JPH0361945A - ピンホールの改良されたハロゲン化銀写真感光材料 - Google Patents
ピンホールの改良されたハロゲン化銀写真感光材料Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/04—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with macromolecular additives; with layer-forming substances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
- G03C1/85—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers characterised by antistatic additives or coatings
- G03C1/89—Macromolecular substances therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
- G03C1/85—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers characterised by antistatic additives or coatings
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハロゲン化銀写真感光材料に関し、詳しくは
印刷製版分野等における撮影感光材料、スキャナー感光
材料、返し感光材料及びファクシミリ感光材料に関する
ものである。
印刷製版分野等における撮影感光材料、スキャナー感光
材料、返し感光材料及びファクシミリ感光材料に関する
ものである。
近年印刷製版分野で用いられるハロゲン化銀写真感光材
料は、取り扱い作業中に静電気を帯び易く、特に乾燥し
た冬季には静電気による帯電が数KVまでに達し、ゴミ
を付着し易くし、ピンホールの発生原因となっていた。
料は、取り扱い作業中に静電気を帯び易く、特に乾燥し
た冬季には静電気による帯電が数KVまでに達し、ゴミ
を付着し易くし、ピンホールの発生原因となっていた。
こつこでいうピンホールは、悪化画像中に数ハル数10
0μ−までの太きさで白く抜けてしまう現象で、その形
状は、円形もしくは不定形で、あたかもビンでさした礼
状にみえることからつけられたものである。そのため発
生したピンホールはオペ−キングと称する孔うめの画像
修正作業で対処しなければならず著しく作業効率をわる
くしていた。このような現状からピンホールの発生しに
くい感光材料が強く要望されていI;。
0μ−までの太きさで白く抜けてしまう現象で、その形
状は、円形もしくは不定形で、あたかもビンでさした礼
状にみえることからつけられたものである。そのため発
生したピンホールはオペ−キングと称する孔うめの画像
修正作業で対処しなければならず著しく作業効率をわる
くしていた。このような現状からピンホールの発生しに
くい感光材料が強く要望されていI;。
そのため、ハロゲン化銀写真感光材料の写真性能のコン
トロールにより改善するという方法が試みられてきた。
トロールにより改善するという方法が試みられてきた。
即ち黒化画像濃度を高くすることにより、ピンホールを
少なくしたり、現像促進剤を用い、隣接効果を大きくし
て、いわゆる画像拡大効果を誘起してピンホール部分を
減じる方法であった。またあるいは、露光光源の波長を
選択して、ピンホールの発生しにくい長波長側に照度強
度をもつ光源を採用することであった。
少なくしたり、現像促進剤を用い、隣接効果を大きくし
て、いわゆる画像拡大効果を誘起してピンホール部分を
減じる方法であった。またあるいは、露光光源の波長を
選択して、ピンホールの発生しにくい長波長側に照度強
度をもつ光源を採用することであった。
しかしながら1、現像性をコントロールする方法は、ピ
ンホールを少なくすることはできても、階調が軟調化し
たり、カブリが生じたりして画像の再現性を損なうとい
う欠点を有していた。また長波長側に光源波長を選択す
るということはセーフライト性の点で作業性をわるくす
ることであって、好ましくない。
ンホールを少なくすることはできても、階調が軟調化し
たり、カブリが生じたりして画像の再現性を損なうとい
う欠点を有していた。また長波長側に光源波長を選択す
るということはセーフライト性の点で作業性をわるくす
ることであって、好ましくない。
このためゴミの付着によるピンホールを写真性能から改
良するよりは、ゴミの付着を少なくすればよいという考
えからハロゲン化銀写真感光材料に導電性を付与して静
電防止する方法が検討されてきた。
良するよりは、ゴミの付着を少なくすればよいという考
えからハロゲン化銀写真感光材料に導電性を付与して静
電防止する方法が検討されてきた。
しかし、ハロゲン化銀写真感光材料の現像処理は、アル
カリ及び酸性の水溶液中で処理されるため、処理液には
上記効果を消滅せしめる効果を有している。したがって
、現像処理後も効果が消滅しないように導電層を耐水性
、または耐水性の層を上層に塗設することで、上記効果
を維持しようとしたが、ゼラチンを含有する印刷用感光
材料にバッキング層を塗設する、あるいはさらにバッキ
ング層の上に保護層を塗設すると、全くその効果を示さ
なくなるというのが実状であった。
カリ及び酸性の水溶液中で処理されるため、処理液には
上記効果を消滅せしめる効果を有している。したがって
、現像処理後も効果が消滅しないように導電層を耐水性
、または耐水性の層を上層に塗設することで、上記効果
を維持しようとしたが、ゼラチンを含有する印刷用感光
材料にバッキング層を塗設する、あるいはさらにバッキ
ング層の上に保護層を塗設すると、全くその効果を示さ
なくなるというのが実状であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に対してなされたものであり、その
第1の目的は、各種選択した光源で露光する際、即ちカ
メラワーク、スキャナーワーク、プリンターワーク時ゴ
ミ付着によるピンホールの発生がないハロゲン化銀写真
感光材料を提供することである。
第1の目的は、各種選択した光源で露光する際、即ちカ
メラワーク、スキャナーワーク、プリンターワーク時ゴ
ミ付着によるピンホールの発生がないハロゲン化銀写真
感光材料を提供することである。
第2の目的は、線画性能、網点品質、抜き文字品質など
製版用緒特性の優れたハロゲン化銀写真感光材料を提供
することである。
製版用緒特性の優れたハロゲン化銀写真感光材料を提供
することである。
上述した本発明の目的は、支持体上に導電層を塗設した
ことを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料により達成
される。
ことを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料により達成
される。
さらに本発明の実施においては下記の事項を行うことが
好ましい。
好ましい。
1、導電層を表面活性化処理すること。
2、表面活性化処理がコロナ放電処理であって、該コロ
ナ放電処理のエネルギーがl mW= lKl’l/m
”、minであること。
ナ放電処理のエネルギーがl mW= lKl’l/m
”、minであること。
3、導電層中に導電性金属酸化物を含有し、該導電性金
属酸化物が、酸化スズ又は酸化インジウム、あるいはこ
れらにアンチモン又はリン原子をドープされていること
。
属酸化物が、酸化スズ又は酸化インジウム、あるいはこ
れらにアンチモン又はリン原子をドープされていること
。
4、導電層中に有機導電性ポリマーを含有し、該有機導
電ポリマーがスチレンスルホン酸又はその塩、ピリジン
スルホン酸又はその塩、アクリル酸、マレイン酸あるい
はこれらのエステルユニットヲ有するホモポリマー又は
コポリマーであること。
電ポリマーがスチレンスルホン酸又はその塩、ピリジン
スルホン酸又はその塩、アクリル酸、マレイン酸あるい
はこれらのエステルユニットヲ有するホモポリマー又は
コポリマーであること。
5、導電層上にバッキング層及びバッキング保護層を塗
設し、該バッキング層中のバッキング染料が、イエロー
マゼンタ、シアン又は赤外染料であること。
設し、該バッキング層中のバッキング染料が、イエロー
マゼンタ、シアン又は赤外染料であること。
6、導電層上にゼラチンを含有するバッキング層を塗設
し、該ゼラチン中に含有するカルシウムが、1〜999
ppmであること。
し、該ゼラチン中に含有するカルシウムが、1〜999
ppmであること。
7、導電層が、エポキシ系架橋剤、ペプチド試薬又はア
ジリジン架橋剤の存在下で架橋されていること。
ジリジン架橋剤の存在下で架橋されていること。
8、導電層上にバッキング層及びバッキング保護層を塗
設し、該バッキング層又はバッキング保護層が、アルデ
ヒド系、ビニルスルホン系、ペプチド試薬、又はアジリ
ジン架橋剤の存在下で架橋されていること。
設し、該バッキング層又はバッキング保護層が、アルデ
ヒド系、ビニルスルホン系、ペプチド試薬、又はアジリ
ジン架橋剤の存在下で架橋されていること。
9、バッキング染料を含有するバッキング層及びバッキ
ング保護層が、pH4〜8の範囲で塗布されていること
。
ング保護層が、pH4〜8の範囲で塗布されていること
。
10、導電層が、粘度1−50cpの範囲で塗布されて
いること。
いること。
・11.バッキング層及びバッキング保護層が、粘度l
〜100cpの範囲で塗布されていること。
〜100cpの範囲で塗布されていること。
12、導電層が塗布される時、70°C〜200℃の範
囲で60分間以内加熱処理されていること。
囲で60分間以内加熱処理されていること。
13、ハロゲン化銀写真感光材料が、現像、定着、水洗
及び乾燥プロセスの4プロセスで処理され、全処理時間
じゃ120秒以内であること。
及び乾燥プロセスの4プロセスで処理され、全処理時間
じゃ120秒以内であること。
14、導電層上層にバッキング層及びバッキング保護層
を塗設し、該バッキング保護層中に含有する界面活性剤
が、フッ素系界面活性剤で、カルボン酸基、スルホン酸
基又はその塩を含有すること。
を塗設し、該バッキング保護層中に含有する界面活性剤
が、フッ素系界面活性剤で、カルボン酸基、スルホン酸
基又はその塩を含有すること。
15、支持体上の一方の側にハロゲン化銀乳剤層を塗設
し、該乳剤層中に、ポリアルキレンオキサイド化合物中
のアルキレンオキサイドがエチレンオキサイドユニット
を4〜100個有するポリアルキレンオキサイド化合物
を含有すること。
し、該乳剤層中に、ポリアルキレンオキサイド化合物中
のアルキレンオキサイドがエチレンオキサイドユニット
を4〜100個有するポリアルキレンオキサイド化合物
を含有すること。
16、ハロゲン化銀乳剤層中にヒドラジン化合物を含有
する層を支持体上に塗設し、該ヒドラジン化合物がホル
ミル基を有する置換フェニルホルミルヒドラジンである
こと。
する層を支持体上に塗設し、該ヒドラジン化合物がホル
ミル基を有する置換フェニルホルミルヒドラジンである
こと。
17、ハロゲン化銀乳剤層中にヒドラジン化合物を含有
する層を塗設し、該ヒドラジン化合物がウレイド基を有
する置換フェニルホルミルヒドラジンであること。
する層を塗設し、該ヒドラジン化合物がウレイド基を有
する置換フェニルホルミルヒドラジンであること。
18、ハロゲン化銀乳剤層中にヒドラジン化合物を含有
する層を塗設し、該ヒドラジン化合物が、オキサシリル
基を有する置換フェニルホルミルヒドラジンであること
。
する層を塗設し、該ヒドラジン化合物が、オキサシリル
基を有する置換フェニルホルミルヒドラジンであること
。
19、導電層が、アジリジン存在下で架橋されているこ
と。
と。
20、導電層が、ペプチド試薬の存在下で架橋されてい
ること 21、導電層が、ペプチド試薬の存在下で架橋されてい
ること。
ること 21、導電層が、ペプチド試薬の存在下で架橋されてい
ること。
22、導電層が、エポキシ系架橋剤で架橋されているこ
と。
と。
23、導電層上にバッキング層を塗設し、該バッキング
層が、アルデヒド系及び/又はビニルスルホン系硬膜剤
で架橋されていること。
層が、アルデヒド系及び/又はビニルスルホン系硬膜剤
で架橋されていること。
24、導電層上にバッキング層を含有する層を塗設し、
該バッキング層が、ペプチド試薬及び/又はアジリジン
架橋剤の存在下で架橋されていること。
該バッキング層が、ペプチド試薬及び/又はアジリジン
架橋剤の存在下で架橋されていること。
25、支持体上の一方の側にハロゲン化銀乳剤層を塗設
し、該乳剤層中に極大波長が500mm以下の染料を含
有すること。
し、該乳剤層中に極大波長が500mm以下の染料を含
有すること。
26、支持体上の一方の側にハロゲン化銀乳剤層を塗設
し、該ハロゲン化銀乳剤層中に赤外分光増感色素を含有
すること。
し、該ハロゲン化銀乳剤層中に赤外分光増感色素を含有
すること。
27、支持体上の一方の側にハロゲン化銀乳剤層をとい
し、該ハロゲン化銀乳剤層中のハロゲン化銀乳剤が、ロ
ジウム原子を銀1モル当たりlO−″〜l0−1モル含
有していること。
し、該ハロゲン化銀乳剤層中のハロゲン化銀乳剤が、ロ
ジウム原子を銀1モル当たりlO−″〜l0−1モル含
有していること。
28、支持体上の一方の側にハロゲン化銀乳剤層を塗設
し、該ハロゲン化銀乳剤層のハロゲン化銀乳剤が、イリ
ジウム原子を銀1モル当だ’710−”〜10−”モル
含有していること。
し、該ハロゲン化銀乳剤層のハロゲン化銀乳剤が、イリ
ジウム原子を銀1モル当だ’710−”〜10−”モル
含有していること。
29、導電層中に金属酸化物を含有し、該導電性金属酸
化物が、アンチモン原子を0.01−10%ドープされ
、かつ平均粒径が0.001−1μmである酸化スズで
あること。
化物が、アンチモン原子を0.01−10%ドープされ
、かつ平均粒径が0.001−1μmである酸化スズで
あること。
30、導電層中に金属酸化物を含有し、該導電性金属酸
化物が、リン原子を0.01〜lO%ドープされ、かつ
平均粒径が0.01− lJlmである酸化スズである
こと。
化物が、リン原子を0.01〜lO%ドープされ、かつ
平均粒径が0.01− lJlmである酸化スズである
こと。
31、導電層中のラテックスが、アルキルアクリレート
及び/又はメタクリレートを成分として含有するポリマ
ーであること。
及び/又はメタクリレートを成分として含有するポリマ
ーであること。
32、導電層中のラテックスが、炭素数2〜,6のアル
キル基でエステル化されたアルキルアクリレート及び/
又はメタクリレート成分を含有すること。
キル基でエステル化されたアルキルアクリレート及び/
又はメタクリレート成分を含有すること。
33、導電層中に含有する有機導電ポリマーが、ヒドロ
キシアルキルアクリレートエステル又はヒドロキシアル
キルメタクリレートエステル成分と、スチレンスルホン
酸塩成分からなる共重合ポリマーであること。
キシアルキルアクリレートエステル又はヒドロキシアル
キルメタクリレートエステル成分と、スチレンスルホン
酸塩成分からなる共重合ポリマーであること。
34、導電層中に含有する有機導電ポリマーが、グリジ
ルアルキルアクリレートエステル又はグリジルメタアル
キルアクリレート成分と、スチレンスルホン酸塩成分か
らなる共重合ポリマーであること。
ルアルキルアクリレートエステル又はグリジルメタアル
キルアクリレート成分と、スチレンスルホン酸塩成分か
らなる共重合ポリマーであること。
