JPH0418486B2 - - Google Patents

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JPH0418486B2
JPH0418486B2 JP61005063A JP506386A JPH0418486B2 JP H0418486 B2 JPH0418486 B2 JP H0418486B2 JP 61005063 A JP61005063 A JP 61005063A JP 506386 A JP506386 A JP 506386A JP H0418486 B2 JPH0418486 B2 JP H0418486B2
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JP
Japan
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gate
input
control input
line
input signal
Prior art date
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JP61005063A
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English (en)
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JPS62164313A (ja
Inventor
Juji Hatano
Kunio Yamashita
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁束結合方式のスイツイング制御を行
うジヨセフソンデバイスに係り、特にフアンアウ
ト・フアンインを多くとつた磁束結合型ゲートや
閾値論理動作を行う磁束結合型ゲートに適用して
好適なジヨセフソンデバイスに関する。
〔発明の背景〕
磁束結合型のジヨセフソンゲートは入出力分離
が良好であり、高利得である等の特徴を有してい
る。そして、これを利用した様々なジヨセフソン
回路が作製されている。しかし、制御入力線が高
いインダクタンスを有することによつて種々の問
題が生じている。
第1図に、磁束結合型ゲート101の出力が、
同様の磁束結合型ゲート102及び103を負荷
としている場合の接続形態の一例を示す。同図中
伝送線104,105はそれぞれτ1とτ2の遅延時
間を有するものとする。ゲート101の出力信号
はこれらの伝送線上での遅延時間のほか、ゲート
102の制御入力線上でも遅延時間τ3の遅延を受
ける。該ゲート102の制御入力線のインダクタ
ンスをL、伝送線104,105の特性インピー
ダンスをZoとするとτ3L/Zoとなる。ゲート
101の出力が発生してから、該出力信号がゲー
ト102の制御入力線上に到達するまでの時間は
τ1であるが、ゲート103の制御入力線上に達す
るまでの時間はτ1+τ2+τ3である。磁束結合型ゲ
ートではLは小さくないのでτ3は無視しえない値
になる。
すなわちフアンアウトを多くとつていくと伝送
線の距離分以上に大きいフアンアウト遅延がかか
る。
また、入力インダクタンスが高いことはフアン
インを多くとろうとする場合にも障害になる。同
一のゲートで多数のフアンインを取る場合、通
常、磁束結合型ゲートでは第2図に示すように相
互に分離された独立の制御入力線を設けることが
行なわれている。同図で磁束結合型ゲート111
は制御入力線112及び113を有し、この制御
入力線は抵抗114で独立に終端されている。こ
のような方式では入力線相互間の分離は完全であ
る。しかし、通常3本以上の制御入力線に対して
結合度を均等にとることは困難である。そこで3
以上の入力に対して結合度を均等にとろうとする
場合には第2図に示したようにゲートの制御入力
線の後方に終端抵抗を持つてくるのではなく、第
3図に示すように制御入力線の前方で結合抵抗と
して終端抵抗を用い、複数の入力信号線を束ね
て、合計の入力が制御入力線に注入されるように
する方式が考えられる。同図で磁束結合型ゲート
121は制御入力線122及び123を有し、二
つの制御入力線の一端は接地点132で接地され
ている。入力信号線124と125は抵抗130
aを介して接続点131で制御入力線123に接
続される。同様に入力信号線126と127は抵
抗130bを介して接続点131bで制御入力線
122に接続される。すなわちゲート121のフ
アン・インは4となつている。しかし、入力信号
線間の完全な分離は保たれなくなつている。接続
点131aは直流的には接地されているが、高周
波的には制御入力線123のインダクタンスが接
地点132との間に介在する無視しえないインピ
ーダンスとなる。このためゲート128がスイツ
チして発生した出力信号が入力信号線124を経
て制御入力線123に入力される時に、一部反射
