JPH0415813B2 - - Google Patents
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- JPH0415813B2 JPH0415813B2 JP58117123A JP11712383A JPH0415813B2 JP H0415813 B2 JPH0415813 B2 JP H0415813B2 JP 58117123 A JP58117123 A JP 58117123A JP 11712383 A JP11712383 A JP 11712383A JP H0415813 B2 JPH0415813 B2 JP H0415813B2
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- JP
- Japan
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- alkoxy
- substituted
- poly
- nuclear
- doping
- Prior art date
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子スルホニム塩の脱スルホニウム
塩処理によるポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエ
ニレンビニレンの製造法に関するものである。
塩処理によるポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエ
ニレンビニレンの製造法に関するものである。
一般に、共役系高分子はそのままでは絶縁体ま
たは半導体であり高い導電性は得られないのが普
通であるが、近年、ポリアセチレンのドーピング
による金属導電性発現の発見に端を発し、種々の
共役系高分子化合物に適切な電子受容体や電子供
与体をドーピングすることにより、導電性を向上
させる試みがなされてきた。しかしながら、これ
らの共役系高分子は一般にそのままでは不融不溶
性のものが多く、成形加工することが困難であ
り、実用化に大きな障害となつている。
たは半導体であり高い導電性は得られないのが普
通であるが、近年、ポリアセチレンのドーピング
による金属導電性発現の発見に端を発し、種々の
共役系高分子化合物に適切な電子受容体や電子供
与体をドーピングすることにより、導電性を向上
させる試みがなされてきた。しかしながら、これ
らの共役系高分子は一般にそのままでは不融不溶
性のものが多く、成形加工することが困難であ
り、実用化に大きな障害となつている。
ポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニ
レンは直鎖状共役高分子として知られ、その製造
方法として、ジホスホニウム塩とジアルデヒドと
の反応によるwitting反応法、あるいは核アルコ
キシ置換キシリレンジハライドのアルカリによる
脱ハロゲン化水素法等により合成されることは公
知である。
レンは直鎖状共役高分子として知られ、その製造
方法として、ジホスホニウム塩とジアルデヒドと
の反応によるwitting反応法、あるいは核アルコ
キシ置換キシリレンジハライドのアルカリによる
脱ハロゲン化水素法等により合成されることは公
知である。
しかしながらこれらの合成法により得られる重
合体はいずれも重合度が10以下であると考えら
れ、また不溶・不融の粉末状で生成するのでその
ままでフイルム状もしくは糸状に成形することは
実質的に不可能であり、特殊な粉末成形法を用い
ても有用な成形物は得られなかつた。
合体はいずれも重合度が10以下であると考えら
れ、また不溶・不融の粉末状で生成するのでその
ままでフイルム状もしくは糸状に成形することは
実質的に不可能であり、特殊な粉末成形法を用い
ても有用な成形物は得られなかつた。
本発明者らは、任意の形態に加工ができ、しか
もドーピングにより高い導電性を与えることがで
きる共役系高分子を得ることを鋭意検討してきた
結果、加工性を有する高分子中間体を経る方法に
より、この目的を実現できることを見出し、本発
明に達した。
もドーピングにより高い導電性を与えることがで
きる共役系高分子を得ることを鋭意検討してきた
結果、加工性を有する高分子中間体を経る方法に
より、この目的を実現できることを見出し、本発
明に達した。
すなわち、本発明者らは、ポリ−核アルコキシ
置換−ｐ−フエニレンビニレンを得るための種々
製造方法を検討した結果、核アルコキシ置換−ｐ
−キシリレンジハライドのジスルホニウム塩をア
ルカリを用いて縮合重合して高分子スルホニウム
塩を製造し、この高分子中間体を賦形化した後こ
れを脱スルホニウム塩処理することによりポリ−
