JPH0365672B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0365672B2 JPH0365672B2 JP59063481A JP6348184A JPH0365672B2 JP H0365672 B2 JPH0365672 B2 JP H0365672B2 JP 59063481 A JP59063481 A JP 59063481A JP 6348184 A JP6348184 A JP 6348184A JP H0365672 B2 JPH0365672 B2 JP H0365672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate body
- protective film
- protrusion
- film
- heat generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electronic Switches (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサーマルプリントヘツドに関する。
サーマルプリントヘツドの配線基板において、
その基板本体にアルミナセラミツクのようなセラ
ミツクを用い、その表面に厚膜又は薄膜によつて
配線を形成し、併せて適当な回路素子を形成又は
装填するようにしたものはよく知られている。そ
してこれらの配線を保護するために耐摩耗性、耐
酸化性のような膜で基板本体の表面をコーテイン
グすることも知られている。
その基板本体にアルミナセラミツクのようなセラ
ミツクを用い、その表面に厚膜又は薄膜によつて
配線を形成し、併せて適当な回路素子を形成又は
装填するようにしたものはよく知られている。そ
してこれらの配線を保護するために耐摩耗性、耐
酸化性のような膜で基板本体の表面をコーテイン
グすることも知られている。
ところでこのような保護膜は普通スパツタリン
グ或いは蒸着により薄膜に形成される。したがつ
て前記のようにサーマルヘツドの基体本体として
表面に微細な凹凸のあるセラミツクを用いた場
合、そのセラミツクの凹凸の影響をうけて、薄膜
の緻密性が低下することがある。第１図はセラミ
ツク製の基板本体Ａの表面に、薄膜Ｂを形成した
ときの拡大断面図で、薄膜Ｂの緻密性が低下した
状態の例を示したものである。周知のようにセラ
ミツクの表面は、セラミツクの粒径（１〜2μｍ
程度）に応じた凹凸が無数に存在している。この
ような表面にスパツタ等により膜を成長させてい
くと、この凹凸の影響を受けて、微細な隙間Ｃが
各凹凸の境附近からのびるように発生する。すな
わち膜材料の結晶は互いに連続しないようになる
のである。そのため成膜後、環境試験なり水分の
大い個所に放置しておくと、この隙間Ｃを通つて
水分が基板本体Ａの表面に到達することがある。
この水分によつて基板本体Ａ上の配線等が浸食さ
れてしまうようになる。
グ或いは蒸着により薄膜に形成される。したがつ
て前記のようにサーマルヘツドの基体本体として
表面に微細な凹凸のあるセラミツクを用いた場
合、そのセラミツクの凹凸の影響をうけて、薄膜
の緻密性が低下することがある。第１図はセラミ
ツク製の基板本体Ａの表面に、薄膜Ｂを形成した
ときの拡大断面図で、薄膜Ｂの緻密性が低下した
状態の例を示したものである。周知のようにセラ
ミツクの表面は、セラミツクの粒径（１〜2μｍ
程度）に応じた凹凸が無数に存在している。この
ような表面にスパツタ等により膜を成長させてい
くと、この凹凸の影響を受けて、微細な隙間Ｃが
各凹凸の境附近からのびるように発生する。すな
わち膜材料の結晶は互いに連続しないようになる
のである。そのため成膜後、環境試験なり水分の
大い個所に放置しておくと、この隙間Ｃを通つて
水分が基板本体Ａの表面に到達することがある。
この水分によつて基板本体Ａ上の配線等が浸食さ
れてしまうようになる。
この発明はサーマルプリントヘツドにおけるセ
ラミツク製の基板本体に保護膜を形成する場合の
耐食性の向上を図ることを目的とする。
ラミツク製の基板本体に保護膜を形成する場合の
耐食性の向上を図ることを目的とする。
この発明は薄膜状に成膜された保護膜の表面
を、保護膜中の微細な隙間に浸透可能な充填剤で
被覆したことを特徴とする。
を、保護膜中の微細な隙間に浸透可能な充填剤で
被覆したことを特徴とする。
この発明の実施例を図によつて説明する。第２
図はこのサーマルプリントヘツドの製造工程を順
次示したもので、まず基板本体１としてアルミナ
セラミツク製のものを用い、その表面にグレーズ
からなる突出部２を設ける（第２図Ａ）。ついで
基板本体１、突出部２の表面にプリント用の発熱
抵抗層３を、及びその表面に通電用の導電層４を
形成してからホトエツチング工程により所定のパ
ターンどおりにパターニングする。図中３Ａは発
熱部、４Ａは発熱部３Ａへの通電部である（第２
図Ｂ）。このあと基板本体１の表面に保護膜５を
形成する（第２図Ｃ）。保護膜は導電層４の表面
を含む全表面を覆うが、導電層４のうち外部に接
続される端部すなわち外部端子６（第３図参照）
の設置領域は除外される。
図はこのサーマルプリントヘツドの製造工程を順
次示したもので、まず基板本体１としてアルミナ
セラミツク製のものを用い、その表面にグレーズ
からなる突出部２を設ける（第２図Ａ）。ついで
基板本体１、突出部２の表面にプリント用の発熱
抵抗層３を、及びその表面に通電用の導電層４を
形成してからホトエツチング工程により所定のパ
ターンどおりにパターニングする。図中３Ａは発
熱部、４Ａは発熱部３Ａへの通電部である（第２
図Ｂ）。このあと基板本体１の表面に保護膜５を
形成する（第２図Ｃ）。保護膜は導電層４の表面
を含む全表面を覆うが、導電層４のうち外部に接
続される端部すなわち外部端子６（第３図参照）
の設置領域は除外される。
以上の構成は従来のこの種サーマルプリントヘ
ツドと大差はない。そして成膜された保護膜５に
はセラミツク製の基板本体の表面の凹凸に影響さ
れて微細な隙間が発生することが避けられないこ
とは、すでに述べたとおりである。なお基板本体
の表面と保護膜との間に別の膜（たとえば耐酸化
膜）が介在しているような場合でも、保護膜は基
板本体の凹凸の影響を受けて隙間は発生する。保
護膜５としてはたとえば耐摩耗性が要求される場
合、五酸化タンタルが適当で、又その膜厚は１〜
5μｍ程度である。
ツドと大差はない。そして成膜された保護膜５に
はセラミツク製の基板本体の表面の凹凸に影響さ
れて微細な隙間が発生することが避けられないこ
とは、すでに述べたとおりである。なお基板本体
の表面と保護膜との間に別の膜（たとえば耐酸化
膜）が介在しているような場合でも、保護膜は基
板本体の凹凸の影響を受けて隙間は発生する。保
護膜５としてはたとえば耐摩耗性が要求される場
合、五酸化タンタルが適当で、又その膜厚は１〜
5μｍ程度である。
保護膜５内の隙間の存在をなくすため、この発
明では、この隙間に浸透可能な充填剤で保護膜５
の表面を被覆する（第２図Ｄ）。７はその被覆層
を示す。充填剤としては隙間への浸透に十分な流
動性を有する樹脂が適当である。サーマルプリン
トヘツドに適用する場合、被覆層７も80℃以上の
高温下にさらされるので、耐熱性の樹脂が望まし
く、具体的にはポリイミド、テフロン等が好適で
ある。これらを印刷等により塗布すればよい。又
ポリイミドを使用する場合、その前駆体を塗布し
てから、所要の個所をエツチング除去したあと、
キユアーするようにしてもよい。なおこの充填剤
７は突出部２の表面にまで塗布しないようにす
る。
明では、この隙間に浸透可能な充填剤で保護膜５
の表面を被覆する（第２図Ｄ）。７はその被覆層
を示す。充填剤としては隙間への浸透に十分な流
動性を有する樹脂が適当である。サーマルプリン
トヘツドに適用する場合、被覆層７も80℃以上の
高温下にさらされるので、耐熱性の樹脂が望まし
く、具体的にはポリイミド、テフロン等が好適で
ある。これらを印刷等により塗布すればよい。又
ポリイミドを使用する場合、その前駆体を塗布し
てから、所要の個所をエツチング除去したあと、
キユアーするようにしてもよい。なおこの充填剤
７は突出部２の表面にまで塗布しないようにす
る。
以上のようにして充填剤７で保護膜５の表面を
覆うと、この充填剤７が保護膜５内の微細な隙間
に浸透し、この隙間を埋めてしまう。したがつて
以後この隙間を水分等が浸入することがなく、そ
のため基板本体上の導電層、回路素子等が水分に
より浸食されないようになる。なお被覆層７の膜
厚としては0.5〜5μｍで十分である。
覆うと、この充填剤７が保護膜５内の微細な隙間
に浸透し、この隙間を埋めてしまう。したがつて
以後この隙間を水分等が浸入することがなく、そ
のため基板本体上の導電層、回路素子等が水分に
より浸食されないようになる。なお被覆層７の膜
厚としては0.5〜5μｍで十分である。
以上詳述したようにこの発明により、サーマル
プリントヘツドにおける基板本体をセラミツク製