して入力信号線125上を戻ると、本来スイツチ
していないゲート129をスイツチさせるという
誤動作を引き起こすことがある。すなわち入力信
号線124と125の間に干渉が生じるのであ
る。
また磁束結合型ゲートを閾値論理ゲートとして
用いようとする場合には他の問題も生じる。第4
図には、入力信号線142,143,144を有
する閾値論理ゲート141を示す。閾値論理ゲー
ト141は3つの入力のうち2つが到来した時に
スイツチングして、出力信号線145に出力を発
生するようにバイアスされているとする。入力信
号線142,143,144からの入力はゲート
141の入力インダクタンスにおける反射により
若干のオーバーシユートを有する。閾値論理動作
においてはこのようなオーバーシユートは動作マ
ージンの低下を招く。この間の事情を第5図を用
いて説明する。ここでIAとIB2入力が到来した時
に閾値論理ゲートがスイツチする場合を考える。
第5図に示すようにはじめにオーバーシユート分
IOVを含む信号IAが到来し、次に通常の信号IBが到
来するとする。両信号の定常状態での出力振幅を
ともにΔであるとするとこのゲートの閾値電流
ITHの許容設定範囲は Δ+IOV<ITH2Δ であり、本来の許容範囲ΔからIOVの分だけ減少
してしまう。
なお、1対のジヨセフソン接合とその1対の接
合間を結ぶ主インダクタンスとを含む磁束結合型
デバイスの中において、この主インダクタンスに
並列に接続された抵抗のものが特開昭54−12696
号公報に示されているが、これとは目的・構成・
効果が全く異なる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は磁束結合型ゲートの制御入力線
インダクタンスが大きいことに起因する(1)フアン
アウト遅延が大きいこと(2)フアン・インを多くと
ろうとした場合に入力信号線間の干渉を起こすこ
と、(3)オーバシユートのために閾値論理動作の動
作マージンが低下すること等の問題点を緩和した
磁束結合型ゲートを提供することにある。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために本発明ではジヨセフ
ソンデバイスの制御入力線の端子間にダンピング
抵抗を挿入した。すなわち本発明はダンピング抵
抗を制御入力線に並列に挿入したジヨセフソンデ
バイスの構成に特徴がある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第6図により説明す
る。第1図と同様に磁束結合型ゲート101の出
力がゲート102及び103を負荷としている。
ここで抵抗151が新たにゲート102の制御入
力線に並列に装着されている。十分小さな抵抗1
51の存在によりゲート101の出力信号がゲー
ト102で受ける遅延τ3が縮まり、ゲート103
のスイツチングは早まる。一方ゲート102の制
御入力線上に信号電流が立上る時間は遅れるので
102のスイツチングは遅れる。
第7図に、第3図と同様な2本の制御入力線1
22及び123のそれぞれに2本の入力信号線が
結合されフアン・インは4となつている磁束結合
型ゲート121を示す。第7図では新たに制御入
力線122及び123に並列に抵抗153及び1
54が装着されている。十分小さな抵抗153の
存在により接続点131aと接地点132の間の
インピーダンスが下がり、入力信号線間の干渉が
緩和される。すなわち入力信号線124から制御
入力線123に到来したゲート128の出力信号
のうち、入力信号線125に反射していく部分の
振幅が減少する。一方制御入力線123上に信号
電流が立上る時間は遅れるので121のスイツチ
ングは遅れる。
第8図には、第4図と同様に入力信号線14
2,143,144を有する閾値論理ゲート14
1を示す。第8図では新たにそれぞれの制御入力
線に並列に抵抗155,156,157が装着さ
れている。これらの抵抗値を十分小さくとること
によりオーバーシユート量IOVを縮めることがで
きる。一方、制御入力線上に信号電流が立上る時
間は遅れるので141のスイツチングは遅れる。
以上述べた3例の効果を総合して応用した回路
の実施例を第9図により説明する。より少数のゲ
ートを用いて単位演算回路を実現する一方式とし
て閾値論理回路がある。第9図はこの閾値論理方
式による加算回路の一例を示す。同図で421〜
426が本発明の特徴であるダンピング抵抗であ
る。それ以外の部分の詳細は特開昭60−79825号
公報に詳細に記載されている。
抵抗421及び422はゲート165a,16
5a′の制御入力線のインダクタンスに並列に挿入
されることにより、その入力インピーダンスを下
げ、入力信号線320〜325からの入力信号
が、これらの制御入力線を通過する時のオーバー
シユートを緩和する役割を持つ。同様に抵抗42
3及び424は入力信号線320〜325からの
入力信号がゲート165b及び165b′の制御入
