JPH036225B2 - - Google Patents
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- JPH036225B2 JPH036225B2 JP57079232A JP7923282A JPH036225B2 JP H036225 B2 JPH036225 B2 JP H036225B2 JP 57079232 A JP57079232 A JP 57079232A JP 7923282 A JP7923282 A JP 7923282A JP H036225 B2 JPH036225 B2 JP H036225B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- film
- plating
- unsaturated carboxylic
- water
- Prior art date
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- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、紫外線もしくは電子線等の活性光線
を照射することにより、プラスチツク製基材に接
触させたラジカル重合性化合物をグラフトさせて
表面改質を行なつた該基材上に無電解メツキする
方法に関するものである。
を照射することにより、プラスチツク製基材に接
触させたラジカル重合性化合物をグラフトさせて
表面改質を行なつた該基材上に無電解メツキする
方法に関するものである。
本発明は、無電解メツキを簡略化することによ
り、無電解メツキの効率化および物理的、化学的
性能の改善にある。従来のプラスチツク等の高分
子化合物への無電解メツキは脱脂、エツチン
グ（クロム酸混液に浸漬）、水洗（十分に）、
中和、水洗、感受性化、水洗、活性化、
水洗、化学メツキ、水洗するという長い工
程がとられ、かつ、その条件が複雑であり、制御
が困難であるという問題点があつた。特に工程
では、被メツキ物に適合したエツチングを施し、
被メツキ物表面に化学的結合力を有するように活
性化をはかりつつ、表面の凹凸とその形状で付着
力を増すようにし、更にメツキ時の被メツキ物の
水濡れ性を改良することである。しかし、このエ
ツチングはプラスチツクメツキの場合、最つとも
律速となり、かつ下地を凹凸にするためメツキ膜
の粗さを目立たせることになる。一般にプラスチ
ツクでは親水性に乏しく、また金属イオンが析出
して金属膜となつた時の該金属膜との付着力が得
にくいので、プラスチツクの種類によつて強酸ま
たは強アルカリから選ばれた液をエツチング剤と
して、この液中に70〜95℃位の高温下で処理し、
粗面化することによつて接着力の増加をはかつて
いる。エツチング条件は比較的過酷な条件を必要
としない場合でも数分以上はかかり槽が長くな
る。時間短縮のために条件を厳しくすれば表面粗
さが大になり、用途が限られてくる。
り、無電解メツキの効率化および物理的、化学的
性能の改善にある。従来のプラスチツク等の高分
子化合物への無電解メツキは脱脂、エツチン
グ（クロム酸混液に浸漬）、水洗（十分に）、
中和、水洗、感受性化、水洗、活性化、
水洗、化学メツキ、水洗するという長い工
程がとられ、かつ、その条件が複雑であり、制御
が困難であるという問題点があつた。特に工程
では、被メツキ物に適合したエツチングを施し、
被メツキ物表面に化学的結合力を有するように活
性化をはかりつつ、表面の凹凸とその形状で付着
力を増すようにし、更にメツキ時の被メツキ物の
水濡れ性を改良することである。しかし、このエ
ツチングはプラスチツクメツキの場合、最つとも
律速となり、かつ下地を凹凸にするためメツキ膜
の粗さを目立たせることになる。一般にプラスチ
ツクでは親水性に乏しく、また金属イオンが析出
して金属膜となつた時の該金属膜との付着力が得
にくいので、プラスチツクの種類によつて強酸ま
たは強アルカリから選ばれた液をエツチング剤と
して、この液中に70〜95℃位の高温下で処理し、
粗面化することによつて接着力の増加をはかつて
