JPH04162550A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04162550A JPH04162550A JP2400418A JP40041890A JPH04162550A JP H04162550 A JPH04162550 A JP H04162550A JP 2400418 A JP2400418 A JP 2400418A JP 40041890 A JP40041890 A JP 40041890A JP H04162550 A JPH04162550 A JP H04162550A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
本発明は樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関
し、特に半導体チップを搭載した金属製放熱板の形状と
樹脂封止方法に関する。 ［０００２］
し、特に半導体チップを搭載した金属製放熱板の形状と
樹脂封止方法に関する。 ［０００２］
従来許容損失の大きいパワートランジスタ等の半導体チ
ップを搭載する樹脂封止型半導体装置では、半導体チッ
プの発熱を逃すため、１〜２ｍｍの厚さを持つ金属製の
放熱板上に半導体チップを搭載している。近年、この放
熱板を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂でフルモールドし
た製品が考案されている。しかしこの金属製の放熱板は
銅等で構成されているため、質量が大きく、自重により
外部に導出したリード位置に対して変形等が発生し、樹
脂封止時の成形金形内（キャビティ）で不安定となり、
モールド内の位置精度が確保でないという問題があった
。 ［０００３］ 次に従来の樹脂封止型半導体装置の一例を図８ （ａ）
、 （ｂ）を用いて説明する。パワーデバイスを構成
する半導体チップ１を搭載した銅等からなる金属性の矩
形状の放熱板２が、エポキシ樹脂３により封止され、樹
脂の一端面から電極となる外部リード４が出ており、外
部リード４はワイヤ６により半導体チップ１に接続され
ている。この放熱板２の表裏を全て樹脂で被覆するため
には、樹脂対土工程で成形金型内の放熱板２を浮かせた
状態で固定する。その方法の一つとして、例えば特開昭
６０−１８０１２７号公報に示されているように、リー
ド４の導出方向と反対の放熱板先端を成形金型内に形成
された挟持体で挟み込む方法が用いられる。 ［０００４］ 以下その方法について図９ （ａ）、 （ｂ）を用い
て説明する。まず、図９ （ａ）に示すように、成形金
型を開いた状態で突起状の挟持体８Ａを有する上金型７
Ａと、下金型７Ｂの内部に半導体チップを搭載した放熱
板２及び外部リード４を置く。次に図９（ｂ）に示す通
り、上金型７Ａと下金型７Ｂを閉じ、放熱板２の先端と
り−ド４を固定する。その後、上記金型内にエポキシ樹
脂等を加圧注入し、加熱硬化したのち取り出す。 ［０００５］
ップを搭載する樹脂封止型半導体装置では、半導体チッ
プの発熱を逃すため、１〜２ｍｍの厚さを持つ金属製の
放熱板上に半導体チップを搭載している。近年、この放
熱板を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂でフルモールドし
た製品が考案されている。しかしこの金属製の放熱板は
銅等で構成されているため、質量が大きく、自重により
外部に導出したリード位置に対して変形等が発生し、樹
脂封止時の成形金形内（キャビティ）で不安定となり、
モールド内の位置精度が確保でないという問題があった
。 ［０００３］ 次に従来の樹脂封止型半導体装置の一例を図８ （ａ）
、 （ｂ）を用いて説明する。パワーデバイスを構成
する半導体チップ１を搭載した銅等からなる金属性の矩
形状の放熱板２が、エポキシ樹脂３により封止され、樹
脂の一端面から電極となる外部リード４が出ており、外
部リード４はワイヤ６により半導体チップ１に接続され
ている。この放熱板２の表裏を全て樹脂で被覆するため
には、樹脂対土工程で成形金型内の放熱板２を浮かせた
状態で固定する。その方法の一つとして、例えば特開昭
６０−１８０１２７号公報に示されているように、リー
ド４の導出方向と反対の放熱板先端を成形金型内に形成
された挟持体で挟み込む方法が用いられる。 ［０００４］ 以下その方法について図９ （ａ）、 （ｂ）を用い
て説明する。まず、図９ （ａ）に示すように、成形金
型を開いた状態で突起状の挟持体８Ａを有する上金型７
Ａと、下金型７Ｂの内部に半導体チップを搭載した放熱
板２及び外部リード４を置く。次に図９（ｂ）に示す通
り、上金型７Ａと下金型７Ｂを閉じ、放熱板２の先端と
り−ド４を固定する。その後、上記金型内にエポキシ樹
脂等を加圧注入し、加熱硬化したのち取り出す。 ［０００５］
この従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、放熱
板２を成形金型内に形方向の位置精度は良好で安定する
が、放熱板２に前工程（マウント、ボンディング工程等
