JPH0416489B2 - - Google Patents

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JPH0416489B2
JPH0416489B2 JP23625287A JP23625287A JPH0416489B2 JP H0416489 B2 JPH0416489 B2 JP H0416489B2 JP 23625287 A JP23625287 A JP 23625287A JP 23625287 A JP23625287 A JP 23625287A JP H0416489 B2 JPH0416489 B2 JP H0416489B2
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poly
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precursor
polymer
film
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Kazumoto Murase
Toshihiro Oonishi
Masanobu Noguchi
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は高導電性組成物を与えるポリー２，５
−チエニレンビニレンの製造方法に関する。
＜従来の技術＞ ポリー２，５−チエニレンビニレンの直鎖状共
役高分子として知られ、その製造方法としてジホ
スホニウム塩とジアルデヒドとの反応による
Wittig反応法等により合成されることは公知であ
る（マクロモレキユラー・ヘミー131巻、15頁
（1970年）．また、ジスルホニウ塩を塩基で重合し
て得られる高分子スルホニウム塩を熱処理してポ
リー２，５−チエニレンビニレンを得る方法も知
られている（特開昭61−148231）。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかしながら、前者のポリー２，５−チエニレ
ンビニレンは粉末状で生成し、また低重合物を除
いて高分子は不溶不融でありそのままではフイル
ム状もしくは繊維状に成形することは実質的に不
可能であり、特殊な粉末成形法を用いても有用な
成形物は得られていなかつた。また、後者のスル
ホニウム塩を側鎖に有する前駆体より得られるフ
イルム状ポリー２，５−チエニレンビニレンをド
ーピングした組成物の電導度は最高15S／cmであ
り、導電性材料としては充分な高導電性とは言え
ない。
本発明者らはより高導電性を与えるポリー２，
５−チエニレンビニレンを得る方法を鋭意検討し
た結果、側鎖にエステル基を有する前駆体が有機
溶媒に対する溶解性、安定性に優れ、均質なフイ
ルム状成形体を与え、かつ前駆体のエステル基側
鎖の脱離処理により従来のポリー２，５−チエニ
レンビニレンより高導電性を与えるポリー２，５
−チエニレンビニレンに変換できることを見出し
た。
本発明の目的は成形性に優れた高導電性を与え
るポリー２，５−チエニレンビニレンの製造方法
を提供することにある。
＜問題点を解決するための手段＞ すなわち、本発明は、実質的に一般式(A) および一般式(B) R1：炭素数１〜10の炭化水素基 R2：水素または炭素数１〜10の炭化水素基 で表される繰り返し単位よりなり、且つ(A)単位の
数が２以上、(B)単位の数が２以上で、(A)単位の
数／(B)単位の数＝0.05〜９である構造の高分子前
駆体の側鎖を脱離処理することを特徴とする を主要な繰返し単位として含むポリー２，５−チ
エニレンビニレンの製造方法を提供する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明においてはポリー２，５−チエニレンビ
ニレンの前駆体として実質的に一般式(A) および一般式(B) R1：炭素数１〜10の炭化水素基 R2：水素または炭素数１〜10の炭化水素基 で表される繰り返し単位よりなり、且つ(A)単位の
数が２以上の整数、(B)単位の数が２以上の整数
で、(A)単位の数／(B)単位の数＝0.05〜９である構
造の側鎖にエステル基を有する共役系高分子の前
駆体を使用する。
一般式(1)中R1は炭素数１〜10の炭化水素基、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、２−エチルヘキシル、フエニ
