでも異なってもよく、任意の組合せを
とってもよ（、また置換基の結合位置は任意である。

Ｘはヒドロ争シ基が結合しているベンゼン環と縮合シて
ナフタレン環、アントラセン環などの芳香族環またはイ
ンドール環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、
ジベンゾフラン環などの複素環を形成し得る基である。

Ｘが置換基を有する芳香族環または複素環系の場合、置
換基の具体例として前述のＡ１［：おける置換基と同じ
置換基をあげることができ、置換基の個数は１個ないし
５個であり、複数の置換基が結合している場合にはそれ
らは互いに同じでも異なってもよく、任意の組合せをと
ってもよく、また置換基の結合位置は任意である。

Ａｒに置換した（ルフルオロアルキル基とじてハ、炭素
ｆｆ／〜／２のペルフルオロアルキル基（例えば、トリ
フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ｋルフル
オロブチル基、イルフルオロヘキシル基等）をあげるこ
とができる。

Ａｒとしては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、
ピレンなどの炭化水素系芳香族環、フラン、チオフェン
、ピリジンオ中すゾール、チアゾール、ベンゾオキサゾ
ール、ベンゾチアゾール、カルバゾールなどの複素系芳
香族環などが例示できる。

’！、　タＡ　ｒ　カベルフルオロアルキル基以外の置
換基で更に置換されている場合、置換基の例としてヒド
ロキシ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子（例えば
、弗素原子、塩素原子、臭素原子等）、炭素数／−／−
２のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基等）、炭素数ｌ〜／２のアルコキ
シ基（例えば、ブトキシ基、エト牛シ基、プロポ午シ基
、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、インプロポキシ基、
インブトキシ基、インアミルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシ基、ネオにンチルオキシ基等）、アミノ基、炭素数
／−／Ｊのアルキルアミノ基（例えば、メチルアミノ基
、エチルアミノ基、プロピルアミノ基等）、炭素数／−
／Ｊのジアルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基
、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−二チルアミノ基
等］、炭素数６〜／２のアリールアミノ基、（例えば、
フェニルアミノ基、トリルアミノ基等）、炭素数ｔ〜／
！のアリール基をλ個有するジアリールアミノ基（例え
ば、ジフェニルアミノ基等）、カルボキシル基、アルカ
リ金属カルボキシル基（アルカリ金属（陽イオン）の例
、Ｎ２Ｏ、ＫΦ、Ｌｉ”等）、アルカリ金属スルホナト
基（アルカリ金属（陽イオンノの例、Ｎ２Ｏ、ＫＯ１Ｌ
ｉ■等〕、アル中ルカルボニル基（例えば、アセチル基
、プロピオニル基、ベンジルカルボニル基等）、炭素数
４−７．２のアリール基を有するアリールカルボニル基
（例えば、ベンゾイル基、トルオイル基、炭素数７〜／
Ｊ（７）アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチ
ルチオ基等］、または炭素数／−／２のアリールチオ基
（例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基等）をあげる
ことができ、置換基の個数は１個ないし３個であり、複
数の置換基が結合している場合にはそれらは互いに同°
じでも異なってもよ（任意の組合せをとってよ（、また
置換基の結合位置は任意である。特にＡｒはペルフルオ
ロアル牟ル基以外にハロゲン原子を有する方が好ましい
。

ｎはｊ、４４、ｊまたは６の整数を表わすが、３または
≠が好ましい。

本発明の一般式（１）で表わされるアゾ化合物の中で、
光感度の高い光導電性組成物を与えることができること
、あるいは光感度が高（、耐久性に優れた電子写真感光
体を与えることができること、あるいは製造原料化合物
を容易に入手して低コストでアゾ化合物を製造すること
ができることから、下記一般式〔λ〕で表わされるトリ
スアゾ化合物および下記一般式〔３〕で表わされるテト
ラキスアゾ化合物が好ましいが、一般式〔２〕および〔
３〕の化合物に限定されるものではない。

〔λ〕

〔３〕 一般式〔−〕におけるＡｒおよびＸとしては前記一般式
（１）におゆるＡｒおよびＸと同じ具体例をあげること
ができる。

一般式〔コ〕におけるＢｌ、Ｂ２およびＢ３としては、
前述のＡ１　における置換基と同じ基をあげることがで
き　Ｂｌ、Ｂ２およびＢ３の個数は７個ないし弘個であ
り、複数が結合している場合にはそれらは互いに同じで
も異なってもよく、任意の組合わせをとってもよ（、ま
た結合位置は任意である。

一般式〔コ〕におゆる２はゝＲ１−１−〇−１−８−ま
たは−８ｅ−を表わす。

Ｒ１としては水素原子、炭素数／−Ｊのアルキル基、炭
素数６〜．２０のアリール基、炭素数ｌ〜／Ｊのアルコ
キシ基を有するアルコキシカルボニル基、炭素数ｔ−コ
Ｏのアリールオキシカルボニル基、炭素数／〜２０のア
シル基がある。

Ｒ１が無置換アルキル基の場合、その風体例としてメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、はメチル基、
ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソヘキ
シル基、ネオはメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等をあげ
ることができる。

Ｒ１が置換アルキル基の場合、置換基としては、ヒドロ
牛シ基、炭素数／〜ｌλのアルコキシ基、シアノ基、炭
素数／−４のアルキルアミノ基、炭素数／−４のアルキ
ル基を２個有するジアルキルアミノ基、−・ロゲン原子
、炭素数４−／ｊのアリール基などがある。その例とし
て、ヒドロキシアルキル基（例えばヒドロ牛ジメチル基
、コーとドロ中ジエチル基、３−ヒドロキシプロピル基
、コーヒドロキシプロビル基等）、アルコキシアルキル
基（例えば、メトキシメチル基、λ−メトキシエチル基
、３−メトキシプロピル基、エトキシメチル基、コーン
アノエチル基等）、シアノアル午ル基（例えばシアノメ
チル基、コーンアノエチル基等）、（アルキルアミノ）
アルキル基（例工ば、（エチルアミツノメチル基、２−
（メチルアミツノエチル基、（エチルアミツノメチル基
等）、（シアル中ルアミノフアルキル基（例えば、（ジ
エチルアミツノメチル基、−一（ジメチルアミノ）エチ
ル基等）、ハロゲノアルキル基（例えば、フルオロメチ
ル基、クロロメチル基、ブロモメチル基等）、アラルキ
ル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基等〕をあげる
ことができる。

Ｒ１が無置換アルコキシカルボニル基の場合、その具体
例としてメトーｒシカルメニル基、エトキンカルボニル
基、プロボキシカルゼニル基、ブト中ジカルボニル基、
ベンジルオキシカルボニル基等をあげることができる。

Ｒ１が無置換アリール基、無置換アリール、オキシカル
ボニル基の場合、その具体例としてフェニル基、ナフチ
ル基、ピリジル基、フェノ牛ジカルボニル基、ナフｔ−
＝ｙ’ジカルボニル基等をあげることができる。

Ｒ１が無置換アシル基の場合、その風体例としてアセチ
ル基、プロピオニル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、
ニコチノイル基等をあげることができる。

Ｒ１が置換アルコキシカルボニル基、置換アリールオキ
シカルボニル基及び置換アシル基の場合、置換基として
は前述のＲにおける置換アルキル基の置換基と同じ基を
あげることができ置換基の個数は１個ないし３個であり
、複数の置換基が結合している場合にはそれらは互いに
同じでも異なってもよ（、任意の組合せをとってもよ（
、また置換基の結合位置は任意である。

