JPH0410571A - ３―Ｖ族化合物半導体のｐ層への電極形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ｐ形不純物がドーピングされた■−Ｖ族化合
物半導体層へのオーミック電極形成方法に関し、低抵抗
で、スパイク状に拡散の進むことのない密着性のすぐれ
た電極形成方法に関する。

〈従来の技術〉 例えばＨＢＴ（ペテロ接合バイポーラトランジスタ）で
は■−ｖ族化合物半導体としてＡｉＦＧａＡｓ系やＩ　
ｎＧａＡｓ系が用いられる。この様な化合物半導体の２
層へのｔｆ！材料としてはＺｎ。

ＡｕＺｎ、Ｃｒ／′Ａｕ、Ｐｔ等が用いられていた。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしなから、上記従来例において各材料をスパッタや
蒸着等によりＰ層に付着させ３００〜４００℃でアニー
ルした場合、Ｚｎのみの場合は２層との密着性が極めて
悪く、また、他の材料ではオーミックコンタクトがとれ
るだけのアニールを行うとウェハの中にはスパイク的に
拡散が進む部分ができ使用が難しいという問題があった
。

本発明は上記従来技術の問題を解決するために成された
もので、Ｉ−Ｖ族化合物半導体の２層に対して良好なオ
ーミック接合方法を提供することを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 上記従来技術の問題を解決する為の本発明の電極形成方
法は、Ｐ形不純物がドーピングされた■−Ｖ族化合物半
導体へのオーミック電極形成方法において、電極材料と
してＺｎＳｉ、ＷＳｉ、ＡＵを順次積層し、アニールを
施したことを特徴とするものである。

く作用〉 ＄［ｉ材料に含まれるＳｔがスパイク的な拡散を防止し
ていると考えられる。

〈実施例〉 本実施例ではＢｅ等のＰ型ドーパントをドーピングした
Ｉ　ｎＧａＡｓ系２層を用い、その９層にＺｎとＳｔの
容積混合比がほぼ１：１のＺｎ５ｉを５０Ａ程度１次に
ＷとＳｉの容積混合比が１：２のＷＳｉを１０００〜３
０００ム、最後にＡｕ（他の導電体でも良い）を１００
０Å以上スパッタにより形成した。

次にその半導体デバイスを炉中に入れ３００℃で３０分
のアニールを行った。

上記工程により２層の表面の１００八程度の領域でＺｎ
の拡散による合金化が起こり、密着性にすぐれスパイク
的な拡散のない良好なオーミックｔＮ！が形成された。

なお、この電極形成方法はＩ−Ｖ族化合物半導体を用い
るレーザダイオードやホットエレクトロントランジスタ
笠にも適用可能である。

〈発明の効果〉 以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば、電極材料としてＺｎＳｉ、ＷＳｉ。

Ａｕを順次積層し７アニールを施したので密着性にすぐ
れスパイク的な拡散のない電極を形成することができた
。

代理人　弁理士　小　沢　信　助

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ｐ形不純物がドーピングされたIII−Ｖ族化合物半導
   体へのオーミック電極形成方法において、電極材料とし
   てＺｎＳｉ、ＷＳｉ、Ａｕを順次積層し、アニールを施
   したことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体のｐ層へ
   の電極形成方法。