）やハンドリング時、横方向にずれやねじれが生じた場
合その状態で成形金型内に固定されるため放熱板側面の
樹脂厚が減少し、絶縁耐圧の低下を招くという問題点が
あった。 ［０００６］ また、ずれが大きい場合は、上下金型を閉じた時に、放
熱板のカジリ等が発生し、製造工程内でのトラブルや歩
留の低下を招く恐れがあった。 ［０００７］ 更に、樹脂側面と放熱板側面の距離に、放熱板の横方向
ずれを考慮した余分なりリアランスを持たせると、樹脂
注入時に、放熱板裏面に流入した樹脂が放熱板の表面に
回り込み、裏面の充填性を損うなめ、裏面の樹脂厚を薄
くすることが困難になるという問題点もあった。 ［０００８］
板２を成形金型内に形方向の位置精度は良好で安定する
が、放熱板２に前工程（マウント、ボンディング工程等
）やハンドリング時、横方向にずれやねじれが生じた場
合その状態で成形金型内に固定されるため放熱板側面の
樹脂厚が減少し、絶縁耐圧の低下を招くという問題点が
あった。 ［０００６］ また、ずれが大きい場合は、上下金型を閉じた時に、放
熱板のカジリ等が発生し、製造工程内でのトラブルや歩
留の低下を招く恐れがあった。 ［０００７］ 更に、樹脂側面と放熱板側面の距離に、放熱板の横方向
ずれを考慮した余分なりリアランスを持たせると、樹脂
注入時に、放熱板裏面に流入した樹脂が放熱板の表面に
回り込み、裏面の充填性を損うなめ、裏面の樹脂厚を薄
くすることが困難になるという問題点もあった。 ［０００８］
第１の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩形状の放熱板
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板の少くとも一端面に、樹脂封止時
の放熱板の位置ずれを防止するための溝を設けたもので
ある。 ［０００９］ 第２の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩形状の放熱板
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板のコーナー部に樹脂封止時の放熱
板の位置ずれを防止するための切り欠き部を設けたもの
である。 ［００１０］ 第３の発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、矩形
状の放熱板の一端の２特開平４−１に２５５０ （５） つのコーナー部に切り欠き部を設け、この放熱板上に半
導体チップを搭載し、放熱板の他端部に一体的に形成さ
れた外部リードと前記半導体チップとをワイヤーにより
接続し、矩形状のくぼみの２隅の内側に放熱板の位置決
め用の傾斜稜を有する固定ブロックが設けられた下金型
内に前記放熱板の切り欠き部が傾斜稜に接するように置
き、矩形状のくぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピン
を有する上金型をこの放熱板上に置き、これら金型内に
樹脂を注入するものである。 ［００１１］
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板の少くとも一端面に、樹脂封止時
の放熱板の位置ずれを防止するための溝を設けたもので
ある。 ［０００９］ 第２の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩形状の放熱板
と、この放熱板上に固着された半導体チップと、前記放
熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップとワイヤによ
り接続された外部リードと、前記放熱板と前記半導体チ
ップと前記外部リードの一部を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記外部リードの導出
方向を除く前記放熱板のコーナー部に樹脂封止時の放熱
板の位置ずれを防止するための切り欠き部を設けたもの
である。 ［００１０］ 第３の発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、矩形
状の放熱板の一端の２特開平４−１に２５５０ （５） つのコーナー部に切り欠き部を設け、この放熱板上に半
導体チップを搭載し、放熱板の他端部に一体的に形成さ
れた外部リードと前記半導体チップとをワイヤーにより
接続し、矩形状のくぼみの２隅の内側に放熱板の位置決
め用の傾斜稜を有する固定ブロックが設けられた下金型
内に前記放熱板の切り欠き部が傾斜稜に接するように置
き、矩形状のくぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピン
を有する上金型をこの放熱板上に置き、これら金型内に
樹脂を注入するものである。 ［００１１］
次に本発明について図面を参照して説明する。図１
（ａ）、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図及
びＡ−Ａ線断面図である。 ［００１２］ 図１ （ａ）、 （ｂ）において、銅等からなる矩形