一般式〔３〕におゆるＡｒおよびＸとしては前記一般式
（１）におけるＡｒおよびＸと同じ具体例をあげること
ができる。

一般式〔３〕におけるＺとしては前述の一般式〔λ〕に
おける２と同じ具体例をあげることができる。

の整数を表わす。）、または芳香族性を存する２価の有
機残基な表わす。

コ価の有機残基の風体例としては以下に示される２価の
有機残基及びその置換体があり、その置換基としては前
述のＡ１における置換基の風体例と同じ基をあげること
ができる。

上記具体例中Ｒ１は前述の一般式〔λ〕におけるＲ１と
同じ具体例をあげることができる。

Ｂ　　、Ｂ　　は、水素原子または電子吸引性基を表わ
す。電子吸引性基の具体例としては、ハロゲン原子（例
えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子等）、ニトロ基、
シアノ基、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニ
ル基、エト午ゾカルメ二ル基等）をあげることができる
。

Ｑ２は２価の芳香族炭素環基、２価の芳香族複素環基ま
たはこれらの置換体を表わす。その具体例としては、以
下の構造で示されるコ価の芳香族炭素環基、２価の芳香
族炭素環基及びその置換体がある。

置換体としては前述のＡ１　　における置換基の具体例
と同じ基をあげることができる。

また一般式〔コ〕で表わされるトリスアゾ化合物の他に
、下記一般式〔≠〕で表わされるトリスアゾ化合物も有
用である。

ＨＯＣ０Ｎ）ｉ−Ａｒ 〔弘〕 一般式〔弘〕におけるＹは、 一般式〔μ〕におゆるＸ及びＡｒは一般式〔コ〕におけ
るＸ及びＡｒと同じ意味を表わす。

また一般式〔コ〕で表わされるトリスアゾ化合物の中で
、下記一般式〔！〕で表わされるトリスアゾ化合物がさ
らに好ましいが、一般式〔！〕の化合物に限定されるも
のではない。

（式中、Ｚは前述の一般式〔λ〕における２と同じ意味
を表わす。Ｃｐはカプラー残基を表わし、Ａｒは前述の
一般式（／ＪにおけるＡｒと同じ意味を表わし、好まし
くはベンゼン、ナフタレンを表わす。

さらにＡｒに置換するはルフルオロアルキル基としては
、好ましくはトリフルオロメチル基をあげることができ
、更にペルフルオロアルキル基以外の置換基で置換され
ている場合は、好ましくは・−ロゲン原子（例えば弗素
原子、塩素原子、臭素原子等）をあげることができる。

フ また一般式〔３〕で表わされるテトラキスアゾ化合物の
中で、下記一般式〔６〕で表わされるテトラキスアゾ化
合物がさらに好ましいが、一般式（ＪＪの化合物に限定
されるものではない。

〔≦〕

（式中、２は前述の一般式〔コ〕におけるＺとＣｐは前
述の一般式〔ｊ〕におけるＣｐと同じ具体例をあげるこ
とができる。

一般式〔１〕のアゾ化合物の具体例としては次のものが
あげられるが本発明のアゾ化合物が次のも・のに限定さ
れるものではない。簡略化のためにとしてまず次にＡ１
の構造および置換位置を示す。

（ｌｌｎ＝３（トリスアゾ化合物）の場合化合物層　　
　　　　　　　　ＡＩ Ｎ　−Ｎ （ＩＩ）　　ｒ＋−’（テトラキスアゾ化合物）の場合
次にｃｐの具体例は第１表に示すカプラー残基組み合わ
せを示し、表中の記号はカプラー鷹を示す。） 本発明で用いるアゾ化合物は公知の反応を用いることに
よって容易に製造することができる。例えば前記一般式
〔λ〕に示されたトリスアゾ化合物は以下の方法によっ
て合成することができる。

下記一般式〔７〕のＲ２が水素である化合物を、適当な
条件下、例えば濃硫酸中で濃硝酸あるいは硝酸カリウム
等を用いてニトロ化して一般式〔７〕のＲ２＝ＮＯ２の
化合物とする。次にこれを適当な条件下、例えばＮ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド中で鉄粉と希塩酸あるいは塩化
第１スズと塩酸で還元して一般式〔７〕のＲ２＝ＮＨ２
の化合物とする。次にこれを常法に従いジアゾ化して一
般式％式％：０４ などのアニオン官能基を表わす）で表わされるトリスジ
アゾニウム塩として単離した後、これを適当な醇媒例え
ばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中で前述の第７表に示
すカプラー（Ｃｐ）とアルカリ例えば酢酸ナトリウム、
水酸化ナトリウムの存在下にカップリング反応させるこ
とにより容易に合成することができる。

（式中、２は一般式〔λ〕のＺと同じ意味を表わす。） また一般式〔７〕のＲ２が水素である化合物は２が酸素
原子である場合には［ヘミッセ　ベリヒテ（Ｃｈｅｍｉ
ｓｈｅ　Ｂｅｒｉｃｈｔｅ）Ｊ　、　／　Ｏｊ　。

／ｊ７Ｊ（／り７０）　、（Ｊ−Ｈｅｆｎｚｅ　　ａｎ
ｄＨ，Ｂａｕｍｇ’ａｒｔｅ１著）等の記載により、Ｚ
が窒素原子の場合、「ジャーナル　オブ　ザ　ケミカル
　ンサイアテイ（Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　ｔｈｅＣ
ｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ）Ｊ　、／り弘／、
２７Ｆ（Ａ、Ｈ，Ｃｏｏｋ　ａｎｄ　Ｄ、Ｇ、Ｊｏｎｅ
ｓ著〕等に記載の合成法を用いることにより、２が硫黄
原子及びセレン原子の場合、「ヘミッセベリヒテ（Ｃｈ
ｅｍｉｓｈｅ　Ｂｅｒｉｃｈｔｅ月、ｔｏ３，１ｒ７２
（／り７０　）（Ｊ、Ｈｅｌｎｚｅ等著〕、「ヘルベテ
ィ力　チミヵ　アクタ（ＨｅｌｖｅｔｉｃａＣｈｉｍｉ
ｃａ　　Ａｃｔａ月、２１．．３／ｊ’（／り４ｃｔ）
。

（Ｐ−Ｋａｒｒｅｒ　　ａｎｄ　Ｆ、Ｆｏｒｓｔｅｒ著
）％［ユストウス　リービヒス　アナレン　デア　ヘミ
エ（Ｊｕｔｕｓ　　Ｌｉｅｂｉｇｓ　Ａｎｎａｌｅｎ　
　ｄｅｒＣｈｅｍｉｅ月、２３０，２り１Ａ（ｌｒｒｙ
）＜Ｇ。

Ｈｏｆｍａｎ￥ｔ）等に記載の合成法を用いることによ
り、容易に合成することができる。

また第７表に示すカプラーは公知の方法に従って容易に
合成することができる。代表的な合成法を以下に示すが
、この合成法に限定されるものではない。

下記の一般式（ｒ）のＲ３が−ＣＯＯＨであるカルボン
酸を、ベンゼン、クロロホルムなどの有機溶媒中、適当
な酸ハロゲン化試薬（例えば、塩化チオニル、塩化オキ
ザリル等）で酸ハロゲン化し、一般式（ｒ）のＲ３が−
Ｃｏ−Ｘ’　（Ｘ’は塩素原子、臭素原子等を表わす。

