JPH04316545A

JPH04316545A - 新規なアミン誘導体

Info

Publication number: JPH04316545A
Application number: JP4023192A
Authority: JP
Inventors: Ayako Matsukawa; 松川　彩子; Ayako Kurotaki; 黒滝　綾子; Osami Inoue; 長三井上
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1991-01-14
Filing date: 1992-01-13
Publication date: 1992-11-06
Also published as: JPH04316544A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、新規な液晶を呈する
化合物、その製造法及びこれら化合物を使用した液晶素
子を提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶化合物として数多く知られているも
のに、ネマチック液晶と呼ばれているものがある。この
ものは、現在液晶表示装置に使用される化合物または組
成物の主流をなしているけれども、短所の一つに応答速
度が遅く、数ｍｓｅｃのオーダーの応答速度しか得られ
ないということがあり、そのため表示の大型化に対して
限界に近づいていると言われている。

【０００３】このような従来型の液晶表示素子の欠点を
改善するものとして、双安定性を有する液晶の使用がク
ラーク及びラガウェルにより提案されている（特開昭５
６−１０７２１６号）。この双安定性を有する液晶は、
強誘電性液晶と呼ばれ、高速応答性とメモリ性が得られ
ることが注目され、特に近年においてその実用化の検討
が活発であり、実用強誘電性液晶物質の開発が急務にな
っている。

【０００４】一般に強誘電性液晶は、光学活性部位を有
する化合物で、かつその分子長軸が層の法線方向からチ
ルトした分子配向を有する一連のスメクチック相におい
て発現される。中でもキラルスメクチックＣ（以下ＳＣ
＊と略記する。）相は、比較的低電圧動作性のため実用
上優位とされる。

【０００５】このように強誘電性液晶は、自発分極を有
するために非常に速い応答速度を有する上に、メモリ性
のある双安定状態を発現させることができ、更に視野角
が優れていることから、大容量大画面のディスプレイ用
材料として適している。

【０００６】このような強誘電性液晶として１９７５年
、Ｒ．Ｂ．Ｍｅｙｅｒらにより合成された４−（４−ｎ
−デシルオキシベンジリデンアミノ）桂皮酸−２−メチ
ルブチルエステル（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略記する。）
が知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　　３６　　Ｌ
−６９（１９７５））。

【０００７】このＤＯＢＡＭＢＣは、シッフベースを構
造内に含むため、その化学的安定性に難がある。そこで
強誘電性液晶材料として、物理的、化学的に安定な種々
の化合物が探索され、現在、４−（４−ｎ−アルキルオ
キシフェニル）−１−カルボン酸−２−メチルブチルエ
ステル（以下ＣＮと略記する。）を始めとするエステル
系化合物の探索にその主力が移ってきている。しかし、
このＣＮを始めとするエステル系化合物はＳｃ＊相を示
さないか、示したとしてもそのＳｃ＊相を示す温度範囲
が狭く、しかも液晶を加熱、冷却したときで異なる相系
列を示すモノトロピック液晶であるため、実用に耐える
ものは少ない（Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　　
ａｎｄ　　Ｏｒｄｅｒｅｄ　　Ｆｌｕｉｄｓ　　４（１
９８４））。

【０００８】一方、ヘテロ原子を含む強誘電性液晶化合
物は数多く知られているが、窒素原子を含む化合物とし
ては、ピリミジン環などのヘテロ環として含むもの（特
開昭６１−２２０７２，２４５７６，１２９１７０号）
、及びＤＯＢＡＭＢＣを始めとしたシッフ塩基などを結
合基として含むものが知られている。

【０００９】結合基として窒素原子を含む化合物のうち
、シッフ塩基は先に述べたように化学的安定性に難があ
る。また、アミド結合を含む化合物は一般に融点が高く
、液晶性を示しにくいため有効とは言えなかった。

