JPH0418748A - セラミックパッケージ用リードフレーム - Google Patents
セラミックパッケージ用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0418748A JPH0418748A JP2122617A JP12261790A JPH0418748A JP H0418748 A JPH0418748 A JP H0418748A JP 2122617 A JP2122617 A JP 2122617A JP 12261790 A JP12261790 A JP 12261790A JP H0418748 A JPH0418748 A JP H0418748A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- gas
- inner leads
- chip
- semiconductor chip
- Prior art date
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- Granted
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体チップをセラミックパッケージに気密
的に封止する際に外部端子として使用するセラミックパ
ッケージ用リードフレームに関する。
的に封止する際に外部端子として使用するセラミックパ
ッケージ用リードフレームに関する。
（従来の技術）
半導体装置において、半導体チップ上に設けられる各電
極パッドは、一般に設計方法等によって縦と横との配列
が異なり、長さ方向に沿った配列における隣り合う各電
極間のピッチと幅方向に沿った配列における隣り合う各
電極間のピッチにばらつきがあった。そして、半導体チ
ップを設計した後に、この半導体チップ上の各電極パッ
ドの配置位置等に対応させたリードフレームを外部端子
としたセラミックパッケージを設計し、このパッケージ
で半導体チップを気密的に封止することが一般に行われ
ていた。
極パッドは、一般に設計方法等によって縦と横との配列
が異なり、長さ方向に沿った配列における隣り合う各電
極間のピッチと幅方向に沿った配列における隣り合う各
電極間のピッチにばらつきがあった。そして、半導体チ
ップを設計した後に、この半導体チップ上の各電極パッ
ドの配置位置等に対応させたリードフレームを外部端子
としたセラミックパッケージを設計し、このパッケージ
で半導体チップを気密的に封止することが一般に行われ
ていた。
このため、上記外部端子として使用されるリードフレー
ムは、一般に第３図及び第４図に示すように構成されて
いた。
ムは、一般に第３図及び第４図に示すように構成されて
いた。
即ち、例えばガラス封止型セラミックパッケージは、セ
ラミック基板１の表面に低融点ガラスを印刷し溶融させ
て該表面にリードフレーム２′を固着することによって
構成されるのであるが、下記のように、このパッケージ
にマウントする半導体チップの各電極パッドの位置に対
応させるため、このリードフレーム２′の長さ方向に沿
った各インナーリード２′ ａ、２８′間に形成される
隙間の間隔Ｐ１′と幅方向に沿った各インナーリード２
ｂ’ 、２ｂ’間に形成される間隔Ｐ ２ ’ との間
は、ある程度は均一となるようなされていたものの、特
に四隅部におけるインナーリード２′ ａ。
ラミック基板１の表面に低融点ガラスを印刷し溶融させ
て該表面にリードフレーム２′を固着することによって
構成されるのであるが、下記のように、このパッケージ
にマウントする半導体チップの各電極パッドの位置に対
応させるため、このリードフレーム２′の長さ方向に沿
った各インナーリード２′ ａ、２８′間に形成される
隙間の間隔Ｐ１′と幅方向に沿った各インナーリード２
ｂ’ 、２ｂ’間に形成される間隔Ｐ ２ ’ との間
は、ある程度は均一となるようなされていたものの、特
に四隅部におけるインナーリード２′ ａ。
２’ ｂ間に形成される間隔Ｐ３′はかなり広くなっ
ていた。
ていた。
そして、このセラミック基板１のほぼ中央に形成された
キャビティ３に半導体チップ（図示せず）をマウントペ
ーストを介して固定し、リードフレーム２′の各インナ
ーリード２ｒ ａ、２ｔ ｂと半導体チップの各電
極パッドとをＡｇ線等のボンディングワイヤにより電気
的に接続した後、キャップ（図示せず）を被せ、約４５
０℃程度の炉を通して」１下のガラスを溶融させること
によって、セラミックパッケージで半導体チップを気密
封止した半導体装置が構成されていた。
キャビティ３に半導体チップ（図示せず）をマウントペ
ーストを介して固定し、リードフレーム２′の各インナ
ーリード２ｒ ａ、２ｔ ｂと半導体チップの各電
極パッドとをＡｇ線等のボンディングワイヤにより電気
的に接続した後、キャップ（図示せず）を被せ、約４５
０℃程度の炉を通して」１下のガラスを溶融させること
によって、セラミックパッケージで半導体チップを気密