ル、シクロヘキシル基等があげられるが、炭素数
１〜６の炭化水素基が好ましい。
本発明の前駆体は上記式(1)中でR2は水素また
は炭素数１〜10の炭化水素基、例えばメチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、２
−エチルヘキシル、フエニル、シクロヘキシル基
等があげられるが、炭素数１〜６の炭化水素基、
特にメチル、エチル基が好ましい。
本発明に使用される高分子前駆体の合成方法は
特に限定はないが、以下に述べるスルホニウム塩
分解法によるものがより高導電性を与えるポリー
２，５−チエニレンビニレンが得られるので特に
好ましい。
スルホニウム塩分解法に用いるモノマーは一般
式(C) R3，R4：炭素数１〜10の炭化水素基 A-：対イオン で示される２，５−チエニレンジメチレンビスス
ルホニウム塩であり、R3，R4は炭素数１〜10の
炭化水素基、例えばメチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、２−エチルヘキシ
ル、フエニル、シクロヘキシル、ベンジル基等が
挙げられるが、炭素数１〜６の炭化水素基特に、
メチル、エチル基が好ましい。
スルホニウム塩の対イオンA-は任意のものを
用いることができる。例えば、ハロゲン、水酸
基、４弗化ホウ素、過塩素酸、カルボン酸、スル
ホン酸イオン等を使用することでき、なかでも塩
素、臭素、ヨウ素などのハロゲン及び水酸基イオ
ンが好ましい。
縮合重合の溶媒としては水、アルコール単独、
ならびに水および／またはアルコールを含む混合
溶媒等が使用されるがアルカリの溶解度を上げる
ため水を含む溶媒が好ましい。
縮合重合に用いるアルカリ溶液はPH11以上の強
い塩基性溶液であることが好ましく、アルカリと
して水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
カルシウム、第４級アンモニウム塩水酸化物、ス
ルホニウム塩水酸化物、強塩基性イオン交換樹脂
（OH型）等を用いることができるが、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、強塩基性イオン交換
樹脂が好適に使用できる。
スルホニウム塩基が熱、光、紫外線、強い塩基
性条件等に敏感であり、重合後徐々に脱スルホニ
ウム塩化が起こり、エステル基への置換が有効に
行えなくなるので、縮合重合反応は比較的低温、
すなわち25℃以下、特に５℃以下の温度で反応を
実施することが好ましい。反応時間は重合温度に
より適宜決めればよく、特に限定されないが、通
常１分〜50時間の範囲内である。
本製造方法によれば、重合後、まず、高分子前
駆体はスルホニウム塩、すなわち を側鎖に有する高分子量の高分子電解質（高分子
スルホニウム塩）として生成するが、スルホニウ
ム塩側鎖が溶媒中に添加した有機酸イオン
（R1COO-）と反応し、有機酸よりのエステル基
〔式(1)中のOCOR1に該当する〕が側鎖となる。
したがつて、用いる溶媒中には上記のR1COO-
に対応する有機酸イオンを添加することが必須で
ある。これらの有機カルボン酸イオンは重合中ま
たは重合後に重合液に有機カルボン酸またはその
アルカリ金属塩を添加して用いるが、重合後添加
するのが高分子量の重合体を得るので好ましい。
用いる有機カルボン酸イオン量はスルホニウム塩
基に対して0.1から50倍等量用いるのが好ましく、
１〜20倍等量がより好ましい。用いる有機カルボ
ン酸のR1は炭素数１〜10のアルキル基、例えば
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、２−エチルヘキシル、フエニル、シクロ
ヘキシル基等が挙げられるが、炭素数１〜６の炭
化水素基が好ましい。スルホニウム塩側鎖は重合
や透析処理に用いる水またはアルコール
（R2OH）と反応し、水酸基またはアルコキシ基
（−OR2）を側鎖とする前駆体を与えるのでエス
テル基との置換反応を妨げる。水酸基への置換反
応に比べアルコキシ基置換反応の方がエステル基
への置換反応をより強く阻害するのでエステル基
置換を効率的に行うには溶媒として水または水／
アルコール混合溶媒を使用するのが効果的であ
り、水含有量が多い方がエステル基への置換に効
果的であるので好ましい。
エステル基との置換反応では反応速度の観点か
ら０℃から50℃が好ましく、より好ましくは０〜