【００１０】アミンの形で窒素原子を導入した液晶の例
としては、まずアルキル鎖中にトラネキサム酸を原料と
してアミンを導入し、安価で広い液晶温度範囲を示す液
晶化合物を提供した例がある（特開平３−２１８３３８
号、特願平２−１４９４８７号）。また、芳香族アミン
として導入した例として、芳香族２級アミンを導入した
例がある（特開昭６３−２９６１号、特開平２−５３７
５６号）。

【００１１】しかし、単独の化合物では液晶性を示す温
度範囲が適当でない、あるいは高温で示す例が開示され
ているだけで、実用段階にはまだ至っていない。

【００１２】従ってこれらの液晶化合物を混合して液晶
性を示す温度範囲を広くしたり、液晶温度を低下させた
り、コストダウンなどをはかっているが、一般に強誘電
性液晶組成物においては、光学活性な化合物を混合する
場合には、該組成物の光学活性液晶化合物間のキラルス
メクチックＣ相、コレステリック相、それぞれにおける
ピッチの左右の向き、大きさ、自発分極の極性等を考慮
しなければならない。

【００１３】一方、自発分極を持たない非光学活性な液
晶組成物を母体として用いれば、キラルスメクチックＣ
相、コレステリック相、それぞれのピッチの向き、自発
分極の極性等を考慮することなしに混合することが可能
であり、有効な強誘電性液晶組成物を得ることが可能と
なる。幅広い温度範囲で液晶性、特にスメクチックＣ相
を示す安定な非光学活性な液晶組成物に、光学活性な化
合物を少量添加し、強誘電性を発現させる手法が開発さ
れ一般的に行われるようになった。そこで安定な液晶性
を示す非光学的な化合物が強く望まれている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は化学的に安定
で、かつ広い温度範囲で液晶性を示す新規な非光学活性
アミン誘導体を提供することを目的とする。

【００１５】更に、アルキル基の種類の変更が容易なＮ
，Ｎ−ジ置換アミン誘導体を中間体とした新規な液晶化
合物の製造方法の開発を目的とする。また、アルキル基
の種類、長さ及びエステル基の種類を容易に変更でき、
液晶状態において発現する液晶相の種類や温度範囲の制
御が可能な液晶化合物、及びそれを少なくとも１種類配
合成分として含有する液晶組成物を提供することを目的
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明ではＮ，Ｎ−ジ置
換アミン誘導体を中間体として、これにビフェニル誘導
体を反応させエステル化を行うことにより、広範囲にわ
たる温度範囲で安定した液晶性を示す化合物を合成する
ことに成功した。

【００１７】即ち、一般式（Ｉ）　　（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（ＣＨ２　）ｍ　−Φ−
Ｘ−Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　……（Ｉ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性
な炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基で
あってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　
は水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニ
レン基、ＸはＣＯＯまたはＯＣＯ、ｍ、ｎはそれぞれ０
または１を表す。）で表されるアミン誘導体を得た。

【００１８】本発明のアミン誘導体は芳香族環を隣接し
たＮ，Ｎ−ジ置換アミン誘導体部分、（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（ＣＨ２　）ｍ　−Φ−とビ
フェニル誘導体部分 −Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３の２つに分けられ、この２つがエステル結合により結び
ついている。

【００１９】Ｒ１　について言えば、非光学活性な炭素
数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であって
、その一部がハロゲンで置換されていても良く、好まし
くは炭素数３〜７であり、分岐鎖のあるアルキル基を用
いると液晶の熱安定性が増す傾向にある。

【００２０】Ｒ２　は水素、メチル基またはエチル基で
ある。メチル基、エチル基は好ましいが炭素数が３以上
となると液晶性が低下するので好ましくない。

【００２１】Ｒ３　は非光学活性な炭素数１〜１８の分
岐鎖を含んでも良いアルキル基を表すが、炭素数は５〜
１２が望ましく、炭素数が７以下または奇数の場合は液
晶の温度範囲が広くなる傾向がある。

【００２２】本発明の化合物は一般式（Ｉ）においてＸ
で表されるエステル結合がＣＯＯであるか、またはＯＣ
Ｏであるかによって異なるが、次の製造方法に従って製
造することができる。