いる。エツチング条件は比較的過酷な条件を必要
としない場合でも数分以上はかかり槽が長くな
る。時間短縮のために条件を厳しくすれば表面粗
さが大になり、用途が限られてくる。
本発明者は以上の問題点を解決するために種々
検討を重ねた結果、従来法とは異なる次の発明を
した。すなわち、本発明は、紫外線もしくは電子
線等の活性光線を照射することにより、プラスチ
ツク製基材に接触させた、α，β−エチレン性不
飽和カルボン酸もしくはα，β−エチレン性不飽
和カルボン酸エステルを主とする単量体であるラ
ジカル重合性化合物をグラフト結合させて表面改
質を行なつた該基材上に無電解メツキする方法で
ある。
検討を重ねた結果、従来法とは異なる次の発明を
した。すなわち、本発明は、紫外線もしくは電子
線等の活性光線を照射することにより、プラスチ
ツク製基材に接触させた、α，β−エチレン性不
飽和カルボン酸もしくはα，β−エチレン性不飽
和カルボン酸エステルを主とする単量体であるラ
ジカル重合性化合物をグラフト結合させて表面改
質を行なつた該基材上に無電解メツキする方法で
ある。
プラスチツク製基材の表面改質の方法として
は、コロナ放電処理、酸化処理、火災処理、活性
光線グラフト結合、被膜塗布等の種々の表面処理
方法が試みられている。コロナ放電処理、酸化処
理、火災処理の諸方法は、基材の化学的性質、機
械的性質等を損う欠点を有している。更に、コロ
ナ放電処理では処理効果自信が小さい上、その均
一性と持続性が乏しいという難点がある。一方、
被膜塗布では高分子基材との接着性に問題がある
ばかりでなく、プラスチツク基材と塗布層との性
質が異なるという２層構造性のために、処理され
た基材が固有の機械的性質および化学的性質をか
なり失なつてしまうという欠点を有している。な
お、活性光線グラフト結合自身は従来より知られ
ているが、この方法では処理された基材の性質が
失なわれることも一般に少なく、良好な方法であ
る。
は、コロナ放電処理、酸化処理、火災処理、活性
光線グラフト結合、被膜塗布等の種々の表面処理
方法が試みられている。コロナ放電処理、酸化処
理、火災処理の諸方法は、基材の化学的性質、機
械的性質等を損う欠点を有している。更に、コロ
ナ放電処理では処理効果自信が小さい上、その均
一性と持続性が乏しいという難点がある。一方、
被膜塗布では高分子基材との接着性に問題がある
ばかりでなく、プラスチツク基材と塗布層との性
質が異なるという２層構造性のために、処理され
た基材が固有の機械的性質および化学的性質をか
なり失なつてしまうという欠点を有している。な
お、活性光線グラフト結合自身は従来より知られ
ているが、この方法では処理された基材の性質が
失なわれることも一般に少なく、良好な方法であ
る。
本発明はグラフト結合による表面改質を行なう
ことにより、表面の物性が一部変わるが、基材の
化学的性質および機会的性質を保持しつつ、表面
は平滑であるという特徴を有する。また、エツチ
ングのような律速にはならず効率的に無電解メツ
キを行うことができるものである。
ことにより、表面の物性が一部変わるが、基材の
化学的性質および機会的性質を保持しつつ、表面
は平滑であるという特徴を有する。また、エツチ
ングのような律速にはならず効率的に無電解メツ
キを行うことができるものである。
本発明に係わるプラスチツク製基材としては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロ
ピレン共重合体、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、エポキシ樹脂等のフイルム、シ
ート、板、その他成形品であり、２種以上のプラ
スチツクを用いた基材でもよい。さらに、ガス繊
維、炭素繊維等により強化された、寸法安定化し
た基材でもよい。本発明においては、内面改質の
ため活性エネルギー線照射を行なうため、基材の
形状はフイルム、シート、板状のものが好まし
い。本発明で得られた、メツキされたテープ、シ
ート、デイスク等は生産性、品質均一性の点で優
位性を有するものである。