封止した半導体装置が構成されていた。
ここに、上記のように熱をかけて上下のガラスを溶融さ
せることによってパッケージ内に収納した半導体チップ
を気密封止する際に、半導体チップを固定しているマウ
ントペーストからガスが発生するが、この発生したガス
に対する対策としては、主にマウントペースト自体によ
って対処することが一般に行われていた。
せることによってパッケージ内に収納した半導体チップ
を気密封止する際に、半導体チップを固定しているマウ
ントペーストからガスが発生するが、この発生したガス
に対する対策としては、主にマウントペースト自体によ
って対処することが一般に行われていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、半導体チップサイズの大型化、多ピン化
に伴って、パッケージサイズが大型化し、半導体チップ
を固定するためのマウントペーストの量も増大する傾向
にある。このため、このマウントペーストから発生する
ガスの圧力も次第に大きくなる。そして、このように熱
をかけて気密封止する際に発生するパッケージの内部の
ガスの圧力が高まると、このガスが一番広い場所、即ち
上記特に四隅部におけるインナーリード２′ａ２’ ｂ
間の間隔Ｐ３′から流出しようとし、ここに位置するガ
ラスがひけてシール不良を起し、均一な封止を妨げる等
の悪影響を及ぼし、生産性や歩留まりの低下してしまう
といった問題が顕著化するようになってきた。
に伴って、パッケージサイズが大型化し、半導体チップ
を固定するためのマウントペーストの量も増大する傾向
にある。このため、このマウントペーストから発生する
ガスの圧力も次第に大きくなる。そして、このように熱
をかけて気密封止する際に発生するパッケージの内部の
ガスの圧力が高まると、このガスが一番広い場所、即ち
上記特に四隅部におけるインナーリード２′ａ２’ ｂ
間の間隔Ｐ３′から流出しようとし、ここに位置するガ
ラスがひけてシール不良を起し、均一な封止を妨げる等
の悪影響を及ぼし、生産性や歩留まりの低下してしまう
といった問題が顕著化するようになってきた。
即ち、従来の一般的なセラミックパッケージにおいては
、その大型化に伴ってマウントペーストにより発生する
ガスの影響によるシール不良をマウントペースト自体で
対処することが次第に困難となってきた。
、その大型化に伴ってマウントペーストにより発生する
ガスの影響によるシール不良をマウントペースト自体で
対処することが次第に困難となってきた。
本発明は上記に鑑み、リードフレーム自体に改良を加え
ることにより、ガスが原因となるシール不良を防止し、
生産性及び歩留まりを向上させるようにしたものを提供
することを目的とする。
ることにより、ガスが原因となるシール不良を防止し、
生産性及び歩留まりを向上させるようにしたものを提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明に係るセラミックパッ
ケージ用リードフレームは、半導体チ・ンプをセラミッ
クパッケージ内に気密的に封止する際に外部端子として
使用するセラミックバ・ンケージ用リードフレームにお
いて、リードフレームの互いに隣り合う各インナーリー
ド間に形成される各隙間の間隔をその全周に亘ってほぼ
等しくしたものである。
ケージ用リードフレームは、半導体チ・ンプをセラミッ
クパッケージ内に気密的に封止する際に外部端子として
使用するセラミックバ・ンケージ用リードフレームにお
いて、リードフレームの互いに隣り合う各インナーリー
ド間に形成される各隙間の間隔をその全周に亘ってほぼ
等しくしたものである。
（作 用）
上記構成の本発明によれば、半導体チップをマウントし
キャップを被せた後に熱をかけて気密封止する際にマウ
ントペーストから発生するガスは、リードフレームの互
いに隣り合う各インナーリード間に形成される各等しい
間隔の隙間から均一に流出しようとするようになり、こ
れによってインナーリード間に形成される隙間の一部の
ガス圧が高くなってしまうことをリードフレーム自体に
よって防止してセラミック基板とキャップとの間のシー
ル不良を防止することができる。
キャップを被せた後に熱をかけて気密封止する際にマウ
ントペーストから発生するガスは、リードフレームの互
いに隣り合う各インナーリード間に形成される各等しい
間隔の隙間から均一に流出しようとするようになり、こ
れによってインナーリード間に形成される隙間の一部の
ガス圧が高くなってしまうことをリードフレーム自体に
よって防止してセラミック基板とキャップとの間のシー
ル不良を防止することができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して
説明する。
説明する。
同図は、上記従来例と同様にガラス封止型セラミックパ
ッケージであるサーブイブタイプパッケージ（Ｃｅｒｄ
ｉｐ Ｔｙｐｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に使用した例を示す