35、導電層中に含有する有機導電ポリマーが、ヒドロ
キシアルキルアクリレートエステル、ヒドロキシアルキ
ルメタクリレートエステル、グリジルアルキルアクリレ
ートエステル、グリジルメタアルキルアクリレートエス
テル成分の少なくとも1つと、ピリジンスルホン酸塩成
分を有するポリマーであること。
キシアルキルアクリレートエステル、ヒドロキシアルキ
ルメタクリレートエステル、グリジルアルキルアクリレ
ートエステル、グリジルメタアルキルアクリレートエス
テル成分の少なくとも1つと、ピリジンスルホン酸塩成
分を有するポリマーであること。
36、導電層中に含有する有機導電性ポリマーが、ヒド
ロキシアルキルアクリレートエステル、ヒドロキシアル
キルメタクリレートエステル、グリシジルアルキルアク
リレートエステル、グリシジルメタクリレートエステル
成分の少なくとも1つとビニルカルバゾールスルホン酸
成分を有するポリマ、−であること。
ロキシアルキルアクリレートエステル、ヒドロキシアル
キルメタクリレートエステル、グリシジルアルキルアク
リレートエステル、グリシジルメタクリレートエステル
成分の少なくとも1つとビニルカルバゾールスルホン酸
成分を有するポリマ、−であること。
37、導電層とバッキング層の間に中間接着層を設ける
。
。
38、接着層がコロナ放電処理されていること。
39、導電層の膨潤度が0.2〜100%であること。
40、導電層の膨潤度が2〜lO%であること。
41、導電層上層のバッキング層の膨潤度が0.2〜3
00%であること。
00%であること。
42、導電層上層のバッキングの膨潤度が、2〜140
%であること。
%であること。
43、導電層上層の接着層の膨潤度が0.2〜300%
であること。
であること。
44、導電層上層の接着層の膨潤度が2〜140%であ
ること。
ること。
45、導電層の乾燥膜厚が0.01〜100μmである
こと。
こと。
46、導電層の乾燥膜厚が0.1−10μ黴であること
。
。
47、導電層上層のバッキング層の乾燥膜厚が0.1〜
lOμmであること。
lOμmであること。
48、写真処理前の導電層上層のバッキング層の体積当
りの重量が写真処理後に1〜50%減じること。
りの重量が写真処理後に1〜50%減じること。
49、写真処理前の導電層の体積当りの重量が写真処理
後に±20%以内の変化であること。
後に±20%以内の変化であること。
50、導電層中の有機導電ポリマーと導電層中のラテッ
クスの存在比が1〜99であること。
クスの存在比が1〜99であること。
51、導電層中に用いるラテックスの粒径が0.01〜
1u11の大きさであること。
1u11の大きさであること。
52、導電層上層に塗布される接着層がアジリジン・系
、ペプチド系、エポキシ系、アクリルアミド系またはア
ルデヒド系硬膜剤の存在下で架橋されていること。
、ペプチド系、エポキシ系、アクリルアミド系またはア
ルデヒド系硬膜剤の存在下で架橋されていること。
53、支持体と導電層の間にラテックス下引層を設けた
こと。
こと。
54、ラテックス下引層中のラテックスがスチレン成分
を1〜99%含有すること。
を1〜99%含有すること。
55、ラテックス下引層中のラテックスが、置換又は非
置換のアルキルアクリレートエステル又はアルキルメタ
アクリレートエステル成分を1−100%含有すること
。
置換のアルキルアクリレートエステル又はアルキルメタ
アクリレートエステル成分を1−100%含有すること
。
56、ラテックス下引層中のラテックスが、ビニリデン
クロライド成分を1〜99%含有すること。
クロライド成分を1〜99%含有すること。
57、ラテックス下引層中のラテックスがヒドロキシア
ルキルアクリレート成分を1〜99%含有すること。
ルキルアクリレート成分を1〜99%含有すること。
58、ラテックス下引層中のラテックスがグリシジルメ
タアクリレート成分を有すること。
タアクリレート成分を有すること。
59、ラテックス下引層中のラテックスがブタジェン成
分を有すること。
分を有すること。
60、ラテックス下引層中のラテックスがアクリル酸ま
たはメタクリル酸を1〜20%含有すること。
たはメタクリル酸を1〜20%含有すること。
61、ハロゲン化銀乳剤中にテトラゾリウム化合物を含
有する乳剤層を支持体上に塗設したこと。
有する乳剤層を支持体上に塗設したこと。
62、ハロゲン化銀乳剤中にポリエチレンオキサイド化
合物を含有する乳剤層を支持体上に塗設したこと。
合物を含有する乳剤層を支持体上に塗設したこと。
63、ハロゲン化銀乳剤中にラテックスポリマー化合物
を含有する乳剤層を支持体上に塗設したこと。
を含有する乳剤層を支持体上に塗設したこと。
64、導電層上にハロゲン化銀乳剤層を塗設したこと。
65、導電層上にバッキング層を塗設し、バッキング層
中に導電ポリマーを含有すること。
中に導電ポリマーを含有すること。
66、導電層上にバッキング層を塗設し、更にバッキン
グ保護層を塗設し、該バッキング保護層中に導電ポリマ
ーを含有すること。
グ保護層を塗設し、該バッキング保護層中に導電ポリマ
ーを含有すること。
67、導電層上にハロゲン化銀乳剤を塗設し、該乳剤層
中に導電性ポリマーを含有すること。
中に導電性ポリマーを含有すること。
68、導電層上のハロゲン化銀乳剤層中に導電性ポリマ
ーおよびラテックスを含有すること。
ーおよびラテックスを含有すること。
69、キレート剤を含有する定着液で処理すること。
以下、本発明について詳述する。
本発明の構成断面図を第1図に示した。図面(a)は導
電層を乳剤側及びバッキング側の両サイドに設けた場合
であり、同図(b)は、バッキング側のみ導電層を設け
た例である。更に同図(c)は乳剤層をと導電層間及び
バッキング層と導電層の間に接着層を設けた例を示す。
電層を乳剤側及びバッキング側の両サイドに設けた場合
であり、同図(b)は、バッキング側のみ導電層を設け
た例である。更に同図(c)は乳剤層をと導電層間及び
バッキング層と導電層の間に接着層を設けた例を示す。
本発明で特定の層より「上層」と言うことは支持体より
遠い側にあることを言い、「下層」とは逆に支持体に近
くなるとの層を言う。
遠い側にあることを言い、「下層」とは逆に支持体に近
くなるとの層を言う。
本発明に用いるハロゲン化銀写真感光材料は必要に応じ
て、ヒドラジン化合物を含有する。
て、ヒドラジン化合物を含有する。
本発明に有利に用いられるヒドラジン化合物は、好まし
くは下記一般式〔H〕で表される化合物である。
くは下記一般式〔H〕で表される化合物である。
一般式(H)
式中、R′は1価の有機残基を表し、R3は水素原子又
は1価の有機残基を表し、Qr及びQ、は水素原子、ア
ルキルスルホニル基(rjl換基を有するものモ含む)
、アリールスルホニル基(置換基を有するものも含む)
を表し、Xlは酸素原子又はイオウ原子を表す。一般式
(H)で表される化合物のうち、Xlが酸素原子であり
、かつR8が水素原子である化合物が更に好ましい。
は1価の有機残基を表し、Qr及びQ、は水素原子、ア
ルキルスルホニル基(rjl換基を有するものモ含む)
、アリールスルホニル基(置換基を有するものも含む)
を表し、Xlは酸素原子又はイオウ原子を表す。一般式
(H)で表される化合物のうち、Xlが酸素原子であり
、かつR8が水素原子である化合物が更に好ましい。
上記R1及びR2の1価の有機残基としては、芳香族残
基、複素環残基及び脂肪族残基が包含される。
基、複素環残基及び脂肪族残基が包含される。
芳香族残基としては、フェニル基、ナフチル基及びこれ
らに置換基(例えばアルキル基、アルコキシ基、アシル
ヒドラジノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシカルボ
ニル基、シアノ基、カルボキシ基、ニトロ基、アルキル
チオ基、ヒドロキシ基、スルホニル基、カルバモイル基
、ハロゲン原子、アシルアミノ基、スルホンアミド基、
チオウレア基など)のついたものを含む。置換基のつい
たものの具体例として、例えば、4−メチルフェニル基
、4−エチルフェニル基、4−オキシエチルフェニル基
、4−ドデシルフェニル基、4−カルボキシフェニル基
、4−ジエチルアミノフェニル基、4−オクチルアミノ
フェニル基、4−ベンジルアミノフェニル基、4−アセ
トアミド−2−メチルフェニル基、4−(3−エチルチ
オウレイド)フェニル基、4−[2−(2,4−ジーt
ert−ブチルフェノキシ)ブチルアミド]フェニル基
、4−[2−(2,4−ジーtert−ブチルフェノキ
シ)ブチルアミド] フェニル基などを挙げることがで
きる。
らに置換基(例えばアルキル基、アルコキシ基、アシル
ヒドラジノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシカルボ
ニル基、シアノ基、カルボキシ基、ニトロ基、アルキル
チオ基、ヒドロキシ基、スルホニル基、カルバモイル基
、ハロゲン原子、アシルアミノ基、スルホンアミド基、
チオウレア基など)のついたものを含む。置換基のつい
たものの具体例として、例えば、4−メチルフェニル基
、4−エチルフェニル基、4−オキシエチルフェニル基
、4−ドデシルフェニル基、4−カルボキシフェニル基
、4−ジエチルアミノフェニル基、4−オクチルアミノ
フェニル基、4−ベンジルアミノフェニル基、4−アセ
トアミド−2−メチルフェニル基、4−(3−エチルチ
オウレイド)フェニル基、4−[2−(2,4−ジーt
ert−ブチルフェノキシ)ブチルアミド]フェニル基
、4−[2−(2,4−ジーtert−ブチルフェノキ
シ)ブチルアミド] フェニル基などを挙げることがで
きる。
複素環残基としては、酸素、窒素、硫黄、又はセレン原
子のうち少なくとも一つを有する五員もしくは六員の単
環又は縮合環で、これらに置換基がついてもよい。具体
的には例えば、ビロリン環、ピリジン環、キノリン環、
インドール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環
、ナンドオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環、チアゾリン環、チアゾール環、ベンゾチア
ゾ−ル環、ナフトチアゾール環、セレナゾール環、ベン
ゾセレナゾール環、ナフトセレナゾール環なとの残基を
挙げることが出来る。
子のうち少なくとも一つを有する五員もしくは六員の単
環又は縮合環で、これらに置換基がついてもよい。具体
的には例えば、ビロリン環、ピリジン環、キノリン環、
インドール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環
、ナンドオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミ
ダゾール環、チアゾリン環、チアゾール環、ベンゾチア
ゾ−ル環、ナフトチアゾール環、セレナゾール環、ベン
ゾセレナゾール環、ナフトセレナゾール環なとの残基を
挙げることが出来る。
これらの複素環は、メチル基、エチル基等炭素数l〜4
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等炭素数1〜4
のアルコキシ基、フェニル基等の炭素数6〜18のアリ
ール基や、クロル、ブロム等のハロゲン原子、アルコキ
シカルボニル基、シアノ基、アミノ基等で置換されてい
てもよい。
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等炭素数1〜4
のアルコキシ基、フェニル基等の炭素数6〜18のアリ
ール基や、クロル、ブロム等のハロゲン原子、アルコキ
シカルボニル基、シアノ基、アミノ基等で置換されてい
てもよい。
脂肪族残基としては、直鎖及び分岐のアルキル基、シク
ロアルキル基及びこれらに置換基のついたもの、並びに
アルケニル基及びアルキニル基を含む。
ロアルキル基及びこれらに置換基のついたもの、並びに
アルケニル基及びアルキニル基を含む。
直鎖及び分岐のアルキル基としては、例えば炭素数1−
18、好ましくは1〜8のアルキル基であって、具体的
には例えばメチル基、エチル基、イソブチル基、1−オ
クチル基等である。
18、好ましくは1〜8のアルキル基であって、具体的
には例えばメチル基、エチル基、イソブチル基、1−オ
クチル基等である。
シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜10のも
ので、具体的には例えばシクロプロピル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基等である。アルキル基やシクロ
アルキル基に対する置換基としてはアルコキシ基(例え
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
等)、・アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ヒ
ドロキシ基、アルキルチオ基、アミド基、アシロキシ基
、シアノ基、スルホニル基、ハロゲン原子(例えば塩素
、臭素、弗素、沃素など)、アリール基(例えばフェニ
ル基、ハロゲン置換7エ三ル基、アルキル置換フェニル
基)等であり、置換されたものの具体例としては例えば
3−メトキシグロピル基、エトキシカルボニルメチル基
、4−クロロシクロヘキシル基、ヘンシル基、p−メチ
ルベンジル基、p−クロロベンジル基などを挙げること
ができる。また、アルケニル基としては例えばアリル(
allyl)基、アルキニル基としては例えばグロバル
ギル基を挙げることかできる。
ので、具体的には例えばシクロプロピル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基等である。アルキル基やシクロ
アルキル基に対する置換基としてはアルコキシ基(例え
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
等)、・アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ヒ
ドロキシ基、アルキルチオ基、アミド基、アシロキシ基
、シアノ基、スルホニル基、ハロゲン原子(例えば塩素
、臭素、弗素、沃素など)、アリール基(例えばフェニ
ル基、ハロゲン置換7エ三ル基、アルキル置換フェニル
基)等であり、置換されたものの具体例としては例えば
3−メトキシグロピル基、エトキシカルボニルメチル基
、4−クロロシクロヘキシル基、ヘンシル基、p−メチ
ルベンジル基、p−クロロベンジル基などを挙げること
ができる。また、アルケニル基としては例えばアリル(
allyl)基、アルキニル基としては例えばグロバル
ギル基を挙げることかできる。
本発明のヒドラジン化合物の好ましい具体例を以下に示
すが、本発明は何等これによって限定されるものではな
い。
すが、本発明は何等これによって限定されるものではな
い。
(H−1)1−ホルミル−2−(4−[2−(2,4−
ジーtert−ブチルフェノキシ)ブチルアミドjフェ
ニル)ヒドラジン (H−2)1−ホルミル−2−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)ヒドラジン (H−3)!−ホルミルー2−(p−トリル)ヒドラジ
ン (H−4)1−ホルミル−2−(4−エチルフェニル)
ヒドラジン (H−5)1−ホルミル−2−(4−アセトアミド−2
−メチルフェニル)ヒドラジン l−ホルミル−2−(4−オキシエチルフェニル)ヒド
ラジン l−ホルミル−2−(4−N、N−ジヒドロキシエチル
アミノフェニル)ヒドラジン l−ホルミル−2−[4−(3−エチルチオ(H−6) (H−7) (H−8) ウレイド)フェニル)ヒドラジン l−チオホルミル−2−(4−[2−(2,4−ジーt