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロ
ピレン共重合体、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、エポキシ樹脂等のフイルム、シ
ート、板、その他成形品であり、２種以上のプラ
スチツクを用いた基材でもよい。さらに、ガス繊
維、炭素繊維等により強化された、寸法安定化し
た基材でもよい。本発明においては、内面改質の
ため活性エネルギー線照射を行なうため、基材の
形状はフイルム、シート、板状のものが好まし
い。本発明で得られた、メツキされたテープ、シ
ート、デイスク等は生産性、品質均一性の点で優
位性を有するものである。
本発明に係わるプラスチツク製基材としては活
性光線によりラジカル重合性化合物がグラフト結
合し易く、かつ、活性光線照射により劣化を受け
難いプラスチツクであることが好ましく、また、
電子線照射により劣化し易い場合には、紫外線照
射を用いることが望ましい。
性光線によりラジカル重合性化合物がグラフト結
合し易く、かつ、活性光線照射により劣化を受け
難いプラスチツクであることが好ましく、また、
電子線照射により劣化し易い場合には、紫外線照
射を用いることが望ましい。
本発明に用いられるラジカル重合性化合物とし
ては、α、β−エチレン性不飽和カルボン酸もし
くはα、β−エチレン性不飽和カルボン酸エステ
ルを主とする単量体であり、α、β−エチレン性
不飽和カルボン酸としてはアクリル酸、メタクリ
ル酸、イタコン酸、フマル酸、マレイン酸、無水
マレイン酸等である。また、α、β−エチレン性
不飽和カルボン酸エステルとしては、アクリル酸
メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メ
タクリル酸ブチル、フマル酸ジメチル、マレイン
酸モノエチル、マレイン酸ジメチル等である。ラ
ジカル重合性化合物としては、α、β−エチレン
性不飽和カルボン酸もしくはα、β−エチレン性
不飽和カルボン酸エステル以外に他のラジカル重
合性化合物を用いることが出来るが、その量は50
重量％未満である。金属との接着性の面から望ま
しくは、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイ
ン酸のようなカルボン酸が良い。
ては、α、β−エチレン性不飽和カルボン酸もし
くはα、β−エチレン性不飽和カルボン酸エステ
ルを主とする単量体であり、α、β−エチレン性
不飽和カルボン酸としてはアクリル酸、メタクリ
ル酸、イタコン酸、フマル酸、マレイン酸、無水
マレイン酸等である。また、α、β−エチレン性
不飽和カルボン酸エステルとしては、アクリル酸
メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メ
タクリル酸ブチル、フマル酸ジメチル、マレイン
酸モノエチル、マレイン酸ジメチル等である。ラ
ジカル重合性化合物としては、α、β−エチレン
性不飽和カルボン酸もしくはα、β−エチレン性
不飽和カルボン酸エステル以外に他のラジカル重
合性化合物を用いることが出来るが、その量は50
重量％未満である。金属との接着性の面から望ま
しくは、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイ
ン酸のようなカルボン酸が良い。
表面改質において、必要に応じて用いられるラ
ジカル重合開始剤は公知のものが用いられる。例
えば、ベンゾインエーテル類、アゾビスイソブチ
ルニトリル類等の如く単独で使用できるもの、ベ
ンゾフエノン、アセトフエノン等の如く他分子の
活性水素を引き抜くことにより使用できるもの等
があるが、電子線の場合は必ずしも使用する必要
がなく、紫外線の場合、ラジカル重合性物質の種
類と基材の種類との組み合せにより使用しなくと
も良い。
ジカル重合開始剤は公知のものが用いられる。例
えば、ベンゾインエーテル類、アゾビスイソブチ
ルニトリル類等の如く単独で使用できるもの、ベ
ンゾフエノン、アセトフエノン等の如く他分子の
活性水素を引き抜くことにより使用できるもの等