もので、セラミックパッケージはセラミック基板１の表
面に低融点ガラスを印刷し溶融させて該表而にリードフ
レーム２を固着することによって構成されている。
ッケージであるサーブイブタイプパッケージ（Ｃｅｒｄ
ｉｐ Ｔｙｐｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に使用した例を示す
もので、セラミックパッケージはセラミック基板１の表
面に低融点ガラスを印刷し溶融させて該表而にリードフ
レーム２を固着することによって構成されている。
そして、このリードフレーム２は、その長さ方向に沿っ
た各インナ−リード２ａ、２ａ間に形成される隙間の間
隔Ｐ１と、幅方向に沿った各インナ−リード２ｂ、２ｂ
間に形成される間隔Ｐ２とが等し２くなる（Ｐ１＝Ｐ２
）よう、更に四隅部に位置する各インナ−リード２ａ、
２ｂ間に形成される間隔Ｐ３も、上記各間隔Ｐ１．Ｐ２
と等しくなる（Ｐｌ−Ｐ２＝Ｐ３’）よう構成されてい
る。
た各インナ−リード２ａ、２ａ間に形成される隙間の間
隔Ｐ１と、幅方向に沿った各インナ−リード２ｂ、２ｂ
間に形成される間隔Ｐ２とが等し２くなる（Ｐ１＝Ｐ２
）よう、更に四隅部に位置する各インナ−リード２ａ、
２ｂ間に形成される間隔Ｐ３も、上記各間隔Ｐ１．Ｐ２
と等しくなる（Ｐｌ−Ｐ２＝Ｐ３’）よう構成されてい
る。
即ち、長さ方向に沿って配置されて端部に位置するイン
ナーリード２ａまたは幅方向に沿って配置されて端部に
位置するインナーリード２ｂの一方のインナーリード（
図では、幅方向に沿って配置されて端部に位置するイン
ナーリード２ｂ）の幅を広くするとともに、他の方向ま
で延出するようにして、この隅部に隙間が生じないよう
になされている。
ナーリード２ａまたは幅方向に沿って配置されて端部に
位置するインナーリード２ｂの一方のインナーリード（
図では、幅方向に沿って配置されて端部に位置するイン
ナーリード２ｂ）の幅を広くするとともに、他の方向ま
で延出するようにして、この隅部に隙間が生じないよう
になされている。
即ち、従来において一般に生じる、比較的幅の広い隅部
におけるインナーリード間の隙間を、リドフレーム２の
インナーリード２ａまたは２ｂで閉塞してこの隙間が生
じないようなされている。
におけるインナーリード間の隙間を、リドフレーム２の
インナーリード２ａまたは２ｂで閉塞してこの隙間が生
じないようなされている。
そして、このセラミック基板１のほぼ中央に形成された
キャビティ３に半導体チップ（図示せず）をマウントペ
ーストを介して固定し、リードフレーム２の各インナー
リード２ａ、２ｂと半導体チップの各電極パッドをＡｇ
線等のボンディングワイヤ等により電気的に接続した後
、キャップ（図示せず）を被せ、約４５０℃程度の炉を
通して上下のガラスを溶融することによって気密封止し
て半導体装置を構成するのである。
キャビティ３に半導体チップ（図示せず）をマウントペ
ーストを介して固定し、リードフレーム２の各インナー
リード２ａ、２ｂと半導体チップの各電極パッドをＡｇ
線等のボンディングワイヤ等により電気的に接続した後
、キャップ（図示せず）を被せ、約４５０℃程度の炉を
通して上下のガラスを溶融することによって気密封止し
て半導体装置を構成するのである。
この半導体チップをマウントしキャップを被せた後に熱
をかけて気密封止する際にマウントペーストからガスが
発生するが、このガスはリードフレーム２の互いに隣り
合う各インナーリード２ａ。
をかけて気密封止する際にマウントペーストからガスが
発生するが、このガスはリードフレーム２の互いに隣り
合う各インナーリード２ａ。
２ａ、２ｂ、２ｂ及び２ａ、２ｂ間に形成される各等し
い隙間Ｐ１．Ｐ２．Ｐ３ （Ｐｌ−ｐ２−Ｐ３）から均
一に流出しようとするようになる。
い隙間Ｐ１．Ｐ２．Ｐ３ （Ｐｌ−ｐ２−Ｐ３）から均
一に流出しようとするようになる。
これによって、ガスの流出しようとする力を均等に分散
させて、インナーリード２ａ、２ａ、２ｂ２ｂ及び２ａ
、２ｂ間に形成される隙間の一部のガス圧が高くなって
しまうことをリードフレーム２によって防止してセラミ
ック基板１とキャップとの間のシール不良を防止するこ
とができる。
させて、インナーリード２ａ、２ａ、２ｂ２ｂ及び２ａ
、２ｂ間に形成される隙間の一部のガス圧が高くなって
しまうことをリードフレーム２によって防止してセラミ
ック基板１とキャップとの間のシール不良を防止するこ
とができる。
なお、上記実施例は、ガラス封止型セラミックＤＩＰタ
イプのパッケージに使用した例を示しているが、ガラス
封止型セラミックパッケージ全般を含め、ガスによるシ
ール不良が懸念されるセラミックパッケージに使用でき
ることは勿論である。
イプのパッケージに使用した例を示しているが、ガラス
封止型セラミックパッケージ全般を含め、ガスによるシ
ール不良が懸念されるセラミックパッケージに使用でき
ることは勿論である。
〔発明の効果〕
本発明は、上記のような構成であるので、セラミックパ
ッケージに熱をかけてこの内部に収納した半導体チップ