）の化合物とする。次にこれを、アセトン、メチルエチ
ルケトンなどの有機溶媒中、Ａ　ｒ　−Ｎ　Ｒ２（Ａ　
ｒは一般式〔１〕のＡｒと同じ意味を表わす。】で表わ
されるアミンと縮合することにより容易に合成すること
ができる。

（式中Ｘは前述の一般式（／ＪのＸと同じ意味を表わす
。） 合成例　１ （第１表のＣｐ−ｊの合成ノ コーヒドロキシー３−ナフトエ酸４Ａ７．ｉｉｌ　（０
。

２ｚｍｏｌ）をクロロホルム／２０ｙｎｌと混合し、こ
の混合液に塩化チオニル−２２ｍ１（０，３ｍｏｌ）を
加えた。次にこの混合液を油浴上で３時間加熱還流した
。室温に冷却後、溶媒を留去すると黄土色の固体が得ら
れた。この固体をアセトン／ｊＯｒｙｄに溶解し、ｏ　
’ｃに冷却した後コーアミノー！−クロロペンゾトリフ
ルオリドＩＯ’７ｎｌ（０，７，ｔｍｏｌ）を滴下した
。滴下終了後、反応混合物を油浴上で３時間加熱還流し
た。室温に冷却後、生成した結晶を群数し、アセトン洗
浄後、エタノール−水より再結晶し、６２９（収率７６
％）の淡黄色結晶のＣｐ−ｒを得た。融点はλ−３．１
−２２≠、よ０Ｃであった。

合成例　２ （一般式〔！〕でＺが酸素原子、Ｃｐが第１表における
ｃｐ−＋であるトリスアゾ化合物の合成）２Ｉμ、ｊ−
トリフェニルオキサゾールコ０ｙ（０，０Ａ７ｍｏ））
を濃硫酸ｉｏｏｍｔに溶解し、氷冷した。これに硝酸カ
リウムココ、弘ｇ＜ｏ。

２−２ｍ０ｌ）を徐々に添加した。この際反応温度はｊ
　’Ｃ以下を保った。添加終了後、反応混合物を水冷下
３時間攪拌し、２１の氷水中に注ぎ生成した黄色沈殿を
炉取し、水洗、エタノール洗浄後、ピリジンより再結晶
しコ、弘、ｊ−トリス（ｔＡ／−ニトロフェニルノオキ
丈シー１２．２．Ｐ９（収＄７Ｐチノを得た。

次にこのλ、弘、ｊ−）リス（≠′−ニトロフェニル）
オキサゾールｔ３／ｉ（ｏ、ｏＪｒｎｏｌ）をＮ、Ｎ−
ジメチルムアミド！００１１１．鉄粉２６ｇと混合し、
この混合液に濃塩酸１０ゴと水ＪＯｍｌを加えよ（攪拌
しっつ１００’（：に加熱した。１時間後、反応温度を
１０００（：に保ちつつ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液を用いて中和し反応後のｐＨをｌとし、この反応液を
熱時濾過した。ろ液を３１の氷水中に注ぎ生成した　２
　、４４　、　ｊ　−トリス（μ′−アミノフェニル）
オキサゾールの淡黄色沈殿を群数し乾燥した。収量弘、
≠７ｇ（収率り７チ） さらにλ、４Ｃ，ｊ−）リス（弘′−アミノフェニルオ
キサゾール／λｉ（０，０Ｊ！ｍｏｌ　　）’１濃塩酸
ｊｏｄ及び水１００ｔＩＩｌから調整した希塩酸に加え
てｔｏ　０ｃの水浴上で攪拌した後。。Ｃに冷却し、こ
の溶液に亜硝酸ナトリウムｒ、ｏｇを水Ｊ　Ｏｍ１ＶＣ
溶解した溶液を００ｃで約３０分間かけて滴下した。そ
の後同温度で７時間攪拌し、少量の未反応物を炉別した
後、ろ液に≠λチ硼弗化水素酸ｊＯｄを加え析出した結
晶を戸数した。この結晶を少量の水で洗った後、乾燥し
て、トリスジアゾニウム塩のかっ色結晶ｉｚ、ｒｇ（収
率７／％ンを得た。

次にこうして得られたトリスジアゾニウム塩２ｆｉ　（
Ｊ　、　／　ｊ　ｍｍｏｌ）及びカプラーとして、２−
ヒドロキシ−３−す７トエ酸コ′−クロロ−ｊ′−トリ
フルオロメチルアニリド（＠１表においてｃｐ−４）Ｊ
、ｊ＆ｇＣり、λｍｍｏｌをへ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミドｔｏＯｍｌｖｃｆ８解し、ＯｏＣに冷却した。この
溶液に１０％酢酸ナトリウム水溶液１０ｒｔｔｌをＯｏ
Ｃで滴下した後、室温で２時間攪拌した。

次に、生成した沈殿を戸数し、ＪＯＯｍｌの水で洗浄後
、アセトン２００−で洗浄し、乾燥してトリスアゾ化合
物μ、２ＩｉＣ収率りｊ％ノを得たつこの化合物の分解
温度は２７００Ｃ以上であった。

元素分析値及び吸収スはクトルについては以下の通りで
ある。

元素分析値 ｃ７５Ｈ４２Ｃ４ｉ’３Ｆ９Ｎ１００７　　として計算
値　Ｃ，Ａｉ、ｌｙ％　Ｈ９２，♂７チα、７．ムｉ’
ｆ’、Ｉ１．ｔ／％　Ｎ、り、５７％実測値　ｃ、ｔｉ
、ｏｒチ　Ｈ，，２，７４％の、７．３３％Ｆ、／／、
λ％　　Ｎ、７．３≠チ ＩＲ吸収スはクトル　（ＫＢｒ錠剤ン アミトノ吸収：　／　＆　！ｒ　０ａｎ−’可視吸収ス
ペクトル 吸収極太波長ｊ　７２０ｍ （！チエチレンジアミン含有Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド中〕 合成例　３ （一般式（ｌでＺが硫黄原子、Ｃｐが第１表におけるＣ
ｐ−ｓであるトリスアゾ化合物の合成。）２、ＩＡ、！
　−トリフェニルチアゾール２０ｇ（０、０１，ｌＡｍ
ｏｌ）を濃硫酸ｉｏｏｍｌに溶解し、氷冷した。これに
硝酸カリウムλ／、４Ａｌｉ（０゜２１コｍｏｌ）を徐
々に添加した。この際反応温度は！０Ｃ以下を保った。