【００２３】即ち、Ｘ＝ＣＯＯ（一般式（Ｉａ）で表さ
れる）の場合は３級アミン誘導体部分のフェニル基のパ
ラ位にカルボキシル基がついたもの（一般式（ＩＩ）で
表される）と、ビフェニル誘導体のビフェニル基の４位
に水酸基がついたもの（一般式（ＩＩＩ）　で表される
）を反応させる。例えば、　　　　　　　　　　　　（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（
ＣＨ２　）ｍ　−Φ−ＣＯＯＨ　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　……（ＩＩ）で表される化合物またはその塩と、一般
式（ＩＩＩ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　ＨＯ−Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　……（ＩＩＩ）　で表される化合物をエス
テル化することにより一般式（Ｉａ）　（Ｒ１）　（Ｒ２）Ｎ−　（ＣＨ２）ｍ　−Φ−ＣＯ
Ｏ−Φ−Φ−　（ＣＯ）ｎ−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　……（Ｉａ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性な
炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であ
ってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　は
水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニレ
ン基、ｍ、ｎはそれぞれ０または１を表す。）で表され
る化合物を得る。

【００２４】またＸ＝ＯＣＯ（一般式（Ｉｂ）で表され
る）の場合は、上述のカルボキシル基と水酸基が入れ替
わった化合物（一般式（ＩＶ）、（Ｖ）で表される。）
を同様に反応させることにより得ることができる。

【００２５】即ち、一般式（ＩＶ）　　　　　　　　　　　　（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（
ＣＨ２　）ｍ　−Φ−ＯＨ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…
…（ＩＶ）で表される化合物またはその塩と、一般式（
Ｖ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＨＯＯＣ−
Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　……（Ｖ）で表される化合物とをエステル化するこ
とにより一般式（Ｉｂ）　（Ｒ１）　（Ｒ２）Ｎ−　（ＣＨ２）ｍ　−Φ−ＯＣ
Ｏ−Φ−Φ−　（ＣＯ）ｎ−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　……（Ｉｂ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性な
炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であ
ってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　は
水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニレ
ン基、ｍ、ｎはそれぞれ０または１を表す。）で表され
る化合物を得ることができる。

【００２６】これらのエステル化は、ジシクロヘキシル
カルボジイミド（以下、ＤＣＣと略す。）あるいは塩化
チオニルを用いて行う。

【００２７】一般式（ＩＩ）または（ＩＶ）で表される
アミン中間体は、それぞれ相当するアミンの活性水素に
保護基を付けた後、Ｒ１　、Ｒ２　に相当するアルキル
基を有するハロゲン化アルキルを水素化ナトリウム等の
塩基を用いてＮ−アルキル化することにより得られる。

【００２８】例えば一般式（ＩＩ）で表される化合物は
、まず相当する市販の一級アミンを原料として用いアミ
ンの保護基としてｔ−ブチルオキシカルボニル基などを
導入し、ハロゲン化メチルでＮ−メチル化を行い、同時
にエステル化することでカルボキシル基の保護基を形成
することができる（図１（Ａ）参照）。次いで塩酸で保
護基を除き、Ｒ１　に相当するハロゲン化アルキルでＮ
−アルキル化し、最後にエステルを加水分解して化合物
（ＩＩ）を得ることができる（図１（Ｂ）参照）。

【００２９】特にｍ＝０の場合で、Ｒ２　がメチルのと
きは市販のＮ−メチルアミノ安息香酸を用い、メタノー
ルあるいはエタノールでエステル化することで１ステッ
プ反応を短縮することが可能である（図１（Ｃ）参照）
。

【００３０】（ＩＶ）で示される化合物は、ｍ＝１のと
きはニトリルの還元、ｍ＝０のときはニトロ基の還元に
よってアミン部位を導き（図２（Ｄ），（Ｅ）参照）、
（ＩＩ）の場合とほぼ同様にフェノール性水酸基とアミ
ン部分に保護基を付けた後、Ｒ１、Ｒ２　に相当するハ
ロゲン化アルキルでＮ−アルキル化して得ることができ
る（図２（Ｆ）参照）。このとき、フェノール性水酸基
の保護基を必要とするが、ｍ＝１のときはｐ−トルエン
スルホニル基、ｍ＝０のときはベンジル基を用いること
で、還元反応及び脱保護反応を収率良く行うことができ
る。