状の放熱板２上には半導体チップ１が固着されており、
この半導体チップ１は放熱板２の周辺部に設げられた外
部リード４とワイヤ６により接続されている。そして特
に放熱板２の外部り一部４と反対側の端部には、樹脂封
止時の放熱板の位置ずれを防止するための約３０°の角
度を有する７字形溝９が２ケ所に設けである。エポキシ
樹脂３はこの放熱板２と半導体チップ１と外部リード４
の一部を封止している。面図１ （ａ）（ｂ）において
５は樹脂封止時における金型に設けられた挟持体跡であ
り、放熱板面に対して４５°の角度を有している。 ［００１３］ 次に図２ （ａ）、 （ｂ）を用い実施例の樹脂封止
方法を説明する。図２（ａ）は成形金型を開いた状態で
あり、上・下金型７Ａ、７Ｂには図３に示すように、放
熱板を挾む部分が４５°に形成された突起状の挟持体８
が設けられている。これらの金型内に、半導体チップ１
を搭載し先端部に７字形溝９を有する放熱板２及びリー
ド４を置く。次に図２（ｂ）に示す通り、上金型７Ａと
下金型７Ｂを閉じて固定する。その後金型内にエポキシ
樹脂を加工注入し加熱硬化したのち取り出す。 ［００１４］ このように第１の実施例によれば、樹脂封止時に挟持体
８により７字形溝９を打開＋４−１Ｆ；２５５０ （５
） 使って放熱板２の位置ずれやねじれを補正することがで
きるので、エポキシ樹脂３を放熱板の表面に均一に固着
することができる。 ［００１５］ 図４は本発明の第２の実施例の平面図である。半導体チ
ップ１を搭載した金属製の放熱板２の外部リード４の導
出方向を除いた３方向の端面に３ｍｍｆｐＷｉのＵ字形
溝１０を設け、外部リード４の一部を除きエポキシ樹脂
５で被覆する。放熱板のＵ字形溝１０と対応する樹脂部
には、２ｍｍ幅で且つ放熱板面に対して４５゜の角度を
有するＵ字形状の挟持体跡５Ａを有している。製造方法
は第１の実施例と同様である。木簡２の実施例ではＵ字
形溝１０を放熱板２の３方向の端部に設けであるため、
放熱板の位置ずれをより少くすることができる。 ［００１６］ 図５（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第３の実施例を説明する
ための半導体チップを搭載したリードフレームの平面図
と上金型及び下金型の斜視図であり、図６は上記リード
フレームと成形金型により形成された樹脂封止型半導体
装置のモールド内の透視図である。 ［００１７］ まず図５ （ａ）に示すようにリードフレームは、金属
製の放熱板２上に半導体チップ１が半田等で接着され、
放熱板２から外部電極となる外部リード４Ａが導出され
ている。そして外部リード４Ａと並行に形成された外部
リード４は半導体チップ１の表面電極とアルミのワイヤ
６で接続されている。又、外部リード４及び４Ａは共通
細条１２により接続されている。更に外部リード４の導
出方向と反対側の放熱板２の２つのコーナー部には、そ
れぞれ６０°の切り欠き部６が設けられている。通常、
放熱板２は共通細条１２により複数個接続されている。 ［００１８］ 成形金型は図５ （ｂ）、 （Ｃ）に示すように、上
金型１７Ａと下金型１７Ｂとに分かれている。上金型１
７Ａの矩形状のくぼみ１３Ａ内には、先端部が円錐状の
２本の固定ピン１４が設げられており、一方下金型１７
Ｂでは矩形状のくぼみ１３Ｂの２隅に放熱板２の切り欠
き部１１に対向する位置に傾斜稜１６を持つ四角錐状の
固定ブロック１５が設けられている。
（ａ）、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図及
びＡ−Ａ線断面図である。 ［００１２］ 図１ （ａ）、 （ｂ）において、銅等からなる矩形
状の放熱板２上には半導体チップ１が固着されており、
この半導体チップ１は放熱板２の周辺部に設げられた外
部リード４とワイヤ６により接続されている。そして特
に放熱板２の外部り一部４と反対側の端部には、樹脂封
止時の放熱板の位置ずれを防止するための約３０°の角
度を有する７字形溝９が２ケ所に設けである。エポキシ
樹脂３はこの放熱板２と半導体チップ１と外部リード４
の一部を封止している。面図１ （ａ）（ｂ）において
５は樹脂封止時における金型に設けられた挟持体跡であ
り、放熱板面に対して４５°の角度を有している。 ［００１３］ 次に図２ （ａ）、 （ｂ）を用い実施例の樹脂封止
方法を説明する。図２（ａ）は成形金型を開いた状態で
あり、上・下金型７Ａ、７Ｂには図３に示すように、放
熱板を挾む部分が４５°に形成された突起状の挟持体８
が設けられている。これらの金型内に、半導体チップ１
を搭載し先端部に７字形溝９を有する放熱板２及びリー
ド４を置く。次に図２（ｂ）に示す通り、上金型７Ａと
下金型７Ｂを閉じて固定する。その後金型内にエポキシ
樹脂を加工注入し加熱硬化したのち取り出す。 ［００１４］ このように第１の実施例によれば、樹脂封止時に挟持体
８により７字形溝９を打開＋４−１Ｆ；２５５０ （５
） 使って放熱板２の位置ずれやねじれを補正することがで
きるので、エポキシ樹脂３を放熱板の表面に均一に固着
することができる。 ［００１５］ 図４は本発明の第２の実施例の平面図である。半導体チ