核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニレンを製
造する方法を見出した。
置換−ｐ−フエニレンビニレンを得るための種々
製造方法を検討した結果、核アルコキシ置換−ｐ
−キシリレンジハライドのジスルホニウム塩をア
ルカリを用いて縮合重合して高分子スルホニウム
塩を製造し、この高分子中間体を賦形化した後こ
れを脱スルホニウム塩処理することによりポリ−
核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニレンを製
造する方法を見出した。
さらに、このようにして製造されたポリ−核ア
ルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニレンは、
wittig法や脱ハロゲン化水素法により製造された
ものに比べ、非常に高分子量のものを製造するこ
とが可能であり、ドーピングすることにより著る
しく高い導電性を与えることができることも見出
した。
ルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニレンは、
wittig法や脱ハロゲン化水素法により製造された
ものに比べ、非常に高分子量のものを製造するこ
とが可能であり、ドーピングすることにより著る
しく高い導電性を与えることができることも見出
した。
この様にスルホニウム塩分解法によりポリフエ
ニレンビニレン構造ができることはJ.Polymer
Sci.，Ａ−1.６．1058（1968）等で公知であるが、
フエニル基にアルコキシ置換基が含まれているポ
リ−核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニレン
と、その製造方法およびその導電性に関しては全
く知られていなかつた。
ニレンビニレン構造ができることはJ.Polymer
Sci.，Ａ−1.６．1058（1968）等で公知であるが、
フエニル基にアルコキシ置換基が含まれているポ
リ−核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニレン
と、その製造方法およびその導電性に関しては全
く知られていなかつた。
すなわち、本発明は
一般式（）
Ｒ：炭素数１〜６のアルキル基
R2、R3：炭素数１〜10の炭化水素基
Ｘ：対イオン
ｎ：２以上の整数
ｍ：１〜２
を有する高分子スルホニウム塩の脱スルホニウム
塩処理によりポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエ
ニレンビニレンを製造する方法を提供することに
ある。
塩処理によりポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエ
ニレンビニレンを製造する方法を提供することに
ある。
一般式（）における−ORはベンゼン核にア
ルコキシ基が置換していることを示す。
ルコキシ基が置換していることを示す。
アルコキシ基のＲは炭素数１〜６の炭化水素基
たとえばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブ
チル、シクロペンチル、２−エチル−ヘキシル基
等のアルキル基、フエニル基およびその誘導体等
があげられるが、メチル基、エチル基、特にメチ
ル基が好ましい。
たとえばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブ
チル、シクロペンチル、２−エチル−ヘキシル基
等のアルキル基、フエニル基およびその誘導体等
があげられるが、メチル基、エチル基、特にメチ
ル基が好ましい。
R2，R3は炭素数１〜10の炭化水素基例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、２−エチルヘキシル、ドデシル、オケタデ
シル、フエニル、シクロヘキシル、ベンジル基等
があげられるが、炭素数１〜６の炭化水素基特に
メチル、エチル基が好ましい。
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、２−エチルヘキシル、ドデシル、オケタデ
シル、フエニル、シクロヘキシル、ベンジル基等
があげられるが、炭素数１〜６の炭化水素基特に
メチル、エチル基が好ましい。
スルホニウム塩の対イオンＸは常法により任意
のものを用いることができる。たとえば、ハロゲ
ン、水酸基、４弗化ホウ素、過塩素酸イオン等を
使用することができ、なかでも塩素、臭素、ヨウ
素などのハロゲンおよび水酸基イオンが好まし
い。
のものを用いることができる。たとえば、ハロゲ
ン、水酸基、４弗化ホウ素、過塩素酸イオン等を
使用することができ、なかでも塩素、臭素、ヨウ
素などのハロゲンおよび水酸基イオンが好まし
い。