【００３１】図１及び図２にアミン中間体（ＩＩ）、（
ＩＶ）を経由した一般式（Ｉａ），（Ｉｂ）で表される
化合物の反応ルートを示す。

【００３２】上述した方法にて製造した化合物は、カラ
ムクロマトグラフィー及び再結晶にて精製する。

【００３３】一般式（ＩＩＩ）　で表される化合物は、
特開平３−２１８３３８号に示された方法と同様にして
得ることができる。また一般式（Ｖ）で表される化合物
は市販のものを用いることが可能である。

【００３４】

【作用】本発明における一般式（Ｉ）　　（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（ＣＨ２　）ｍ　−Φ−
Ｘ−Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　……（Ｉ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性
な炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基で
あってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　
は水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニ
レン基、ＸはＣＯＯまたはＯＣＯ、ｍ、ｎはそれぞれ０
または１を表す。）の化合物は低融点でかつ非常に安定
な液晶性を示す非光学活性なアミン誘導体である。

【００３５】特にメチレン基をはさんで存在するアミノ
基を持つ化合物（一般式（Ｉ）においてｍ＝１の化合物
に相当する本発明の化合物は、エナンチオトロピックな
液晶性を示すが、これはメチレン基をはさんで存在する
アミノ基が分子の分極を促し、液晶配列を取り易くして
いるためと推定される。

【００３６】これらのことから分子内にアミンを有する
化合物は強い分子間水素結合を持つアミド結合などと異
なり液晶性を安定化させる効果を持つことが分かった。

【００３７】このように開発された化合物は、高価な不
斉炭素を有するアルキル鎖を持つ化合物（特願平２−８
６９４８号）と比較して安価であり、またバリエーショ
ンの豊富なアルキル鎖を用いているため側鎖の変更が容
易である。そこで理想的な液晶温度範囲を発現する側鎖
の最適化について検討ができる。次に本発明の化合物は
非光学活性な液晶化合物であるため、強誘電性液晶組成
物の材料として混合していく際、らせんの向き、自発分
極の極性等の物質定数を考慮することなしに混合できる
ため組み合わせの自由度が非常に高いことである。

【００３８】また非光学活性な液晶であり、らせんを持
たないため、強誘電性液晶組成物に添加することにより
キラルスメクチックＣ相のらせんのピッチを長くするこ
とができる。

【００３９】さらに理想的な液晶相系列と温度範囲の調
整は非光学活性体化合物の方が容易であり、これに少量
のキラルドーパントを加えて強誘電性液晶組成物として
も相系列、液晶温度はあまり変化しない。また逆に強誘
電性液晶組成物が良好な配向状態を得た相系列に本発明
の液晶化合物を混合しても互いの相系列を乱すことなく
より有効な液晶温度範囲を有する組成物とすることがで
きる。

【００４０】本発明の化合物は、上記理由により応答性
、メモリ性に優れた液晶表示素子の構成成分として利用
できる新規な非光学活性なアミン誘導体である。

【００４１】

【実施例】以下、実施例により本発明の化合物について
更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により
限定されるものではない。

【００４２】以下、Ｃｒｙ、Ｎ、ＳＡ　、ＳＣ　、Ｉｓ
ｏ相はそれぞれ結晶、ネマチック相、スメクチックＡ相
、スメクチックＣ相、等方性液体を示し、ＳＸ　はスメ
クチック相の高次構造を示す。

