JPH04202049A - 粒界絶縁形半導体磁器組成物 - Google Patents
粒界絶縁形半導体磁器組成物Info
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- JPH04202049A JPH04202049A JP2334371A JP33437190A JPH04202049A JP H04202049 A JPH04202049 A JP H04202049A JP 2334371 A JP2334371 A JP 2334371A JP 33437190 A JP33437190 A JP 33437190A JP H04202049 A JPH04202049 A JP H04202049A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童粟上■肌里分野
本発明は、粒界絶縁形半導体磁器組成物に関し、特に、
例えば粒界絶縁形半導体磁器コンデンサの材料として好
適に用いられる粒界絶縁形半導体磁器組成物に関する。
例えば粒界絶縁形半導体磁器コンデンサの材料として好
適に用いられる粒界絶縁形半導体磁器組成物に関する。
従来技止
近年の電子機器の小型化、高密度実装化並びに品質の安
定化に伴い、電子部品にも小型化と高品質化の要求がな
されており、高い絶縁抵抗破壊電圧を有し、併せて小型
大容量で且つ誘電損失の小さい粒界絶縁形半導体磁器組
成物の開発とそれよりなるコンデンサーの開発が要望さ
れている。
定化に伴い、電子部品にも小型化と高品質化の要求がな
されており、高い絶縁抵抗破壊電圧を有し、併せて小型
大容量で且つ誘電損失の小さい粒界絶縁形半導体磁器組
成物の開発とそれよりなるコンデンサーの開発が要望さ
れている。
そのために、従来、チタン酸ストロンチウムにＮｂ等を
添加して調製された半導体磁器組成物が幾つか提案され
ている。しかし、それらは絶縁抵抗、比誘電率、誘電損
失、温度特性等の１又は２以上の電気特性において、非
常に不十分であった。
添加して調製された半導体磁器組成物が幾つか提案され
ている。しかし、それらは絶縁抵抗、比誘電率、誘電損
失、温度特性等の１又は２以上の電気特性において、非
常に不十分であった。
特に、絶縁抵抗と比誘電率とは相反する傾向が強く、従
来、これらに共にすぐれる半導体磁器組成物は知られて
いない。
来、これらに共にすぐれる半導体磁器組成物は知られて
いない。
■が町・しようとする示顕
本発明は、従来の半導体磁器組成物における上記した問
題を解決するためになされたものであって、絶縁抵抗、
比誘電率共にすぐれ、しかも、誘電損失や温度特性にも
すぐれる従来にない高品質を有する粒界絶縁形半導体磁
器組成物を提供することを目的とする。
題を解決するためになされたものであって、絶縁抵抗、
比誘電率共にすぐれ、しかも、誘電損失や温度特性にも
すぐれる従来にない高品質を有する粒界絶縁形半導体磁
器組成物を提供することを目的とする。
量 をゞするための
本発明による粒界絶縁形半導体磁器組成物は、組成式
％式％
（式中、Ｘは９０〜１１０、ｙは９０〜１１０、ｍは０
．０１〜０．５０、ｎは０．０１〜０．５０、ａは０．
０１〜０．５０、ｂは０．１〜１．０、Ｃは０．０１〜
０．５０の範囲のモル比を示す。） で表わされ、その結晶粒界がＣｕ、Ｂ ｉ、Ｎａ及びＭ
ｎのうちの少なくとも１種によって絶縁化されており、
その最大粒径が２００μｍ以下であることを特徴とする
。
．０１〜０．５０、ｎは０．０１〜０．５０、ａは０．
０１〜０．５０、ｂは０．１〜１．０、Ｃは０．０１〜
０．５０の範囲のモル比を示す。） で表わされ、その結晶粒界がＣｕ、Ｂ ｉ、Ｎａ及びＭ
ｎのうちの少なくとも１種によって絶縁化されており、
その最大粒径が２００μｍ以下であることを特徴とする
。
発凱■作且
即ち、本発明は、チタン酸ストロンチウム系の半導体磁
器組成物の改良にかかり、Ｎｂ及びｓｂの二原子側制御
を受けた粒界絶縁形半導体磁器組成物が提供される。特
に本発明において、ｓｂ及びＭｇを添加したのは、Ｎｂ
との二原子側制御によって、絶縁処理前の比抵抗を下げ
ることを主たる目的としており、これによって電気ロス
を低減させ、なお且つ、結晶の異常成長から起こる耐電
圧の低下を防ぐことができる。更に、本発明においては
、その結晶粒界がＣｕ、Ｂ ｉ、Ｎａ及びＭｎのうちの
少なくとも１種によって絶縁化されており、その最大粒
径が２００μｍ以下である。
器組成物の改良にかかり、Ｎｂ及びｓｂの二原子側制御
を受けた粒界絶縁形半導体磁器組成物が提供される。特
に本発明において、ｓｂ及びＭｇを添加したのは、Ｎｂ
との二原子側制御によって、絶縁処理前の比抵抗を下げ
ることを主たる目的としており、これによって電気ロス
を低減させ、なお且つ、結晶の異常成長から起こる耐電
圧の低下を防ぐことができる。更に、本発明においては
