JPH04171904A - 膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents

膜抵抗体のトリミング方法

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Publication number
JPH04171904A
JPH04171904A JP2300051A JP30005190A JPH04171904A JP H04171904 A JPH04171904 A JP H04171904A JP 2300051 A JP2300051 A JP 2300051A JP 30005190 A JP30005190 A JP 30005190A JP H04171904 A JPH04171904 A JP H04171904A
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JP
Japan
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trimming
value
cut
index
film resistor
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Pending
Application number
JP2300051A
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English (en)
Inventor
Toshio Takahashi
高橋 壽男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は膜抵抗体のトリミング方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、厚膜抵抗体において、高精度のトリミングを行お
うとした場合、通常、ダブルカットやバーニア付しカッ
トが用いられるが、第3図に示すように、抵抗値が所望
の値に達した時に瞬時にレーザ光を止めるトラッキング
トリミングとなっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
最近、厚膜抵抗体においても、薄膜抵抗体と同程度の高
精度、例えば目標値からのずれは3σ〜0.1を要求さ
れるようになってきた。しかしながら、抵抗体材料によ
っては、上述した従来の方法では、最終カットの微調時
にノイズ等の影響でランダムに低めにトリミングが終了
する場合があり、σ〜0.1でさえ実現できないことが
あった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の膜抵抗体のトリミング方法の特徴とするところ
は、2本以上のカットによるトリミングにおいて、最後
のカットを行う際、まず、目標値よりわずかにずれた指
定の設定値まで直線状にトリミングし、その終端を重ね
て、続けて、最終の目標値までインデイック状にカット
を行い、膜抵抗体の抵抗値を所望の値に調整することに
ある。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のトリミングパターン図であ
る。第1図において、1は電極、2は膜抵抗体である。
第1図はバーニア付しカットのパターンを示しており、
3.3’、4はそれぞれ直線状のトリミング溝、インデ
ィックス状のトリミング溝、L字状のトリミング溝を示
す、第2図は第1図中のトリミング溝3,3′の部分を
拡大したものである。長さaのトリミング溝3の部分は
第3図のトリミング溝と同じ方法でカットされたもので
ある。膜抵抗体が所定の値に達した時に瞬時にレーザを
止める、通常のトラッキングトリミングと呼ばれる方法
でなされたものである。
それに対して、トリミング溝3′の部分は、通常インデ
ィックスカットトリミングと呼ばれ、インデイック状長
bl、 b2+ b、(通常b1=b2=b、)分だけ
カットし、レーザ光をオフして、抵抗値が目標値に達し
たかどうかの判定あるいは測定をし、達していないなら
再びインデイック部分だけカットし、続いて、判定と同
様のことを繰り返す。判定あるいは測定時に積分効果に
よるノイズリダクションが可能となる。第1図、第2図
においては、3回繰り返されていることを示す。
トリミング手順は次の通りである。ます、例えば、目標
値の一8%までL字状にトリミングする。次に例えば目
標値の−0,2%丈で直線状にトリミングし、目標値の
一部、2%に達したら、レーザ光をオフせず、そのまま
、例えば目標値の−0,02%までインディックスカッ
トトリミングを行う。
トリミングに際し、より精度を上げるためにトリミング
溝3の設定値、インデイック長b1(=b2−b、)を
パラメータとする必要がある。
第4図は本発明の第2の実施例を示す、1本のカットが
L字状ではなく、直線状になっており、通常ダブルカッ
トと呼ばれる。カットの仕方は先の実施例と同じである
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、最終微調時にイン
ディックスカットを行うことにより、ノイズ等の除去が
可能となり、高精度のトリミング可能となる。又、ファ
ンクショントリミングのように、全カットにおいてイン
ディックスカットが行われていないため、高速性がそこ
なわれることがなく、結局のところ、高速でかつ、高精
度のトリミング(3σ、−>0.1)が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の膜抵抗体のトリミング方法を示す膜抵
抗体パターン図、第2図は第1図のパターンの一部の拡
大図、第3図は従来のトリミング方法を示す図で、第2
図に対応する図である。第4図は本発明の第2の実施例
を示す図である。 1・・・電極、2・・・膜抵抗体、3.5・・・直線状
のトリミング溝、3′・・・インディックス状のトリミ
ング溝、4・・・L字状のトリミング溝。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  絶縁基板上に形成された膜抵抗体に2本以上のカット
    を施して前記膜抵抗体の抵抗値を所望の値に調整するト
    リミング方法において、最後のカットを行う際、まず、
    目標値からわずかにずれた指定の設定値まで直線状にト
    リミングし、前記直線状のカットの終端に続けて、最終
    の目標値までインディックス状にカットすることを特徴
    とする膜抵抗体のトリミング方法。
JP2300051A 1990-11-06 1990-11-06 膜抵抗体のトリミング方法 Pending JPH04171904A (ja)

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