本発明に用いる高分子スルホニウム塩は、任意
の方法で得られるが、たとえば、核アルコキシ置
換−ｐ−キシリレンジハライドとジアルキルスル
フイドとの反応で得られる核アルコキシ置換−ｐ
−キシリレンジスルホニウム塩を単独で水もしく
は水に可溶な有機溶媒たとえばアルコール類の混
合溶媒中で、アルカリを用いて縮合重合して得る
ことができる。また、別種のｐ−キシリレンジス
ルホニウム塩を共存させ、同様にアルカリで縮合
共重合をおこなうことにより、核アルコキシ置換
されたフエニレンビニレンの構造単位を含む高分
子スルホニウム塩を得ることができる。これらは
いずれも本発明の高分子スルホニウム塩として用
いることができる。
の方法で得られるが、たとえば、核アルコキシ置
換−ｐ−キシリレンジハライドとジアルキルスル
フイドとの反応で得られる核アルコキシ置換−ｐ
−キシリレンジスルホニウム塩を単独で水もしく
は水に可溶な有機溶媒たとえばアルコール類の混
合溶媒中で、アルカリを用いて縮合重合して得る
ことができる。また、別種のｐ−キシリレンジス
ルホニウム塩を共存させ、同様にアルカリで縮合
共重合をおこなうことにより、核アルコキシ置換
されたフエニレンビニレンの構造単位を含む高分
子スルホニウム塩を得ることができる。これらは
いずれも本発明の高分子スルホニウム塩として用
いることができる。
縮合重合に用いるアルカリ溶液は、水もしくは
スルホニウム塩と反応しない有機溶媒、例えばア
ルコール類と水の混合溶媒中でPH11以上の強い塩
基性溶媒であることが好ましく、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、第４級
アンモニウム塩水酸化物、スルホニウム塩水酸化
物、強塩基性イオン交換樹脂（OH型）等を用い
ることができるが、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、強塩基性イオン交換樹脂が好適に使用で
きる。高導電性成形物を得るためには分子量が充
分大きいことが好ましく、少なくともｎが５以
上、好ましくは５ないし50000で、たとえば分子
量分画3500の透析膜による透析処理で透析されな
い分子量を有するようなものが効果的に用いられ
る。
スルホニウム塩と反応しない有機溶媒、例えばア
ルコール類と水の混合溶媒中でPH11以上の強い塩
基性溶媒であることが好ましく、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、第４級
アンモニウム塩水酸化物、スルホニウム塩水酸化
物、強塩基性イオン交換樹脂（OH型）等を用い
ることができるが、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、強塩基性イオン交換樹脂が好適に使用で
きる。高導電性成形物を得るためには分子量が充
分大きいことが好ましく、少なくともｎが５以
上、好ましくは５ないし50000で、たとえば分子
量分画3500の透析膜による透析処理で透析されな
い分子量を有するようなものが効果的に用いられ
る。
本発明の方法によれば、高分子量のスルホニウ
ム塩を得ることができる。
ム塩を得ることができる。
本発明の特徴は高分子スルホニウム塩、特にそ
の溶液から任意の形状の成形物を作ることができ
ることである。
の溶液から任意の形状の成形物を作ることができ
ることである。
本発明におけるスルホニウム塩は熱、光、紫外
線、強い塩基性条件等に敏感であり、徐々に脱ス
ルホニウム塩化が起り、部分的に共役構造を有す
る高分子スルホニウム塩となりやすく、不均質と
なることがある。従つて、比較的低温、すなわち
少なくとも50℃以下、特に25℃以下の温度ですみ
やかに処理し、加工に際して均質な高分子スルホ
ニウム塩を用いることが好ましい。
線、強い塩基性条件等に敏感であり、徐々に脱ス
ルホニウム塩化が起り、部分的に共役構造を有す
る高分子スルホニウム塩となりやすく、不均質と
なることがある。従つて、比較的低温、すなわち
少なくとも50℃以下、特に25℃以下の温度ですみ
やかに処理し、加工に際して均質な高分子スルホ
ニウム塩を用いることが好ましい。
高分子スルホニウム塩から高分子成形物を得る
には任意の方法が用いられる。またその形態に関
しては例えばフイルム、糸、塗布物、その他任意
の成形物を選ぶことができる。特に有用な成形方
法はスルホニウム塩合成水溶液あるいはその他の
媒体溶液からのキヤストまたは溶液紡糸をおこな
う方法である。この時あらかじめ透析処理などに
より脱塩もしくは未反応物を除いた高分子スルホ
ニウム塩溶液を用いることが好ましい。
には任意の方法が用いられる。またその形態に関
しては例えばフイルム、糸、塗布物、その他任意
の成形物を選ぶことができる。特に有用な成形方