ert−ブチルフェノキシ)ブチルアミド]フェニル)
ヒドラジン ■−ホルミルー2−(4−ベンジルアミノフェニル)ヒ
ドラジン l−ホルミル−2−(4−オクチルアミノフェニル)ヒ
ドラジン l−ホルミル−2−(4−ドデシルフェニル)ヒドラジ
ン (H−13)l−アセチル−2−(4−2−2,4−ジ
ーtert−ブチルフェノキシ)ブチルアミド]フェニ
ル)ヒドラジン 4−カルボキシフェニルヒドラジン l−アセチル−1−(4−メチルフェニルスルホニル)
−2−フェニルヒドラジンl−エトキシカルボニル−1
−(4−メチルフェニルスルホニル)−2−フェニルヒ
ドラジン l−ホルミル−2−(4−ヒドロキシ7エ(H−14) (H−9) (H−10) (H−11) (H−12) (H−15) (H−16) (H−17) ニル)−2−(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒド
ラジン (H−18) 1−(4−アセトキシフェニル)−2−
ホルミル−1−(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒ
ドラジン (H−19)1−ホルミル−2−(4−ヘキサノキシフ
ェニル)−2−(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒ
ドラジン (H−20)1−ホルミル−2−(4−(テトラヒドロ
−2H−ピラン−2−イルオキシ)−フェニル〕−2−
(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒドラジン (H−21)1−ホルミル−2−(4−(3−へキシル
ウレイドフェニル))−2−(4−メチルフェニルスル
ホニル)−ヒドラジン (H−22)1−ホルミル−2−(4−メチルフェニル
スルホニル)−2−(4−(フェノキシチオカルボニル
アミノ)−フェニルツーヒドラジン (H−23)1−(4−エトキシチオカルボニルアミノ
フェニル)−2−ホルミル−1−(4−メチルフェニル
スルホニル)−ヒドラジン(H−24) (H−25) 1−ホルミル−2−(4−メチルフェニルスルホニル)
−2−(4−(3−メチル−3=フェニル−2−チオウ
レイド)−フェニル)−ヒドラジン ! −[(4−(3−(4−(2,4−ビス−t−アミ
ルフェノキシ)−ブチル)−ウレイド)−フェニル))
−2−ホルミル−1−(4−メチルフェニルスルホニル
)−ヒドラジン(H−26) (H−27) r (H−28) (H−29) (H−30) (H−32) ()l−33) (H 34) (H−35) (H−36) (H−37) (H−38) CsH++(t) (H−39) (H−40) (H−49) (H−50) (H−51) (H−52) く (H−53) (H−54) (H−55) (H−56) (H−57) (H−58) Hs (H−59) CD。
ジーtert−ブチルフェノキシ)ブチルアミドjフェ
ニル)ヒドラジン (H−2)1−ホルミル−2−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)ヒドラジン (H−3)!−ホルミルー2−(p−トリル)ヒドラジ
ン (H−4)1−ホルミル−2−(4−エチルフェニル)
ヒドラジン (H−5)1−ホルミル−2−(4−アセトアミド−2
−メチルフェニル)ヒドラジン l−ホルミル−2−(4−オキシエチルフェニル)ヒド
ラジン l−ホルミル−2−(4−N、N−ジヒドロキシエチル
アミノフェニル)ヒドラジン l−ホルミル−2−[4−(3−エチルチオ(H−6) (H−7) (H−8) ウレイド)フェニル)ヒドラジン l−チオホルミル−2−(4−[2−(2,4−ジーt
ert−ブチルフェノキシ)ブチルアミド]フェニル)
ヒドラジン ■−ホルミルー2−(4−ベンジルアミノフェニル)ヒ
ドラジン l−ホルミル−2−(4−オクチルアミノフェニル)ヒ
ドラジン l−ホルミル−2−(4−ドデシルフェニル)ヒドラジ
ン (H−13)l−アセチル−2−(4−2−2,4−ジ
ーtert−ブチルフェノキシ)ブチルアミド]フェニ
ル)ヒドラジン 4−カルボキシフェニルヒドラジン l−アセチル−1−(4−メチルフェニルスルホニル)
−2−フェニルヒドラジンl−エトキシカルボニル−1
−(4−メチルフェニルスルホニル)−2−フェニルヒ
ドラジン l−ホルミル−2−(4−ヒドロキシ7エ(H−14) (H−9) (H−10) (H−11) (H−12) (H−15) (H−16) (H−17) ニル)−2−(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒド
ラジン (H−18) 1−(4−アセトキシフェニル)−2−
ホルミル−1−(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒ
ドラジン (H−19)1−ホルミル−2−(4−ヘキサノキシフ
ェニル)−2−(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒ
ドラジン (H−20)1−ホルミル−2−(4−(テトラヒドロ
−2H−ピラン−2−イルオキシ)−フェニル〕−2−
(4−メチルフェニルスルホニル)−ヒドラジン (H−21)1−ホルミル−2−(4−(3−へキシル
ウレイドフェニル))−2−(4−メチルフェニルスル
ホニル)−ヒドラジン (H−22)1−ホルミル−2−(4−メチルフェニル
スルホニル)−2−(4−(フェノキシチオカルボニル
アミノ)−フェニルツーヒドラジン (H−23)1−(4−エトキシチオカルボニルアミノ
フェニル)−2−ホルミル−1−(4−メチルフェニル
スルホニル)−ヒドラジン(H−24) (H−25) 1−ホルミル−2−(4−メチルフェニルスルホニル)
−2−(4−(3−メチル−3=フェニル−2−チオウ
レイド)−フェニル)−ヒドラジン ! −[(4−(3−(4−(2,4−ビス−t−アミ
ルフェノキシ)−ブチル)−ウレイド)−フェニル))
−2−ホルミル−1−(4−メチルフェニルスルホニル
)−ヒドラジン(H−26) (H−27) r (H−28) (H−29) (H−30) (H−32) ()l−33) (H 34) (H−35) (H−36) (H−37) (H−38) CsH++(t) (H−39) (H−40) (H−49) (H−50) (H−51) (H−52) く (H−53) (H−54) (H−55) (H−56) (H−57) (H−58) Hs (H−59) CD。
一般式〔H〕で表わされるヒドラジン化合物の添加位置
はハロゲン化銀乳剤層及び/又は支持体上のハロゲン化
銀乳剤層側にある非感光層であるが、好ましくは、ハロ
ゲン化銀乳剤層及び/又はその下層である。添加量は、
10−’−10−’モル/銀1モルが好ましく、更に好
ましくは10−’〜10−”モル/銀1モルである。
はハロゲン化銀乳剤層及び/又は支持体上のハロゲン化
銀乳剤層側にある非感光層であるが、好ましくは、ハロ
ゲン化銀乳剤層及び/又はその下層である。添加量は、
10−’−10−’モル/銀1モルが好ましく、更に好
ましくは10−’〜10−”モル/銀1モルである。
次に本発明に必要に応じて用いられるテトラゾリウム化
合物について説明する。
合物について説明する。
テトラゾリウム化合物は下記一般式(T b)、(Tc
)又は(T d)で示すことができる。
)又は(T d)で示すことができる。
一般式(T b)
一般式
%式%)
一般式
(Td)
式中、Rl+Rs、Ra、Ra、Rs、R*、Rso及
びRoは、それぞれアルキル基(例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ドデシル基等)、アルケニル基、(
例えばビニル基、アリル基、プロペニル基等)、アリー
ル基(例えばフェニル基、トリル基、ヒドロキシフェニ
ル基、カルボキシフェニル基、アミノフェニル基、メル
カプトフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、
ヒドロキシナフチル基、カルボキシナフチル基、アミノ
ナフチル基等)、及び複素環基(例えばチアゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、オキサシリル基、ピリミジニル基
、ピリジル基等)から選ばれる基を表し、これらはいず
れも金属キレート或いは錯体を形成するような基でもよ
い。
びRoは、それぞれアルキル基(例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ドデシル基等)、アルケニル基、(
例えばビニル基、アリル基、プロペニル基等)、アリー
ル基(例えばフェニル基、トリル基、ヒドロキシフェニ
ル基、カルボキシフェニル基、アミノフェニル基、メル
カプトフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、
ヒドロキシナフチル基、カルボキシナフチル基、アミノ
ナフチル基等)、及び複素環基(例えばチアゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、オキサシリル基、ピリミジニル基
、ピリジル基等)から選ばれる基を表し、これらはいず
れも金属キレート或いは錯体を形成するような基でもよ
い。
R、、R、及びRアそれぞれアリル基、置換基を有して
もよいフェニル基、置換基を有してもよいす7チル基、
複素環基、アルキル基(例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、メルカプトエチル基、メルカプト
エチル基等)、ヒドロキシル基、カルボキシル基又はそ
の塩、アルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基等)、アミノ基(例えば
アミノ基、エチルアミノ基、アニリノ基等)、メルカプ
ト基、ニトロ基、又は水素原子から選ばれる基を表し、
Dは2価の芳香族基を表わし、Eはアルキレン基、アリ
レン基、アラルキレン基から選ばれる基を表し、Xθは
アニオンを表し、nはl又は2の整数を表す。ただし化
合物が分子内塩を形成する場合nはlである。次に前記
一般式(T b)、(T c)又は(T d)で表され
るテトラゾリウム化合物の具体例を示すが、本発明はこ
れらのみに限定されるものではない。
もよいフェニル基、置換基を有してもよいす7チル基、
複素環基、アルキル基(例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、メルカプトエチル基、メルカプト
エチル基等)、ヒドロキシル基、カルボキシル基又はそ
の塩、アルコキシカルボニル基(例えばメトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基等)、アミノ基(例えば
アミノ基、エチルアミノ基、アニリノ基等)、メルカプ
ト基、ニトロ基、又は水素原子から選ばれる基を表し、
Dは2価の芳香族基を表わし、Eはアルキレン基、アリ
レン基、アラルキレン基から選ばれる基を表し、Xθは
アニオンを表し、nはl又は2の整数を表す。ただし化
合物が分子内塩を形成する場合nはlである。次に前記
一般式(T b)、(T c)又は(T d)で表され
るテトラゾリウム化合物の具体例を示すが、本発明はこ
れらのみに限定されるものではない。
(T−1) 2−(ベンゾチアゾール−2−イル)−3
−7ヱニルー5−ドデシル−2H−テトラゾリウム2.
3−ジフェニル−5−(4−を−オクチルオキシフェニ
ル)−2H−テトラゾリウム 2.3.5− トリフェニル−2H−テトラゾリウム2
.3.5−トリ(p−力ルポキシエチルフェニル)−2
H−テトラゾリウム 2−(ベンゾチアゾール−2−イル)−3−7エニルー
5−(o−クロロフェニル)−2H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−2H−テトラゾリウム2.3−ジ
フェニル−5−メチル−2H−テトラゾリウム 3−(p−ヒドロキシフェニル)−5−メチル−2−フ
ェニル−2H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−エチル−2H−テトラゾリウ
ム 2.3−ジフェニル−5−n−ヘキシル−2H−テトラ
ゾリウム (T−11) 5−シアノ−2,3−ジフェニル−2H
−テトラゾリウム (T−3) (T−6) (T−2) (T−4) (T−5) (T−7) (T−9) (T−8) (T−10) (T−12) (T−13) (T−14) (T−15) (T−16) (T−17) (T−18) (T−19) (T−20) 2−(ベンゾチアゾール−2−イル)−5−フェニル−
3−(4−トリル)−2H−テトラゾリウム2−(ベン
ゾチアゾール−2−イル)−5−(4−クロロフェニル
)−3−(4−ニトロフェニル)2H−テトラゾリウム 5−エトキシカルボニル−2,3−ジ(3−ニトロフェ
ニル)−2H−テトラゾリウム 5−アセチル−2,3−ジ(p−エトキシフェニル)−
2H−テトラゾリウム 2.5−ジフェニル−3−(p−トリル)−2H−テト
ラゾリウム 2.5−ジフェニル−3−(p−ヨードフェニル)−2
H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(p−ジフェニル)−2H−
テトラゾリウム 5−(p−ブロモフェニル)−2−フェニル−3−(2
゜4.6−1− ’J クロロフェニル)−2H−テト
ラゾリウム 3−(p−ヒドロキシフェニル)−5−(p−ニトロフ
ェニル)−2−フェニル−2H−テトラゾリウ5−(3
,4−ジメトキシフェニル)−3−(2−エトキシフェ
ニル)−2−(4−メトキシフェニル)−2H−テトラ
ゾリウム (T−22) 5−(4−シアノフェニル)−2,3−
ジフェニル−2H−テトラゾリウム 3−(p−アセトアミドフェニル)−2,5−ジフェニ
ル−2H−テトラゾリウム 5−アセチル−2,3−ジフェニル−2H−テトラゾリ
ウム 5−(7ランー2−イル−2,3−ジフェニル−2H−
テトラゾリウム 5−(チオフェン−2−イル)−2,3−ジフェニル−
2H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(ピリド−4−イル)−2H
−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(キノール−2−イル)2H
−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(ベンゾオキサゾール−12
−イル)−2H−テトラゾリウム(T−21) (T−23) (T−24) (T−29) (T−26) (T−27) (T−25) (T−28) (T−30) 2.3.51−リ(p−エチルフェニル
)−2H−テトラゾリウム (T−31) 2.3.5−)す(p−アリルフェニル
)−2H−テトラゾリウム (T−32) 2.3.5−トリ(p−ヒドロキシエチ
ルオキシエトキシフェニル)−2H−テトラゾリウム(
T−33) 2.3.5−1−リ(p−ドデシルフェニ
ル)−2H−テトラゾリウム (T−34) 2,3.5−トリ(p−ベンジルフェニ
ル)−2H−テトラゾリウム 前記一般式(T b)ないしくTc)におけるX61で
表されるアニオン部としてはハロゲンイオン例えばCC
eを挙げることができる。
−7ヱニルー5−ドデシル−2H−テトラゾリウム2.