力線を通過する時のオーバーシユートを緩和する
役割を持つ。また、抵抗425及び426は出力
信号線333及び332を経由した否定側及び肯
定側のキヤリー出力信号がゲート165b及び1
65b′の制御入力線を通過する時のオーバーシユ
ートを緩和する役割を持つ。
さらに抵抗423は接続点401と接地点40
2の間のインピーダンス下げる役割を有し、入力
信号線320,322,324相互間の干渉を緩
和する役割を持つ。抵抗424は同様に入力信号
線321,323,325相互間の干渉を緩和す
る役割がある。
また、抵抗425及び426はゲート165
a′,165aのスイツチング出力が次第に高速で
伝搬していくのを助ける働きを有する。
本発明の別の実施例を第10図に示す。本図も
閾値論理方式による1ビツトの加算回路を示すも
のである。本実施例では各ゲートへの信号電流を
流す制御入力線を2本に抑えている。これは3本
以上の制御入力線に対してゲートの閾値特性に対
する結合強度を均等にとることは困難だからであ
る。同図において503及び506は、制御入力
線数を2本に抑えつつ出力信号332,333上
を流れるキヤリー信号に2倍の重み付けを行うた
めのゲートであり、165a,165a′,165
b,165b′の2倍のゲート電流値を供給されて
いる。抵抗531,532は各信号線の終端抵抗
である。ジヨセフソン接合551はこれらの終端
抵抗に並列に接続されて出力電流の立上りを速め
る効果を有する。この動作の詳細は特願昭59−
259128号に詳述されている。抵抗541は該ジヨ
セフソン接合551とゲート,出力信号線で超電
導ループができてしまい永久電流が残存すること
を防ぐ効果を有する。抵抗561〜569が本発
明の特徴であるダンピング抵抗である。ダンピン
グ抵抗561は入力信号線324を経由してゲー
ト165aに入力される制御入力電流がオーバー
シユートを起こすのを緩和する働きがある。ダン
ピング抵抗563は入力信号線320または32
2を経由してゲート165aに入力される制御入
力電流が、ダンピング抵抗565は、入力信号線
320,322、または324を経由してゲート
165bに入力される制御入力電流が、ダンピン
グ抵抗567はゲート165bに入力されるゲー
ト506の出力からの制御入力電流がそれぞれオ
ーバーシユートを起こすのを緩和する役割があ
る。さらにダンピング抵抗563及び565は接
続点571または572と接地点573との間の
インピーダンスを下げ入力信号線320,32
2,324の各入力信号線間の干渉を緩和する働
きがある。さらにダンピング抵抗569はゲート
165aの出力信号が次段に高速で伝搬していく
のを助ける役割がある。ここでダンピング抵抗5
61〜569の値は小さい程、前述した効果は顕
著であるが、ゲートの制御入力線に流れる電流の
立上りが遅れるのでゲートのスイツチングを遅延
させてしまう。ダンピング抵抗569もゲート1
65aの出力の伝搬は早めるが、ゲート503の
出力は逆に遅延させてしまう。
ここでゲート165a,165a′,165b,
165b′は第11図に構成を、第12にシンボル
を示した2接合干渉型ゲートである。同図で60
1はゲート電流入力端子、602は出力電流線、
603は制御入力線である。604はインダクタ
ンスであり603を流れる信号電流と磁気的に結
合している。605,606はジヨセフソン接合
である。第11図の制御入力線603の1本は直
流バイアスに用いられこれは第12図では省略さ
れている。
以下、ダンピング抵抗の効果を定量的に示すた
めに数値例を示す。ゲート165a,165a′,
165b,165b′においてはインダクタンス6
04は1PH、ジヨセフソン接合605は接合電流
値0.28mA、ジヨセフソン接合606は同0.70m
Aであり、ゲート503,506においてはイン
ダクタンス604は0.5PH、ジヨセフソン接合6
05は0.56mA、ジヨセフソン接合606は1.40
mAである。これらの素子はNbN/Pb合金プロ
セスを用いて、最小加工寸法1.5μmのリングラフ
イ技術のもとで作成されるものである。終端抵抗
531は3.4Ω、532は1.7Ω、541は0.1Ωで
ある。ダンピング抵抗は例えば、561は
11.4Ω、533,565,567は1.4Ω、569
は5.7Ωに設定すればよいが回路に求める仕様に
より様々な値を選ぶことができる。
たとえば、抵抗561の値が第10図の回路全
体を前段の出力信号線332が次段の入力信号線
324に接続するように多段接続した場合に動作
にどのような影響を与えるかをみる。入力信号線
324からの入力がゲート165aの制御入力線
上で起こすオーバーシユートの量をIOVとする。
前段の入力信号線324に入力が到達してから前
段の出力信号線332を経て次第の入力信号線3
24に入力が到達するまでの遅延時間をTCCとす
る。561の抵抗値に対してTCC,IOVの変化を第