25℃である。エステル基を側鎖に有する高分子は
一般的に用いた混合溶媒に不溶であるので反応の
進行とともに沈澱する。従つて反応時間は沈澱が
充分生ずるまで行うのが効果的であり、好ましく
は15分以上、より好ましくは１時間以上が例示さ
れる。
この様にして得られた高分子前駆体は、沈澱生
成物を濾過することにより分離される。この高分
子前駆体は側鎖にエステル基を有するが、エステ
ル基の含有率は簡便にはＨ−NMR測定により知
ることが出来る。得られた沈澱を重水素置換ジメ
チルスルホキシドに溶解した場合、4.8と4.5ppm
にアルコキシ基と水酸基が置換したメチン基のシ
グナルが見られるが、エステル基では6.0と
5.8ppm付近にシグナルが見らる。このシグナル
強度比より含有率を調べることができる。4.8と
4.5ppmのシグナル強度の和(B)と6.0と5.8ppmのシ
グナル強度の和(A)の比（Ａ／Ｂ）は溶解性、安定
性に効果的であるのは0.05以上であり、また完全
な置換は工業的でないので９以下であり、より好
ましくは0.1〜４である。
高導電性を与える共役系高分子を得るためには
高分子前駆体の分子量が充分大きいことが好まし
く、少なくとも一般式(1)の高分子前駆体のｎ＋ｍ
が４以上、好ましくは10ないし50000有するもの、
例えば分画分子量3500以上の透析膜による透析処
理で透析されない分子量を有するようなものが効
果的に用いられる。
本発明の特徴はエステル基を側鎖に有する高分
子前駆体は水に不溶であり、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスホキシ
ド、ジオキサン、クロロホルム等の有機溶媒に可
溶であることであり、また該溶液から任意の形状
の成形物を作ることができ、しかもエステル基の
脱離反応後に生成するポリー２，５−チエニレン
ビニレンがドーピングにより高導電性を与えるこ
とである。高分子成形物を得るには任意の方法が
用いられる。またその形態に関しては例えばフイ
ルム、繊維、塗布膜、その他任意の成形物を選ぶ
ことができる。特に有用な成形方法は高分子前駆
体溶液を用いる方法であり、これからのキヤスト
によるフイルム化または溶液紡糸による繊維化、
基質への溶液塗布を行う方法である。このとき予
め透析処理あるいは再沈澱処理などにより低分子
量物もしくは未反応物を除いた高分子前駆体前駆
体溶液を用いることが好ましい。
高分子前駆体の側鎖（エステル基および水酸基
および／またはアルコキシ基）の脱離処理により
ポリー２，５−チエニレンビニレンが製造でき
る。該側鎖の脱離処理は熱、光、紫外線などの条
件を適用することにより行うことができるが、加
熱処理が好ましい。また、高分子前駆体の側鎖の
脱離処理は不活性雰囲気で行行うことが好まし
い。ここでいう不活性雰囲気とは処理中に高分子
の酸化等の変質を起こさない雰囲気をいい、一般
には窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス
を用いて行われるが、真空下あるいは不活性媒体
中でこれを行つても良い。
熱により側鎖の脱離処理を行う場合、余りの高
熱での熱処理は生成するポリー２，５−チエニレ
ンビニレンの分解をもたらし、低温では生成反応
が遅く実際的でないので、通常処理温度は０℃〜
400℃、好ましくは50℃〜350℃が適する。さらに
好ましくは100℃〜320℃が適する。また、処理時
間は処理温度の兼ね合いで適宜時間を選ぶことが
できるが、１分〜10時間の範囲が工業上実際的で
ある。
このようにして製造されるポリー２，５−チエ
ニレンビニレンは２，５−チエニレンビニレンを
主要な構造単位に含む。本発明の製造方法によれ
ば、２，５−チエニレンビニレンの共役系の繰り
返し単位のみを有するポリー２，５−チエニレン
ビニレンを作ることが可能である他、共役系でな
い２，５−チエニレンビニレン骨格を一部構成単
位に含む重合体を作ることも可能である。
すなわち、不充分な脱離処理を行つた後の高分
子には未だエステル基が不完全な脱離状態にある
２，５−チエニレンエチレン骨格を有する構成単
位が存在することが赤外吸収スペクトル等により
観察される。この場合には柔軟性に富んだポリー
２，５−チエニレンビニレンが製造できる。な
お、２，５−チエニレンビニレン単位に対する
２，５−チエニレンエチレン単位の割合は使用目
的に応じ製造条件を任意に工夫することにより変
えることができる。導電性高分子材料等の目的に