3−ジフェニル−5−(4−を−オクチルオキシフェニ
ル)−2H−テトラゾリウム 2.3.5− トリフェニル−2H−テトラゾリウム2
.3.5−トリ(p−力ルポキシエチルフェニル)−2
H−テトラゾリウム 2−(ベンゾチアゾール−2−イル)−3−7エニルー
5−(o−クロロフェニル)−2H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−2H−テトラゾリウム2.3−ジ
フェニル−5−メチル−2H−テトラゾリウム 3−(p−ヒドロキシフェニル)−5−メチル−2−フ
ェニル−2H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−エチル−2H−テトラゾリウ
ム 2.3−ジフェニル−5−n−ヘキシル−2H−テトラ
ゾリウム (T−11) 5−シアノ−2,3−ジフェニル−2H
−テトラゾリウム (T−3) (T−6) (T−2) (T−4) (T−5) (T−7) (T−9) (T−8) (T−10) (T−12) (T−13) (T−14) (T−15) (T−16) (T−17) (T−18) (T−19) (T−20) 2−(ベンゾチアゾール−2−イル)−5−フェニル−
3−(4−トリル)−2H−テトラゾリウム2−(ベン
ゾチアゾール−2−イル)−5−(4−クロロフェニル
)−3−(4−ニトロフェニル)2H−テトラゾリウム 5−エトキシカルボニル−2,3−ジ(3−ニトロフェ
ニル)−2H−テトラゾリウム 5−アセチル−2,3−ジ(p−エトキシフェニル)−
2H−テトラゾリウム 2.5−ジフェニル−3−(p−トリル)−2H−テト
ラゾリウム 2.5−ジフェニル−3−(p−ヨードフェニル)−2
H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(p−ジフェニル)−2H−
テトラゾリウム 5−(p−ブロモフェニル)−2−フェニル−3−(2
゜4.6−1− ’J クロロフェニル)−2H−テト
ラゾリウム 3−(p−ヒドロキシフェニル)−5−(p−ニトロフ
ェニル)−2−フェニル−2H−テトラゾリウ5−(3
,4−ジメトキシフェニル)−3−(2−エトキシフェ
ニル)−2−(4−メトキシフェニル)−2H−テトラ
ゾリウム (T−22) 5−(4−シアノフェニル)−2,3−
ジフェニル−2H−テトラゾリウム 3−(p−アセトアミドフェニル)−2,5−ジフェニ
ル−2H−テトラゾリウム 5−アセチル−2,3−ジフェニル−2H−テトラゾリ
ウム 5−(7ランー2−イル−2,3−ジフェニル−2H−
テトラゾリウム 5−(チオフェン−2−イル)−2,3−ジフェニル−
2H−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(ピリド−4−イル)−2H
−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(キノール−2−イル)2H
−テトラゾリウム 2.3−ジフェニル−5−(ベンゾオキサゾール−12
−イル)−2H−テトラゾリウム(T−21) (T−23) (T−24) (T−29) (T−26) (T−27) (T−25) (T−28) (T−30) 2.3.51−リ(p−エチルフェニル
)−2H−テトラゾリウム (T−31) 2.3.5−)す(p−アリルフェニル
)−2H−テトラゾリウム (T−32) 2.3.5−トリ(p−ヒドロキシエチ
ルオキシエトキシフェニル)−2H−テトラゾリウム(
T−33) 2.3.5−1−リ(p−ドデシルフェニ
ル)−2H−テトラゾリウム (T−34) 2,3.5−トリ(p−ベンジルフェニ
ル)−2H−テトラゾリウム 前記一般式(T b)ないしくTc)におけるX61で
表されるアニオン部としてはハロゲンイオン例えばCC
eを挙げることができる。
本発明に使用するテトラゾリウム化合物は、1種を用い
てもよく、また、2種以上を任意の比率で組合せて併用
することもできる。
てもよく、また、2種以上を任意の比率で組合せて併用
することもできる。
本発明の好ましい一つの実施態様として、本発明に係わ
るテトラゾリウム化合物をハロゲン化銀乳剤層中に添加
することが挙げられる。また本発明の別の好ましい実施
態様においては、ハロゲン化銀乳剤層に直接隣接する非
感光性親水性コロイド層、又は中間層を介して隣接する
非感光性親水性コロイド層に添加される。
るテトラゾリウム化合物をハロゲン化銀乳剤層中に添加
することが挙げられる。また本発明の別の好ましい実施
態様においては、ハロゲン化銀乳剤層に直接隣接する非
感光性親水性コロイド層、又は中間層を介して隣接する
非感光性親水性コロイド層に添加される。
又別の態様としては、本発明に係わるテトラゾリウム化
合物を適当な有機溶媒、例えばメタノール、エタノール
等のアルコール類やエーテル類、エステル類等に溶解し
てオーバーコート法等により感光材料のハロゲン化銀乳
剤層側の最外層になる部分に直接塗布して感光材料に含
有せしめてもよい。
合物を適当な有機溶媒、例えばメタノール、エタノール
等のアルコール類やエーテル類、エステル類等に溶解し
てオーバーコート法等により感光材料のハロゲン化銀乳
剤層側の最外層になる部分に直接塗布して感光材料に含
有せしめてもよい。
本発明に係わるテトラゾリウム化合物は本発明の感光材
料中に含有されるハロゲン化銀1モル当りIX 10−
’モルから10モルまで、特に2 X 10−’モルか
ら2 X 10−’モルまでの範囲で用いるのが好まし
い。
料中に含有されるハロゲン化銀1モル当りIX 10−
’モルから10モルまで、特に2 X 10−’モルか
ら2 X 10−’モルまでの範囲で用いるのが好まし
い。
次に本発明において必要に応じて用いられるポリアルキ
レンオキサイド化合物とは、分子中に少なくとも2以上
、多くとも200以下のポリアルキレンオキサイド鎖を
含む化合物をいい、例えばポリアルキレンオキサイドと
脂肪族アルコール、フェノール類、脂肪酸、脂肪族メル
カプタン、有機アミンなどの活性水素原子を有する化合
物との縮合反応により、またはポリプロピレングリコー
ル、ポリオキシテトラメチレン重合体などのポリオール
Jこ脂肪族メルカプタン、有機アミン、エチレンオキサ
イド、プロピレンオキサイドなどを縮合させて合成する
ことができる。
レンオキサイド化合物とは、分子中に少なくとも2以上
、多くとも200以下のポリアルキレンオキサイド鎖を
含む化合物をいい、例えばポリアルキレンオキサイドと
脂肪族アルコール、フェノール類、脂肪酸、脂肪族メル
カプタン、有機アミンなどの活性水素原子を有する化合
物との縮合反応により、またはポリプロピレングリコー
ル、ポリオキシテトラメチレン重合体などのポリオール
Jこ脂肪族メルカプタン、有機アミン、エチレンオキサ
イド、プロピレンオキサイドなどを縮合させて合成する
ことができる。
上記ポリアルキレンオキサイド化合物は、分子中のポリ
アルキレンオキサイド鎖は1fllではなく2ケ所以上
に分割されたブロック共重合体であってもよい。
アルキレンオキサイド鎖は1fllではなく2ケ所以上
に分割されたブロック共重合体であってもよい。
この際、ポリアルキレンオキサイドの合計重合度は3以
上で100以下が好ましい。
上で100以下が好ましい。
本発明において任意に用いられる上記ポリアルキレンオ
キサイド化合物の具体例を以下に示す。
キサイド化合物の具体例を以下に示す。
(A o l ) HO(CH*CHzO)nH(A
o −2) n−C,HsO(C8ICI!0)QH
CAo 3 ) n C,HuO(CHtCH20
)QH(Ao −4) n−Cl2H,80(CH,
CH,0)QH(n=35) (12−20) CQ −30) CQ −30) CAo 6 ) D CaffHxsS(CHzC
ToO)、i+)l(Q−30) (Ao−7) Cat(sS(CHtCHiO)ncOcH*cHic
OOH(n=50) (Ao−8) HO(CH,CI、0n(CH,)m(CH,CHzO
)ncOcI(、CH*C00HIJ+n=70. m
−5) (Ao−11) )10(CH,OH,0)Q(CHCH,O)m(CB
、CB、0)nuC2■5 rQ−I−n−IF+ wa−1!;) (Ao−13) 80(CH2CH20)、2(CHzCHzCHzCH
zO)Ill(CH2CH20)nH(12+n=23
. m=21) (Ao−143 Ho(CHzCHzO)、2(CH2CH2CHiCH
xO)II(CHzCHzO)nH((1千n−38,
m−15) C(2+n=15. m=15) (Q+n=30. m−15) CQ−7,m−30) (Ao−19) 1 HOOCCHzCHtCO(CHzCHzO)Q(CH
2Cl(z1 CHzCHzO)1m(C)I*CHsO)nccHx
cHtcOOH(a+n −15,m= 15) (Ao−20) (CHzCHzO)nccHzcHtcOOH〔Q+
n −15,m−20) (Ao−21) 必要に応じて導電層中に用いる金属酸化物は、酸化イン
ジウム、酸化スズ或いはアンチモン原子又はリン原子を
ドープした金属酸化物のいづれか又はこれらの組合わせ
を用いることができる。
o −2) n−C,HsO(C8ICI!0)QH
CAo 3 ) n C,HuO(CHtCH20
)QH(Ao −4) n−Cl2H,80(CH,
CH,0)QH(n=35) (12−20) CQ −30) CQ −30) CAo 6 ) D CaffHxsS(CHzC
ToO)、i+)l(Q−30) (Ao−7) Cat(sS(CHtCHiO)ncOcH*cHic
OOH(n=50) (Ao−8) HO(CH,CI、0n(CH,)m(CH,CHzO
)ncOcI(、CH*C00HIJ+n=70. m
−5) (Ao−11) )10(CH,OH,0)Q(CHCH,O)m(CB
、CB、0)nuC2■5 rQ−I−n−IF+ wa−1!;) (Ao−13) 80(CH2CH20)、2(CHzCHzCHzCH
zO)Ill(CH2CH20)nH(12+n=23
. m=21) (Ao−143 Ho(CHzCHzO)、2(CH2CH2CHiCH
xO)II(CHzCHzO)nH((1千n−38,
m−15) C(2+n=15. m=15) (Q+n=30. m−15) CQ−7,m−30) (Ao−19) 1 HOOCCHzCHtCO(CHzCHzO)Q(CH
2Cl(z1 CHzCHzO)1m(C)I*CHsO)nccHx
cHtcOOH(a+n −15,m= 15) (Ao−20) (CHzCHzO)nccHzcHtcOOH〔Q+
n −15,m−20) (Ao−21) 必要に応じて導電層中に用いる金属酸化物は、酸化イン
ジウム、酸化スズ或いはアンチモン原子又はリン原子を
ドープした金属酸化物のいづれか又はこれらの組合わせ
を用いることができる。
酸化インジウムとしては、酸化第一インジウム、(In
to)と酸化第2インジウム(rnzos)とが知られ
ているが、本発明では、酸化第2インジウムを用いるの
が好ましい。
to)と酸化第2インジウム(rnzos)とが知られ
ているが、本発明では、酸化第2インジウムを用いるの
が好ましい。
又、酸化スズとしては、酸化第1スズ(SnO)と酸化
第2スズ(SnOよ)が知られているが、本発明で好ま
しく用いられるのは酸化第2スズである。
第2スズ(SnOよ)が知られているが、本発明で好ま
しく用いられるのは酸化第2スズである。
アンチモン原子又はリン原子をドープした金属酸化物と
しては具体的には、酸化スズ及び酸化インジウムを挙げ
ることができる。前記金属酸化物にアンチモン又はリン
をドーピングするにはスズやインジウムのハロゲン化物
、アルコキシ化物或いは硝酸塩化合物とアンチモン又は
リンのハロゲン化物、アルコキシ化物或いは硝酸塩化物
と混合して酸化焼成して得ることができる。これらの金
属化合物は、容易に入手することができる。又アンチモ
ン又はリンをドープする際の好ましい含有率は、スズや
インジウムに対して0.5〜10%の重量%が好ましい
。こらの無機化合物の添加方法は、ゼラチンなどの親水
性コロイドに分散、或いはアクリル酸やマレイン酸など
の高分子化合物に分散して添加することが好ましい。バ
インダー当たりの担持の割合はt−1oo重量%が好ま
しい。
しては具体的には、酸化スズ及び酸化インジウムを挙げ
ることができる。前記金属酸化物にアンチモン又はリン
をドーピングするにはスズやインジウムのハロゲン化物
、アルコキシ化物或いは硝酸塩化合物とアンチモン又は
リンのハロゲン化物、アルコキシ化物或いは硝酸塩化物
と混合して酸化焼成して得ることができる。これらの金
属化合物は、容易に入手することができる。又アンチモ
ン又はリンをドープする際の好ましい含有率は、スズや
インジウムに対して0.5〜10%の重量%が好ましい
。こらの無機化合物の添加方法は、ゼラチンなどの親水
性コロイドに分散、或いはアクリル酸やマレイン酸など
の高分子化合物に分散して添加することが好ましい。バ
インダー当たりの担持の割合はt−1oo重量%が好ま
しい。
本発明に用いる導電層中の有機導電ポリマーは、スルホ
ン酸基又はその塩基を芳香族環又はへテロ環基上に直接
、あるいは2価の連結基を介して結合した分子量100
0〜100万で、特に好ましくは1〜50万の化合物で
ある。該ポリマーは市販又は常法により得られるモノマ
ーを重合することにより容易に合皮することができる。
ン酸基又はその塩基を芳香族環又はへテロ環基上に直接
、あるいは2価の連結基を介して結合した分子量100
0〜100万で、特に好ましくは1〜50万の化合物で
ある。該ポリマーは市販又は常法により得られるモノマ
ーを重合することにより容易に合皮することができる。
本発明の導電性ポリマーにおける導電性とは、ポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に単独で2 y/ra”
以上塗布した表面の比抵抗が101″Q/ cra(2
3℃、20%RH)以下になるような特性を有するもの
である。
レンテレフタレートフィルム上に単独で2 y/ra”
以上塗布した表面の比抵抗が101″Q/ cra(2
3℃、20%RH)以下になるような特性を有するもの
である。
また本発明のバッキング層に用いる有機導電性ポリマー
は上記に挙げた導電層中に含有する有機導電ポリマー類
の中から選ぶことができる。
は上記に挙げた導電層中に含有する有機導電ポリマー類
の中から選ぶことができる。
本発明の導電層は、コロナ放電、グロー放電、紫外線お
よび火炎処理等によって表面を活性化することが好まし
い。特に好ましい活性化処理は、コロナ放電処理であり
、1 my” l kw/1・minの割合で処理する
ことが好ましい。特に好ましいエネルギー強度は0.1
w−1w/■2・winの範囲である。
よび火炎処理等によって表面を活性化することが好まし
い。特に好ましい活性化処理は、コロナ放電処理であり
、1 my” l kw/1・minの割合で処理する
ことが好ましい。特に好ましいエネルギー強度は0.1
w−1w/■2・winの範囲である。
また本発明の導電層上にはゼラチンまたはゼラチン誘導
体からなる接着層を設けることが好ましく、これらの接
着層は、導電層の塗布と同時に重層されるか、または乾
燥後塗布することができる。
体からなる接着層を設けることが好ましく、これらの接
着層は、導電層の塗布と同時に重層されるか、または乾
燥後塗布することができる。
この接着層は70℃〜200℃の温度範囲で加熱処理さ
れることが好ましい。この接着層は、各種の硬膜剤を適
用することができるが下層の導電層の架橋と、上層のバ
ッキング層との架橋の点から任意にアクリルアミド系、
アルデヒド系、アジリジン系、ペプチド系、エポキシ系
、ビニルスルホン系硬膜剤から選択できる。
れることが好ましい。この接着層は、各種の硬膜剤を適
用することができるが下層の導電層の架橋と、上層のバ
ッキング層との架橋の点から任意にアクリルアミド系、
アルデヒド系、アジリジン系、ペプチド系、エポキシ系
、ビニルスルホン系硬膜剤から選択できる。
導電性ポリマーとラテックスと混合した導電層塗布液は
、支持体上に直接あるいは、支持体上に下引加工した後
、塗布される。導電層膜を強化する目的で、任意の架橋
度に設定することができる。
、支持体上に直接あるいは、支持体上に下引加工した後
、塗布される。導電層膜を強化する目的で、任意の架橋
度に設定することができる。
しかしながら目的の性能を得ようとするには、導電性ポ
リマーとラテックスの混合比、導電層の塗布乾燥条件、
架橋剤の選択と使用量等が影響するので良い条件を設定
するのが好ましい。これらの条件設定により塗布乾燥後
の導電層の好ましい架橋度を求めることができる。膨潤
度は本発明の試料を25℃の純水に60分間浸漬し、こ
のとき膨潤した膜厚を水中で測定できるアダプターを取
付けt;。
リマーとラテックスの混合比、導電層の塗布乾燥条件、
架橋剤の選択と使用量等が影響するので良い条件を設定
するのが好ましい。これらの条件設定により塗布乾燥後
の導電層の好ましい架橋度を求めることができる。膨潤
度は本発明の試料を25℃の純水に60分間浸漬し、こ
のとき膨潤した膜厚を水中で測定できるアダプターを取
付けt;。
電子顕微鏡で観察し、乾燥時の膜厚と比較して膨潤度を
求めることができる。膨潤度−浸漬により膨潤した膜厚
/乾燥時の膜厚で求めることができる。間接的に膨潤度
を求めるには、乾燥時の一定の面積の試料の重さと膨潤
させたときの試料の重さから、吸水した水の量を求め、
この水により増加した体積を求め、比重から膜厚を求め
て膨潤度とすることができる。このような方法は、導電
層の膨潤度ばかりでなく、バッキング保護層、バッキン
グ層、ハロゲン化銀乳剤層等に適用することができる。
求めることができる。膨潤度−浸漬により膨潤した膜厚
/乾燥時の膜厚で求めることができる。間接的に膨潤度
を求めるには、乾燥時の一定の面積の試料の重さと膨潤
させたときの試料の重さから、吸水した水の量を求め、
この水により増加した体積を求め、比重から膜厚を求め
て膨潤度とすることができる。このような方法は、導電
層の膨潤度ばかりでなく、バッキング保護層、バッキン
グ層、ハロゲン化銀乳剤層等に適用することができる。
導電層の膜厚は、導電性と密接な関係があり、単位体積
の増加により特性が向上することから厚くするのが良い
がフィルムの柔軟性が損なわれていくため0.1−10
0μ以内、特に好ましくはO0l〜lOμの範囲にせっ
ていするとよい結果が得られる。
の増加により特性が向上することから厚くするのが良い
がフィルムの柔軟性が損なわれていくため0.1−10
0μ以内、特に好ましくはO0l〜lOμの範囲にせっ
ていするとよい結果が得られる。
次に具体的化合物例を挙げる。
−1
−2
−3
CH。
osNa
−4
−5
P−6
So、Na
−7
CI、C00CHICH!OH
−8
0
−12
M″q90万
−18
19
20
21
−22
P
23
−24
25
−26
−27
28
29
い目カ
−30
M#3万
x:y:z:w”40:30:20:10M」50万
35
x:y:z−40:30:30
M轡50万
M#30万
なお、上記P−1−P−37において、x、 y、 z
はそれぞれの単量体成分のモル%を、またMは平均分子
量(本明細書中、平均分子量とは数平均分子量を指す)
を表す。
はそれぞれの単量体成分のモル%を、またMは平均分子
量(本明細書中、平均分子量とは数平均分子量を指す)
を表す。
なお、本発明の実施に最も有用なポリマーは、一般に前
述のごとく平均分子量が約1000万〜約JOO万であ
る。
述のごとく平均分子量が約1000万〜約JOO万であ
る。
本発明のハロゲン化銀写真感光材料の導電層中に含まれ
る導電ポリマーの量は、固形分換算量で単位m!当たり
0.001g〜i0g添加するのが好ましく、特に好ま
しいのは0.05g〜5g添加することである。
る導電ポリマーの量は、固形分換算量で単位m!当たり
0.001g〜i0g添加するのが好ましく、特に好ま
しいのは0.05g〜5g添加することである。
導電性ポリマーとバッキング層、バッキング保護または
ハロゲン化銀乳剤層に用いる場合は、固形分換算量で0
.01−10gにするのが好ましい。
ハロゲン化銀乳剤層に用いる場合は、固形分換算量で0
.01−10gにするのが好ましい。
本発明に係るハロゲン化銀写真感光材料に用いるハロゲ
ン化銀は、任意の組成の塩化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀
等でよい。少なくとも50モル%の塩化銀または臭化銀
を含有することが特に好ましい。ハロゲン化銀粒子の平
均粒径は0.025〜1.5μ巽の範囲のものが好まし
く用いられるが0.05〜0.30μmがより好ましい
。
ン化銀は、任意の組成の塩化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀
等でよい。少なくとも50モル%の塩化銀または臭化銀
を含有することが特に好ましい。ハロゲン化銀粒子の平
均粒径は0.025〜1.5μ巽の範囲のものが好まし
く用いられるが0.05〜0.30μmがより好ましい
。
本発明に係るハロゲン化銀粒子の単分散度は、下記式(
1)で定義され、その値は5〜60が好ましく、より好
ましくは8〜30となるよう調製する。
1)で定義され、その値は5〜60が好ましく、より好
ましくは8〜30となるよう調製する。
本発明に係るハロゲン化銀粒子の粒径は、便宜的に立方
晶粒子の校長で表し、単分散度は粒径の標準偏差を平均
粒径で割った値を100倍した数値で表す。
晶粒子の校長で表し、単分散度は粒径の標準偏差を平均
粒径で割った値を100倍した数値で表す。
又、本発明で用い得るハロゲン化銀としては、少なくと
も2層の多層積層構造を有するタイプのものを好ましく
用いることができる。たとえばコア部に塩化銀、シェル
部に臭化銀、逆にコア部を臭化銀、シェル部を塩化銀で
ある塩臭化銀粒子であってもよい。このときヨードは任
意の層に5%モル以内で含有させることができる。また
シェル部にロジウム原子を場合によってはハロゲン化銀
1モル当り101〜10−’の範囲で含有させることが
できる。
も2層の多層積層構造を有するタイプのものを好ましく
用いることができる。たとえばコア部に塩化銀、シェル
部に臭化銀、逆にコア部を臭化銀、シェル部を塩化銀で
ある塩臭化銀粒子であってもよい。このときヨードは任
意の層に5%モル以内で含有させることができる。また
シェル部にロジウム原子を場合によってはハロゲン化銀
1モル当り101〜10−’の範囲で含有させることが
できる。
又、少なくとも2種類の粒子を混合して用いることもで
きる。例えば生乳粒子は10モル%以下の塩化銀及び5
モル%以下のヨードを含有する立方晶、八面体又は平板
状の塩沃臭化銀粒子であり、銅粒子はヨード5モル%以
下で塩化銀50モル%以上含有する立方晶、八面体又は
平板状塩沃臭化銀粒子からなる混合粒子とすることがで
きる。このように粒子を混合して用いる場合は、主・銅
粒子の化学増感は任意であるが、銅粒子は主粒子より化
学増感(イオウ増感や金増感)を控えることにより感度
を低くしてもよいし、粒子径や内部にドープするロジウ
ムなどの貴金属の量を調節して感度を低下させてもよい
。また銅粒子の内部を金でカブらせてもよいし、コア/
シェル法でコアとシェルの組成を変化させてカブらせて
もよい。主粒子と銅粒子は小粒子程よいが、例えば0.