とし、その表面に保護膜を成膜した場合でも、そ
の表面を更に充填剤で被覆することにより、保護
膜内の結晶の不連続性による隙間を充填したの
で、この隙間による浸食を確実に防止でき、耐食
性を向上させることができるといつた効果を奏す
る。
プリントヘツドにおける基板本体をセラミツク製
とし、その表面に保護膜を成膜した場合でも、そ
の表面を更に充填剤で被覆することにより、保護
膜内の結晶の不連続性による隙間を充填したの
で、この隙間による浸食を確実に防止でき、耐食
性を向上させることができるといつた効果を奏す
る。
第１図は基板本体と保護膜との境面における拡
大断面図、第２図はこの発明の実施例を示す製作
工程の断面図、第３図は同斜視図である。 １……基板本体、２……突出部、３……発熱抵
抗層、３Ａ……発熱部、４……導電層、５……保
護膜、７……被覆層。
大断面図、第２図はこの発明の実施例を示す製作
工程の断面図、第３図は同斜視図である。 １……基板本体、２……突出部、３……発熱抵
抗層、３Ａ……発熱部、４……導電層、５……保
護膜、７……被覆層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツクからなる基板本体の表面にグレー
ズからなる突出部を設けるとともに、前記突出部
の表面にプリント用の発熱部が形成されるよう
に、前記基板本体および突出部の表面に発熱抵抗
層および通電用の導電層を設け、さらに前記発熱
抵抗層、導電層を含む前記基板本体の表面を覆う
ように、薄膜状に保護膜を成膜してなるサーマル
プリントヘツドにおいて、 前記基板本体の表面の微細な凹凸により生じる
前記保護膜の内部の、結晶の不連続による〓間に
浸透し得る流動性をもつ充填剤からなる被覆層
を、前記突出部を除いた前記保護膜の表面に設け
てなる サーマルプリントヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6348184A JPS60207396A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6348184A JPS60207396A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60207396A JPS60207396A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0365672B2 true JPH0365672B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=13230468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6348184A Granted JPS60207396A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60207396A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138330B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-11-21 | Medtronic Minimed, Inc. | High reliability multilayer circuit substrates and methods for their formation |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143116B2 (ja) * | 1973-05-16 | 1976-11-19 | ||
| JPS5846079A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-17 | Santen Pharmaceut Co Ltd | ベンゾチアゾリン環を有するエ−テル類 |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6348184A patent/JPS60207396A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60207396A (ja) | 1985-10-18 |
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