添加終了後、反応混合物を水冷下３時間攪拌し、２１の
氷水中に注ぎ生成した黄色沈殿を戸数し、水洗、エタノ
ール洗浄後、ＤＭＦ−エタノールより再結晶し、／ｒ、
ｊｇ（収率１０９６）０’）２．ＩＡ、！−）リス（４
ｃ’　−二トロフェニル）チアゾールを得たつ 次にこのλ、μ、！−トリス（ｌＡ／−ニトロフェニル
）チアゾ−ｈｌｚｌ（ｏ、ｏ３ｔｉｍｏｌ）をＮ、Ｎ−
ジメチルムアミド２００プ、鉄粉２０ｇと混合し、この
混合液に濃塩酸１０ｒｒｄｌと水３０ｍ１を加えよく攪
拌しつつ１ｏｏ０ｃに加熱した。１時間後、反応温度を
１００°Ｃに保ちつつ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
を用いて中和し反応液のｐＨをｒとし、この反応液を熱
時濾過した。ろ液を３１の氷水中に注ぎ生成したコ、μ
ｅ−ｒ　　ｌ’リス（４ｃ′−アミノフェニル）チアゾ
ールの淡黄色沈殿を戸数し乾燥した。収量ｉ１．３ｇ（
収率り弘チ） サラにλ、ｔＡ、ｔ−４リス（μ′−アミノフェニルノ
チアゾーＡ／／　２９　（０、Ｏｊ　３ｍ０１）を濃塩
酸ｔｏｒｎｔ及び水／ｌｒＯｍｌから調整した希塩酸に
加えて６０°Ｃの水浴上で攪拌した後ｏ　’Ｃに冷却し
、この溶液に亜硝酸ナトリウム７．６９を水ＪＯｒｎｌ
に溶解した溶液を００Ｃで約３０分間かけて滴下した。

その後同温度で１時間攪拌し、少量の未反応物を戸別し
た後、ｐ液にψ２％硼弗化水素酸？ＯＭを加え析出した
結晶を炉取した。この結晶を少量の水で洗った後、乾燥
して、トリスジアゾニウム塩のかっ色結晶１７．１Ａｇ
（収率１０％）を得た。

次にこうして得られたトリスジアゾニウム塩２ｇ　（Ｊ
　、ｔ　ｊｍｍｏｌ）及びカプラーとしてユーヒドロキ
シ−３−ナフトエ酸コ′−トリフルオロメチル−≠′−
クロロナフトエ酸アニリド（第１表においてＣｐ　−ｊ
　）　Ｊ　、　！Ａｊｌｌ　（Ｐ　、　’Ａｊｍｍｏｌ
）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドｉｏｏｍｌに溶解し
、　ｏ　’ｃに冷却した。この溶液に：／　（７ｑ６酢
酸ナトリウム水溶液１０ｔｔｔｌをｏ　’Ｃで滴下した
後、室温で２時間攪拌した。

次に、生成した沈殿を戸数し、３００ｒｎｌの水で洗浄
後、アセトン２００ｍ１で洗浄し、乾燥してテトラキス
アゾ化合物ａ、３３ｇ（収率り３％）を得た。

この化合物の分解温度は２７００Ｃ以上であった。

元素分析値及び吸収スはクトルについては下記の通りで
ある。

元素分析値 Ｃ７５Ｈ４２α３Ｆ９Ｎ１ｏｏ、、ｓとして計算値　Ｃ
，ｔＯ，に／％　Ｈ，コ、ｌμ％α、７．ｌμチ１’、
／／、弘タチ　Ｎ、り、≠７％　Ｓ、２．１１％実測値
　Ｃ，４０，２２％　Ｈ，３，０２％の、７．０／％）
’、／／、弘ｊチ　Ｎ、り、≠ｔ％　Ｓ、２．０ＷチＩ
Ｒ吸収スペクトル　（ＫＢｒ錠剤） アミドの吸収：　／　＆　ｒ　０ｃＩｒＬ−”可視吸収
スはクトル 吸収極大波長　！　７　／　ｎｍ （ｊチエチレンジアミン含有Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド中） 本発明の他のアゾ化合物もカプラー及び、対応するジア
ゾニウム塩を変える他は、上記合成例に従がって合成す
る事ができる。

本発明の電子写真感光体は前記一般式で表わされるアゾ
化合物を７種又は２種以上含有する電子写真感光層を有
する。各種の形態の電子写真感光体が知られているが、
本発明の電子写真感光体はそのいずれのタイプの感光体
であってもよいが通常下に例示したタイプの電子写真感
光体構造をもつ。

（ａ）　　導電性支持体上に、アゾ化合物をバインダー
あるいは電荷担体輸送媒体中に分散させて成る電子写真
感光層を設けたもの。

（ｂ）　　導電性支持体上に、アゾ化合物を主成分とす
る電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送媒体層
を設けたもの。

本発明のアゾ化合物は光導電性物質として作用し、光を
吸収すると極めて高い効率で電荷担体を発生し、発生し
た電荷担体は、アゾ化合物を媒体として輸送することも
できるが、電荷担体輸送化合物を媒体として輸送させた
方が更に効果的である。

タイプｆａ）の電子写真感光体を作成するにはアゾ化合
物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送化合
物とバインダーを溶解した溶液中に分散せしめ、これを
導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。この時の電子写
真感光層の厚さは３〜３０μ、好ましくはｊ−２０μが
よい。

タイプ（ｂ）の電子写真感光体を作成するには導電性支
持体上にアゾ化合物を真空蒸着するか、アミン等の溶媒
に溶解せしめて塗布するか、あるいはアゾ化合物の微粒
子を適当な溶剤もしくは必要があればバインダーを溶解
せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥した後、その上に電
荷担体輸送化合物及びバインダーを含む溶液を塗布乾燥
して得られる。この時の電荷担体発生層となるアゾ化合
物層の厚みはψμ以下、好ましくは２μ以下がよく、電
荷担体輸送媒体層の厚みは３〜３０μ、好ましくはｊ−
２０μがよいつ （ａ）及び（ｂ）のタイプの感光体で用いられるアゾ化
合物はゼールミル、サンドミル、振動ミル等の分散機に
より粒径！μ以下、好ましくは２μ以下に粉砕して用い
られる。

タイプ（ａ）の電子写真感光体において使用されるアゾ
化合物の量は少な過ぎると感度が悪（、多すぎると帯電
性が悪くなったり、電子写真感光層の強度が弱（なった
りし、電子写真感光層中のアゾ化合物の占める割合はバ
インダーに対し０．０１〜２重量倍、好ましくは０．０
２〜１重量倍がよく、必要に応じて添加する電荷担体輸
送化合物の割合はバインダーに対しａ、／−２重量倍、
好ましくはＯ，ｊ〜／、３重量倍の範囲がよい。またそ
れ自身バインダーとして使用できる電荷担体輸送化合物
の場合には、アゾ化合物の添加量はバインダーに対し０
．０／−０，１重量倍使用するのが好ましい。

またタイプ（ｂ）の電子写真感光体において電荷担体発
生層となるアゾ化合物含有層を塗布形成する場合、バイ
ンダー樹脂に対するアゾ化合物の使用量は０．１重量倍
以上が好ましくそれ以下だと十分な感光性が得られない
。電荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合物の割合はバ
インダーに対し０゜２〜２重量倍、好ましくは０，２〜
ｉ、３重量倍が好ましい。それ自身バインダーとして使
用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用する場合、他
のバインダーは無くとも使用できる。

またタイプ（ｂ）の感光体において特願昭！？−！３ｉ
ｒ３号、特願昭７５’−１０タタ０≦号、特願昭！ター
／／Ｉｒ≠ｌ弘号各明細書に記載されているように、電
荷担体発生層中にヒドラゾン化合物、オキシム化合物等
の電荷担体輸送化合物を添加することができる。

本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。

本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリ
エステル等のプラスチックシートまたはプラスチックフ
ィルムにアルミニウム、酸化インジウム、５ｎ０２等の
導電材料を蒸着、もしくは分散塗布したもの、あるいは
導電処理した紙等が使用される。

