JPH0397663A - 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0397663A JPH0397663A JP1233122A JP23312289A JPH0397663A JP H0397663 A JPH0397663 A JP H0397663A JP 1233122 A JP1233122 A JP 1233122A JP 23312289 A JP23312289 A JP 23312289A JP H0397663 A JPH0397663 A JP H0397663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reduction
- type semiconductor
- compsn
- semiconductor capacitor
- breakdown voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 abstract 2
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組戒物
に関する。
に関する。
（従来の技術）
従来から還元再酸化型半導体コンデンサとしては、例え
ば特開昭５９−２１７３１９号公報に開示されたものが
知られている。このような還元再酸化型半導体コンデン
サは、小型大容量で、破壊電圧が高いという特徴を有し
ている。
ば特開昭５９−２１７３１９号公報に開示されたものが
知られている。このような還元再酸化型半導体コンデン
サは、小型大容量で、破壊電圧が高いという特徴を有し
ている。
物も提案されている。（特公昭５６−４０９６５号公報
、特公昭５６−３７６９１号公報、特開昭６２−２２９
６０２号公報、特開昭６３−２１１５０９号公報等参照
） （発明が解決しようとする課題） 型半導体コンデンサは、単位面積当たりの容量Ｃ／Ａ（
ｎＰノｃｄ＞を大きくしようとすれば、破壊電圧が低下
し、或いは容量の温度特性が悪化する等の問題があった
。
、特公昭５６−３７６９１号公報、特開昭６２−２２９
６０２号公報、特開昭６３−２１１５０９号公報等参照
） （発明が解決しようとする課題） 型半導体コンデンサは、単位面積当たりの容量Ｃ／Ａ（
ｎＰノｃｄ＞を大きくしようとすれば、破壊電圧が低下
し、或いは容量の温度特性が悪化する等の問題があった
。
本発明は、単位面積当たりの容量が大きく、破壊電圧が
高く、かつ容量の温度特性が良好なとを目的とする。
高く、かつ容量の温度特性が良好なとを目的とする。
組成物は、
ＢａＴｉ０３が７５．０ 〜９７．７ｍｏｌＬＴ ａ２
ｏ５が０．２ 〜２．［ｌｍｏｌ％、希土類酸化物の
うち少なくとも１種類が０．１〜１．０ａｏＨ ， Ｓ ｒ ＣＯ３が０．５ 〜１０．０Ｉｌｌｏｌ％およ
びＴＩＯ２が１．０ 〜１２．０ｍｏｌ％から成る組戊
物を主成分とし、これに Ｍ ｎ ＣＯ３を０．０３ 〜０．３０ｖｔ％およびＳ
）０２を０．２０ｖｔ％以下 添加したことを特徴とする。
ｏ５が０．２ 〜２．［ｌｍｏｌ％、希土類酸化物の
うち少なくとも１種類が０．１〜１．０ａｏＨ ， Ｓ ｒ ＣＯ３が０．５ 〜１０．０Ｉｌｌｏｌ％およ
びＴＩＯ２が１．０ 〜１２．０ｍｏｌ％から成る組戊
物を主成分とし、これに Ｍ ｎ ＣＯ３を０．０３ 〜０．３０ｖｔ％およびＳ
）０２を０．２０ｖｔ％以下 添加したことを特徴とする。
（実施Ｎ）
試料の作成にあたって、各原料を夫々表に示す組成比お
よび添加量となるように秤量し、１５時間湿式混合した
。この混合物を脱水、乾燥後、バインダーを加えて混合
、整拉し、これを直径８關、厚さ０．５ｍＩ１の円形板
に成形した。得られた成形物を大気中で１３００℃で２
時間焼戊した後、還元雰囲気中で９５０℃で１時間熱処
理を施し、更に大気中で９００℃で１時間熱処理を行な
って還元再酸化型半導体コンデンサ用素地を得た。
よび添加量となるように秤量し、１５時間湿式混合した
。この混合物を脱水、乾燥後、バインダーを加えて混合
、整拉し、これを直径８關、厚さ０．５ｍＩ１の円形板
に成形した。得られた成形物を大気中で１３００℃で２
時間焼戊した後、還元雰囲気中で９５０℃で１時間熱処
理を施し、更に大気中で９００℃で１時間熱処理を行な
って還元再酸化型半導体コンデンサ用素地を得た。
得られた素地にＡｇペーストを塗布し、これを大気中で
８００℃で焼き付けてコンデンサを作製した。
８００℃で焼き付けてコンデンサを作製した。
このようにして作製したコンデンサの面積容量、誘電体
損失、絶縁抵抗、破壊電圧、容量変化率を測定したとこ
ろ、表に示すような結果が得られた。
損失、絶縁抵抗、破壊電圧、容量変化率を測定したとこ
ろ、表に示すような結果が得られた。
尚、面積容量、誘電体損失の測定は周波数１ＫＨｚ ，
印加電圧０．ＩＶ，温度２０℃の条件下で行なった。絶
縁抵抗は直流電圧２５Ｖ印加後１５秒後の値を測定した