、その結晶粒界がＣｕ、Ｂ ｉ、Ｎａ及びＭｎのうちの
少なくとも１種によって絶縁化されており、その最大粒
径が２００μｍ以下である。
かかる本発明による組成物にて作製したコンデンサーは
、比誘電率７００００以上、絶縁抵抗１０００ＭΩ・ｃ
ｍ以上、誘電損失１％以下、温度特性±１５％以内の全
てを兼ね備えている。
、比誘電率７００００以上、絶縁抵抗１０００ＭΩ・ｃ
ｍ以上、誘電損失１％以下、温度特性±１５％以内の全
てを兼ね備えている。
実施撚
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
（１）磁器組成物の調製
炭酸ストロンチウム、二酸化チタン、五酸化ニオブ、三
酸化アンチモン、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム及び酸
化マグネシウムをそれぞれ所定比率にて混合し、攪拌し
た後、これを仮焼し、得られた仮焼物を粉砕した。この
仮焼物の粉末に有機系バインダーを添加し、十分に均一
整粒化した後、ｉｔ／ｃ請にて加圧成形した。
酸化アンチモン、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム及び酸
化マグネシウムをそれぞれ所定比率にて混合し、攪拌し
た後、これを仮焼し、得られた仮焼物を粉砕した。この
仮焼物の粉末に有機系バインダーを添加し、十分に均一
整粒化した後、ｉｔ／ｃ請にて加圧成形した。
得られた成形物を水素雰囲気中で１３５０〜１５００°
Ｃの温度で３〜６時間焼成し、得られた焼成ビーズをＣ
ｕ、Ｂｉ及びＮａイオンからなる水溶液に浸漬した後、
乾燥し、次いで、空気中で１１００〜１２００°Ｃの温
度で１〜２時間焼成した。
Ｃの温度で３〜６時間焼成し、得られた焼成ビーズをＣ
ｕ、Ｂｉ及びＮａイオンからなる水溶液に浸漬した後、
乾燥し、次いで、空気中で１１００〜１２００°Ｃの温
度で１〜２時間焼成した。
このようにして得られた磁器組成物をＬＣＲメーター及
び抵抗器を用いて、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗及び
耐電圧を測定した。更に、恒温槽を用いて温度特性を測
定した。
び抵抗器を用いて、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗及び
耐電圧を測定した。更に、恒温槽を用いて温度特性を測
定した。
以上の結果を第１表に示す。
光凱阜力来
以上のように、本発明による粒界絶縁形半導体磁器組成
物は、従来、得られなかった高比誘電率（ε＞７０００
０）、高絶縁抵抗（１００ＯＭΩ・ｃｍ以上）、低誘電
損失（ｔａｎδ〈１％）及び良好な温度特性（２５±５
５°Ｃで±１５％以内）を有する。
物は、従来、得られなかった高比誘電率（ε＞７０００
０）、高絶縁抵抗（１００ＯＭΩ・ｃｍ以上）、低誘電
損失（ｔａｎδ〈１％）及び良好な温度特性（２５±５
５°Ｃで±１５％以内）を有する。
Claims (1)
- （１）組成式 ｘＳｒＯ＋ｙＴｉＯ＿２＋ｍＮｂ＿２Ｏ＿５＋ｎＳｂ＿
２Ｏ＿３＋ａＳｉＯ＿２＋ｂＣａＯ＋ｃＭｇＯ（式中、
ｘは９０〜１１０、ｙは９０〜１１０、ｍは０．０１〜
０．５０、ｎは０．０１〜０．５０、ａは０．０１〜０
．５０、ｂは０．１〜１．０、ｃは０．０１〜０．５０
の範囲のモル比を示す。） で表わされ、その結晶粒界がＣｕ、Ｂｉ、Ｎａ及びＭｎ
のうちの少なくとも１種によつて絶縁化されており、そ
の最大粒径が２００μｍ以下であることを特徴とする粒
界絶縁形半導体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2334371A JPH04202049A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2334371A JPH04202049A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202049A true JPH04202049A (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18276623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2334371A Pending JPH04202049A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2334371A patent/JPH04202049A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
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