バインダーとしては疎水性で、かつ誘電率が高く、電気
絶縁性のフィルム形成性高分子重合体を用いるのが好ま
しい。この様な高分子重合体としては例えば次のものを
挙げることができるが勿論これらに限定されるものでは
ない。

ポリカーゼネート、ポリエステル、ポリエステルカーボ
ネート、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化□ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリビニル
アセテート、スチレン−ブタジェン共重合体、塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アル牛ツドｆ
ｍ脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−
アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールこれら
の結着剤は、単独であるいは２種以上の混合物として用
いることができる。

可塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル、０−テル
フェニル、ｐ−テルフェニル、シフチル７りＶ−ト、ジ
メチルグリコール７タレート、ジオクチルフタレート、
トリフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェノン
、塩素化パラフィンポリプロピレン、ポリスチレン、ジ
ラウリルチオジプロピオネート、３．！−ジニトロサリ
チル酸、各糧フルオロ炭化水素類等が挙げられる。

その他、電子写真感光体の表面性をよ（するために、シ
リコンオイル等を茄えてもよい。

増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレット、ローダミンＢ、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料
等が挙げられる。

電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を輸送する
化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分類される
が、本発明の電子写真感光体には両者とも使用すること
ができる。電子を輸送する化合物としては電子吸引性基
を有する化合物、例エバλ、≠１７　ｔ”Ｊニドロータ
ーフルオレノン、λ、４ｔ、ｒ、７−チトラニトロー２
−フルオレノン、タージシアノメチノン−’　＋　”　
＋　７ｈ　’）ニトロフルオンノン、タージシアノメチ
レン−２゜’Ａ、ｊ、７−チトラニトロフルオレノン、
テトラニトロカルバソールクロラニル、コ、３−ジクロ
ルー！、６−ジシアツベンゾキノン、λ、ヒ、７−ドリ
ニトロータ、１０−７エナントレン午ノン、テトラクロ
ロ無水フタール酸、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン等をあげることができる。

正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を有する化
合物、例えば高分子のものでは、（１）特公昭３μ−１
０９ｔｔ号公報記載のポリビニルカルバゾールおよびそ
の誘導体、（２）特公昭ＩＡＪ−ｌｌｒ６７弘号公報、
特公昭≠Ｊ−／９／り２号公報記載のポリビニルピレン
、ポリビニルアントラセン、ポリーλ−ビニルー弘−（
≠′−ジメチルアミノフェニル）−ｊ−フェニル−オキ
サゾール、ポリ−３−ビニル−Ｎ−エチルカルバゾール
などのビニル重合体、（３）特公昭４ｔ！−／り／り３
号公報記載のポリアセナフチノン、ポリインデン、アセ
ナフチレンとスチレンの共重合などのような共重合体、
（４）特公昭ｊｔ−／Ｊり弘θ号公報などに記載のピレ
ン〜ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン−ホルムアル
デヒド樹ｌエチルカルバゾール〜ホルムアルデヒド樹脂
などの縮合樹脂。

（５）特開昭ｚｔ−ｙｏｒｒ３号及び特開昭よ６−／　
Ａ　／　１１０号明細書に記載された各種のトリフｘニ
ルメタンホリマー。

また低分子のものでは、 （６）米国特許第Ｊ／／２／り７号明細書などに記載さ
れているトリアゾール誘導体、 （７）米国特許第、３／ｒり弘４４７号明細書などに記
載されているオ午サジアゾール誘導体、（８）特公昭３
７−／６０り６号公報などに記載されているイミダゾー
ル誘導体、 （９）米国特許第Ｊｔ／！１４０２号、同第３１２０り
ｔり号、同３！弘コｊ弘弘号、特公昭≠Ｊ−−ｊよ３号
、特公昭ｊ／−ＩＯＹＩＪ号、特開昭５／−５’Ｊ−コ
参号、特開昭１！　−１０１６１，７号。

特開昭７７−／１４り５３号、特開昭４ｌ−３６ＡｊＪ
号明細書、公報などに記載のポリアリールアルカン誘導
体、 ０［相］　米国特許第３１１１０７２２号、米国特許第
１Ａ２７ｒ７４Ｌ＆号、特開昭ｔｚ−ｒｔｒｏｔａ号、
特開昭１ｓ−ｔｒｏｔｓ号、特開昭１４９−７Ｏｒ！３
７号、特開昭ｊ　ｊ−ｊ／　Ｏｒ　６号、特開昭３４−
４００１／号、特開昭７４−１ｒｌ／ＩＡ／号、特開昭
ｊ７−μ！！４ＡＪ’号、特開昭！弘−７／１２６３７
号、特開昭ｊ！−７μｒａｔ号明細書、公報などに記載
されているピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体。

（１１）米国特許第３６１６≠Ｏａ号明細書、特公昭！
／−１０１０！号、特開昭ｊ４ｃｍｒｊ！Ｊｊ号、特開
昭！弘−／１０１３６号、特開昭ｔｌＬ−／ＩＦタコを
号、特公昭４ｔ’ｔ−４７／２号、付会昭弘７−２１３
３６号明細書、公報などに記載されているフェニレンジ
アミン誘導体 （２）米国特許第３に’６７１ＡｊＯ号、付会昭弘ター
３３−７０λ号、西独国特許（ＤＡＳ）／／／（７ｊｉ
ｒ号、米国特許第３／１ｒ０７０３号、米国特許第３２
１ＡＯＪ−９７号、米国特許第ＪｔＪ’ｒｊ２０号、米
国特許第Ｖコ３２１０３号、米国特許第４Ａ／７ＪｒＰ
ｔ１号、米国特許第１４０／２３７４号、特開昭１ｊ−
１１ＡｔＡ２！７０号、特開昭ｊ＋−ｉｉり１３２号、
特公昭３タ一２７１７７号、特開昭ｊ４−２２≠３７号
明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘導
体、 （１１米国特許第ｕ０４ｃ７りＩＡｔ号、米国特許第≠
０グア２≠２号、米国特許第ｕ、２ｔｒｙｙｏ号、米国
特許ｌＡ２７Ｊｒ４ｃｔ号、米国特許ＩＡ２タタｔ２７
号、米国特許≠３０１，００１号明細書に記載のベンジ
ジン誘導体、 ０４）米国特許第３ｊλ４１０／号明細書記載のアミノ
置換カルコン誘導体、 （１５）米国特許第ｊｊｌＪｊｌＬ４号明細書などに記
載のＮ、Ｎ−ビカルバジル誘導体、 （１→　米国特許第３２１７２０３号明細書などに記載
のオギサゾール誘導体、 （ｌη　特開昭５６−μ４２ＪＩＡ号明細書などに記載
のスチリルアントラセン誘導体、 α目　特開昭！弘−／１０１３７号明細書などに記載さ
れているフルオレノン誘導体。

（樽　米国特許第３７１７弘６２号、特開昭Ｊ′μ−ｊ
りｌμ３号（米国特許第弘／よ０９１７号に対応）、特
開昭ｊＪ−−１２０ｔＪ号、特開昭！！−Ｊ−２０６μ
号、特開昭！ｒｒ−ＩＡ４７１．Ｑ、特開昭ｓｒ−，ｒ
ｒａり！号、特開昭１７−／、ＩＪｊＯ号、特開昭１７
−／１Ａｒ７１Ａり号、特開昭６７−１０４ｔ１４Ｌ４
Ｌ号明細書などに開示されているヒドラゾン誘導体など
がある。

なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物は（１
）〜０曽にあげられた化合物に限定されず、これまで公
知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることができる。

これらの電荷輸送材料は場合により２種類以上を併用す
ることも可能である。

なお、以上のようにして得られる感光体には、導電性支
持体と感光層の間に、必要に応じて接着層またはバリヤ
層を設けることができる。これらの層に用いられる材料
としては、前記バインダーに用いられる高分子重合体の
ほか、ゼラチン、カゼイン、＄リヒニルアルコール、エ
チルセルロース、カルボキシメチルセルロース、特開昭
！ターｒｌＡ２４４７号、に記載の塩化ビニリデン系ポ
リマーラテックス、特開昭！ター／　／　！ｊ＠４Ｃ号
に記載のスチレン−ブタジェン系ポリマーラテックスま
たは酸化アルミニウムなどであり、これらの層の厚さは
１μｍ以下が好ましい。

以上本発明の電子写真用感光体について詳細に説明した
が、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高（耐久性
が優れているというような特徴を有している。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のほかレーザ
ー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体などの
分野に広（応用する事ができる。

本発明のアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデオカメ
ラの撮像管の光導電層として、また公知の信号転送や走
査を行う一次元または二次元配列された半導体回路の上
の全面に設けられた受光層（光導電層ンを有する固体撮
像素子の光導電層として用いることができる。また、 「ジャーナル　オブ　アプライド　フィジックス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ　　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）Ｊ　＊μり（／２）、Ｊ−ＰＦ３（／り７１）、（
Ａ、Ｋ。

Ｇｈｏｓｈ、Ｔｏｍ　Ｆｅｎｇ　　著）に記載されてい
る様に、太陽電池の光導電層としても用いることができ
る。

また本発明のアゾ化合物は、光電気泳動システムにおけ
る光導電性着色粒子及び乾式または湿式の電子写真現像
剤における着色粒子としても用いることができる。

また本発明のアゾ化合物を、特公昭３７−１７７４２号
、特開昭！！−／りｏｔｓ号、特開昭！ｊ−／６１２１
０号、特開昭１７−／弘７６！６号各明細書に開示され
ているように、オキサジアゾール誘導体、ヒドラゾン誘
導体などの前述の電荷担体輸送性化合物とともにフェノ
ール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂液中に分散し、アル
ミニウムなどの導電性支持体上に塗布、乾燥後、画像露
光、トナー現像、アルカリ水溶液によるエツチングによ
り、高解像力、高耐久性、高感度の印刷版が得られる他
、プリント回路を作成することもできる。

次に、本発明の光感応性組成物を、光学情報記録媒体と
して用いる例について述べる。

即ち、本発明の光学情報記録媒体は、支持体上に少なく
とも本発明のアゾ化合物を含有する有機薄膜を形成する
ことで構成されるが、該有機薄膜は、前述の化合物を真
空蒸着塗布等の種々の方法を用いて形成することができ
る。

塗布法を用いる場合には、その有機溶媒としては、アル
コール類（例えばメタノール、エタノール、イソプロノ
ミノール等）、ケトン類（例えばアセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等ファミド類（例えば、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド等ン、エステル類（例
えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等］、エー
テル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モ
ノグライム、ジグライム等）、ハロゲン化炭化水素類（
例えば、塩化メチレン、クロロホルム、メ、チルクロロ
ホルム、四塩化炭素、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン等）等を単独あるいは混合して用いることができ
る。該色素のバインダーとしては、公知の天然あるいは
合成樹脂の中から選択することができ、具体的には、セ
ルローズ樹脂（例えば、ニトロセルローズ、リン酸セル
ローズ、酢酸セルローズ、酪酸セルローズ、メチルセル
ローズ、エチルセルローズ、ブチルセルローズ等〕、ア
クリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリ
ブチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ
メタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルア
ミド、ポリアクリロニトリル等］、ビニル樹脂（例えば
、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等）、ポリ
カーメネート類、ポリエステル類、ポリアミド樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリオンフィン樹脂（例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等）あるいは合成
共重合体樹脂等を用いることができる。塗布は、スプレ
ー、ローラーコーチインク、スピンナーコーティング、
フレードコーティング等の汎用のコーティング法を用い
て行なうことができる。

樹脂とともに有機薄膜を形相する場合、テトラキスアゾ
化合物の含有量は、薄膜中において！〜り０重量％で好
ましくは１ｔ−ｔｏ重量％であり。

残りはバインダーである。又有機薄膜の蒸着膜厚又は乾
燥膜厚は１０μｍ以下で好ましくは２μｍ以下である。

更に有機薄膜中に必要に応じて退色防止剤１着色剤を含
有させることができる。

本発明において使用される支持体の材料は、当該業者に
は公知のものであり、使用レーザー光に対して透明又は
不透明のいずれでも良い。具体的には、ガラス、石英、
セラミックス、紙、金属類、プラスチック類（例えば、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリカー６ネート樹脂等）等を挙げることができる。

支持体側からレーザー光の照射で書込み記録する場合は
、そのレーザー光に対して透明でなければならず、これ
に対して支持体と反対側即ち、記録層の表面から書込み
記録をする場合には、レーザー光に対して透明である必
要はない。しかし読出し再生を透過光で行なう場合は、
読出しＶ−デー光に対して透明でなければならない。一
方読出し再生を反射光で行なう場合は、読出しレーザー
光に対して透明又は不透明のいずれでも良い。又、支持
体には必要に応じて凹凸で形成される案内溝を設けても
良いし、又、例えば紫外線硬化樹脂等から成る下引き層
を設けても良い。

本発明の光学情報記録媒体は、基本的には、上述した支
持体上に、有機薄膜を設けたものであるが、必要に応じ
て、支持体と有機薄膜の間に、アルミニウム、銀、クロ
ム、スズ等の反射性金属の蒸着層又はラミネート層等の
反射層を設けることができる。

情報の記録は、有機薄膜上に集束されたレーザー光線の
照射によって熱作用による有機薄膜へのピット形成によ
って行なわれる。ピットの深さを有機薄膜の膜厚と同一
にすると、ピット領域における反射率を増加させること
ができる。情報の再生は、書込みに用いたレーザー光線
と同一の波長を有するが、強度の小さいレーザー光線を
用いれば読出し光がピット領域で大きく反射されるが、
非ピット領域においては吸収されることとなり、このピ
ット形成部と非ピット形成部からの反射光の差を検出す
ることによって行なわれる。又、他の方法は、有機薄膜
が吸収する第１の波長のレーザー光線で実時間記録を行
ない、再生に有機薄膜を実質的に透過する第２の波長の
レーザー光線を用いることもできる。再生用レーザー光
線が、ピット形成部と非ピット形成部における異なる膜
厚によって生じる反射層の変化に応答することによって
行なわれる。

又、上述した様な同一構成の２枚の記録媒体を有機薄膜
同士が対向する様に配置した構成の記録媒体とすること
もできる。

これの場合には、有機薄膜が外気と遮断されるため、ゴ
ミの付着、キズの発生、有害ガスとの接触から保護でき
ることから記録層の保存は著しく向上される。

本発明の光学情報記録媒体に適用されるレーザー光は、
Ａｒｖ−ザー、）ｌｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ　−Ｃｄレ
ーザー等のガスレーザーも可能である。