【００４３】本発明の化合物の精製はシリカゲルクロマ
トグラフィーおよび酢酸エチル、ヘキサン等による再結
晶にて行った。

【００４４】以下に示す相転移点の測定値は、物質の純
度により若干の影響を受けることもある。

【００４５】（実施例１）４−［Ｎ−３−メチルブチル
−Ｎ−メチルアミノメチル］−安息香酸−４”−ペンチ
ルオキシカルボニル−４’−ビフェニルエステルの合成
■　　４−（Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノメ
チル）安息香酸の合成４−アミノメチル安息香酸を７．５６ｇをジオキサン−
水（２：１）１５０ｍｌに溶解し、氷浴中で１Ｍ−Ｎａ
ＯＨ水溶液５０ｍｌを１０分間かけて滴下し、次にジ−
ｔ−ブチルジカーボネート１２．６ｇを滴下した。室温
に戻し一晩撹拌した。次いで反応液を約１／３の容量に
なるまで減圧濃縮し、１Ｎ−ＨＣｌを用いてｐＨ４に調
整した。酢酸エチル（７００ｍｌ）で抽出し、次に有機
層を精製水（２００ｍｌ）、飽和食塩水（１００ｍｌ）
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を約１
００ｍｌに減圧濃縮し、晶析させ、白色粉末の４−（Ｎ
−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノメチル）安息香酸
６．１０ｇを得た。

【００４６】■　　４−（Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニル−Ｎ−メチルアミノメチル）安息香酸メチルエステ
ルの合成工程■で得られた結晶８．６０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、氷浴中でヨウ化メチル１７．４ｍ
ｌを滴下し、６０％水素化ナトリウム４．１２ｇを少し
ずつ加え、３０分撹拌した後室温に戻し一晩撹拌を続け
た。この反応溶液に精製水（１００ｍｌ）を加え、エー
テル（２５０ｍｌ）で抽出した。有機層を飽和炭酸水素
ナトリウム（２００ｍｌ）、飽和食塩水（１００ｍｌ）
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を
減圧留去し淡黄色油状の粗４−（Ｎ−ｔ−ブチルオキシ
カルボニル−Ｎ−メチルアミノメチル）安息香酸メチル
エステルを１０．８ｇ得た。

【００４７】■　　４−（Ｎ−メチルアミノメチル）安
息香酸メチルエステル塩酸塩の合成工程■で得た化合物１０．８ｇを氷浴中４Ｎ−塩酸・酢
酸エチル溶液（２３．３ｍｌ）を加え、室温に戻し３時
間撹拌した。一晩静置後、酢酸エチル４０ｍｌを加えて
生じた結晶を濾取し、白色粉末の粗４−（Ｎ−メチルア
ミノメチル）安息香酸メチルエステル塩酸塩を７．８ｇ
得た。

【００４８】■　　４−（Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−
メチルアミノメチル）安息香酸メチルエステルの合成工
程■で得た結晶７．８ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド（５０ｍｌ）に溶かし、氷浴中でトリエチルアミン（
５．０ｍｌ）、１−ブロモ−３−メチルブタン（５．８
ｍｌ）を順次滴下し、水素化ナトリウム（１．８７ｇ）
を少しずつ加え、９０℃で４時間加熱した。冷却後、精
製水（４０ｍｌ）を滴下し、エーテル（３００ｍｌ）で
抽出し、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで脱
水した後、溶媒を減圧留去した。得られた橙色油状物８
．４ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し酢
酸エチル−ヘキサン（１：６）の留分から透明な極淡黄
色の４−（Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−メチルアミノメ
チル安息香酸メチルエステル５．１４ｇを得た。

【００４９】■　　４−（Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−
メチルアミノメチル）安息香酸塩酸塩の合成工程■で得
た化合物４−（Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−メチルアミ
ノメチル）安息香酸メチルエステル５．１４ｇに６Ｎ−
塩酸（３４ｍｌ）を滴下し、１００℃で４時間加熱した
。冷却後、溶媒を減圧留去し、イソプロピルエーテル、
エーテルを加えて生じた結晶を濾取し、ベンゼンで洗浄
し、４−（Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−メチルアミノメ
チル）安息香酸塩酸塩の淡黄色粉末４ｇを得た。

【００５０】■　　４−ヒドロキシ−４−ビフェニルカ
ルボン酸ペンチルエステルの合成４−ヒドロキシ−４−ビフェニルカルボン酸（６．４ｇ
）にｎ−アミルアルコール（２２．８ｍｌ）、濃硫酸（
１．０ｍｌ）を滴下し、９５℃で５時間加熱した。冷却
後、アミノアルコール等溶媒を減圧留去し、ヘキサン３
０ｍｌを加えて生じた結晶を濾取し、４−ヒドロキシ−
４−ビフェニルカルボン酸ペンチルエステルの淡黄色粉
末を４．２ｇ得た。

【００５１】■　　４−［Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−
メチルアミノメチル］−安息香酸−４”−ペンチルオキ
シカルボニル−４’−ビフェニルエステルの合成工程■
で得た化合物をジクロロメタン３０ｍｌに溶かし、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド（２．７ｇ）と工程■で得
た化合物３．８ｇ、４−ピロリジノピリジン（０．９ｇ
）を加え室温で一晩撹拌した。溶媒を減圧留去し、酢酸
エチル（６０ｍｌ）を加えて生じた結晶を濾別した。得
られた結晶をジクロロメタンに溶かし、再び濾過した。濾液は飽和炭酸水素ナトリウム（１２０ｍｌ）、飽和食
塩水（１００ｍｌ）で洗浄した。無水硫酸マグネシウム
で脱水し、溶媒濃縮し、ヘキサン（３ｍｌ）を加え、副
生物を濾別し、溶媒を減圧留去し粗４−［Ｎ−３−メチ
ルブチル−Ｎ−メチルアミノメチル］−安息香酸−４”
−ペンチルオキシカルボニル−４’−ビフェニルエステ
ル５．８ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィ
ーに付し、酢酸エチル：ジクロロメタン（１：９）、酢
酸エチル：ヘキサン（１：３）で２回精製し、ヘキサン
で再結晶し、白色針状結晶４−［Ｎ−３−メチルブチル
−Ｎ−メチルアミノメチル］−安息香酸−４”−ペンチ
ルオキシカルボニル−４’−ビフェニルエステルを１．
３ｇ得た。

【００５２】得られた生成物は　１Ｈ−ＮＭＲ，ＩＲで
その構造を確認した。またこの物質の相転移温度を測定
した結果を表１に表す。相転移温度は偏光顕微鏡による
目視観察で判定した。ＮＭＲスペクトル（ｐｐｍ）０．９０，０．９５，１．３０〜１．５０，１．５２〜
１．７２，１．８３，２．２２，２．４３，３．５６，
４．３５，７．３４，７．５０，７．６８，７．７０，
８．１４，８．１９ＩＲ−スペクトル（ｃｍ−１）２８２５，２７５０，１７００，１５９０，１４４０

【
００５３】（実施例２〜５）一般式（Ｉ）において、Ｒ
１　、Ｒ２　がそれぞれ表１に示す基である実施例２〜
５の化合物を実施例１と同様にそれぞれ合成した。得ら
れた化合物はそれぞれ　１Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲでその構
造を確認した。ＮＭＲスペクトル（ｐｐｍ）０．９０，０．９５，１．２０〜１．６０＊　，１．８
３，２．２２，２．４３３．５６，４．３５，７．３４，７．５０，７．６８，
７．７０，８．１４，８．１９（注）＊それぞれのメチレン基の長さに相当するピーク
の高さが異なるのみで他は同じ。ＩＲ−スペクトル（ｃｍ−１）２８２５，２７５０，１７００，１５９０，１４４０こ
れらの化合物について実施例１に示した方法で相転移温
度を測定した結果を表１に示す。

【００５４】

【表１】

【００５５】（実施例６〜８）上記実施例２及び３で得
られた化合物に下記に示す光学活性な化合物Ａ〜Ｃを表
２に示す割合で混合し、液晶組成物を調製した。

【化１】

【化２】

【化３】この液晶組成物をポリイミドを塗布し、ラビング処理を
施した透明電極付ガラス板からなる厚さ３．３μｍのセ
ルに注入し、矩形波電圧（３０ＶＰ−Ｐ　，５０Ｈｚ）
を印加したところ明瞭な明暗のスイッチングを示した。その相転移温度と応答速度を表２に示す。