13図に示す。561の抵抗値を増していくと
IOVが増加する代りにTCCが減少することがわか
る。このため動作マージンを重視する場合にはこ
の抵抗値を低目にとり、動作速度を重視する場合
には高目にとればよい。
次に抵抗563の値が、第10図の回路全体を
前段の出力信号線332が次段の入力信号線32
0に接続するように多段接続した場合に動作にど
のような影響を与えるかをみる。前段の入力信号
線320に入力が到達してから次第の入力信号線
320に入力が到達するまでの遅延時間をTSC
する。また入力信号320に入力が到達した場
合、必ず入力信号線322上に信号電流の逆流が
起こるが、その振幅をIreとする。563の抵抗
値に対してTSC,Ireの変化を第14図に示す。5
63の抵抗値を増していくとIreが増す代りにTSC
が減少することがわかる。このため動作マージン
を重視する場合にはこの抵抗値を低目にとり動作
速度を重視する場合には高目にとればよい。
次に抵抗569の値が第10図の回路全体を前
段の出力信号線332または出力信号線331が
次段の入力信号線324になるように多段接続し
た場合に動作にどのような影響を与えるかをみ
る。前段の入力信号線324に入力が到達してか
ら前段の出力信号線332を経て次段の入力信号
線324に入力が到達するまでの遅延時間をTCC
とする。また入力信号線324に入力が到達して
から前段の出力信号線331を経て次段の入力信
号線324に入力が到達するまでの遅延時間を
TCSとする。569の抵抗値に対してTCC,TCS
変化を第15図に示す。569の抵抗値を増して
いくとTCCが増す代りにTCSが減少することがわ
かる。このため回路システム全体としてTCCを速
くする必要がある場合にはこの抵抗値を低目にと
りTCSを速くする必要がある場合には高目にとれ
ばよい。
〔発明の効果〕
以上説明したごとく本発明によるジヨセフソン
デバイスを用いると (1)フアンアウト遅延が小さく、(2)フアンインを
多くとつても入力信号線間の干渉が小さく、(3)オ
ーバーシユートによる閾値論理動作のマージン低
下が少ない磁束結合型ゲートを提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はフアンアウトを2とした従来の磁束結
合型ゲートの接続形態を示す図、第2図はフアン
インを2とした従来の磁束結合型ゲートの接続形
態を示す図、第3図はフアンインを4とした従来
の磁束結合型ゲートの接続形態を示す図、第4図
は従来の閾値論理ゲートの構成を示す図、第5図
は従来の閾値論理ゲートの入力信号を示す図、第
6図は本発明の一実施例を示す図、第7図,第8
図は本発明の他の実施例を示す図、第9図は本発
明のジヨセフソンデバイスを用いた閾値論理方式
による加算回路1ビツトの構成を示す図、第10
図は第9図の別の構成による閾値論理方式の加算
回路1ビツトに本発明のジヨセフソンデバイスを
用いたものを示す図、第11図は第10図の回路
で使用されている2接合干渉型ゲートの回路図、
第12図は第11図に示したゲートのシンボル
図、第13図はダンピング抵抗561と値と第1
0図の加算回路中の1ルートの遅延時間及び1つ
の入力制御線上において示すオーバーシユート量
との関係を示す図、第14図はダンピング抵抗5
63の値と第10図の加算回路中の1ルートの遅
延時間及び別の入力信号線へ戻る反射電流振幅と
の関係を示す図、第15図はダンピング抵抗56
9の値と第10の加算回路の2ルートの遅延時間
との関係を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1の端子から第2の端子に至る超伝導路を
    制御入力線とし、該制御入力線の発生する磁場に
    よつて第3の端子と第4の端子との間に挿入され
    た、インダクタンスで相互に接続された複数のジ
    ヨセフソン接合のスイツチングを制御するジヨセ
    フソンデバイスにおいて、上記複数のジヨセフソ
    ン接合の制御入力線の前段側のジヨセフソン接合
    において、上記制御入力線と並列にダンピング抵
    抗を設けたことを特徴とするジヨセフソンデバイ
    ス。
JP61005063A 1986-01-16 1986-01-16 ジヨセフソンデバイス Granted JPS62164313A (ja)

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JP61005063A JPS62164313A (ja) 1986-01-16 1986-01-16 ジヨセフソンデバイス

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JPS62164313A JPS62164313A (ja) 1987-07-21
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