JPH04223364A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH04223364A
JPH04223364A JP2414559A JP41455990A JPH04223364A JP H04223364 A JPH04223364 A JP H04223364A JP 2414559 A JP2414559 A JP 2414559A JP 41455990 A JP41455990 A JP 41455990A JP H04223364 A JPH04223364 A JP H04223364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
wire
semiconductor device
soldering material
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2414559A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Fujie
藤恵 章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2414559A priority Critical patent/JPH04223364A/ja
Publication of JPH04223364A publication Critical patent/JPH04223364A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/013Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01308Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07311Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • H10W72/381Auxiliary members
    • H10W72/387Flow barriers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に係り、特にリードフレーム形状に関するものである
【0002】
【従来の技術】図2〜図4は従来の半導体パッケージの
構成を示すもので、図において、1はアイランド2上に
ロー材7によって接合され、その縁部に多数の電極3を
有する半導体素子、4はこの半導体素子1の周辺に設け
られ、例えば金線などのワイヤ5によって電極3に接続
するリード、6は内部のリード4、ワイヤ5、アイラン
ド2及び半導体素子1を樹脂封止する樹脂封止部本体で
あり、8はロー材7の吊りリード4への流れ込みを止め
るための4角形状の凹部である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来のロ
ー材の流れ込み防止用の凹部は、4辺が直線上に形成さ
れているため、ロー材流れ防止が不十分で、ロー材漏れ
があり、このためワイヤを吊りリードに接続できないこ
とがあった。
【0004】この発明は以上のような問題点を解消する
ためになされたものであり、吊りリードへのロー材漏れ
のおそれのない、作業性の優れた半導体装置を製造する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体パ
ッケージは、アイランドを支持する吊りリードにコの字
状のロー材流れ止め凹コの字状のロー材流れ止め凹部部
を設け、その内側にワイヤを接続したものである。
【0006】
【作用】この発明におけるコの字状の凹部により、コの
字内へのロー材への回り込みはなくなる。
【0007】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1について説
明する。図において、9はロー材流れ止めであり、コの
字状にハーフエッチ加工がなされており、図でも分かる
ようにロー材7はハーフエッチの内側には流れ込まず、
ワイヤ5はこのハーフエッチ内側の突出部10へワイや
リングされる。
【0008】
【発明の効果】以上のようにこの発明は、ロー材流れ止
めをコの字状としたことにより、コの字内へのロー材の
回り込みがなくなり、吊りリードにワイヤを容易に接続
できるなど、作業性の優れた半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示す要部の拡大斜視図で
ある。
【図2】従来の半導体パッケージで使用している半田流
れ止め部の拡大斜視図である。
【図3】従来の半導体装置パッケージの構成を示す平面
図である。
【図4】図3の半導体パッケージを樹脂封止する工程に
おける封止金型の断面図である。
【符号の説明】
1  半導体素子 2  アイランド 3  電極 4  リード 5  金属細線 6  樹脂封止部本体 7  ロー材 9  コの字状半田流れ止め凹部 10  内側突出部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体素子をロー材料により接合搭載
    するアイランドと、このアイランドの周辺に配置され、
    上記半導体素子の電極に金属細線を介して接続される複
    数のリードと、上記アイランドを支持する吊りリードと
    、その周辺部を封止する樹脂とを備えた半導体装置にお
    いて、上記アイランドを支持する吊りリードに、コの字
    状のロー材流れ止め凹部を設け、この凹部の内側突出部
    に上記金属細線の一端を接続したことを特徴とする半導
    体装置。
JP2414559A 1990-12-25 1990-12-25 半導体装置 Pending JPH04223364A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2414559A JPH04223364A (ja) 1990-12-25 1990-12-25 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2414559A JPH04223364A (ja) 1990-12-25 1990-12-25 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04223364A true JPH04223364A (ja) 1992-08-13

Family

ID=18523023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2414559A Pending JPH04223364A (ja) 1990-12-25 1990-12-25 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04223364A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998031051A1 (fr) * 1997-01-14 1998-07-16 Hitachi, Ltd. Dispositif semiconducteur et son procede de fabrication
JP2010219074A (ja) * 2009-03-12 2010-09-30 Denso Corp 光源装置
EP2822031A2 (en) * 2013-06-25 2015-01-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN109623071A (zh) * 2017-10-06 2019-04-16 肖特股份有限公司 具有钎焊接地插脚的基体及其制造方法和用途

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998031051A1 (fr) * 1997-01-14 1998-07-16 Hitachi, Ltd. Dispositif semiconducteur et son procede de fabrication
JP2010219074A (ja) * 2009-03-12 2010-09-30 Denso Corp 光源装置
EP2822031A2 (en) * 2013-06-25 2015-01-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN109623071A (zh) * 2017-10-06 2019-04-16 肖特股份有限公司 具有钎焊接地插脚的基体及其制造方法和用途
US11205610B2 (en) 2017-10-06 2021-12-21 Schott Ag Base body with soldered-on ground pin, method for its production and uses thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04223364A (ja) 半導体装置
JPS6342859B2 (ja)
JPS6086851A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04199551A (ja) 半導体装置のリードフレーム
JPH0233961A (ja) リードフレーム
JP2576678B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH04213864A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS62183547A (ja) リ−ドフレ−ム
KR100281122B1 (ko) 반도체패키지
JPS61152050A (ja) リ−ドフレ−ムおよび半導体装置
KR200150506Y1 (ko) 세라믹 패키지
JPH04305968A (ja) 半導体パッケージ
JPH02281636A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6315455A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS62128164A (ja) 半導体装置のリ−ドフレ−ム
JPH02146740A (ja) 半導体装置
JPH0739237Y2 (ja) 半導体装置
JPS63181362A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0498861A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04150065A (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
JPH03283648A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6294967A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0231453A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH01255259A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH01276656A (ja) 樹脂封止型半導体装置