は前者１に対して後者の割合が１以下が好まし
く、より好ましくは1/20以下である。
また高分子前駆体の成形物を延伸配向させて熱
処理することも出来る。これらの延伸配向処理は
側鎖の脱離処理を行う前、もしくは同時に行うこ
とができる。
配向は成形方法を工夫することで、たとえば高
い断力による押し出しなどでもできるが、高分子
前駆体溶液から高分子前駆体成形物を加熱延伸処
理することにより高い配向性を付与することがで
きる。この延伸配向の程度は偏向赤外スペクトル
により赤外二色性が現われることにより確認する
ことができる。
つぎに本発明における側鎖の脱離処理により得
られたポリー２，５−チエニレンビニレンは電子
受容体あるいは電子供与体（ドーパントと称す）
を作用させることにより高導電性組成物を与え
る。
ドーパントとしては公知の導電性高分子化合物
たとえばポリアセチレンなどのドーピング、ある
いはグラフアイトの層間化合物の形成により導電
性向上効果の見出されている化合物が効果的に用
いられ、任意の方法でドーピングすることができ
るが、従来知られている化学ドーピング、電解ド
ーピング、光ドーピング、イオンインプランテー
シヨン等の手法によりドーピングすることが好ま
しい。
具体的には、電子受容体としては ハロゲン化合物類：フツ素、塩素、臭素、ヨウ
素、塩化ヨウ素、三塩化ヨウ素、臭化ヨウ
素 ルイス酸類：五フツ化リン、五フツ化ひ素、五フ
ツ化アンチモン、三フツ化ホウ素、三塩化
ホウ素、三臭化ホウ素、三酸化硫黄 プロトン酸類：フツ化水素、塩化水素、硝酸、硫
酸、過塩素酸、フツ化スルホン酸、塩化ス
ルホン酸、三フツ化メタンスルホン酸 還移金属化物類：四塩化チタン、四塩化ジルコニ
ウム、四塩化ハフニウム、五塩化ニオブ、
五塩化タンタル、五塩化モリブデン、六塩
化タングステン、三塩化鉄 有機化合物類：テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、クロラニル、ジクロル
ジシアノベンゾキノン 電子供与体としては アルカリ金属類：リチウム、ナトリウム、カリウ
ム、ルビジウム、セシウム 第四級アンモニウム塩類：テトラアルキルアンモ
ニウムイオン などが例示される。
本発明で得られるポリー２，５−チエニレンビ
ニレンは、未配向のものでもドーピングすること
によつて20S／cmあるいはそれ以上の導電性を有
する高導電性組成物を与える。
＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明によれば、従来の
ポリー２，５−チエニレンビニレンに比較して高
導電性組成物を与えるポリー２，５−チエニレン
ビニレンを製造することができ、また本発明によ
り電気、電子材料の応用が可能な種々の形状を有
するポリー２，５−チエニレンビニレンが提供さ
れる。
＜実施例＞ 以上本発明を実施例によつてさらに詳細に説明
するが本発明はこれら実施例によつて何ら限定さ
れるものではない 参考例 １ （ポリー２，５−チエニレンビニレンの前駆体の
製造） ２，５−チエニレン−ビス（メチレンジメチル
スルホニウムブロミド）4.0ｇをイオン交換水100
mlに溶解せしめた後、１規定のNaOH 10mlとイ
オン交換水30mlとの混合溶液を０〜５℃で30分か
けて滴下し、滴下後０〜５℃で30分間攪拌を続け
た。この反応液に酢酸カリウム16ｇをイオン交換
水50ｇに溶解せしめた液を添加し、０〜５℃で酢
酸イオンとの反応を行つた。一日放置したところ
黄色の沈澱が生じた。この沈澱物はジメチルアセ
トアミドに100％溶解した。溶液よりキヤストし、
窒素気流下で乾燥し前駆体フイルムを得た。
一方、得られた沈澱を重水素置換ジメチルスル
ホキシドに溶解し、Ｈ−NMRを測定したとこ
ろ、6.0ppm、4.8ppm付近にプロトンのシグナル
が見られた。比較例２で述べるように4.8ppmの
シグナルは水酸基置換を反映したものである。新
たに出現した6.0ppmのシグナルはアセチル基に
置換した構造を反映したものと考えられる。
4.8ppmのシグナル強度と6.0ppmのシグナル強度
の比は約２：１であり、アセチル基は約33％置換
している。また、得られた前駆体の赤外吸収スペ
クトルでは1740cm-1にエステル結合の吸収が見ら
れた。これらの分析結果より前駆体高分子は水酸
基に加えてアセチル基を側鎖に有していることを
確認した。また、ジメチルホルムアミドを溶媒と
してゲルパーミエーシヨン・クロマトグラフによ