ップ１を搭載した金属製の放熱板２の外部リード４の導
出方向を除いた３方向の端面に３ｍｍｆｐＷｉのＵ字形
溝１０を設け、外部リード４の一部を除きエポキシ樹脂
５で被覆する。放熱板のＵ字形溝１０と対応する樹脂部
には、２ｍｍ幅で且つ放熱板面に対して４５゜の角度を
有するＵ字形状の挟持体跡５Ａを有している。製造方法
は第１の実施例と同様である。木簡２の実施例ではＵ字
形溝１０を放熱板２の３方向の端部に設けであるため、
放熱板の位置ずれをより少くすることができる。 ［００１６］ 図５（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第３の実施例を説明する
ための半導体チップを搭載したリードフレームの平面図
と上金型及び下金型の斜視図であり、図６は上記リード
フレームと成形金型により形成された樹脂封止型半導体
装置のモールド内の透視図である。 ［００１７］ まず図５ （ａ）に示すようにリードフレームは、金属
製の放熱板２上に半導体チップ１が半田等で接着され、
放熱板２から外部電極となる外部リード４Ａが導出され
ている。そして外部リード４Ａと並行に形成された外部
リード４は半導体チップ１の表面電極とアルミのワイヤ
６で接続されている。又、外部リード４及び４Ａは共通
細条１２により接続されている。更に外部リード４の導
出方向と反対側の放熱板２の２つのコーナー部には、そ
れぞれ６０°の切り欠き部６が設けられている。通常、
放熱板２は共通細条１２により複数個接続されている。 ［００１８］ 成形金型は図５ （ｂ）、 （Ｃ）に示すように、上
金型１７Ａと下金型１７Ｂとに分かれている。上金型１
７Ａの矩形状のくぼみ１３Ａ内には、先端部が円錐状の
２本の固定ピン１４が設げられており、一方下金型１７
Ｂでは矩形状のくぼみ１３Ｂの２隅に放熱板２の切り欠
き部１１に対向する位置に傾斜稜１６を持つ四角錐状の
固定ブロック１５が設けられている。
【Ｏ○１９】
この下金型１７Ｂ内に、放熱板２の切り欠き部１１が傾
斜稜１６に接するように置く。次で放熱板２の表面上に
上金型１７Ａを下金型１７Ｂに合わせて閉じる。この時
、放熱板２に横ずれ等があった場合でも下金型１７Ｂの
固定ブロック１５によって、放熱板２はずれと反対方向
に矯正され、キャビティ内の所定の位置に精度よく固定
される。最後に熱硬化性のエポキシ樹脂をキャビティ内
に注入し成形を完了する。 ［００２０］ このようにして製造された樹脂封止型半導体装置は、図
６に示したようにエポキシ樹脂３の表面には固定ピンの
跡１８および固定ブロックの跡１９が形成されている。 木簡３の実施例では固定ピン１４と固定ブロック１５が
放熱板２を点で支持しているため、放熱板２の露出部が
少くなり耐湿性を向上させることができる。 ［００２１］ 図７ （ａ）、 （ｂ）は本発明の第４の実施例を説
明するための上金型及び下金型の斜視図である。上金型
１７Ａにはバネにより支持され、パーティングラインよ
り飛び出した先端部が円錐状の２本の固定ピン１４Ａを
有し、且つ金型端面に下金型とかみ合う傾斜凸部１８が
設げられている。上金型１７Ｂの矩形状のくぼみ１３Ｂ
内には、放熱板２の切り欠き部１１と対向する位置に、
金型のパーティングライン上まで傾斜稜１６Ａを持つ四
角錐状の固定ブロック１５Ａを有し且つ上金型１７Ａの
傾斜凸部１８に合致する形状を有している。 ［００２２］ これらの成形金型を用いて樹脂封止する場合は、まず下
金型１７Ｂ内に図５（ａ）に示した放熱板２の裏面を合
わせて載置し、次に上金型１７Ａを閉じる。この時、放
熱板２に横ずれ等があった場合でもバネ支持の固定ピン
１４Ａにより放熱板２は、下金型１７Ｂの固定ブロック
１５Ａの傾斜稜１６Ａに沿って矯正され金型が完全に閉
じられた時にはキャビティ内の所定の位置に固定される
。 ［００２３］ この第４の実施例では固定ブロック１５Ａの傾斜稜１６
Ａがパーティングライ特開平４（ＥＥ２５５０ （Ｂ） ン上にまで形成されているため、放熱板２の横ずれが大
きい場合でも、放熱板２は金型にはさまれることなく矯
正されるため第３の実施例に比べ作業性が改善される。 ［００２４］
斜稜１６に接するように置く。次で放熱板２の表面上に
上金型１７Ａを下金型１７Ｂに合わせて閉じる。この時
、放熱板２に横ずれ等があった場合でも下金型１７Ｂの
固定ブロック１５によって、放熱板２はずれと反対方向
に矯正され、キャビティ内の所定の位置に精度よく固定
される。最後に熱硬化性のエポキシ樹脂をキャビティ内
に注入し成形を完了する。 ［００２０］ このようにして製造された樹脂封止型半導体装置は、図
６に示したようにエポキシ樹脂３の表面には固定ピンの
跡１８および固定ブロックの跡１９が形成されている。 木簡３の実施例では固定ピン１４と固定ブロック１５が
放熱板２を点で支持しているため、放熱板２の露出部が
少くなり耐湿性を向上させることができる。 ［００２１］ 図７ （ａ）、 （ｂ）は本発明の第４の実施例を説
明するための上金型及び下金型の斜視図である。上金型
１７Ａにはバネにより支持され、パーティングラインよ
り飛び出した先端部が円錐状の２本の固定ピン１４Ａを