法はスルホニウム塩合成水溶液あるいはその他の
媒体溶液からのキヤストまたは溶液紡糸をおこな
う方法である。この時あらかじめ透析処理などに
より脱塩もしくは未反応物を除いた高分子スルホ
ニウム塩溶液を用いることが好ましい。
スルホニウム塩の脱スルホニウム塩処理は、
熱、光、紫外線、強い塩基処理などの条件を適用
することによりおこなうことができるが、加熱処
理が好ましい。高導電性の組成物を得るためには
高分子スルホニウム塩の脱スルホニウム塩処理を
不活性雰囲気でおこなうことが重要である。ここ
でいう不活性雰囲気とは処理中に高分子フイルム
の変質を起こさない雰囲気をいい、特に酸素、空
気による酸化反応を防ぐことが必要である。
熱、光、紫外線、強い塩基処理などの条件を適用
することによりおこなうことができるが、加熱処
理が好ましい。高導電性の組成物を得るためには
高分子スルホニウム塩の脱スルホニウム塩処理を
不活性雰囲気でおこなうことが重要である。ここ
でいう不活性雰囲気とは処理中に高分子フイルム
の変質を起こさない雰囲気をいい、特に酸素、空
気による酸化反応を防ぐことが必要である。
一般には窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活
性ガスを用いておこなわれるが、真空下あるいは
不活性媒体中でこれをおこなつても良い。
性ガスを用いておこなわれるが、真空下あるいは
不活性媒体中でこれをおこなつても良い。
熱により脱スルホニウム塩処理をおこなう場合
には、処理温度は０℃〜300℃、好ましくは50℃
〜250℃が適する。さらに好ましくは100℃〜200
℃でする。
には、処理温度は０℃〜300℃、好ましくは50℃
〜250℃が適する。さらに好ましくは100℃〜200
℃でする。
また成型物を延伸配向させて熱処理することも
できる。これらの延伸配向処理は脱スルホニウム
塩処理をおこなう前か同時におこなうことができ
る。配向は成形方法を工夫することで、たとえば
高い剪断力による押出しなどもできるが、スルホ
ニウム塩溶液からの成形物を延伸することにより
高い配向性を賦与することができる。
できる。これらの延伸配向処理は脱スルホニウム
塩処理をおこなう前か同時におこなうことができ
る。配向は成形方法を工夫することで、たとえば
高い剪断力による押出しなどもできるが、スルホ
ニウム塩溶液からの成形物を延伸することにより
高い配向性を賦与することができる。
この延伸配向化は高い導電性を得るためには極
めて重要な操作である。
めて重要な操作である。
本発明により得られたポリ−核アルコキシ置換
−ｐ−フエニレンビニレンは電子受容体あるいは
電子供与体をドーピングすることによつて高導電
性組成物を与えることができる。ここでいう電子
受容体、あるいは電子供与体としては、従来の導
電性高分子化合物たとえばポリアセチレンなどの
ドーピング、あるいはグラフアイトの層間化合物
の形成により導電性向上効果の見出されている化
合物が効果的に用いられる。
−ｐ−フエニレンビニレンは電子受容体あるいは
電子供与体をドーピングすることによつて高導電
性組成物を与えることができる。ここでいう電子
受容体、あるいは電子供与体としては、従来の導
電性高分子化合物たとえばポリアセチレンなどの
ドーピング、あるいはグラフアイトの層間化合物
の形成により導電性向上効果の見出されている化
合物が効果的に用いられる。
本発明組成物は、任意の方法で得ることができ
るが、従来知られている化学ドーピング、電解ド
ーピング、光ドーピング、イオンインプランテー
シヨン等の手法によりドーピングすることが好ま
しい。
るが、従来知られている化学ドーピング、電解ド
ーピング、光ドーピング、イオンインプランテー
シヨン等の手法によりドーピングすることが好ま
しい。
具体的には、電子受容体としては
ハロゲン化合物類：フツ素、塩素、臭素、ヨウ
素、塩化ヨウ素、三塩化ヨウ素、臭化ヨウ
素、五フツ化ヨウ素 ルイス酸類：五フツ化リン、五フツ化砒素、五フ
ツ化アンチモン、三フツ化ホウ素、三塩化ホ
ウ素、三臭化ホウ素、三酸化硫黄 プロトン酸類：フツ化水素、塩化水素、硝酸、硫
酸、過塩素酸、フツ化スルホン酸、塩化スル
ホン酸、三フツ化メタンスルホン酸 遷移金属塩化物類：四塩化チタン、四塩化ジルコ
ニウム、四塩化ハフニウム、五塩化ニオブ、
五塩化タンタル、五塩化モリブデン、六塩化
タングステン、三塩化鉄 有機化合物類：テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、クロラニル、ジクロルジ
シアノベンゾキノン 電子供与体としては アルカリ金属類：リチウム、ナトリウム、カリウ
ム、ルビジウム、セシウム 第４級アンモニウム塩類：テトラアルキルアンモ
ニウムイオン などが例示される。
素、塩化ヨウ素、三塩化ヨウ素、臭化ヨウ