【００５６】

【表２】

【００５７】

【発明の効果】以上例示したように、本発明の化合物は
非光学活性化合物であるため、合成は容易であり、安価
であり極めて広範な温度領域において安定な液晶性を呈
する。

【００５８】次に物質定数を考慮せずに混合が可能であ
るため、組み合わせの自由度が極めて高く相容性に優れ
ている。更に強誘電性液晶組成物に添加するときはらせ
んのピッチを長くすることができる。

【００５９】また組み合わせの自由度が高いことは、液
晶温度範囲を好ましい範囲とする強誘電性液晶組成物を
得ることが容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般式（Ｉａ）で表される化合物の反応ルート
を示す。

【図２】一般式（Ｉｂ）で表される化合物の反応ルート
を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　一般式（Ｉ）　　（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（ＣＨ２　）ｍ　−Φ−
Ｘ−Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　……（Ｉ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性
な炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基で
あってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　
は水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニ
レン基、ＸはＣＯＯまたはＯＣＯ、ｍ、ｎはそれぞれ０
または１を表す。）で表されるアミン誘導体。
【請求項２】　　一般式（ＩＩ）　　　　　　　　　　　　（Ｒ１　）（Ｒ２　）Ｎ−（
ＣＨ２　）ｍ　−Φ−ＣＯＯＨ　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　……（ＩＩ）（式中Ｒ１　は非光学活性な炭素数１〜
１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であってその一
部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　は水素、メチ
ル基またはエチル基、Φは１，４−フェニレン基、ｍは
０または１を表す。）で表される化合物またはその塩と
、一般式（ＩＩＩ）　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　ＨＯ−Φ−Φ−（ＣＯ）ｎ　−ＯＲ３　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　……（ＩＩＩ）　（式中Ｒ３　は非
光学活性な炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアル
キル基であってその一部がハロゲンで置換されても良く
、Φは１，４−フェニレン基、ｎは０または１を表す。）で表される化合物を反応させることを特徴とする、一
般式（Ｉ）　（Ｒ１）　（Ｒ２）Ｎ−　（ＣＨ２）ｍ　−Φ−ＣＯ
Ｏ−Φ−Φ−　（ＣＯ）ｎ−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　……（Ｉａ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性な
炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であ
ってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　は
水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニレ
ン基、ｍ、ｎはそれぞれ０または１を表す。）で表され
るアミン誘導体の製造方法。
【請求項３】　　一般式（ＩＶ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｒ１）　（
Ｒ２）Ｎ−　（ＣＨ２）ｍ　−Φ−ＯＨ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　……（ＩＶ）（式中Ｒ１　は非光学活性な炭
素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であっ
て、その一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　は
水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニレ
ン基、ｍは０または１を表す。）で表される化合物と一
般式（Ｖ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＨＯ
ＯＣ−Φ−Φ−　（ＣＯ）ｎ−ＯＲ３　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　……（Ｖ）（式中Ｒ３　は非光学活性な炭素
数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であって
その一部がハロゲンで置換されても良く、Φは１，４−
フェニレン基、ｎは０または１を表す。）で表される化
合物を反応させることを特徴とする一般式（Ｉｂ）　（Ｒ１）　（Ｒ２）Ｎ−　（ＣＨ２）ｍ　−Φ−ＯＣ
Ｏ−Φ−Φ−　（ＣＯ）ｎ−ＯＲ３　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　……（Ｉｂ）（式中Ｒ１　、Ｒ３　は非光学活性な
炭素数１〜１８の分岐鎖を含んでも良いアルキル基であ
ってその一部がハロゲンで置換されても良く、Ｒ２　は
水素、メチル基またはエチル基、Φは１，４−フェニレ
ン基、ｍ、ｎはそれぞれ０または１を表す。）で表され
るアミン誘導体の製造方法。
【請求項４】　　請求項１記載のアミン誘導体を少なく
とも一種配合成分として含有した組成物を使用すること
を特徴とする液晶素子。