有し、且つ金型端面に下金型とかみ合う傾斜凸部１８が
設げられている。上金型１７Ｂの矩形状のくぼみ１３Ｂ
内には、放熱板２の切り欠き部１１と対向する位置に、
金型のパーティングライン上まで傾斜稜１６Ａを持つ四
角錐状の固定ブロック１５Ａを有し且つ上金型１７Ａの
傾斜凸部１８に合致する形状を有している。 ［００２２］ これらの成形金型を用いて樹脂封止する場合は、まず下
金型１７Ｂ内に図５（ａ）に示した放熱板２の裏面を合
わせて載置し、次に上金型１７Ａを閉じる。この時、放
熱板２に横ずれ等があった場合でもバネ支持の固定ピン
１４Ａにより放熱板２は、下金型１７Ｂの固定ブロック
１５Ａの傾斜稜１６Ａに沿って矯正され金型が完全に閉
じられた時にはキャビティ内の所定の位置に固定される
。 ［００２３］ この第４の実施例では固定ブロック１５Ａの傾斜稜１６
Ａがパーティングライ特開平４（ＥＥ２５５０ （Ｂ） ン上にまで形成されているため、放熱板２の横ずれが大
きい場合でも、放熱板２は金型にはさまれることなく矯
正されるため第３の実施例に比べ作業性が改善される。 ［００２４］
以上説明したように本発明は、放熱板の少くとも一端に
、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するための溝ま
たは切り欠き部を設けることにより、樹脂封止工程で成
形金型内へ載置する放熱板の横方向の位置ずれやねじれ
を金型に設けた挟持体または固定ブロックにより修正で
きるため、樹脂中の放熱板の位置精度を向上させること
ができる。従って放熱板の成形金型によるカジリや成形
後の製品の放熱板側面の樹脂厚減少による絶縁耐圧の低
下を防止できる。又、樹脂側面と放熱板側面のクリアラ
ンスを減少させ、裏面樹脂厚を薄くした樹脂封止型半導
体装置が得られるという効果もある。
、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するための溝ま
たは切り欠き部を設けることにより、樹脂封止工程で成
形金型内へ載置する放熱板の横方向の位置ずれやねじれ
を金型に設けた挟持体または固定ブロックにより修正で
きるため、樹脂中の放熱板の位置精度を向上させること
ができる。従って放熱板の成形金型によるカジリや成形
後の製品の放熱板側面の樹脂厚減少による絶縁耐圧の低
下を防止できる。又、樹脂側面と放熱板側面のクリアラ
ンスを減少させ、裏面樹脂厚を薄くした樹脂封止型半導
体装置が得られるという効果もある。
【図１】
本発明の第１の実施例の平面図及びＡ−Ａ線断面図であ
る。
る。
【図２】
第１の実施例の樹脂封止工程を説明するための金型の断
面図である。
面図である。
【図３】
金型内に形成した挟持体の斜視図である。
【図４】
本発明の第２″の実施例の平面図である。
【図５】
本発明の第３の実施例を説明するためのリードフレーム
の平面図、上金型及び下金型の斜視図である。
の平面図、上金型及び下金型の斜視図である。
【図６】
第３の実施例により形成された樹脂封止型半導体装置の
透視図である。
透視図である。
【図７】
本発明の第４の実施例を説明するための上金型及び下金
型の斜視図である。
型の斜視図である。
【図８】
従来の樹脂封止型半導体装置の平面図及びＢ−Ｂ線断面
図である。
図である。
【図９】
従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂対土工程を説明する
ための金型の断面図である。
ための金型の断面図である。
１ 半導体チップ
２ 放熱板
３ ニポキシ樹脂
４ 外部リード
５ 挟持体跡
６ ワイヤ
７Ａ、１７Ａ 上金型
７Ｂ、１７Ｂ 上金型
８ 挟持体
９ ｖ字形溝
１０ Ｕ字形溝
１１ 切り欠き部
１２ 共通細条
１３Ａ、１３Ｂ ＜ぼみ
１４．１４Ａ 固定ピン
１５．１５Ａ 固定ブロック
１６ 傾斜稜
１８ 傾斜凸部
図面
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
１開＋４−１６２５５０ （１４）
【図６】
【図７】
【図８】
１１開平４−１６２５５０ （１７）
【図９】
Claims (3)
- 【請求項１】矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着さ
れた半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ前
記半導体チップとワイヤにより接続された外部リードと
、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの一
部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板の少
くとも一端面に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止
するための溝を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項２】矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着さ