を気密封止する際にマウントペーストより発生するガス
の流出しようとする力の偏りを、リードフレームによっ
て防止してセラミック基板とキャップとの間にシール不
良が発生してしまうことを防止し、生産性及び歩留まり
を向上させることができる。
ッケージに熱をかけてこの内部に収納した半導体チップ
を気密封止する際にマウントペーストより発生するガス
の流出しようとする力の偏りを、リードフレームによっ
て防止してセラミック基板とキャップとの間にシール不
良が発生してしまうことを防止し、生産性及び歩留まり
を向上させることができる。
しかも、従来のセラミックパッケージと同様の工程をそ
のまま使用して半導体装置を構成することができといっ
た効果がある。
のまま使用して半導体装置を構成することができといっ
た効果がある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示し、第１図は
セラミック基板の上にリードフレームを配置した状態の
平面図、第２図は第１図の■部拡大図、第３図は従来例
を示す第１図相当図、第４図は第３図の■部拡大図であ
る。 １・・・セラミック基板、２・・・リードフレーム、２
ａ、２ｂ・・・インナーリード、３・・・キャビティ。
セラミック基板の上にリードフレームを配置した状態の
平面図、第２図は第１図の■部拡大図、第３図は従来例
を示す第１図相当図、第４図は第３図の■部拡大図であ
る。 １・・・セラミック基板、２・・・リードフレーム、２
ａ、２ｂ・・・インナーリード、３・・・キャビティ。
Claims (1)
- 半導体チップをセラミックパッケージ内に気密的に封
止する際に外部端子として使用するセラミックパッケー
ジ用リードフレームにおいて、リードフレームの互いに
隣り合う各インナーリード間に形成される各隙間の間隔
をその全周に亘ってほぼ等しくしたことを特徴とするセ
ラミックパッケージ用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2122617A JP2839641B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | セラミックパッケージ用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2122617A JP2839641B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | セラミックパッケージ用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418748A true JPH0418748A (ja) | 1992-01-22 |
| JP2839641B2 JP2839641B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=14840392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2122617A Expired - Lifetime JP2839641B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | セラミックパッケージ用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2839641B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58131632U (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6242254U (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-13 | ||
| JPH01150345A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2122617A patent/JP2839641B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58131632U (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6242254U (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-13 | ||
| JPH01150345A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2839641B2 (ja) | 1998-12-16 |
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Legal Events
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