素、五フツ化ヨウ素 ルイス酸類：五フツ化リン、五フツ化砒素、五フ
ツ化アンチモン、三フツ化ホウ素、三塩化ホ
ウ素、三臭化ホウ素、三酸化硫黄 プロトン酸類：フツ化水素、塩化水素、硝酸、硫
酸、過塩素酸、フツ化スルホン酸、塩化スル
ホン酸、三フツ化メタンスルホン酸 遷移金属塩化物類：四塩化チタン、四塩化ジルコ
ニウム、四塩化ハフニウム、五塩化ニオブ、
五塩化タンタル、五塩化モリブデン、六塩化
タングステン、三塩化鉄 有機化合物類：テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、クロラニル、ジクロルジ
シアノベンゾキノン 電子供与体としては アルカリ金属類：リチウム、ナトリウム、カリウ
ム、ルビジウム、セシウム 第４級アンモニウム塩類：テトラアルキルアンモ
ニウムイオン などが例示される。
ドーピング試剤の好ましい含有量はドーピング
試剤の種類によつて変るが、一般にドーピングの
条件、例えばドーピング時間、ドーピング試剤濃
度などにより任意にかえることができる。一般に
好ましい含有量は共役系に関与するCH−単位に
対するドーパントのモル数は0.01〜0.3モルであ
り、モル数が少ないと高導電性とならず、またモ
ル数が多いと電度度は飽和する傾向があるので経
済的でない。これらドーピング試剤うち、生成す
る共役結合、およびジアルコキシ置換基と反応し
ないドーパントは高導電性組成物を与えるので好
ましい。特に無水硫酸もしくは発煙硫酸およびヨ
ウ素が効果的なドーピング試剤としてあげられ
る。
試剤の種類によつて変るが、一般にドーピングの
条件、例えばドーピング時間、ドーピング試剤濃
度などにより任意にかえることができる。一般に
好ましい含有量は共役系に関与するCH−単位に
対するドーパントのモル数は0.01〜0.3モルであ
り、モル数が少ないと高導電性とならず、またモ
ル数が多いと電度度は飽和する傾向があるので経
済的でない。これらドーピング試剤うち、生成す
る共役結合、およびジアルコキシ置換基と反応し
ないドーパントは高導電性組成物を与えるので好
ましい。特に無水硫酸もしくは発煙硫酸およびヨ
ウ素が効果的なドーピング試剤としてあげられ
る。
本発明により得られたポリ−核アルコキシ置換
−ｐ−フエニレンビニレンはドーパントとして特
に酸化力の弱いヨウ素を用いると100S／cm以上
の高導電性の組成物を与えることができる。
−ｐ−フエニレンビニレンはドーパントとして特
に酸化力の弱いヨウ素を用いると100S／cm以上
の高導電性の組成物を与えることができる。
ここで特筆すべきことは、この様にして得られ
るポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニ
レンあるいは、この構造単位を主体とする共重合
体はドーピングにより置換基のつかないポリ−ｐ
−フエニレンビニレンよりも著るしく導電性が向
上することを見出したことである。
るポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニ
レンあるいは、この構造単位を主体とする共重合
体はドーピングにより置換基のつかないポリ−ｐ
−フエニレンビニレンよりも著るしく導電性が向
上することを見出したことである。
理由は推測の域を出ないが、電子供与性である
アルコキシ基が、共役系高分子に組みこまれるこ
とにより、高分子のイオン化ポテンシヤルを下げ
ドーパントと錯化しやすくなつたためと考えられ
る。
アルコキシ基が、共役系高分子に組みこまれるこ
とにより、高分子のイオン化ポテンシヤルを下げ
ドーパントと錯化しやすくなつたためと考えられ
る。
さらに、本発明で得られるポリ−核アルコキシ
置換−ｐ−フエニレンビニレンは意外にも酸化安
定性に優れ導電材料として極めて好ましい。
置換−ｐ−フエニレンビニレンは意外にも酸化安
定性に優れ導電材料として極めて好ましい。
本発明で得られたポリ−核アルコキシ置換−ｐ
−フエニレンビニレンはドーピング試剤と組み合
わせることにより、導電性を利用した電気・電子
材料への種々の応用が可能であり、その用途は特
に限定されない。
−フエニレンビニレンはドーピング試剤と組み合
わせることにより、導電性を利用した電気・電子
材料への種々の応用が可能であり、その用途は特
に限定されない。
以上本発明を実施例によつてさらに詳細に説明
するが本発明はこれら実施例によつて何ら限定さ
れるものではない。
するが本発明はこれら実施例によつて何ら限定さ
れるものではない。
実施例 １
２，５−ジメトキシ−Ｐ−キシリレンビス（ジ
メチルスルホニウムブロミド）3.6ｇをイオン交
換水50mlに溶解せしめた後、0.3規定NaOH水溶
液50mlを０〜５℃で15分かけて滴下し、滴下後０
〜５℃で30分間撹拌をつづけた。反応後0.77規定