「実施例」 次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお実
施例中「部」とあるのは「重量部」を示す。

実施例　１ 合成例２で合成した一般式（Ｊ−Ｊで示され、Ｚが酸素
原子、Ｃｐが第１表のＣｐ−４であるトリスアゾ化合物
１部と≠、ｌＡｌ−ビス（ジエチルアミノ）−ｕ　、　
ｕ’−ジメチルトリフェニルメタ７５部とビスフェノー
ルＡのポリカーボネート５部とをジクロロメタンタナ部
に加え、これをボールミル中で粉砕、混合して調液し、
この塗布液をワイヤーラウンドロッドを用いて導電性透
明支持体（ｉｏｏμ扉のポリエチレンテレ７タＶ−）フ
ィルムの表面に酸化インジウムの蒸着膜を設けたもの。

表面抵抗１０３０）上に塗布、乾燥して、厚さ約ｔμ専
の単層型電子写真感光層を有する電子写真感光体を調製
した。

この電子写真感光体について、静電複写紙試験装置（川
口電機■製ＳＰ−≠２を型）を用いて＋ｊＫＶのコロナ
放電により＋≠ｏｏｖｙｒ−帯電させ、ついで色温度λ
ｒＪＩｔ　０にのタングステンランプによってその表面
が’Ａ　ｆｌｕｘ　　になる様にして光を照射し、その
表面電位が初期表面電位の半分に減衰するのに要する時
間を求め、半減露光量Ｅ　５ｏｃｌｕｘ、５ｅｃ）を測
定したところ／　、　Ａ　ｌｕｘ。

ｓｅｃ　　であった。

実施例　２〜２６ 実施例１において、合成例２で合成したトリスアゾ化合
物の代りに、第　表に示すアゾ化合物を用いる他は実施
例１と同様にして、単層構成の電子写真感光体を作製し
、実施例１と同様にして正帯電による半減露光量Ｅ５０
を測定した。得られた結果を第２表に示す。

第２表においてアゾ化合物は前述の化合物置と第７表の
Ｃｐ４の組み合わせで示す。

第２表 第２表 第２表 実施例　５２ 合成例３で合成した一般式Ｃ６）で示され、Ｚが硫黄原
子、Ｃｐが第１表におけるｃｐ−Ｊ−であるトリスアゾ
化合物！部と、ポリエステル樹脂（商品名：パイロンＪ
、００　、東洋紡績■製）５部をテトラヒドロフラン３
０部に溶かした液と共にメールミルで１．２０時間分散
した後、ワイヤーラウンドロッドを用いて、導電性支持
体（７３μ専のポリエチレンテレフタレートフィルムの
表面にアルミニウムの蒸着膜を設けたもの。表面電気抵
抗ＩＡＸ１０　Ｏ）上に塗布、乾燥して、厚さ０６３３
ｍの電荷発生層を作成した。

次に電荷発生層の上に下記構造式〔り〕で表わされるヒ
ドラゾン化合物３．を部とビスフェノールＡのポリカー
ｌネートμ部とをジクロロメタン１３．３部／、２−ジ
クロロエタンλ４．Ａ部に溶解した溶液をワイヤーラウ
ンドロッドを用いて塗布乾燥し、厚さ７１μｍの電荷輸
送層を形成させて２層からなる電子写真感光層を有する
電子写真感光体を作成した。

この感光体を一４ＫＶのコロナ放電により３秒間帯電せ
しめた時の表面電位ｖｏ、及び３０時間暗所に放置した
時の表面電位Ｖ３０を測定し、次いで、タングステンラ
ンプの光を感光体表面における照度をＪ　Ｏｌｕｘ　　
になるようにして光を照射し、その表面電位が、表面電
位ｖ３ｏの半分に減衰するのに要する露光量Ｅ５０及び
＆　０１ｕｘ・Ｓｅｃ　　の露光量で露光した時の表面
電位（残留電位）Ｖｎをそれぞれ測定した。

また同様の測定を１０００回繰り返して行なった。結果
は第３表に示す通りである。

第３表 比較例　１．２ 実施例５２において用いたトリスアゾ化合物（一般式〔
！〕で示され２が硫黄原子、Ｃｐが第１表におけるＣｐ
−！ノの代りに下記構造式〔１０３（特開昭！ｒ−／２
３１４４／号明細書に記載）、（／／）（特願昭ｊＰ−
ＪＯＰ／ｒ号明細書に記載）を用いる他は実施例５２と
同様にして２層構成の電子写真感光体を作製し、実施例
５２と同様にして表面電位ｖｏ、ｖ３ｏ、半減露光量Ｅ
５０及び残留電位ｖＲを測定した。また実施例５２と同
様にして３０００回繰り返した結果を第μ表に示す。

第弘表 以上の結果から明らかなように、４ルフルオロアル中ル
基（実施例５２においてはトリフルオロメチル基ンで置
換したアゾ化合物を含有する本発明の電子写真感光体は
、はルフルオロアルキル基で置換していないアゾ化合物
を含有した比較例の電子写真感光体に比べ表面電位、感
度、残留電位の点で、また繰り返し使用時の安定性にお
いて極めて優れたものである。

実施例　５３〜１２７ 実施例５２において、合成例３で合成したトリスアゾ化
合物の代りに、第５表に示すアゾ化合物を用いる他は実
施例　　と同様にして二層構成の電子写真感光体を作製
し、実施例５２と同様にして半減露光量Ｅ５ｏを測定し
た。その結果を第表に示す。

第５表において、アゾ化合物は前述の化合物置と第１表
のｃｐ−／％の組み合わせで示す。

第５表 第５表 第３表 第５表 実施例　１２８ 合成例３で合成した一般式Ｃｊ３で表わされＺが硫黄原
子、Ｃｐが第１表のＣｐ−１であるトリスアゾ化合物！
部と実施例５２で用いたヒドラゾン化合物〔り〕４ｃＯ
部とベンジルメタクリレートとメタアクリル酸のコポリ
マー（〔η〕３００Ｃメチルエチルケトン＝０　、　／
　ｕ、メタアクリル酸含有３コ、り４）ｉｏｏ部とをジ
クロロメタン６１０部に添加し、超音波分散させた。

この分散液を砂目立てした厚さ０，２１ｍｍのアルミニ
ウム版上に塗布、乾燥し乾燥膜厚１．ｍｍの電子写真感
光層を有する電子写真感光性印刷版材料を調製した。

この試料を暗所でコロナ放電（＋ＪＫＶ）することによ
り、感光層の表面電位を約＋６ｏｏｖに帯電させた後、
色温度２ｒＪ−ＩＡｏにのタングステン光を試料面に照
度−２，０１ｕｘ　で露光した所、半減露光量はコ−０
６ｕｘ、ｓｅｃ　　であった。

つぎに、この試料を暗所で表面電位を約＋μＱｏｖに帯
電させた後、ポジ画像の透過原稿と密着させて画像露光
した。これをｌ５ｏｐｅｒ　　Ｈ（エッソスタンダード
社、石油系溶剤）１０００部中に微粒子状に分散された
ポリメチルメタアクリレート（トナー）よ部及び大豆油
レシチン０．０／部を添加することによって作製したト
ナーを含む液体現像液中に浸漬し、鮮明なポジのトナー
画像を得ることができた。