り重合度を測定したところポリスチレン換算の数
平均分子量から求めた重合度は1200であつた。
実施例 １ 参考例１で得たフイルム（長さ２cm、幅２cm）
を窒素雰囲気下で、横型管状炉を用いて200℃、
30分間で静置加熱処理を行い、金属光沢を有する
黒色ポリー２，５−チエニレンビニレンフイルム
を得た。この構造は元素分析値ならぴに赤外吸収
スペクトルの特性吸収がWittig法で得られた標品
と特性吸収が一致することから確認した。
参考例 ２ 実施例１で得られたポリー２，５−チエニレン
ビニレンフイルムに電子受容体化合物であるヨウ
素を使用し、常法により室温で気相からのドーピ
ングを行つたところ、４時間で26S／cmの電導度
を示した。なお電導度の測定は四端子法で行つ
た。
参考例 ３ 実施例１で得たポリー２，５−チエニレンビニ
レンのフイルムを30％発煙硫酸を発生源として三
酸化硫黄のドーピングを行つたところ、21S／cm
の電導度であつた。
参考例 ３ 実施例１で得たポリー２，５−チエニレンビニ
レンのフイルム電解液として0.5規定LiC104−ア
セトニトリル溶液を用い、電解ドーピングを行つ
たところ、得られたフイルムは光沢のある黒色と
なり、電導度は18S／cmであつた。
比較例 １ ２，５−チエニレンン−ビス（メチレンジメチ
ルスルホニウムブロミド）4.0ｇをイオン交換水
100mlに溶解せしめた後、１規定のNaOH10mlと
イオン交換水30mlとの混合溶液を０〜５℃で30分
かけて滴下し、滴下後０〜５℃で30分間攪拌を続
けた。この反応液を一日放置したところ黄色の沈
澱が生じた。この沈澱物はジメチルホルムアミド
に30％溶解した。得られた溶液よりキヤストし、
窒素気流下で乾燥し前駆体フイルムを得た。
一方、得られた沈澱を重水素置換ジメチルスル
ホキシドに溶解し、Ｈ−NMRを測定したとこ
ろ、水酸基が置換したメチン基のシグナルである
4.8ppm付近にプロトンのシグナルが見られた。
得えらたフイルム（長さ２cm、幅２cm）を窒素
雰囲気下で、横型管状炉を用いて200℃、30分間
で静置加熱処理を行い、金属光沢を有する黒色ポ
リー２，５−チエニレンビニレンフイルムを得
た。このフイルムに電子受容体化合物であるヨウ
素を使用し、常法により室温で気相からのドーピ
ングを行つたところ、５時間で21S／cmの電導度
を示した。
参考例 ４ （ポリー２，５−チエニレンビニレンの前駆体の
製造） ２，５−チエニレン−ビス（メチレンジメチル
スルホニウムブロミド）4.0ｇをイオン交換水と
メタノール混合溶媒（容量比１：１）100mlに溶
解せしめた後、１規定のNaOH 10mlとメタノー
ル30mlとの混合溶液を−30℃で30分かけて滴下
し、滴下後−30℃で１時間攪拌を続けた。この反
応液をHBrで中和した。この液に酢酸カリウム
20ｇをイオン交換水50ｇに溶解せしめた液を添加
し、０〜５℃で酢酸イオンとの反応を行つた。一
日放置したところ黄色の沈澱が生じた。この沈澱
物はジメチルホルムアミドに約100％溶解した。
溶液よりキヤストし、窒素気流下で乾燥し前駆体
フイルムを得た。
一方、得られた沈澱を重水素置換ジメチルスル
ホキシドに溶解し、Ｈ−NMRを測定したとこ
ろ、6.0ppm、5.8ppm、4.8ppm、4.5ppm付近に
プロトンのシグナルが見られた。比較例２で述べ
るように4.8と4.5ppmのシグナルはアルコキシ基
と水酸基によるものである。新たに出現した6.0
と5.8ppmのシグナルはアセチル基に置換した構
造を反映したものと考えられる。4.8と4.5ppmの
シグナル強度と6.0と5.8ppmのシグナル強度の比
は約３：１であり、アセチル基は約25％置換して
いる。また、得られた前駆体の赤外吸収スペクト
ルでは1740cm-1にエステル結合の吸収が見られ
た。これらの分析結果より前駆体高分子はアルコ
キシ基、水酸基に加えてアセチル基を側鎖に有し
ていることを確認した。
実施例 ２ 参考例４で得たフイルム（長さ２cm、幅２cm）
を窒素雰囲気下で、横型管状炉を用いて200℃、
30分間で静置加熱処理を行い、金属光沢を有する
黒色ポリー２，５−チエニレンビニレンフイルム
を得た。この構造は元素分析値ならびに赤外吸収
スペクトルの特性吸収がWittig法で得られた標品
と特性吸収が一致することから確認した。
参考例 ５ 実施例２で得られたポリー２，５−チエニレン
ビニレンのフイルムに電子受容体化合物であるヨ