があるが、電子線の場合は必ずしも使用する必要
がなく、紫外線の場合、ラジカル重合性物質の種
類と基材の種類との組み合せにより使用しなくと
も良い。
本発明に用いられるラジカル重合性化合物単独
で基材に接触させることも可能であるが、基材表
面に薄く塗布するには溶剤を用いることが好まし
い。溶剤としては、基材表面を溶解変形させない
ものであり、公知のものが単独あるいは混合して
用いられる。溶液の濃度は0.01〜100重量％の範
囲であり、望ましくは0.1〜10重量％である。水、
水と有機溶剤の混合物、水溶性溶剤等は作業の安
全性、経済性、後処理の面から有効である。表面
処理後、未反応物の除去が必要であり、水溶性の
ラジカル重合性化合物、溶剤を用いた場合、水洗
が可能であり、このような化合物を選択すること
ができる。
で基材に接触させることも可能であるが、基材表
面に薄く塗布するには溶剤を用いることが好まし
い。溶剤としては、基材表面を溶解変形させない
ものであり、公知のものが単独あるいは混合して
用いられる。溶液の濃度は0.01〜100重量％の範
囲であり、望ましくは0.1〜10重量％である。水、
水と有機溶剤の混合物、水溶性溶剤等は作業の安
全性、経済性、後処理の面から有効である。表面
処理後、未反応物の除去が必要であり、水溶性の
ラジカル重合性化合物、溶剤を用いた場合、水洗
が可能であり、このような化合物を選択すること
ができる。
本発明において、ラジカル重合性化合物を基材
表面に接触させるには、塗布等のあらゆる手段が
使用できるが、塗布する場合、ロールコーター、
フローコーター、スプレー等公知の手段が用いら
れる。塗布の場合、接触させる被膜厚は１〜50μ
である。この塗膜上に約10μ厚程度の保護層を設
けることが望ましく、保護層としてはポリプロピ
レン、ポリエステル等が好ましい。保護層で覆う
ことにより、ラジカル重合性化合物の揮散やはじ
き等がなくなるという利点がある。保護層にも無
電解メツキが可能となる場合もある。
表面に接触させるには、塗布等のあらゆる手段が
使用できるが、塗布する場合、ロールコーター、
フローコーター、スプレー等公知の手段が用いら
れる。塗布の場合、接触させる被膜厚は１〜50μ
である。この塗膜上に約10μ厚程度の保護層を設
けることが望ましく、保護層としてはポリプロピ
レン、ポリエステル等が好ましい。保護層で覆う
ことにより、ラジカル重合性化合物の揮散やはじ
き等がなくなるという利点がある。保護層にも無
電解メツキが可能となる場合もある。
本発明に用いる紫外線の照射の１例を挙げる
と、2KWの紫外線ランプ５本を用い、基材表面
とランプとの距離を12cmの場合、ラインスピード
として0.2〜20ｍ／分が望ましい。20ｍ／分を超
えると、十分な改質が得られず0.2ｍ未満では基
材の劣化を起こし、本来の基材の性質を損う。電
子線の照射の１例を挙げると、0.1〜100Mradの
照射量が良好であるが、基材の種類により適宜選
択することが望ましい。ポリエステル製基材の場
合は１〜50Mradが良好であり、1Mrad未満では
十分な改質が得られず、50Mradを超えるとライ
ンスピードが遅くなり、結局、基材の劣化を起こ
す。
と、2KWの紫外線ランプ５本を用い、基材表面
とランプとの距離を12cmの場合、ラインスピード
として0.2〜20ｍ／分が望ましい。20ｍ／分を超
えると、十分な改質が得られず0.2ｍ未満では基
材の劣化を起こし、本来の基材の性質を損う。電
子線の照射の１例を挙げると、0.1〜100Mradの
照射量が良好であるが、基材の種類により適宜選
択することが望ましい。ポリエステル製基材の場
合は１〜50Mradが良好であり、1Mrad未満では
十分な改質が得られず、50Mradを超えるとライ
ンスピードが遅くなり、結局、基材の劣化を起こ
す。
なお、活性光線として、場合によつてはＸ線、
α線等を利用することも可能である。
α線等を利用することも可能である。
本発明では、基材に対し脱脂、ラジカル重
合性化合物を接触させ、さらに保護フイルムで覆
い、保護フイルムもしくは基材側から紫外線もし
くは電子線等の活性光線の照射、感受性化、