HBr水溶液を用いて中和し、さらにNaOH仕込
み当量まで0.77規定HBrを加えた。
メチルスルホニウムブロミド）3.6ｇをイオン交
換水50mlに溶解せしめた後、0.3規定NaOH水溶
液50mlを０〜５℃で15分かけて滴下し、滴下後０
〜５℃で30分間撹拌をつづけた。反応後0.77規定
HBr水溶液を用いて中和し、さらにNaOH仕込
み当量まで0.77規定HBrを加えた。
この反応液を透析膜（セロチユーブ
、分子量
分画8000）を用いて１日間透析処理をおこなつ
た。
分画8000）を用いて１日間透析処理をおこなつ
た。
この液をキヤストし、40℃以下で減圧乾燥し、
厚さ3μの淡赤色のスルホニウム塩を側鎖に有す
る高分子スルホニウム塩フイルムを得た。
厚さ3μの淡赤色のスルホニウム塩を側鎖に有す
る高分子スルホニウム塩フイルムを得た。
このフイルム（長さ５cm、巾３cm）を窒素雰囲
気下で、横型管状炉を用い200℃、30分間で詳置
加熱処理をおこないフイルム状のポリ−２，５−
ジメトキシフエニレンビニレンを得た。
気下で、横型管状炉を用い200℃、30分間で詳置
加熱処理をおこないフイルム状のポリ−２，５−
ジメトキシフエニレンビニレンを得た。
この構造は元素分析ならびに赤外吸収スペクト
ルの特性吸収が脱ハロゲン化水素法で得られた標
品と一致することから確認した。
ルの特性吸収が脱ハロゲン化水素法で得られた標
品と一致することから確認した。
参考例 １
実施例１で得られたポリ−２，５−ジメトキシ
フエニレンビニレンのフイルムに電子受容体化合
物として、ヨウ素を使用し常法により室温で気相
からのドーピングをおこなつたところ、18時間で
155S／cmの電導度を示した。（電導度の測定は４
端子法でおこなつた。）ドーピング後空気中に４
日間放置したものの電導度は、11S／cmであつ
た。
フエニレンビニレンのフイルムに電子受容体化合
物として、ヨウ素を使用し常法により室温で気相
からのドーピングをおこなつたところ、18時間で
155S／cmの電導度を示した。（電導度の測定は４
端子法でおこなつた。）ドーピング後空気中に４
日間放置したものの電導度は、11S／cmであつ
た。
参考例 ２
実施例１で得たポリ−２，５−ジメトキシ−ｐ
−フエニレンビニレンのフイルムを無水硫酸の発
生源として30％発煙硫酸を使用しドーピングをお
こなつたところ、10.3S／cmの電導度であつた。
−フエニレンビニレンのフイルムを無水硫酸の発
生源として30％発煙硫酸を使用しドーピングをお
こなつたところ、10.3S／cmの電導度であつた。
参考例 ３
実施例１記載の方法で得た高分子スルホニウム
塩フイルムをキヤストし窒素雰囲気下、200℃で
30分間加熱して得られたフイルムを電解液として
0.5規定LiclO4−プロピレンカーボネート溶液を
用い電解ドーピングをおこなつたところ得られた
フイルムは光沢のある黒色となり電導度は53S／
cmであつた。
塩フイルムをキヤストし窒素雰囲気下、200℃で
30分間加熱して得られたフイルムを電解液として
0.5規定LiclO4−プロピレンカーボネート溶液を
用い電解ドーピングをおこなつたところ得られた
フイルムは光沢のある黒色となり電導度は53S／
cmであつた。
実施例 ２
２，５−ジエトキシ−ｐ−キシリレンビスジエ
チルスルホニウムブロミド1.5grを蒸留水および
エタノールの混合溶媒（重量比１：２）50mlで溶
解した後、０℃に冷却する。ついであらかじめス
ルホニウム塩に対し２倍量に相当するＯ型に変
換された強塩基性イオン交換樹脂（Amberlite
1RA−401）を10分間かけて徐々に加え０〜５℃
で100分撹拌をつづける。
チルスルホニウムブロミド1.5grを蒸留水および
エタノールの混合溶媒（重量比１：２）50mlで溶
解した後、０℃に冷却する。ついであらかじめス
ルホニウム塩に対し２倍量に相当するＯ型に変
換された強塩基性イオン交換樹脂（Amberlite
1RA−401）を10分間かけて徐々に加え０〜５℃
で100分撹拌をつづける。
反応後、過をおこないイオン交換樹脂を除い
た後、この過液を０℃〜５℃で透析膜（セロチ
ユーブ分子量分画3500）を用いて、透析処理をお
こなつた。この液をキヤストし、30℃で24時間減
圧乾燥をおこなつた。
た後、この過液を０℃〜５℃で透析膜（セロチ
ユーブ分子量分画3500）を用いて、透析処理をお
こなつた。この液をキヤストし、30℃で24時間減
圧乾燥をおこなつた。
得られた高分子スルホニウム塩フイルムを窒素
流通下、200℃迄に加熱延伸処理をおこない、２
倍に延伸されたポリ−２，５−ジエトキシ−ｐ−
フエニレンビニレン延伸フイルムを合成した。
流通下、200℃迄に加熱延伸処理をおこない、２
倍に延伸されたポリ−２，５−ジエトキシ−ｐ−
フエニレンビニレン延伸フイルムを合成した。
参考例 ４
