JPH0430161B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は厚膜抵抗体アレイならびにその製造方
法に関するものであり、特に抵抗体を高密度に配
列することのできる厚膜抵抗体アレイならびにそ
の製造方法に関するものである。

（従来技術） 第１図は従来の厚膜抵抗体アレイの構成を説明
する平面図である。１はセラミツク基板、２は電
極、３は厚膜抵抗体である。図示するようにセラ
ミツク基板１上に厚膜印刷法により、厚膜抵抗体
３の両端２′，２′で電極２，２が接続されるよ
う、セラミツク基板１上に一重構造で被着されて
横方向に複数配列される構成であつた。しかるに
厚膜印刷法によるこのような構成では、隣接の導
体間のピツチは、図上４に示されるものである
が、実現できるのは0.2mm程度であつて電子機器
の小型化等に伴ない厚膜抵抗体アレイを更に高密
度化することが困難であるという欠点があつた。

（発明の目的） 本発明の目的は、前記の欠点を解決しようとす
るものであつて、厚膜抵抗体の両電極を二層構造
となるように構成し、各層の電極より引出しする
とともに、配列を高密度化したことを特徴とする
厚膜抵抗体アレイならびにその製造方法を得るよ
うにしたものであり、以下図面により詳細説明す
る。

（発明の構成） 本発明の厚膜抵抗体アレイは、厚膜印刷法によ
り基板上に複数の電極導体を、所定の間隔を設け
て千鳥状に形成した２列の第１層導体と、該第１
層導体表面と該導体に隣接する基板表面との所定
部分上に形成した絶縁層と、前記基板表面の所定
部分の絶縁層上に、第１層導体と所定の距離をも
つて対向する複数の電極導体を千鳥状に形成した
第２層導体と、前記第１および第２層導体のそれ
ぞれの端部に接続された複数の厚膜抵抗体とから
構成されるものであり、その製造方法は厚膜印刷
法により、基板上に、千鳥状に２列の第１層導体
を形成する第１工程と、該第１層導体表面上と、
それに隣接する基板表面上とに絶縁層を形成する
第２工程と、該絶縁層上の所定部分に第２層導体
を形成する第３工程と、第１および第２層導体の
各電極導体の端部を一体的に接続する厚膜抵抗体
を形成する第４工程と、該厚膜抵抗体を切断し、
個別の厚膜抵抗体に分離する第５工程とにより構
成される。

（実施例） 第２図は本発明の１実施例の構成を説明する平
面図である。第３図は第２図のＡ−A′の切断図
である。第４図は本発明の１実施例の製造方法の
説明図で、同図ａは第１程を示し、イはＢ−
B′断面図、ロはＣ−C′断面図である。以下、ｂは
第２工程および、その断面図、ｃは第３工程およ
び、その断面図、ｄは第４工程およびその断面図
で、第５工程はｄの１８にそつて厚膜抵抗体１５
を個別厚膜抵抗体１５′に切断分離する工程であ
る。

第２図、第３図、第４図において、１１はセラ
ミツク基板、１２は第１層導体、１２′は第１層
導体の電極部分、１３は絶縁層、１４は第２層導
体、１５は厚膜抵抗体、１５′は個別厚膜抵抗体、
１８は個別厚膜抵抗体間の中心である。

セラミツク基板１１上に厚膜抵抗体１５の片側
の電極として、第１層導体１２を、第４図ａに示
す第１工程のように、厚膜印刷法によつて千鳥状
に形成した後、結晶化ガラスの絶縁層１３を第４
図ｂの第２工程に示すように、厚膜印刷法によ
り、第１層導体１２上に一体的に形成する。この
時第１層導体１２の電極部分１２′は露出するよ
うにする。つぎに、厚膜印刷法により、厚膜抵抗
体１５の他の側の電極として第１層導体１２のた
て方向延長線上で、第４図ｃの第３工程に示す如
く、第１層導体１２に対応するように第２層導体
１４を絶縁層１３上に形成する。

つぎに、第４図ｄの第４工程に示す如く、厚膜
抵抗体１５を、厚膜印刷法により、第１層導体１
２の電極部分１２′と第２層導体１４の電極部分
に接続するように一体的に全面に被着させる。

つぎに、第５工程として、第４図ｄの個別厚膜
抵抗体間の中心１８にそつて、レーザー光もしく
はダイシングソーによる切断方法によつて、一体
的に全面に被着した部分の厚膜抵抗体１５を個別
の厚膜抵抗体１５′に分離して、基板上に設けた
第１層導体１２と該第１層導体１２のたて方向延
長線上で基板上に設けた絶縁層１３上の第２層導
体１４とを連結してなる個別厚膜抵抗体１５′を、
互に隣接して複数個配列した厚膜抵抗体アレイを
製造することができた。

なお上記の切断方法での各個別厚膜抵抗体間の
中心１８での切断幅はレーザー光、ダイシングソ
ー共に約20μｍ程度であつた。又抵抗値の調整を
必要とする場合にはレーザートリミング装置によ
りトリミングが可能である。

かくして、本実施例においては以上の構成をと
つたので第１図に示した従来の厚膜抵抗体アレイ
においては隣接の導体間のピツチ４が0.2mm程度
であつたものが、本実施例では第２図に示すピツ
チ２０が0.2mm程度であるので、ピツチ２１は0.1
mm程度となり、従来の半分程度となり、厚膜抵抗
体アレイの高密度化を構成することが可能となつ
た。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように厚膜抵抗体アレイの
電極を２層構造とすることにより、厚膜抵抗体の
ピツチを従来のものの半分程度に形成できるの
で、高密度の厚膜抵抗体アレイが形成できるとい
う効果がある。

また電極の取り出し方も第１層導体を千鳥状配
置に、第２層導体を絶縁層上としたためどの厚膜
抵抗体の電極も片側は第１層導体、他の側は第２
層導体となるので抵抗値のバラツキを小さくでき
るという効果がある。

また本発明は、厚膜抵抗体アレイの電極を２層
構造とし第１層導体を千鳥状配置に第２層導体を
絶縁層上としたため高密度で抵抗値バラツキの小
さい厚膜抵抗体アレイが形成できるので、チツプ
抵抗および厚膜ハイブリツドIC等に利用するこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の厚膜抵抗体アレイの平面図、第
２図は本発明の１実施例の平面図、第３図は第２
図のＡ−A′の切断図、第４図は本発明の１実施
例の製造方法の説明図である。 １：セラミツク基板、２：電極、３：厚膜抵抗
体、１１：セラミツク基板、１２：第１層導体、
１２′：第１層導体の電極部分、１３：絶縁層、
１４：第２層導体、１５：厚膜抵抗体、１５′：
個別厚膜抵抗体、１８：個別厚膜抵抗体間の中
心。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 厚膜抵抗体とその電極導体を厚膜印刷法によ
   り基板上に形成するようにした厚膜抵抗体アレイ
   において、 基板上に２列に設けられた複数の第１層導体
   と、該第１層導体の端部を除くその他の部分上及
   び、前記第１層導体のそれぞれの列方向に沿つた
   前記各第１層導体と隣接する基板表面の所定部分
   上に少なくとも設けられた絶縁層と、 基板表面の前記所定部分上の前記絶縁層上に設
   けられ、且つ、前記各第１層導体と所定の距離を
   もつて相対向して設けられた複数の第２層導体
   と、 相対向する前記各第１層導体と、絶縁層上の前
   記各第２層導体とを連結するように設けられた複
   数の厚膜抵抗体とを備え、 前記第１層導体及び絶縁層上の前記第２層導体
   がともに千鳥状に配列され、且つ前記第１層導体
   と絶縁層上の前記第２層導体とが互いに隣接して
   横方向に交互に配列される構成としたことを特徴
   とする厚膜抵抗体アレイ。 ２ 基板上に厚膜抵抗体とその電極を厚膜印刷法
   により形成するようにした厚膜抵抗体アレイの製
   造方法において、複数の第１層導体を基板上に千
   鳥状に２列に配列するようにした第１工程と、 つぎに、前記の複数の第１層導体の端部に露出
   部分を設けるとともに、その他の部分の上面に絶
   縁層を被着するようにした第２工程と、 つぎに、前記の複数の第１層導体の夫々のたて
   方向延長線上の所定の距離の前記絶縁層上に、第
   ２層導体を設けるようにした第３工程と、 つぎに、前記の複数の第１層導体の端部と、前
   記第２層導体の端部とが連結されるよう厚膜抵抗
   体を一体的に被着するようにした第４工程と、 つぎに、レーザー光もしくは、ダイシングソー
   による切断方法により、前記厚膜抵抗体を個別の
   抵抗体に分離形成する第５工程とからなる厚膜抵
   抗体アレイの製造方法 ３ 前記絶縁層が、前記第１層導体のそれぞれの
   列対応に帯状に被着されることを特徴とする特許
   請求の範囲第２項記載の厚膜抵抗体アレイの製造
   方法。