025μ−〜1.0μmの任意の値をとることができる
。
きる。例えば生乳粒子は10モル%以下の塩化銀及び5
モル%以下のヨードを含有する立方晶、八面体又は平板
状の塩沃臭化銀粒子であり、銅粒子はヨード5モル%以
下で塩化銀50モル%以上含有する立方晶、八面体又は
平板状塩沃臭化銀粒子からなる混合粒子とすることがで
きる。このように粒子を混合して用いる場合は、主・銅
粒子の化学増感は任意であるが、銅粒子は主粒子より化
学増感(イオウ増感や金増感)を控えることにより感度
を低くしてもよいし、粒子径や内部にドープするロジウ
ムなどの貴金属の量を調節して感度を低下させてもよい
。また銅粒子の内部を金でカブらせてもよいし、コア/
シェル法でコアとシェルの組成を変化させてカブらせて
もよい。主粒子と銅粒子は小粒子程よいが、例えば0.
025μ−〜1.0μmの任意の値をとることができる
。
本発明に用いるハロゲン化銀乳剤調製時には、ルする事
ができる。ロジウム塩の添加は一般には粒子形成時が好
ましいが、化学熟成時、乳剤塗布液調製時でも良い。
ができる。ロジウム塩の添加は一般には粒子形成時が好
ましいが、化学熟成時、乳剤塗布液調製時でも良い。
本発明に用いるハロゲン化銀乳剤に添加されるロジウム
塩は、単純な塩の他に複塩でも良い。代表的には、ロジ
ウムクロライド、ロジウムトリクロライド、ロジウムア
ンモニウムクロライドなどが用いられる。
塩は、単純な塩の他に複塩でも良い。代表的には、ロジ
ウムクロライド、ロジウムトリクロライド、ロジウムア
ンモニウムクロライドなどが用いられる。
ロジウム塩の添加量は、必要とする感度、階調により自
由に変えられるが銀1モルに対して10−’モルから1
O−4モルの範囲が特に有用である。
由に変えられるが銀1モルに対して10−’モルから1
O−4モルの範囲が特に有用である。
またロジウム塩を使用する以外に、他の無機化合物例え
ばイリジウム塩、白金塩、タリウム塩、コバルト塩、金
塩などを使用しても良いし併用してもよい。イリジウム
塩はしばしば高照度特性の改良の目的で、銀1モル当り
lOリモルから1O−4モルの範囲まで好ましく用いる
ことができる。
ばイリジウム塩、白金塩、タリウム塩、コバルト塩、金
塩などを使用しても良いし併用してもよい。イリジウム
塩はしばしば高照度特性の改良の目的で、銀1モル当り
lOリモルから1O−4モルの範囲まで好ましく用いる
ことができる。
本発明において用いられるハロゲン化銀は種々の化学増
感剤によって増感することができる。増(チオ硫酸ソー
ダ、アリルチオカルバミド、チオ尿素、アリルイソチオ
シアネート等)、セレン増感剤(N、N−ジメチルセレ
ノ尿素、セレノ尿素等)、還元増感剤(トリエチレンテ
トラミン、塩化第1スズ等)、例えばカリウムクロロオ
ーライト、カリウムオーリチオシアネート、カリウムク
ロロオーレート、2−オーロスルホベンゾチアゾールメ
チルクロライド、アンモニウムクロロパラデートカリウ
ムクロロプラチネート、ナトリウムクロロパラダイト等
で代表される各種貴金属増感剤等をそれぞれ単独で、あ
るいは2種以上併用して用いることができる。なお金増
感剤を使用する場合は助剤的にロダンアンモンを使用す
ることもできるまた本発明に用いられるハロゲン化銀乳
剤は、例えば米国特許環2,444,607号、同第2
.716.062号同第3.512,982号、西独国
出願公告第1.189,380号同第2.058.62
6号、同第2,118.411号、特公昭43−413
3号、米国特許環3.342,596号、特公昭47−
4417号、西独国出願公告第2.149.789号、
特公昭39−2825号、特公昭49−13566号等
の各明細書または公報に記載されている化合物、好まし
くは、例えば5.6−1−リメチレン−7−ヒドロキシ
ンーS−トリアゾロ (1,5−a)ピリミジン、5.
6−チトラメチレンー7−ヒドロキシーS−トリアゾロ
(1,5−a)ピリミジン、5−メチル−7−ヒドロ
キシ−5−トリアゾロ (1,5−a)ピリミジン、5
−メチル−7−ヒドロキシ−3−トリアゾロ (1,5
−a)ピリミジン、7−ヒドロキシン−5−トリアシロ
ン(1,5−a)ピリミジ・ン、5−メチル−6−ブロ
モーフーヒドロキシーs−トリアゾロ(1,5−a)ピ
リミジン、没食子酸エステル(例えば没食子酸イソアミ
ル、没食子酸ドデシル、没食子酸プロピル、没食子酸ナ
トリウム)、メルカプタン類(l−7エニルー5−メル
カプトテトラゾール、2−メルカプトベンツチアゾール
)、ベンゾトリアゾール類(5−ブロムベンツトリアゾ
ール、5−メチルベンツトリアゾール)、ベンツイミダ
ゾール″* (6−ニドロペンツイミダゾール)等を用
いて安定化することができる。
感剤によって増感することができる。増(チオ硫酸ソー
ダ、アリルチオカルバミド、チオ尿素、アリルイソチオ
シアネート等)、セレン増感剤(N、N−ジメチルセレ
ノ尿素、セレノ尿素等)、還元増感剤(トリエチレンテ
トラミン、塩化第1スズ等)、例えばカリウムクロロオ
ーライト、カリウムオーリチオシアネート、カリウムク
ロロオーレート、2−オーロスルホベンゾチアゾールメ
チルクロライド、アンモニウムクロロパラデートカリウ
ムクロロプラチネート、ナトリウムクロロパラダイト等
で代表される各種貴金属増感剤等をそれぞれ単独で、あ
るいは2種以上併用して用いることができる。なお金増
感剤を使用する場合は助剤的にロダンアンモンを使用す
ることもできるまた本発明に用いられるハロゲン化銀乳
剤は、例えば米国特許環2,444,607号、同第2
.716.062号同第3.512,982号、西独国
出願公告第1.189,380号同第2.058.62
6号、同第2,118.411号、特公昭43−413
3号、米国特許環3.342,596号、特公昭47−
4417号、西独国出願公告第2.149.789号、
特公昭39−2825号、特公昭49−13566号等
の各明細書または公報に記載されている化合物、好まし
くは、例えば5.6−1−リメチレン−7−ヒドロキシ
ンーS−トリアゾロ (1,5−a)ピリミジン、5.
6−チトラメチレンー7−ヒドロキシーS−トリアゾロ
(1,5−a)ピリミジン、5−メチル−7−ヒドロ
キシ−5−トリアゾロ (1,5−a)ピリミジン、5
−メチル−7−ヒドロキシ−3−トリアゾロ (1,5
−a)ピリミジン、7−ヒドロキシン−5−トリアシロ
ン(1,5−a)ピリミジ・ン、5−メチル−6−ブロ
モーフーヒドロキシーs−トリアゾロ(1,5−a)ピ
リミジン、没食子酸エステル(例えば没食子酸イソアミ
ル、没食子酸ドデシル、没食子酸プロピル、没食子酸ナ
トリウム)、メルカプタン類(l−7エニルー5−メル
カプトテトラゾール、2−メルカプトベンツチアゾール
)、ベンゾトリアゾール類(5−ブロムベンツトリアゾ
ール、5−メチルベンツトリアゾール)、ベンツイミダ
ゾール″* (6−ニドロペンツイミダゾール)等を用
いて安定化することができる。
本発明に係るハロゲン化銀写真感光材料及び/又は現像
液中には、アミノ化合物を含有することが好ましい。
液中には、アミノ化合物を含有することが好ましい。
本発明に好ましく用いられるアミノ化合物は、第1級〜
第4級アミンすべてを包含する。好ましいアミノ化合物
の例としてアルカノールアミン類が挙げられる。以下、
好ましい具体例を列挙するが、これらに限定されるもの
でない。
第4級アミンすべてを包含する。好ましいアミノ化合物
の例としてアルカノールアミン類が挙げられる。以下、
好ましい具体例を列挙するが、これらに限定されるもの
でない。
ジエチルアミノエタノール
ジエチルアミノブタノール
ジエチルアミノプロパン−1,2−ジオールジメチルア
ミノプロパン−1,2−ジオールジェタノールアミン ジエチルアミノ−1−プロパノール トリエタノールアミン ジブロビルアミンプロパン−1,2−ジオールジオクチ
ルアミノ−1−エタノール ジオクチルアミノプロパン−1,2−ジオールドデシル
アミノプロパン−1,2−ジオールドデシルアミノ−1
−プロパツール ドデシルアミノ−I−エタノール アミツブaパンー1.2−ジオール ジエチルアミノ−2−グロバノール ジグロパノールアミン グリシン トリエチルアミン トリエチレンジアミン アミノ化合物はハロゲン化銀写真感光材料の感光層側の
塗設層(例えばハロゲン化銀乳剤層、保護層、下引層の
親水性コロイド層)の少なくとも1層及び/又は現像液
中に含有させればよく、好ましい実施態様は現像液中に
含有する態様である。
ミノプロパン−1,2−ジオールジェタノールアミン ジエチルアミノ−1−プロパノール トリエタノールアミン ジブロビルアミンプロパン−1,2−ジオールジオクチ
ルアミノ−1−エタノール ジオクチルアミノプロパン−1,2−ジオールドデシル
アミノプロパン−1,2−ジオールドデシルアミノ−1
−プロパツール ドデシルアミノ−I−エタノール アミツブaパンー1.2−ジオール ジエチルアミノ−2−グロバノール ジグロパノールアミン グリシン トリエチルアミン トリエチレンジアミン アミノ化合物はハロゲン化銀写真感光材料の感光層側の
塗設層(例えばハロゲン化銀乳剤層、保護層、下引層の
親水性コロイド層)の少なくとも1層及び/又は現像液
中に含有させればよく、好ましい実施態様は現像液中に
含有する態様である。
アミノ化合物の含有量は含有させる対象、アミノ化合物
の種類等によって異なるが、コントラスト促進量が必要
である。
の種類等によって異なるが、コントラスト促進量が必要
である。
又現像性を高めるために、フェニドンやハイドロキノン
のような現像主薬、ベンゾトリアゾールのような抑制剤
を乳剤側に含有せしめることができる。あるいは処理液
の処理能力を上げるために、バッキング層に現像主薬や
抑制剤を含有せしめることができる。
のような現像主薬、ベンゾトリアゾールのような抑制剤
を乳剤側に含有せしめることができる。あるいは処理液
の処理能力を上げるために、バッキング層に現像主薬や
抑制剤を含有せしめることができる。
本発明に特に有利に用いられる親水性コロイドはゼラチ
ンであるが、ゼラチン誘導体、例えば米国特許率2.6
14.928号、同第2.525.753号の各明細書
に記載されている如きフェニルカルバミルゼラチン、ア
シル化ゼラチン、7タル化ゼラチン、あるいは米国特許
率2.548.520号、同第2.831.767号の
各明細書に記載されている如きアクリル酸スチレン、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステ
ル等のエチレン基を持つ重合可能な単量体をゼラチンに
グラフト重合したもの等を挙げることができ、これらの
親水性コロイドはハロゲン化銀を含有しない層、例えば
ハレーション防止層、保護層、中間層等にも適用できる
。
ンであるが、ゼラチン誘導体、例えば米国特許率2.6
14.928号、同第2.525.753号の各明細書
に記載されている如きフェニルカルバミルゼラチン、ア
シル化ゼラチン、7タル化ゼラチン、あるいは米国特許
率2.548.520号、同第2.831.767号の
各明細書に記載されている如きアクリル酸スチレン、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステ
ル等のエチレン基を持つ重合可能な単量体をゼラチンに
グラフト重合したもの等を挙げることができ、これらの
親水性コロイドはハロゲン化銀を含有しない層、例えば
ハレーション防止層、保護層、中間層等にも適用できる
。
本発明に用いる透明支持体としては、ポリエチレンテレ
フタレート又はセルローストリアセテートフィルムであ
り、可視域(400〜700nm)が90%以上の透過
率であることが好ましく、場合によっては青み付けをす
る染料などが透過率を妨げない範囲で添加されても良い
。上記透明支持体をコロナ放電処理する際には0.1”
100v/m”+minが好ましい。
フタレート又はセルローストリアセテートフィルムであ
り、可視域(400〜700nm)が90%以上の透過
率であることが好ましく、場合によっては青み付けをす
る染料などが透過率を妨げない範囲で添加されても良い
。上記透明支持体をコロナ放電処理する際には0.1”
100v/m”+minが好ましい。
本発明の導電層中のラテックスポリマーは水系あるいは
有機溶媒系で塗布される。好ましくは水素で塗布される
。
有機溶媒系で塗布される。好ましくは水素で塗布される
。
本発明に用いるラテックスは、そのポリマー分子中に炭
素数2〜6のアルキル基でエステル化されたアルキルア
ルキレート又はメタアクリレート成分を含有することが
好ましい9例えばメチルアクリレート、エチルアクリレ
ート、ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、エ
チルメタクリレート、ブチルメタクリレート等が挙げら
れる。またスチレン、ビニリデンクロライド、アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、イタコン酸エステル、
ブタジェン成分などを含有していることも有用である。
素数2〜6のアルキル基でエステル化されたアルキルア
ルキレート又はメタアクリレート成分を含有することが
好ましい9例えばメチルアクリレート、エチルアクリレ
ート、ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、エ
チルメタクリレート、ブチルメタクリレート等が挙げら
れる。またスチレン、ビニリデンクロライド、アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、イタコン酸エステル、
ブタジェン成分などを含有していることも有用である。
これらの合成方法は市販のモノマーから容易に合成する
ことができる。重合法としては乳化重合法が一般的であ
る。重合反応条件をコントロール比重合度1000〜1
00万程度が有用である。またラテックスの粒径は0.