ウ素を使用し、常法により室温で気相からのドー
ピングを行つたところ、２時間で23S／cmの電導
度を示した。
比較例 ２ ２，５−チエニレンン−ビス（メチレンジメチ
ルスルホニウムブロミド）7.8ｇをイオン交換水
とメタノール混合溶媒（容量比１：１）200mlに
溶解せしめた後、１規定のNaOH20mlとメタノ
ール80mlとの混合溶液を−30℃で30分かけて滴下
し、滴下後−30℃で30分間攪拌を続けた。この反
応液を素早く透析膜（セロチユーブ 、分子量分
画8000、ユニオンカーバイド社製）に入れ、０℃
に冷却した水−メタノール混合溶媒（１：１）に
浸して１日間透析処理を行つたところ、透析膜内
に黄色の沈澱が生じた。この沈澱物はジメチルホ
ルムアミドに約80％溶解した。得られた溶液をキ
ヤストし、窒素気流下で乾燥し前駆体フイルムを
得た。また、重水素置換ジメチルスルホキシドに
溶解し、Ｈ−NMRではアルコキシ基あるいは水
酸基が置換した部位のメチン基のシグナルである
4.8と4.5ppm付近にプロトンのシグナルが見られ
たが、水や溶媒の為に他のシグナルは不明であつ
た。得られた前駆体の赤外吸収スペクトルでは
1100cm-1にエーテル結合の吸収が見られた。これ
らの分析結果より前駆体高分子はメトキシ基を側
鎖に有していることを確認した。
参考例 ６ （ポリー２，５−チエニレンビニレンの前駆体の
製造） ２，５−チエニレン−ビス（メチレンジメチル
スルホニウムブロミド）4.0ｇをイオン交換水と
メタノール混合溶媒50mlに溶解せしめた後、−30
℃に冷却した。ついであらかじめスルホニウム塩
に対し２倍量に相当するOH型に変換された強塩
基性イオン交換樹脂（Amberlite IRA−401）、
ローム・アンド・ハース社製）を10分間かけて
徐々に加え、−30℃で50分攪拌を続けた。
反応後、反応液をイオン交換樹脂と分離し、過
液を０℃まで昇温し、ｎ−酪酸ナトリウム20ｇを
イオン交換水50ｇに溶解せしめた液を加え、０℃
で10時間放置したところ、黄色の沈澱が生じた。
この沈澱をジメチルホルムアミドに溶解後、水で
再沈澱させた。得られた沈澱物をジメチルホルム
アミドに溶解し、キヤストフイルムを得た。この
前駆体フイルムを重水素置換ジメチルスルホキシ
ドを溶媒としてＨ−NMRスペクトルを測定した
ところ、6.0，5.8，4.8および4.5ppmにプロトン
のシグナルが見られた。また、ジメチルホルムア
ミドを溶媒としてゲルパーミエーシヨン・クロマ
トグラフにより重合度を測定したところポリスチ
レン換算の数平均分子量から求めた重合度は830
であつた。
実施例 ３ 参考例６で得られた高分子前駆体フイルムを窒
素流通下、200℃迄に加熱延伸処理を行い、５倍
に延伸されたポリー２，５−チエニレンビニレン
延伸フイルムを得た。このフイルムの赤外吸収ス
ペクトルの特性吸収は実施例１で得られたものに
一致し、かつ、赤外二色性を示し、配向化してい
ることがわかつた。
参考例 ７ 実施例３で得たポリー２，５−チエニレンビニ
レンのフイルムに電子受容体化合物であるヨウ素
を使用し、常法により室温で気相からのドーピン
グを行つたところ、1140S／cmの電導度を示し
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式(A) および一般式(B) R1：炭素数１〜10の炭化水素基 R2：水素または炭素数１〜10の炭化水素基 で表される繰り返し単位よりなり、且つ(A)単位の
    数が２以上の整数、(B)単位の数が２以上の整数
    で、(A)単位の数／(B)単位の数＝0.05〜９である構
    造を有する高分子前駆体の側鎖を脱離処理するこ
    とを特徴とする を主要な繰返し単位として含む高導電性ポリー
    ２，５−チエニレンビニレンの製造方法。 ２ 該高分子前駆体が一般式(C) R3，R4：炭素数１〜10の炭化水素基 Ａ−：イオン で表されるスルホニウム塩モノマーをアルカリで
    重合し、ついで該重合体と有機酸イオン類を反応
    せしめて得られたものである特許請求の範囲第１
    項記載の製造方法
JP23625287A 1987-09-22 1987-09-22 Preparation of poly-2,5-thienylenevinylene Granted JPS6479222A (en)

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