更に１０００Ｃで３Ｃ秒間加熱してトナー画像を定着し
た。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和物７０部
をグリセリン７μθ部、エチレングリコール１３０部、
およびエタノールｉｊｏ部に溶解した液に約７分間浸漬
し、水流で軽（ブラッシングしながら洗うことにより、
トナーの付着していない部分の電子写真感光層を除去し
、刷版が得られた。

また液体現像液の代わりに、得られた静電潜像？、ゼロ
ックス３ｊ００用トナー（富士ゼロックス■製ンを用い
て磁気ブラシ現像した後ｒｏ０ｃで３０秒間加熱、定着
した。次にアルカリ溶液でトナー付着してない部分の感
光層を除去することによっても、刷版が得られた。

このようにして作製した刷版を／Ｓマダスター６００Ｃ
Ｄオフセット印刷機を用いて常法により印刷した所地汚
れのない非常に鮮明な印刷物を！方杖印刷することがで
きた。

実施例　１２９ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業ｍ、メチルエ
チルケトンλｊ　ｗ　ｔ％浴溶液１０ｆｉ、合成例２で
合成したトリスアゾ化合物Ｊ、Ｏｇ及びテトラヒドロフ
ラン／　００ｇを混合し、十分に分　・散した。この分
散液をアクリル基板にスピンナーコーティング法（１０
００ｒｐｍ　　）で塗布した後、温度ｒｏ０ｃで２時間
乾燥した（膜厚０．３μｍ）。

この様にして作製した記録媒体をターンテーブル上に取
り付け、ターンテーブルをモーターでＩＩｏ　ｏ　ｒ、
ｐ、ｍ。に回転しながら、スポットサイドｌ。

ｏμｍｖｃ集束した１０ｒｎＷ及びＩ　Ｍ　Ｈｚのヘリ
ウム−ネオン　レーザー光（発振波長１．３３　ｎｍ）
を記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。こ
の記録された記録層の表面を走査型電子顕微鏡で観察し
た所、鮮明なピットが認められた。

更に、この記録媒体に低出力にした上記レーザー光を入
射し、反射光の検知を行なった所、充分なＳ／Ｎ比を有
する波長が得られたつ 比較例　３．４ 実施例５２において用いたトリスアゾ化合物（一般式Ｃ
ｊ）で示されＺが硫黄原子、ｃｐが第１表におけるＣｐ
−１）の代りに下記構造式〔１２）、（／ＪＪ（特願昭
ｊター３０２１Ｉ号明細書に記載）で表わされるトリス
アゾ化合物を用いる他は実施例５２と同様にして２層構
成の電子写真感光体を作製し、実施例５２と同様にして
表面電位Ｖｏ、ｖ３ｏ、半減露光Ｅ５０及び残留電位ｖ
Ｒを測定した。また実施例５２と同様にして同様の測定
を５０００回繰り返した結果を第４表に示す。

第を表 以上の結果から明らかなように、はルフルオロアルキル
基（実施例５２においてはトリフルオロメチル基ン及び
ハロゲン原子（実施例５２においてはハロゲン原子〕で
置換したアゾ化合物を含有する本発明の電子写真感光体
は、ペルフルオロアルキル基で置換していないアゾ化合
物またはハロゲン原子だけで置換したアゾ化合物を含有
する比較例の電子写真感光体に比べ表面電位、感度、残
留電位、感度、残留電位の点でまた繰り返し使用時の安
定性において僅めて優れたものである。

手続補正書（方側 昭和／ρ年？月ｒ日 啄

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の一般式〔１〕で表わされるアゾ化合物を少
   なくとも１種含有することを特徴とする光感応性組成物
   。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔１〕 （式中 Ａ＾１：置換もしくは無置換の炭化水素系または複素系
   芳香族環を表わし、 Ｘ：ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭化水
   素系または複素系芳香族環を形成するために必要な原子
   団を表わし、 Ａｒ：少なくとも１個のペルフルオロアルキル基で置換
   した、炭化水素系または複素系芳香族環（ペルフルオロ
   アルキル基以外の置換基で置換してもよい。）を表わす
   。 ｎ：３、４、５または６の整数を表わす。）
2. （２）一般式〔１〕で表わされるアゾ化合物において、
   Ａｒが少なくとも１個以上のペルフルオロアルキル基お
   よび少なくとも１個以上のハロゲン原子で置換した、炭
   化水素系または複素系芳香族（ペルフルオロアルキル基
   およびハロゲン原子以外の置換基で置換してもよい。）
   である特許請求の範囲第１項記載の光感応性組成物。
3. （３）一般式〔１〕で表わされるアゾ化合物が、下記の
   一般式〔２〕で表わされるトリスアゾ化合物である特許
   請求の範囲第１項記載の光感応性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔２〕 （式中、 Ｚ：▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｏ−、−Ｓ
   −または−Ｓｅ−を表わす。 Ｒ＾１は水素原子、低級アルキル基、アリール基、アル
   コキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
   シル基またはこれらの置換体を表わす。 Ｘ：ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭化水
   素系または複素系芳香族環を形成するために必要な原子
   団を表わし、 Ａｒ：少なくとも１個のペルフルオロアルキル基で置換
   した、炭化水素系または複素系芳香族環（ペルフルオロ
   アルキル基以外の置換基で置換してもよい。）を表わす
   。 Ｂ＾１、Ｂ＾２、Ｂ＾３：水素原子、ハロゲン原子、低
   級アルキル基、低級アルコキシ基またはこれらの置換体
   を表わす。）
4. （４）一般式〔１〕で表わされるアゾ化合物が、下記の
   一般式〔３〕で表わされるテトラキスアゾ化合物である
   特許請求の範囲第１項記載の光感応性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔３〕 （式中、 Ｚ：▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｏ−、−Ｓ
   −または−Ｓｅ−を表わす。 Ｒ＾１は水素原子、低級アルキル基、アリール基、アル
   コキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
   シル基またはこれらの置換体を表わす。 Ｘ：ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭化水
   素系または複素系芳香族環を形成するために必要な原子
   団を表わし、 Ａｒ：少なくとも１個の、ペルフルオロアルキル基で置
   換した、炭化水素系または複素系芳香族環（ペルフルオ
   ロアルキル基以外の置換基で置換してもよい。）を表わ
   す。 Ｑ＾１：単結合、▲数式、化学式、表等があります▼（
   但しｎは１〜３の整数を表わす。）、または芳香族性を
   有する２価の有機残基を表わす。Ｂ＾１、Ｂ＾２は水素
   原子または電子吸引性基を表わす。） Ｑ＾２：２価の炭化水素系または複素系芳香族環基また
   はこれらの置換体を表わす。
5. （５）一般式〔１〕で表わされるアゾ化合物が下記の一
   般式〔４〕で表わされるトリスアゾ化合物である特許請
   求の範囲第１項記載の光感応性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔４〕 〔式中、 Ｙ：▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。 Ｘ：ベンゼン環と縮合して置換もしくは無置換の炭化水
   素系または複素系芳香族環を形成するために必要な原子
   団を表わし、 Ａｒ：少なくとも１個のペルフルオロアルキル基で置換
   した、炭化水素系または複素系芳香族環（ペルフルオロ
   アルキル基以外の置換基で置換してもよい。）を表わす
   。