01−10μ■の範囲で、特に0.01〜1μ園程度の
小粒子径ラテックスが好ましく用いられる。またこれら
のラテックスは、本発明の導電層中ばかりでなく、バッ
キング層中あるいは乳剤層中に用いることができ、同種
であっても異なってもよい。
ことができる。重合法としては乳化重合法が一般的であ
る。重合反応条件をコントロール比重合度1000〜1
00万程度が有用である。またラテックスの粒径は0.
01−10μ■の範囲で、特に0.01〜1μ園程度の
小粒子径ラテックスが好ましく用いられる。またこれら
のラテックスは、本発明の導電層中ばかりでなく、バッ
キング層中あるいは乳剤層中に用いることができ、同種
であっても異なってもよい。
導電層中に用いる導電ポリマーとラテックスは、有機溶
媒あるいは水素溶媒に溶して混合することができる。水
溶性導電ポリマーと疎水性ラテックスを混合し分散させ
る方法は、pHや濃度を任意にコントロールして調合す
ることができる。好ましいpuは3〜12で、特に好ま
しくはpH5〜IOである。
媒あるいは水素溶媒に溶して混合することができる。水
溶性導電ポリマーと疎水性ラテックスを混合し分散させ
る方法は、pHや濃度を任意にコントロールして調合す
ることができる。好ましいpuは3〜12で、特に好ま
しくはpH5〜IOである。
また導電ポリマーとラテックスの混合比は1〜99が好
ましい。
ましい。
以下にラテックスの具体的化合物を例示する。
ラテックスの具体例
(L−1)
(L−2)
(L−3)
M−30万
M−20万
(L−5)
(L−6)
(L−8)
CH。
CH。
M−50万
M−60万
M−15万
本発F!y11こ用いるバッキング染料は、イエローマ
ゼンタ、シアン及び赤外染料を少なくとも1つ含有する
ことが好ましいが、2つ以上の染料を組み合わせること
は任意である。
ゼンタ、シアン及び赤外染料を少なくとも1つ含有する
ことが好ましいが、2つ以上の染料を組み合わせること
は任意である。
バッキング染料として好ましく用いられる具体的染料を
以下に例示する。
以下に例示する。
本発明にのバッキング層またはバッキング保護層に用い
られるフッ素を含有する界面活性剤として下記一般式(
S a)、CS b)、(S c)、(Sd)又は(S
e)で表すことができる。
られるフッ素を含有する界面活性剤として下記一般式(
S a)、CS b)、(S c)、(Sd)又は(S
e)で表すことができる。
一般式〔Sa〕
式中、R,は炭素原子数1〜32のアルキル基で、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、ノニ
ル基、ドデシル基、ヘキサデシル基等を表すが、これら
の基は少なくとも1つのフッ素原子で置換されている。
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、ノニ
ル基、ドデシル基、ヘキサデシル基等を表すが、これら
の基は少なくとも1つのフッ素原子で置換されている。
nは1〜3の整数を表し、n、は0〜4の整数を表す。
一般式(S b)
R20COCH*
R3−0CO−CH−R。
一般式(S c)
R,−0CO−CH2
R,−0CO−CH
コ
Rt OCOCHRs
式中、R、、R、、R、、R、及びR7は、それぞれ炭
素原子数1〜32の直鎖又は分岐状のアルキル基で、例
えばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ドデシル基、オクタデシル基等を表すが環状をなす
アルキル基でもよく、これらの基は少なくとも1つのフ
ッ素原子で置換されている。又Rff+Rs、R6,R
@及びR2は、それぞれアリール基、例えばフヱニル基
、ナフチル基等を表し、これらのアリール基は少なくと
も1つのフッ素原子又は少なくとも1つのフッ素原子で
置換された基で置換されている。
素原子数1〜32の直鎖又は分岐状のアルキル基で、例
えばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ドデシル基、オクタデシル基等を表すが環状をなす
アルキル基でもよく、これらの基は少なくとも1つのフ
ッ素原子で置換されている。又Rff+Rs、R6,R
@及びR2は、それぞれアリール基、例えばフヱニル基
、ナフチル基等を表し、これらのアリール基は少なくと
も1つのフッ素原子又は少なくとも1つのフッ素原子で
置換された基で置換されている。
更にR4及びR8はカルボキシラド基、スルホナト基又
はリン酸基等の酸基を表す。
はリン酸基等の酸基を表す。
一般式(S d)
式中、R9は炭素原子数1〜32の飽和、不飽和の直鎖
又は分岐状のアルキル基を表し、例えば飽和アルキル基
としては、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル
基、ヘキシル基、ドデシル基、オクタデシル基等を表し
、不飽和アルキル基としては例えばアリル基、ブデニル
基、オクテニル基等を表す。そしてこれらの飽和、不飽
和のアルキル基は少なくとも1つのフッ素原子で置換さ
れている。n、及びR3は1〜3の整数を示す。又n、
はO〜6の整数を表す。
又は分岐状のアルキル基を表し、例えば飽和アルキル基
としては、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル
基、ヘキシル基、ドデシル基、オクタデシル基等を表し
、不飽和アルキル基としては例えばアリル基、ブデニル
基、オクテニル基等を表す。そしてこれらの飽和、不飽
和のアルキル基は少なくとも1つのフッ素原子で置換さ
れている。n、及びR3は1〜3の整数を示す。又n、
はO〜6の整数を表す。
一般式(Se)
式中、Yは硫黄原子、セレン原子、酸素原子、窒素原子
又はR11基(ここでR1は水素原子又は1 N− 炭素原子数1〜3のアルキル基、例えばメチル基、エチ
ル基を表わす)を表しR1゜は、前記一般式(S a)
におけるR1で表される基と同義の基又は少なくとも1
つの77素原子で置換されたアリール基(例えばフェニ
ル基、ナフチル基等)を表す。
又はR11基(ここでR1は水素原子又は1 N− 炭素原子数1〜3のアルキル基、例えばメチル基、エチ
ル基を表わす)を表しR1゜は、前記一般式(S a)
におけるR1で表される基と同義の基又は少なくとも1
つの77素原子で置換されたアリール基(例えばフェニ
ル基、ナフチル基等)を表す。
又Zは、5員又は6員ヘテロ環を形成するのに必要な原
子群を岩し、これらの例としては、チアゾール環、セレ
ナゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、ピラゾ
ール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピリミジン
環、トリアジン環等を挙げることができる。
子群を岩し、これらの例としては、チアゾール環、セレ
ナゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、ピラゾ
ール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピリミジン
環、トリアジン環等を挙げることができる。
上記のへテロ環には更にアルキル基、アリール基等の置
換基を有してもよく、又これらの置換基にはフッ素原子
が置換されてもよい。
換基を有してもよく、又これらの置換基にはフッ素原子
が置換されてもよい。
次に上記一般式(S a)〜(S e)で表される7・
7素を含有する界面活性剤の具体例を示すが、本発明に
用いることのできる化合物はこれらに限定されるもので
はない。
7素を含有する界面活性剤の具体例を示すが、本発明に
用いることのできる化合物はこれらに限定されるもので
はない。
(例示化合物)
(S−3)
(S−4)
(S−5)
(S −6)
So、Na
(S −9)
CF2O(CF3)2CF2CF(CF3) CI(
zoOccHzCFsC(CFs)zcF2cF(CF
x)−cnzooccu−SOsNa(S−10) CFs(CFz)++OOCCHI CFs(CFz)++00CCHSOmNa(S−11
) CFs(CFs)+ toOc−CH*■ CFs(CFx)+yOOCCH30sNa(S−12
) CFx(CFz)soOccHz CF3(CFり500CCH5OsNa(s −13) CFs(CFt)xcF(CJs)CFxOOC−CT
。
zoOccHzCFsC(CFs)zcF2cF(CF
x)−cnzooccu−SOsNa(S−10) CFs(CFz)++OOCCHI CFs(CFz)++00CCHSOmNa(S−11
) CFs(CFs)+ toOc−CH*■ CFs(CFx)+yOOCCH30sNa(S−12
) CFx(CFz)soOccHz CF3(CFり500CCH5OsNa(s −13) CFs(CFt)xcF(CJs)CFxOOC−CT
。
CF、(CFり、CF(C2FB)CF!0OC−CH
SO!Na(S−14) CFx(CFz)soOccHz CFs(CFz)*0OCCH−5OsNa(s−15
) Cs F s 0COCB ! C5FaOCOCHSO3Na (S−19) CFsCCFx)t−000CH2 CFs(CFs)y−000CH CFx(CFx)y OOCC1(−SOxNa(S
−21) (S−23) (S−25) aSOs So、Na (S−27) H(CFz)scH20C00CHz 5OsNa(
S−28) HCCF2)acHt−OCHzCHz 5OsNa
(S−29) CsFsCH0CHzCHz 5O3Na(S−30
) Nap、SCHC00CHz(CFzCFz)sHCH
2COOCsH++(150) (S−31) NaOxS co C00CHz(CF2CFz)
sHCH2C00CH2CHC4H5 C7H。
SO!Na(S−14) CFx(CFz)soOccHz CFs(CFz)*0OCCH−5OsNa(s−15
) Cs F s 0COCB ! C5FaOCOCHSO3Na (S−19) CFsCCFx)t−000CH2 CFs(CFs)y−000CH CFx(CFx)y OOCC1(−SOxNa(S
−21) (S−23) (S−25) aSOs So、Na (S−27) H(CFz)scH20C00CHz 5OsNa(
S−28) HCCF2)acHt−OCHzCHz 5OsNa
(S−29) CsFsCH0CHzCHz 5O3Na(S−30
) Nap、SCHC00CHz(CFzCFz)sHCH
2COOCsH++(150) (S−31) NaOxS co C00CHz(CF2CFz)
sHCH2C00CH2CHC4H5 C7H。
(S−33)
NaOsS CH−COOCHz(CFzCFz)s
HCHzCOOCsHy(n) (S−34) Na03S−CH−COOCH7(CF、CF2)78
CHx C00CH5 (S 35) NaO,5−CHCOOCH,CF、CF、HCH2C
OOC+oH2+(n) (S−36) (S−37) NaO,5−CH−COOCH,(CF、CF2)21
(CH2COOCgH+ s(lso) (S−38) NaOxS−C)lcOOcHz(CF2CF2)JC
I(2cOOceH+ 3(n) (S−39) NaO,5−CH−COOCtl、(CF2)@)1C
Ht C00CHz(CFz)sH(S−40) HO+CFx−CF20童。H (S−41) CyF+5CIb(OCHzcHz)+30H(S−4
2) (S−43) n−C@F17S03K (S−44) バッキング染料として好ま し く用いられる具体 的化合物は以下に挙げられる。
HCHzCOOCsHy(n) (S−34) Na03S−CH−COOCH7(CF、CF2)78
CHx C00CH5 (S 35) NaO,5−CHCOOCH,CF、CF、HCH2C
OOC+oH2+(n) (S−36) (S−37) NaO,5−CH−COOCH,(CF、CF2)21
(CH2COOCgH+ s(lso) (S−38) NaOxS−C)lcOOcHz(CF2CF2)JC
I(2cOOceH+ 3(n) (S−39) NaO,5−CH−COOCtl、(CF2)@)1C
Ht C00CHz(CFz)sH(S−40) HO+CFx−CF20童。H (S−41) CyF+5CIb(OCHzcHz)+30H(S−4
2) (S−43) n−C@F17S03K (S−44) バッキング染料として好ま し く用いられる具体 的化合物は以下に挙げられる。
(1)
イエロー染料
SO,Na
(2)
マゼンタ染料
SO,Na
IJ3Na
(3)
シアン染料
(C−2)
(C
3)
(C−4)
(4)
赤外染料
(I −1)
(I−2)
(1−3)
(I−4)
(1−5)
本発明に用いるゼラチン及びその誘導体中に含有するカ
ルシウムは、イオン交換フィルターで除去することによ
りゼラチン当りのカルシウム分が1〜999pp■であ
るようにするのが好ましい。
ルシウムは、イオン交換フィルターで除去することによ
りゼラチン当りのカルシウム分が1〜999pp■であ
るようにするのが好ましい。
カルシウムは本発明の特性を得るために重要な因子であ
ることが分かったが、これは予想しなかったことである
。
ることが分かったが、これは予想しなかったことである
。
本発明の導電層を架橋するための架橋剤として(A−1
) (A−2) などのエポキシ架橋剤。
) (A−2) などのエポキシ架橋剤。
(A−3)
(A−4)
C氾e
Qe
(A−5)
(A−6)
C(le
I20
などのペプチド試薬、
なお
などのアジリジン架橋剤の存在下で架橋されていること
が好ま しい。
が好ま しい。
またゼラチンまたはゼラチ
ン誘導体を含有するバッキング層、
バラ
キング保
護層は、
上記架橋剤の他に
(B−1)ホルムアルデヒド。
(B−2)グリオキザル。
(B−3)ムコクロル酸
などのアルデヒド硬膜剤、
(B 4 ) C)It−CI SO2C)It
OC)lx SCh CH−CTo。
OC)lx SCh CH−CTo。
(B 5 ) CHz−CHSow CHzCHz
CHxSCh CH=CHz。
CHxSCh CH=CHz。
H
などのビニルスルホン系架橋剤で架橋されていることが
好ましい。架橋されたゼラチン層は膨潤度100〜20
0%であるようにコントロールすると更によい結果が得
られる。
好ましい。架橋されたゼラチン層は膨潤度100〜20
0%であるようにコントロールすると更によい結果が得
られる。
膨潤度は現像時の膜厚(ウェット膜厚)と乾燥時の膜厚
(ドライ膜厚)の比から求められるものでウェット膜厚
〒ドライ膜厚X 100で求めることができる。
(ドライ膜厚)の比から求められるものでウェット膜厚
〒ドライ膜厚X 100で求めることができる。
本発明のバッキング染料を含有する層はNaOH。
KOH,K、C03,NalCo、、 NaHCO,、
クエン酸、シュウ酸、 HsBOa、 HsPO4等で
p)14〜8に合わせた塗布液で塗布するのが好ましい
。特にpH5〜7の範囲Iこて塗布することが好ましい
。まt;このとき塗布液の粘度が1〜100cpの間に
あることが好ましく、この範囲に粘度を調節するには、
ゼラチン量や導電ポリマー量ですることができるが、場
合によっては、温度やpHで調節することができる。
クエン酸、シュウ酸、 HsBOa、 HsPO4等で
p)14〜8に合わせた塗布液で塗布するのが好ましい
。特にpH5〜7の範囲Iこて塗布することが好ましい
。まt;このとき塗布液の粘度が1〜100cpの間に
あることが好ましく、この範囲に粘度を調節するには、
ゼラチン量や導電ポリマー量ですることができるが、場
合によっては、温度やpHで調節することができる。
同様に本発明の導電層は1〜5θcpの範囲で1!!布
することが好ましく、この範囲にするには導電ポリマー
量や溶液の希釈で調節してもよい。また導電層の乾燥は
100〜200℃の範囲で2分以内に乾燥することが好
ましい。
することが好ましく、この範囲にするには導電ポリマー
量や溶液の希釈で調節してもよい。また導電層の乾燥は
100〜200℃の範囲で2分以内に乾燥することが好
ましい。
本発明に用いるマット剤としてはポリメタクリル酸メチ
ルまたはシリカ(5ift)が好ましく、平均粒径とし
て0.1−10μmの任意の粒径を選択することができ
る。シリカマット剤の表面は、無処理のまま用いること
もできるが、無機あるいは有機化合物で表面処理しても
よい。これらの処理方法は、シリカ化合物の表面処理と
して当業者に知られている技術を参考にすることができ
る。
ルまたはシリカ(5ift)が好ましく、平均粒径とし
て0.1−10μmの任意の粒径を選択することができ
る。シリカマット剤の表面は、無処理のまま用いること
もできるが、無機あるいは有機化合物で表面処理しても
よい。これらの処理方法は、シリカ化合物の表面処理と
して当業者に知られている技術を参考にすることができ
る。
本発明に係るハロゲン化銀写真感光材料の現像に用いら
れる現像主薬としては次のものが挙げられる。HO−(
CH−CH)、 −OR型現像主薬の代表的なものとし
ては、ハイドロキノンがあり、その他にカテコール、ピ
ロガロール及びその誘導体ならびにアスコルビン酸、ク
ロロハイドロキノン、ブロモハイドロキノン、メチルハ
イドロキノン、2.3−ジブロモハイドロキノン、2,
5−ジエチルハイドロキノン、カテコール、4−クロロ
カテコール、4−7xニル−カテコール、3−メトキシ
−カテコール、4−アセチル−ピロガロ−ル、アスコル
ビン酸ソーダ等がある。