水洗、活性化、水洗、化学メツキ、水洗
という工程で行い、以降は従来と同じ方法であ
る。この工程ではエツチングでないため、表面
の平滑性、基材の性質を保持しつつ、表面の改質
が起る。本発明の最大の特徴はエツチング操作を
なくし、基材の性質を保持しつつ、さらに表面凹
凸を発生しない状態で無電解化学メツキできると
いうところにある。また、基材の種類により、感
受性化の操作を省略することも可能である。
合性化合物を接触させ、さらに保護フイルムで覆
い、保護フイルムもしくは基材側から紫外線もし
くは電子線等の活性光線の照射、感受性化、
水洗、活性化、水洗、化学メツキ、水洗
という工程で行い、以降は従来と同じ方法であ
る。この工程ではエツチングでないため、表面
の平滑性、基材の性質を保持しつつ、表面の改質
が起る。本発明の最大の特徴はエツチング操作を
なくし、基材の性質を保持しつつ、さらに表面凹
凸を発生しない状態で無電解化学メツキできると
いうところにある。また、基材の種類により、感
受性化の操作を省略することも可能である。
本発明によつて得られるメツキ膜は均一でピン
ホールが少なく、かつ付着力が大きいので、たと
えば磁性金属（Co、Ni、Feおよびこれらを主成
分とする合金および化合物）をメツキすることに
より、磁気テープ、磁気シート、磁気デイスクな
どに有効である。また、銅などをメツキし、後で
必要なパターンにエツチングすればプリント回路
に出来る。また、同様にパターンにして、プリン
ト回路の焼付け用光学マスクにも出来る。本発明
によれば、表面改質した部分のみしかメツキされ
ないので、両面メツキの有害な場合にはきわめて
有効であり、磁気記録体およびプリント回路など
ではきわめて有利である。一方、従来のエツチン
グ方法では片面のみ前処理することは非常に困難
であり、著しく利点がある。特に良好な面は、エ
ツチングしないためメツキ膜に凹凸がなく、光沢
が良好で、平滑性を求める磁気記録体ではきわめ
て有利である。プリント回路で強力なエツチング
工程で浸漬する強酸もしくは強アルカリが残存し
ないため基板表面抵抗の低下がなく、電流漏洩の
トラブルが少ない。なお、基材の両面を１回の処
理で行なうことも出来る。
ホールが少なく、かつ付着力が大きいので、たと
えば磁性金属（Co、Ni、Feおよびこれらを主成
分とする合金および化合物）をメツキすることに
より、磁気テープ、磁気シート、磁気デイスクな
どに有効である。また、銅などをメツキし、後で
必要なパターンにエツチングすればプリント回路
に出来る。また、同様にパターンにして、プリン
ト回路の焼付け用光学マスクにも出来る。本発明
によれば、表面改質した部分のみしかメツキされ
ないので、両面メツキの有害な場合にはきわめて
有効であり、磁気記録体およびプリント回路など
ではきわめて有利である。一方、従来のエツチン
グ方法では片面のみ前処理することは非常に困難
であり、著しく利点がある。特に良好な面は、エ
ツチングしないためメツキ膜に凹凸がなく、光沢
が良好で、平滑性を求める磁気記録体ではきわめ
て有利である。プリント回路で強力なエツチング
工程で浸漬する強酸もしくは強アルカリが残存し
ないため基板表面抵抗の低下がなく、電流漏洩の
トラブルが少ない。なお、基材の両面を１回の処
理で行なうことも出来る。
さらに、本発明によりプラスチツク製基材に無
電解メツキを行なつた後、通常の電解メツキを行
なうことも出来る。
電解メツキを行なつた後、通常の電解メツキを行
なうことも出来る。
次に実施例を挙げて、さらに本発明の説明を行
なう。
なう。
実施例 １
２軸延伸したポリエチレンテレフタレートフイ
ルム基材（厚み70μ）を幅140mm、長さ140mmに切
断し、0.1重量％のアクリル酸のアセトン溶液を
3μの厚さに塗布し、保護層のポリエチレンテレ
フタレートフイルム（厚み15μ）で覆い、試料と
する。電子線照射20Mradを行ない、保護層を除
去し、水洗する。この試料を感受性付与処理液を
ピンクシューマー（商品名 日本カニゼン(株)製）
を使用してセンシタイジング（感受性付与）２分
間行なう。水洗後、活性化処理液レツドシユーマ
ー（商品名 日本カニゼン(株)製）を使用して、ア
クチベーシヨン（活性化）を50℃、３分間行う。
水洗後、無電解ニツケルメツキ液（商品名 日本
カニゼン(株)製）を使用して無電解化学メツキを60
℃、１分間行ない、水洗する。十分風乾した後、
メツキ膜の機械的性質を調べるため、綿布で100
回こすつた後の状態を観察したが良好であつた。
また、接着性はセロフアンテープ剥離を行なつた
が、剥れなかつた。
ルム基材（厚み70μ）を幅140mm、長さ140mmに切
断し、0.1重量％のアクリル酸のアセトン溶液を
3μの厚さに塗布し、保護層のポリエチレンテレ
フタレートフイルム（厚み15μ）で覆い、試料と
する。電子線照射20Mradを行ない、保護層を除
去し、水洗する。この試料を感受性付与処理液を
ピンクシューマー（商品名 日本カニゼン(株)製）
を使用してセンシタイジング（感受性付与）２分
間行なう。水洗後、活性化処理液レツドシユーマ
ー（商品名 日本カニゼン(株)製）を使用して、ア
クチベーシヨン（活性化）を50℃、３分間行う。
水洗後、無電解ニツケルメツキ液（商品名 日本
カニゼン(株)製）を使用して無電解化学メツキを60
℃、１分間行ない、水洗する。十分風乾した後、
メツキ膜の機械的性質を調べるため、綿布で100
回こすつた後の状態を観察したが良好であつた。
また、接着性はセロフアンテープ剥離を行なつた
が、剥れなかつた。
比較例 １
実施例１の0.1重量％のアクリル酸のアセトン
溶液を用いないで、電子線照射を行ない、メツキ
し、同様の操作を行なう。メツキ膜は綿布で１回
こすつてはがれ、膜の機械的強度及び接着性共に
悪い結果であつた。
溶液を用いないで、電子線照射を行ない、メツキ
し、同様の操作を行なう。メツキ膜は綿布で１回
こすつてはがれ、膜の機械的強度及び接着性共に
悪い結果であつた。
実施例 ２
ポリイミドフイルム基材（商品名 KAPTON
Ｈタイプ 東レ・デユポン(株)製）を幅140mm、長
さ140mmに切断し、0.1重量％のアクリル酸のアセ
トン溶液を3μの厚さに塗布し、保護層のポリエ
チレンフイルム（厚み15μ）を上に覆つて試料と
する。電子線照射40Mradを行ない、保護層を除
去し、水洗する。無電解化学メツキは実施例１と
同様に行う。結果は実施例１と同様であつた。ま
た、330℃のオーブン中に20分間処理を行なつた
が、フイルムの収縮した部分は見られたが、メツ
キ膜との剥離は認められなかつた。また、
JISC6481のはんだ耐熱性（260℃、60秒）の結果
も良好であつた。
Ｈタイプ 東レ・デユポン(株)製）を幅140mm、長
さ140mmに切断し、0.1重量％のアクリル酸のアセ
トン溶液を3μの厚さに塗布し、保護層のポリエ
チレンフイルム（厚み15μ）を上に覆つて試料と
する。電子線照射40Mradを行ない、保護層を除
去し、水洗する。無電解化学メツキは実施例１と
同様に行う。結果は実施例１と同様であつた。ま
た、330℃のオーブン中に20分間処理を行なつた
が、フイルムの収縮した部分は見られたが、メツ
キ膜との剥離は認められなかつた。また、
JISC6481のはんだ耐熱性（260℃、60秒）の結果
も良好であつた。
実施例 ３
実施例２においてアクリル酸に代えてメタクリ
ル酸を用いて同様の操作を行ない、試験したとこ
ろ、同様結果が得られ、良好であつた。
ル酸を用いて同様の操作を行ない、試験したとこ
ろ、同様結果が得られ、良好であつた。
実施例 ４
紫外線照射条件は2KWの紫外線ランプ７本を
フイルムの移動方向と垂直方向に並列に並べ、フ
イルムの移動速度を10ｍ／分にし、フイルムと紫
外線ランプとの距離を12cmとする。ポリプロピレ
ンフイルム（70μ）の上に5μの厚さで、0.1重量％
のアクリル酸のアセトン溶液を塗布し、約10μの
ポリプロピレンフイルムで覆う。この試料を上記
の条件にて照射を行なう。水洗後、実施例１と同
様の操作を行ない、試験したところ、機械的性
質、接着性共に良好な結果を示した。
フイルムの移動方向と垂直方向に並列に並べ、フ
イルムの移動速度を10ｍ／分にし、フイルムと紫
外線ランプとの距離を12cmとする。ポリプロピレ