実施例２で得られたポリ−２，５−ジエトキシ
フエニレンビニレンのフイルムに常法によりヨウ
素でドーピングをおこない、電導度を測定する
と、２倍延伸フイルムで71S／cmであつた。
フエニレンビニレンのフイルムに常法によりヨウ
素でドーピングをおこない、電導度を測定する
と、２倍延伸フイルムで71S／cmであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 Ｒ：炭素数１〜６のアルキル基 R2、R3：炭素数１〜10の炭化水素基 Ｘ：対イオン ｎ：５以上の整数 ｍ：１〜２ で表される高分子スルホニウム塩を不活性雰囲気
中で脱スルホニウム塩処理を行うことを特徴とす
るポリ−核アルコキシ置換−ｐ−フエニレンビニ
レンの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11712383A JPS6011528A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 置換ポリフェニレンビニレンの製造方法 |
| US06/602,534 US4528118A (en) | 1983-04-28 | 1984-04-20 | Highly electroconductive conjugated polymer composition and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11712383A JPS6011528A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 置換ポリフェニレンビニレンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6011528A JPS6011528A (ja) | 1985-01-21 |
| JPH0415813B2 true JPH0415813B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=14703998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11712383A Granted JPS6011528A (ja) | 1983-04-28 | 1983-06-30 | 置換ポリフェニレンビニレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6011528A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258832A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性有機重合体及びその製造方法 |
| JPS63178138A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-07-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 共役系高分子延伸成形体の製造方法 |
| JPH0725868B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1995-03-22 | 工業技術院長 | 長鎖置換ポリフェニレンビニレンの前駆体、長鎖置換ポリフェニレンビニレンの製造法および高導電性組成物 |
| JP2526976B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1996-08-21 | 住友化学工業株式会社 | 新規高分子化合物、その製造法及びその高分子化合物から共役系高分子を製造する方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3992203A (en) * | 1975-04-18 | 1976-11-16 | Veb Pentacon Dresden | Polyphenylenevinylene photoconductor composition sensitized with a 1,4-bis (styryl) benzene derivative |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11712383A patent/JPS6011528A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6011528A (ja) | 1985-01-21 |
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