。破壊電圧は直流電圧の昇圧破壊方式により測定した。
印加電圧０．ＩＶ，温度２０℃の条件下で行なった。絶
縁抵抗は直流電圧２５Ｖ印加後１５秒後の値を測定した
。破壊電圧は直流電圧の昇圧破壊方式により測定した。
容量の温度特性は温度２０℃の値を基準とし温度−２５
℃と、温度８５℃における変化率を求めた。
℃と、温度８５℃における変化率を求めた。
尚、表中で※印を付したものが本発明の範囲外のもので
あり、それ以外が本発明の範囲内のものである。
あり、それ以外が本発明の範囲内のものである。
表から明らかなように、本発明の還元再酸化型半導体コ
ンデンサ用磁器組成物の限定理由は次の通りである。
ンデンサ用磁器組成物の限定理由は次の通りである。
Ｔ ａ２ ｏ，が０．２ｍｏｌ％未満では常温での面積
容量が低くなり、また２。ＯｍｏＬ％を超えると同様に
常温での面積容量が低下すると共に、焼結性が悪化し、
破壊電圧が低下する。
容量が低くなり、また２。ＯｍｏＬ％を超えると同様に
常温での面積容量が低下すると共に、焼結性が悪化し、
破壊電圧が低下する。
Ｎ ｄ２ ｏ３、Ｌａ２ ｏ３、Ｃｅ０２等の希土類酸
化物の添加は焼結性改善に効果があるが、０．１ｍｏｌ
％未満ではその効果がなく、また面積容量、破壊電圧共
に低下し、１．０ｍｏＬ％を超えると容量の温度特性が
悪化する。
化物の添加は焼結性改善に効果があるが、０．１ｍｏｌ
％未満ではその効果がなく、また面積容量、破壊電圧共
に低下し、１．０ｍｏＬ％を超えると容量の温度特性が
悪化する。
Ｓ ｒ ＣＯ３は容量の温度特性の改善に効果があるが
、０．５ｉｏ１％未満ではその効果がな＜ ， １０．
０ｍｏ１％を超えると面積容量、破壊電圧共に低下する
。
、０．５ｉｏ１％未満ではその効果がな＜ ， １０．
０ｍｏ１％を超えると面積容量、破壊電圧共に低下する
。
ＢａＴｉＯ３、Ｔ１０２の組成範囲は、その他の紹成範
囲によって決まるものであるが、それぞれ７５．０〜９
７．７ｍｏｌ％、１．０ 〜１２．０ＩＩｏｌ％の範囲
を外れると焼結性が悪化し、また面積容量、破壊電圧共
に低下する。
囲によって決まるものであるが、それぞれ７５．０〜９
７．７ｍｏｌ％、１．０ 〜１２．０ＩＩｏｌ％の範囲
を外れると焼結性が悪化し、また面積容量、破壊電圧共
に低下する。
Ｍ ｎ ＣＯ３の添加は絶縁抵抗、破壊電圧を向上させ
る効果があるが、添加量が０．０３ｖｔ％未満であると
絶縁抵抗、破壊電圧共に低下し、添加量がＯＪＯｖｔ％
を超えると面積容量が低下する。
る効果があるが、添加量が０．０３ｖｔ％未満であると
絶縁抵抗、破壊電圧共に低下し、添加量がＯＪＯｖｔ％
を超えると面積容量が低下する。
ＳｉＯ２の添加はその添加量が０．２ｗｔ％以下では本
発明の効果を奏するが、添加量が０．２ｖｔ％を超える
と焼結性が悪化し、また面積容量、破壊電圧共に低下す
る。
発明の効果を奏するが、添加量が０．２ｖｔ％を超える
と焼結性が悪化し、また面積容量、破壊電圧共に低下す
る。
以上のように、主としてＢａＴｉ０３のキューリー点の
シフターとしてＴ ａ２ ｏ，を用いることにより、単
位面積当たりの容量［Ｃ／Ａ（ｎＰ／ｃｄ） ］が大き
く、破壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良好な半導
体コンデンサを得ることができる。
シフターとしてＴ ａ２ ｏ，を用いることにより、単
位面積当たりの容量［Ｃ／Ａ（ｎＰ／ｃｄ） ］が大き
く、破壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良好な半導
体コンデンサを得ることができる。
前記実施例では希土類酸化物としてＮｄ２０３、ｔ，ａ
２ｏ，， Ｃｅ０２を用いた例を示したが、他の希土類
酸化物を１種類、または２挿類以上を紹み合わせたもの
を用いてもよく、この場合にも、前記と同様の効果を得
ることができる。
２ｏ，， Ｃｅ０２を用いた例を示したが、他の希土類
酸化物を１種類、または２挿類以上を紹み合わせたもの
を用いてもよく、この場合にも、前記と同様の効果を得
ることができる。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、単位面積当たりの容量
が大きく、破壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良好
な半導体コンデンサを得ることができる還元再酸化型半
導体コンデンサ用磁器組成物を提供することができる効
果を有する。
が大きく、破壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良好
な半導体コンデンサを得ることができる還元再酸化型半
導体コンデンサ用磁器組成物を提供することができる効
果を有する。
−３９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＢａＴｉＯ＿３が７５．０〜９７．７ｍｏｌ％、Ｔａ＿