ンフイルム（70μ）の上に5μの厚さで、0.1重量％
のアクリル酸のアセトン溶液を塗布し、約10μの
ポリプロピレンフイルムで覆う。この試料を上記
の条件にて照射を行なう。水洗後、実施例１と同
様の操作を行ない、試験したところ、機械的性
質、接着性共に良好な結果を示した。
実施例 ５
実施例２の0.1重量％のアクリル酸溶液の代わ
りに0.05重量％のアクリル酸溶液を用いて、同様
の操作を行ない、試験したところ、実施例２と同
様の結果であり、濃度の影響はほとんど認められ
なかつた。
りに0.05重量％のアクリル酸溶液を用いて、同様
の操作を行ない、試験したところ、実施例２と同
様の結果であり、濃度の影響はほとんど認められ
なかつた。
比較例 ２
実地例２の0.1重量％のアクリル酸のアセトン
溶液を用いないで、電子線照射を行ない、メツキ
して同様の操作を行なつた。機械的強度、接着性
共に悪い結果であつた。
溶液を用いないで、電子線照射を行ない、メツキ
して同様の操作を行なつた。機械的強度、接着性
共に悪い結果であつた。
実施例 ６
実施例１のポリエチレンテレフタレートフイル
ム基材に代えてポリプロピレンフイルム基材
（70μ）および電子線照射20Mradを用いて、同様
の操作を行ない、試験したところ、機械的強度、
接着性共に良好であつた。
ム基材に代えてポリプロピレンフイルム基材
（70μ）および電子線照射20Mradを用いて、同様
の操作を行ない、試験したところ、機械的強度、
接着性共に良好であつた。
Claims (1)
- １ ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−
プロピレン共重合体、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、エポキシ樹脂等のフイル
ム、シート、板、その他成形品、２種以上のプラ
スチツクを用いた基材、さらにまたはガラス繊
維、炭素繊維等により強化されたプラスチツク製
基材に接触させた、α，β−エチレン性不飽和カ
ルボン酸もしくはα，β−エチレン性不飽和カル
ボン酸エステル単量体であるラジカル重合性化合
物の0.1〜10重量％溶液を保護層で覆い、活性光
線の照射によりグラフト結合させて表面改質を行
つた該基材上に無電解メツキをすることを特徴と
する無電解メツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7923282A JPS58196238A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7923282A JPS58196238A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 無電解メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196238A JPS58196238A (ja) | 1983-11-15 |
| JPH036225B2 true JPH036225B2 (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=13684130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7923282A Granted JPS58196238A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196238A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1982
- 1982-05-13 JP JP7923282A patent/JPS58196238A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58196238A (ja) | 1983-11-15 |
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