れる現像主薬としては次のものが挙げられる。HO−(
CH−CH)、 −OR型現像主薬の代表的なものとし
ては、ハイドロキノンがあり、その他にカテコール、ピ
ロガロール及びその誘導体ならびにアスコルビン酸、ク
ロロハイドロキノン、ブロモハイドロキノン、メチルハ
イドロキノン、2.3−ジブロモハイドロキノン、2,
5−ジエチルハイドロキノン、カテコール、4−クロロ
カテコール、4−7xニル−カテコール、3−メトキシ
−カテコール、4−アセチル−ピロガロ−ル、アスコル
ビン酸ソーダ等がある。
また、HO−(CH−CH) −NH!型現像剤として
は、オルト及びバラのアミノフェノールが代表的なもの
で、←アミノフェノール、2−アミノ−6−フェニルフ
ェノール、2−アミノ−4−クロロ−6−フェニルフェ
ノール、N−メチル−p−アミノフェノール等がある。
は、オルト及びバラのアミノフェノールが代表的なもの
で、←アミノフェノール、2−アミノ−6−フェニルフ
ェノール、2−アミノ−4−クロロ−6−フェニルフェ
ノール、N−メチル−p−アミノフェノール等がある。
更に、H,N−(CH−CI)、 −NHx型現像剤と
しては例えば4−アミノ−2−メチル−N、N−ジエチ
ルアニリン、2.4−ジアミノ−N、N−ジエチルアニ
リン、N−(4−アミノ−3−メチルフェニル)−七ル
ホリン、p−7二二レンジアミン等がある。
しては例えば4−アミノ−2−メチル−N、N−ジエチ
ルアニリン、2.4−ジアミノ−N、N−ジエチルアニ
リン、N−(4−アミノ−3−メチルフェニル)−七ル
ホリン、p−7二二レンジアミン等がある。
ヘテロ環型現像剤としては、■−フェニルー3−ピラゾ
リドン、l−フェニル−4,4−ジメチル−3−ピラゾ
リドン、l−フェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメ
チル−3−ピラゾリドンのような3−ピラゾリドン類、
1−7エニルー4−アミノ−5−ピラゾロン、5−アミ
ノラウシル等を挙げることができる。
リドン、l−フェニル−4,4−ジメチル−3−ピラゾ
リドン、l−フェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメ
チル−3−ピラゾリドンのような3−ピラゾリドン類、
1−7エニルー4−アミノ−5−ピラゾロン、5−アミ
ノラウシル等を挙げることができる。
その他、T、H,ジェームス著ザ・セオリイオプ・ザ・
ホトグラフィック・プロセス第4版(The Theo
ry of Photographic Proces
s FourthEdition)第291〜334頁
及びジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソ
サエティ(Journal ofthe Americ
an Chemical 5ociety)第73巻、
第3.100頁(1951)に記載されているごとき現
像剤が本発明に有効に使用し得るものである。これらの
現像剤は単独で使用しても2種以上組み合わせてもよい
が、2種以上を組み合わせて用いる方が好ましい。また
本発明にかかる感光材料の現像に使用する現像液には保
恒剤として、例えば亜硫酸ソーダ、亜硫酸カリ、等の亜
硫酸塩を用いても、本発明の効果が損なわれることはな
い。又保恒剤としてヒドロキシルアミン、ヒドラジド化
合物を用いることができ、この場合その使用量は現像液
l(当たり5〜500gが好ましく、より好ましくは2
0〜200gである。
ホトグラフィック・プロセス第4版(The Theo
ry of Photographic Proces
s FourthEdition)第291〜334頁
及びジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソ
サエティ(Journal ofthe Americ
an Chemical 5ociety)第73巻、
第3.100頁(1951)に記載されているごとき現
像剤が本発明に有効に使用し得るものである。これらの
現像剤は単独で使用しても2種以上組み合わせてもよい
が、2種以上を組み合わせて用いる方が好ましい。また
本発明にかかる感光材料の現像に使用する現像液には保
恒剤として、例えば亜硫酸ソーダ、亜硫酸カリ、等の亜
硫酸塩を用いても、本発明の効果が損なわれることはな
い。又保恒剤としてヒドロキシルアミン、ヒドラジド化
合物を用いることができ、この場合その使用量は現像液
l(当たり5〜500gが好ましく、より好ましくは2
0〜200gである。
また現像液には有機溶媒としてグリコール類を含有させ
てもよく、そのようなグリコール類としてはエチレング
リコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコー
ル、トリエチレングリコール、1.4−ブタンジオール
、1.5−ベンタンジオール等があるが、ジエチレング
リコールが好ましく用いられる。そしてこれらグリコー
ル類の好ましい使用量は現像液Iff当たり5〜500
gで、より好ましくは20〜200gである。これらの
有機溶媒は単独でも併用しても用いることができる。
てもよく、そのようなグリコール類としてはエチレング
リコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコー
ル、トリエチレングリコール、1.4−ブタンジオール
、1.5−ベンタンジオール等があるが、ジエチレング
リコールが好ましく用いられる。そしてこれらグリコー
ル類の好ましい使用量は現像液Iff当たり5〜500
gで、より好ましくは20〜200gである。これらの
有機溶媒は単独でも併用しても用いることができる。
本発明に係るハロゲン化銀写真感光材料は、上記の如き
現像抑制剤を含んだ現像液を用いて現像処理することに
より極めて保存安定性に優れた感光材料を得ることがで
きる。
現像抑制剤を含んだ現像液を用いて現像処理することに
より極めて保存安定性に優れた感光材料を得ることがで
きる。
上記の組成になる現像液のpH値は好ましくは9〜13
であるが、保恒性及び写真特性上から9H値は1o−1
2の範囲が更に好ましい。現像液中の陽イオンについて
は、ナトリウムよりカリウムイオンの比率が高い程現像
液の活性度を高めることができるので好ましい。
であるが、保恒性及び写真特性上から9H値は1o−1
2の範囲が更に好ましい。現像液中の陽イオンについて
は、ナトリウムよりカリウムイオンの比率が高い程現像
液の活性度を高めることができるので好ましい。
本発明において用いられる定着液にはキレート剤を含有
することが好ましい。用いられるキレート剤としてED
TA関係のものが使用できる。
することが好ましい。用いられるキレート剤としてED
TA関係のものが使用できる。
本発明に係るハロゲン化銀写真感光材料は、種々の条件
で処理することができる。処理温度は、例えば現像温度
は50°C以下が好ましく、特に25℃〜50℃前後が
好ましく、又現像時間は2分以内に終了することが一般
的であるが、特に好ましくは5秒〜50秒が好効果をも
たらすことが多い。又現像以外の処理工程、例えば水洗
、停止、安定、定着、更に必要に応じて前硬膜、中和等
の工程を採用することは任意であり、これらは適宜省略
することもできる。更にまた、これらの処理は皿現像、
枠現像などいわゆる手現像処理でも、ローラー現像、ハ
ンガー現像など機械現像であってもよい。
で処理することができる。処理温度は、例えば現像温度
は50°C以下が好ましく、特に25℃〜50℃前後が
好ましく、又現像時間は2分以内に終了することが一般
的であるが、特に好ましくは5秒〜50秒が好効果をも
たらすことが多い。又現像以外の処理工程、例えば水洗
、停止、安定、定着、更に必要に応じて前硬膜、中和等
の工程を採用することは任意であり、これらは適宜省略
することもできる。更にまた、これらの処理は皿現像、
枠現像などいわゆる手現像処理でも、ローラー現像、ハ
ンガー現像など機械現像であってもよい。
本!明の感光材料の性能は、現像処理によって評価され
るもので、現像、定着、水洗、乾燥の4つのプロセスを
経て性能が得られる。この4つのプロセスを順次行うこ
とをまとめて写真処理を言うことができる。写真感光材
料中には低分子、高分子各種の添加剤が含有しているの
が、低分子成分は、写真処理によって溶出するものもあ
るので写真処理前と後では、その含有成分が異なる。こ
れらの成分をコントロールすることも、本発明の効果に
大きく影響していることが分かった。この知見の中で、
写真処理による導電層の体積当りの重量変化が±20%
以内であることが好ましい結果を与えることが明らかと
なった。
るもので、現像、定着、水洗、乾燥の4つのプロセスを
経て性能が得られる。この4つのプロセスを順次行うこ
とをまとめて写真処理を言うことができる。写真感光材
料中には低分子、高分子各種の添加剤が含有しているの
が、低分子成分は、写真処理によって溶出するものもあ
るので写真処理前と後では、その含有成分が異なる。こ
れらの成分をコントロールすることも、本発明の効果に
大きく影響していることが分かった。この知見の中で、
写真処理による導電層の体積当りの重量変化が±20%
以内であることが好ましい結果を与えることが明らかと
なった。
またバッキング層は、その重量変化が1〜50%の範囲
であれば、本発明の性能を損なわず好ましい結果が得ら
れる。
であれば、本発明の性能を損なわず好ましい結果が得ら
れる。
以下実施例によって本発明を具体的に説明する。
なお、当然のことではあるが、本発明は以下述べる実施
例に限定されるものではない。
例に限定されるものではない。
実施例−1
pH3,0の酸性雰囲気下でコンドロールドダブルジェ
ット法によりロジウムを銀1モル当たり10−”モル含
有する、ハロゲン化銀組成単分散度の粒子を作成した。
ット法によりロジウムを銀1モル当たり10−”モル含
有する、ハロゲン化銀組成単分散度の粒子を作成した。
粒子の成長は、ベンジルアデニンを1%のゼラチン水溶
液IQ当たり30−g含有する系で行った。銀とハライ
ドの混合後6−メチルー4−ヒドロキシ−1,3,3a
、7テトラザインデンをハロゲン化銀1モル当たり60
0mg加え、その後水洗、脱塩した。
液IQ当たり30−g含有する系で行った。銀とハライ
ドの混合後6−メチルー4−ヒドロキシ−1,3,3a
、7テトラザインデンをハロゲン化銀1モル当たり60
0mg加え、その後水洗、脱塩した。
次いで、ハロゲン化銀1モル当たり60+sgの6〜メ
チル−4−ヒドロキシ−1,3,3a、7−チトラザイ
ンデンを加えた後、イオウ増感をした。イオウ増感後安
定剤として6−メチル−4−ヒドロキシ−1,3゜3a
、7−チトラザインデンを加えた。
チル−4−ヒドロキシ−1,3,3a、7−チトラザイ
ンデンを加えた後、イオウ増感をした。イオウ増感後安
定剤として6−メチル−4−ヒドロキシ−1,3゜3a
、7−チトラザインデンを加えた。
(ハロゲン化銀乳剤層)
前記各乳剤に添加剤を下記の付量になるよう調整添加し
、特開昭59−19941号の実施例−1によるラテッ
クス下引処理した(100μm厚さ)ポリエチレンテレ
フタレート支持体上に塗布した。
、特開昭59−19941号の実施例−1によるラテッ
クス下引処理した(100μm厚さ)ポリエチレンテレ
フタレート支持体上に塗布した。
ラテックスポリマー=スチレンーブチルアクリレート−
アクリルrji3元共重合ポリマー
1.0 g/+a”テトラフェニルホスホニウムクロラ
イド30 霞g/l サポニン 200 mg/ls
”臭化カリウム 10 mg/m
”塩酸プロメタシン 7 l1g7m
”タイアラミド 5 tag7c
m”ポリエチレングリコール 100 a+g
/m”ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム100
Bits” ポリアクリルアミド 100 mg7m”
ハイドロキノン 200 ag/s”
フェニドン 100mg/lスチレ
ンーマレインm t 合体200 mg/m”没食子
酸ブチルエステル 500I1g/lヒドラジン
〔一般式〔H〕〕の化合物 表−1に示す 5−メチルベンゾトリアゾール 30 mg/+m
”2−メルカプトベンツイミダゾール−5−スルホン酸
30 mg/+i”
イナートオセインゼラチン(等電点4.9)1.5
gets” 1−(p−アセチルアミドフェニル)−5メルカプトテ
トラゾール 30 mg/l銀量
2.8 g/s”(乳剤層保護膜
) 乳剤層保護膜として、 製型布した。
アクリルrji3元共重合ポリマー
1.0 g/+a”テトラフェニルホスホニウムクロラ
イド30 霞g/l サポニン 200 mg/ls
”臭化カリウム 10 mg/m
”塩酸プロメタシン 7 l1g7m
”タイアラミド 5 tag7c
m”ポリエチレングリコール 100 a+g
/m”ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム100
Bits” ポリアクリルアミド 100 mg7m”
ハイドロキノン 200 ag/s”
フェニドン 100mg/lスチレ
ンーマレインm t 合体200 mg/m”没食子
酸ブチルエステル 500I1g/lヒドラジン
〔一般式〔H〕〕の化合物 表−1に示す 5−メチルベンゾトリアゾール 30 mg/+m
”2−メルカプトベンツイミダゾール−5−スルホン酸
30 mg/+i”
イナートオセインゼラチン(等電点4.9)1.5
gets” 1−(p−アセチルアミドフェニル)−5メルカプトテ
トラゾール 30 mg/l銀量
2.8 g/s”(乳剤層保護膜
) 乳剤層保護膜として、 製型布した。
弗素化ジオクチルスルホコハク酸エステル300mg/
鵬1 マット剤:ポリメタクリル酸メチル (平均粒径3.5μm) 100.mg/m”硝酸
リチウム塩 30 yag/m”酸
処理ゼラチン(等電点7.0) 1.2 get
s”コロイダルシリカ 50 mg7
m”スチレン−マレイン酸共重合体 100 B/+
”スチレン−ブチルアクリレート−アクリル酸共重合体
100 mg/m”下記染料
D150 rag/vg” 下記の付量になるよう調 下記染料D2 0 mg/m” 媒染剤 0 B/m” D。
鵬1 マット剤:ポリメタクリル酸メチル (平均粒径3.5μm) 100.mg/m”硝酸
リチウム塩 30 yag/m”酸
処理ゼラチン(等電点7.0) 1.2 get
s”コロイダルシリカ 50 mg7
m”スチレン−マレイン酸共重合体 100 B/+
”スチレン−ブチルアクリレート−アクリル酸共重合体
100 mg/m”下記染料
D150 rag/vg” 下記の付量になるよう調 下記染料D2 0 mg/m” 媒染剤 0 B/m” D。
媒染剤
(バッキング層)
支持体として100μ−のポリエチレンテレフタレート
フィルムを用い、乳剤層と反対側に2軸延伸熱セツト後
、25v/+s”minのコロナ放電処理を施した。
フィルムを用い、乳剤層と反対側に2軸延伸熱セツト後
、25v/+s”minのコロナ放電処理を施した。
次に特開昭59−18945号p299実施例−1記載
の合成例(1)の下引用ラテックスIR脂を塗布した後
、再び同じエネルギーでコロナ放電処理を行い、本発明
の導電性ポリマーまたは金属酸化物(表−■に示す)と
ブチルアクリレート:スチレン、ジビニルベンゼン:ア
クリル酸−60:25.10:5のコポリマーをl:l
で混合し、導電層として塗布した。
の合成例(1)の下引用ラテックスIR脂を塗布した後
、再び同じエネルギーでコロナ放電処理を行い、本発明
の導電性ポリマーまたは金属酸化物(表−■に示す)と
ブチルアクリレート:スチレン、ジビニルベンゼン:ア
クリル酸−60:25.10:5のコポリマーをl:l
で混合し、導電層として塗布した。
この導電層の上に表−1示す如くコロナ放電処理を施し
くW/1・win)下記の如く添加剤を下記付量になる
よう乳剤層とは反対側の支持体上に塗布した。
くW/1・win)下記の如く添加剤を下記付量になる
よう乳剤層とは反対側の支持体上に塗布した。
ハイドロキノン 100 IIg/
la”フェニドン 30 1g/
w”ラテックスポリマー:ブチルアクリレート−スチ
レン共重合体 0.5g/+++”本発明の
ポリマー 表−1に示すスチレン−マレイ
ン酸共t 合体100 mg/ +s”クエン酸
40 mg/m”サポニン
200 tag/la”ベンゾト
リアゾール 100 mg/s”硝酸リチ
ウム塩 30 mg/ rs”オセ
インゼラチン (カルシウム含量100100p p、0 g/1m’ バラ キング染料 oSK 03K OINa (d) (バッキング層保護膜) 添加剤を下記付量になるよう調製塗布した。
la”フェニドン 30 1g/
w”ラテックスポリマー:ブチルアクリレート−スチ
レン共重合体 0.5g/+++”本発明の
ポリマー 表−1に示すスチレン−マレイ
ン酸共t 合体100 mg/ +s”クエン酸
40 mg/m”サポニン
200 tag/la”ベンゾト
リアゾール 100 mg/s”硝酸リチ
ウム塩 30 mg/ rs”オセ
インゼラチン (カルシウム含量100100p p、0 g/1m’ バラ キング染料 oSK 03K OINa (d) (バッキング層保護膜) 添加剤を下記付量になるよう調製塗布した。
ジオクチルスルホコハク酸エステル
300 rag/rm’
マット剤:ポリメタクリル酸メチル(平均粒径4.0μ
m) 100 *+g/ra”コロ
イダルシリカ 30 a+g/m”ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウム(Mt20万)30
閣g/l オセインゼラチン(等電点4.9) 1.1g/m
”弗素化ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム 50 麿g/w”以
上のようにして得られた試料を露光し下記に示す現像液
、定着液を使用して現像処理した。
m) 100 *+g/ra”コロ
イダルシリカ 30 a+g/m”ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウム(Mt20万)30
閣g/l オセインゼラチン(等電点4.9) 1.1g/m
”弗素化ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム 50 麿g/w”以
上のようにして得られた試料を露光し下記に示す現像液
、定着液を使用して現像処理した。
(f!光方法)
400〜b
と呼ばれる米国ヒユージョン(FUSION)製の無電
極放電光源を、ガラス板下に装着し、ガラス面上に、抜
き文字品質を評価できるように原稿と感光材料を載せ露
光した。
極放電光源を、ガラス板下に装着し、ガラス面上に、抜
き文字品質を評価できるように原稿と感光材料を載せ露
光した。
〈現像液処方〉
ハイドロキノン 25 gl−フェ
ニル−41ジメチル−3− ピラゾリドン 0.4gN−メチル
−p−アミノフェノール 600 wIg臭化ナトリ
ウム 3g5−メチルベンゾトリアゾ
ール 0.3g5−ニトロインダゾール 0
.05gジエチルアミノプロパン−1,2−ジオール0
g 亜硫酸カリウム 90 g5−スルホ
サリチル酸ナトリウム25 gエチレンジアミン四酢
酸ナトリウム g 水でIQに仕上げた。
ニル−41ジメチル−3− ピラゾリドン 0.4gN−メチル
−p−アミノフェノール 600 wIg臭化ナトリ
ウム 3g5−メチルベンゾトリアゾ
ール 0.3g5−ニトロインダゾール 0
.05gジエチルアミノプロパン−1,2−ジオール0
g 亜硫酸カリウム 90 g5−スルホ
サリチル酸ナトリウム25 gエチレンジアミン四酢
酸ナトリウム g 水でIQに仕上げた。
pHは、苛性ソーダで11.5とした。
〈定着液処方〉
(組成A)
チオ硫酸アンモニウム(72,5W%水溶液)240
m(1 亜硫酸ナトリウム 17 gエチレン
ジアミン四酢酸 1g酢酸ナトリウム・3水塩
6.5g硼酸
6gクエン酸ナトリウム・2水塩 2g酢酸(
90W%水溶液) 13.6tQ(組成B
) 純水(イオン交換水) 17 mQ硫酸
アルミニウム(AI2zOs換算含量が8.1v%の水
溶液) 20 g定着液の使用時に水5
00+aff中に上記組成A1組成Bの順に溶かし、l
Qに仕上げて用いた。この定着液のpHは硫酸で6.0
に調整した。
m(1 亜硫酸ナトリウム 17 gエチレン
ジアミン四酢酸 1g酢酸ナトリウム・3水塩
6.5g硼酸
6gクエン酸ナトリウム・2水塩 2g酢酸(
90W%水溶液) 13.6tQ(組成B
) 純水(イオン交換水) 17 mQ硫酸
アルミニウム(AI2zOs換算含量が8.1v%の水
溶液) 20 g定着液の使用時に水5
00+aff中に上記組成A1組成Bの順に溶かし、l
Qに仕上げて用いた。この定着液のpHは硫酸で6.0
に調整した。
く現像処理条件〉
(工程) (温度) (時間)現像
42°C8,5秒 定着 35°c 10秒水洗
常温 10秒 乾燥 50℃ lO秒評価は以下のよ
うにして行い、結果を表−11こ示した。
42°C8,5秒 定着 35°c 10秒水洗
常温 10秒 乾燥 50℃ lO秒評価は以下のよ
うにして行い、結果を表−11こ示した。
(写真性能評価方法)
(1)ピンホール改良性能
貼り込み用ベース上に網フィルムを載せて、更に網フィ
ルムの周辺を透明な製版用スコッチテープで固定してお
き、露光現像処理した後、ピンホールの発生がないとき
を 「5」、最も発生が多くて悪いレベルを 「l」と
して5段階評価をした。
ルムの周辺を透明な製版用スコッチテープで固定してお
き、露光現像処理した後、ピンホールの発生がないとき
を 「5」、最も発生が多くて悪いレベルを 「l」と
して5段階評価をした。
、(2)抜き文字品質
抜き文字品質は、50%の網点面積を持つ部分が、返し
用感光材料に50%の網点面積となるように適正露光し
たとき、線画フィルム上の50μ艷の線巾が再現される
画質を言い、非常に良い抜き文字画質を 「5」とし、
最も悪いレベルを rlJとして相対5段階評価をした
。
用感光材料に50%の網点面積となるように適正露光し
たとき、線画フィルム上の50μ艷の線巾が再現される
画質を言い、非常に良い抜き文字画質を 「5」とし、
最も悪いレベルを rlJとして相対5段階評価をした
。
(3)耐優性
耐優性試験機を用いて評価した。これは、先端が球状の
直径0.25a+mのサファイヤ−針で試験ピース上を
l cm/秒の早さで荷重をかけながら掃引し、そのと
きの傷のつき具合から評価した。なお試験ピースは塗布
乾燥後40℃で6時間加熱処理した。
直径0.25a+mのサファイヤ−針で試験ピース上を
l cm/秒の早さで荷重をかけながら掃引し、そのと
きの傷のつき具合から評価した。なお試験ピースは塗布
乾燥後40℃で6時間加熱処理した。
傷の具合は目視観察で最も悪いレベルをrlJ最もよい
レベルを「5」として評価した。
レベルを「5」として評価した。
(4)静電気ショック
ガラス板面状に試験ピースをおきその上をプリンター用
ゴムローラーでこすり、そのときの放電具合を相対5段
階評価した。「5」は最も良l/ルベルrlJは最も悪
いレベルとした。
ゴムローラーでこすり、そのときの放電具合を相対5段
階評価した。「5」は最も良l/ルベルrlJは最も悪
いレベルとした。
得られた結果を表−1に示す。
表−1の結果から、本発明の構成に係る試料No。
17〜No、31は、静電ショックに優れ、ピンホール
の発生が少なく、耐優性も良好で、抜き文字性能が改良
された事が明らかである。
の発生が少なく、耐優性も良好で、抜き文字性能が改良
された事が明らかである。
実施例−2
実施例−1と同様にして試料を作成したが、ここでは、
主・副の2種類のハロゲン化銀粒子を混合して用いた。
主・副の2種類のハロゲン化銀粒子を混合して用いた。
主粒子は平均粒径0.12μm、単分散度15、ヨード
2モル%を含む立方晶沃臭化銀粒子で、粒子内部にイリ
ジウムをIO−@モル含有する。
2モル%を含む立方晶沃臭化銀粒子で、粒子内部にイリ
ジウムをIO−@モル含有する。
又副粒子は平均粒径0.08μ日、単分散度15で、内
部にイリジウムを2 X 10−’モル含有し、主粒子
より感度が低い臭化銀2モル%含有の立方晶の塩臭化銀
粒子であった。主粒子lに対して副粒子lOの割合で混
合して、実施例−1と同様な添加剤を加えて試料を作成
したが、ここではヒドラジン化合物の代わりにテトラゾ
リウムクロリド化合物(−般式(T)b、(T)c、(
T)d)を用い、また導電層上にゼラチン膜を1.0g
/a+”で表−2のように塗布した試料を作成した。こ
のゼラチン膜は下記硬膜剤をダラムゼラチン当り30m
g添加して硬膜した。
部にイリジウムを2 X 10−’モル含有し、主粒子
より感度が低い臭化銀2モル%含有の立方晶の塩臭化銀
粒子であった。主粒子lに対して副粒子lOの割合で混
合して、実施例−1と同様な添加剤を加えて試料を作成
したが、ここではヒドラジン化合物の代わりにテトラゾ
リウムクロリド化合物(−般式(T)b、(T)c、(
T)d)を用い、また導電層上にゼラチン膜を1.0g
/a+”で表−2のように塗布した試料を作成した。こ
のゼラチン膜は下記硬膜剤をダラムゼラチン当り30m
g添加して硬膜した。
Co(JI=CH。
現像液のpHは10.20に調整した。この試料をハロ
ゲンランプで露光し、現像処理した。
ゲンランプで露光し、現像処理した。
得られた結果を表−2に示す。表−2の結果から乳剤中
にテトラゾリウム化合物を用いた実施例2でも、実施例
1と同様に本発明の構成に係る試料No、17〜No、
31は、ピンホール、耐優性、静電ショック等の故障性
能が著しく改良され、抜き文字性能も優れている事がわ
かる。
にテトラゾリウム化合物を用いた実施例2でも、実施例
1と同様に本発明の構成に係る試料No、17〜No、
31は、ピンホール、耐優性、静電ショック等の故障性
能が著しく改良され、抜き文字性能も優れている事がわ
かる。
実施例3
実施例1と同様にして試料を作成したが、本実施例では
、ハロゲン化銀乳剤中にドープしたロジウムの代わりに
イリジウムを銀1モル当たり10−7モル添加し、また
分光増感色素として、下記色素を添加した。
、ハロゲン化銀乳剤中にドープしたロジウムの代わりに
イリジウムを銀1モル当たり10−7モル添加し、また
分光増感色素として、下記色素を添加した。
またバッキング層中の染料として、本発明の具体例で示
された赤外染料(I−1)の化合物を10111g71
更に添加して用いた。赤外半導体レーザーによる高照度
露光(10−’5ec)を行った。露光時のピンホール
と画像のシャープネスを評価した。
された赤外染料(I−1)の化合物を10111g71
更に添加して用いた。赤外半導体レーザーによる高照度
露光(10−’5ec)を行った。露光時のピンホール
と画像のシャープネスを評価した。
レーザー露光のシャープネスは、テストチャートを用い
る通常の評価方法によった。得られた結果を表−3に示
した。
る通常の評価方法によった。得られた結果を表−3に示
した。
表−3の結果から本実施例においても、本発明の構成に
係る試料No17〜No31は実施例1と同様にピンホ
ール、耐優性、静電シ目ツク等の故障性能に優れ、シャ
ープネスも向上していることが明らかである。
係る試料No17〜No31は実施例1と同様にピンホ
ール、耐優性、静電シ目ツク等の故障性能に優れ、シャ
ープネスも向上していることが明らかである。
本発明により、ゴミ付着によるピンホールの発生が著し
く減少し、耐傷性も強く、抜き文字、シャープネス等の
製版写真用緒特性が優れたハロゲン化銀写真感光材料を
提供することができた。
く減少し、耐傷性も強く、抜き文字、シャープネス等の
製版写真用緒特性が優れたハロゲン化銀写真感光材料を
提供することができた。
第1図は本発明に係るハロゲン化銀写真感光材料の層構
成を示す断面図である。 l:乳剤保護層 2:乳剤層 3.7:導電層 4.6:下引層5:支持体 8:パッキング層 9:パッキング保護層lO:接着
層
成を示す断面図である。 l:乳剤保護層 2:乳剤層 3.7:導電層 4.6:下引層5:支持体 8:パッキング層 9:パッキング保護層lO:接着
層
Claims (1)
- 支持体上に導電層を塗設したことを特徴とするハロゲン
化銀写真感光材料。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP1044107A JP2796824B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ピンホールの改良されたハロゲン化銀写真感光材料 |
| US07/481,632 US5045441A (en) | 1989-02-23 | 1990-02-20 | Silver halide photographic light-sensitive material inhibited in producing pin-holes |
| DE69018679T DE69018679T2 (de) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | Lichtempfindliches photographisches Silberhalogenidmaterial mit gehemmter Staubfleckenbildung. |
| EP90103359A EP0386529B1 (en) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | Silver halide photographic light-sensitive material inhibited in producing pin-holes |
| KR1019900002252A KR0157629B1 (ko) | 1989-02-23 | 1990-02-22 | 핀-호울 생성이 방지된 할로겐화은 사진 감광 재료 |
| CA002010710A CA2010710A1 (en) | 1989-02-23 | 1990-02-22 | Silver halide photographic light-sensitive material inhibited in producing pin-holes |
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|---|---|---|---|
| JP1044107A JP2796824B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ピンホールの改良されたハロゲン化銀写真感光材料 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361945A true JPH0361945A (ja) | 1991-03-18 |
| JP2796824B2 JP2796824B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12682388
Family Applications (1)
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| CA (1) | CA2010710A1 (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009020879A (ja) * | 2002-03-25 | 2009-01-29 | Trustees Of Columbia Univ In The City Of New York | データ品位を向上する方法及びシステム |
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| IT1255378B (it) * | 1992-09-25 | 1995-10-31 | Alberto Valsecchi | Supporti antistatici e elementi fotografici comprendenti detti supporti antistatici |
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| JPH07175169A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真感光材料 |
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| EP0887706A1 (en) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Resist composition containing specific cross-linking agent |
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1989
- 1989-02-23 JP JP1044107A patent/JP2796824B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-20 US US07/481,632 patent/US5045441A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-21 DE DE69018679T patent/DE69018679T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-21 EP EP90103359A patent/EP0386529B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-22 CA CA002010710A patent/CA2010710A1/en not_active Abandoned
- 1990-02-22 KR KR1019900002252A patent/KR0157629B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| DE69018679D1 (de) | 1995-05-24 |
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| CA2010710A1 (en) | 1990-08-23 |
| KR910015882A (ko) | 1991-09-30 |
| US5045441A (en) | 1991-09-03 |
| EP0386529A1 (en) | 1990-09-12 |
| EP0386529B1 (en) | 1995-04-19 |
| DE69018679T2 (de) | 1996-02-15 |
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