れた半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ前
記半導体チップとワイヤにより接続された外部リードと
、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの一
部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板のコ
ーナー部に樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するた
めの切り欠き部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項３】矩形状の放熱板の一端の２つのコーナー部
に切り欠き部を設け、この放熱板上に半導体チップを搭
載し、放熱板の他端部に一体的に形成された外部リード
と前記半導体チップとをワイヤーにより接続し、矩形状
のくぼみの２隅の内側に放熱板の位置決め用の傾斜稜を
有する固定ブロックが設けられた下金型内に前記放熱板
の切り欠き部が傾斜稜に接するように置き、矩形状のく
ぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピンを有する上金型
をこの放熱板上に置き、これら金型内に樹脂を注入する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2400418A JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269490 | 1990-10-26 | ||
| JP2-112694 | 1990-10-26 | ||
| JP2400418A JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162550A true JPH04162550A (ja) | 1992-06-08 |
| JP2601033B2 JP2601033B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=26451799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400418A Expired - Fee Related JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601033B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101649328B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2016-08-18 | 김효성 | 암벽 굴착기와 이를 이용한 굴착방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6263944U (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | ||
| JPS6441145U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | ||
| JPS6472546A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Semiconductor device |
| JPH01120344U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
| JPH0241446U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
| JPH02152260A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止半導体装置およびそれの製造に用いる金型 |
| JPH02146449U (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 |
-
1990
- 1990-12-05 JP JP2400418A patent/JP2601033B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS6472546A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Semiconductor device |
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| JPH02146449U (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2601033B2 (ja) | 1997-04-16 |
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