２Ｏ＿５が０．２〜２．Ｏｍｏｌ％、希土類酸化物のう
ち少なくとも１種類が０．１〜１．０ｍｏｌ％、 ＳｒＣＯ＿３が０．５〜１０．０ｍｏｌ％およびＴｉＯ
＿２が１．０〜１２．０ｍｏｌ％ から成る組成物を主成分とし、これに ＭｎＣＯ＿３を０．０３〜０．３０ｗｔ％およびＳｉＯ
＿２を０．２０ｗｔ％以下 添加したことを特徴とする還元再酸化型半導体コンデン
サ用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233122A JPH0397663A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233122A JPH0397663A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397663A true JPH0397663A (ja) | 1991-04-23 |
| JPH0547507B2 JPH0547507B2 (ja) | 1993-07-16 |
Family
ID=16950103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233122A Granted JPH0397663A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397663A (ja) |
-
1989
- 1989-09-09 JP JP1233122A patent/JPH0397663A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547507B2 (ja) | 1993-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0414442B2 (ja) | ||
| JPH0397663A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH0397665A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH0397664A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH0397666A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH03109256A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3125481B2 (ja) | 粒界絶縁層型半導体磁器組成物 | |
| JPS6046811B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JP2681981B2 (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH04169003A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS5957415A (ja) | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPH06102573B2 (ja) | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物 | |
| JPH0510764B2 (ja) | ||
| JPS6258128B2 (ja) | ||
| JPH01236608A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH01239704A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6345704A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
| JPS63211510A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
| JPS6222942B2 (ja) | ||
| JPH01236609A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPS62132755A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS6258129B2 (ja) | ||
| JPH03203118A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6235256B2 (ja) | ||
| JPH042656A (ja) | 高誘電率磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |