JPH0435023A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0435023A JPH0435023A JP2143058A JP14305890A JPH0435023A JP H0435023 A JPH0435023 A JP H0435023A JP 2143058 A JP2143058 A JP 2143058A JP 14305890 A JP14305890 A JP 14305890A JP H0435023 A JPH0435023 A JP H0435023A
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ＣＭＯ３を有する半導体装置に関する。
本発明は、ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン部の不純物
イオン注入において、Ｎ型とＰ型と２種のＭＯＳＦＥＴ
に、それぞれ別のイオンを注入しなければならない。１
種目のイオン注入を行った後の酸化工程において、既に
イオンが注入されている場所は、注入されていない場所
に比べ酸化速度が速いため、より厚い酸化膜が形成され
る。
イオン注入において、Ｎ型とＰ型と２種のＭＯＳＦＥＴ
に、それぞれ別のイオンを注入しなければならない。１
種目のイオン注入を行った後の酸化工程において、既に
イオンが注入されている場所は、注入されていない場所
に比べ酸化速度が速いため、より厚い酸化膜が形成され
る。
この酸化膜をマスクにし、２種目のイオン注入を行うこ
とにより、１種目のイオン注入が行われていないところ
に、２種目のイオン注入が行えるようにし、たものであ
る。
とにより、１種目のイオン注入が行われていないところ
に、２種目のイオン注入が行えるようにし、たものであ
る。
素子分離工程、ゲート部配線工程等、適切な工程を終了
し、た後、第２図（・））に示したようＭ、フォトリノ
ダラフィ技術により、所望のパター７をフォトレジスト
で覆い Ｎ型不純物を注入する。そして、第２図＋ｈ＋
に示したように、フォトレジストをパターンしなおし、
Ｐ型〒純物を注入し５ていた。
し、た後、第２図（・））に示したようＭ、フォトリノ
ダラフィ技術により、所望のパター７をフォトレジスト
で覆い Ｎ型不純物を注入する。そして、第２図＋ｈ＋
に示したように、フォトレジストをパターンしなおし、
Ｐ型〒純物を注入し５ていた。
Ｎ型及びＰ型不純物を注入するとき、それぞれフｔ ｌ
−１・・ジス１？′バり −゛／グしていたため４、フ
ッＩリソグラフイエ程４２度行わなけねばならず、工程
が複雑になっていた。
−１・・ジス１？′バり −゛／グしていたため４、フ
ッＩリソグラフイエ程４２度行わなけねばならず、工程
が複雑になっていた。
１種目のイオン注入を行った後、酸化工程を行い、フォ
トリソグラフィ工程を行わず、２種目のイオン注入を行
う。従って、フォトリソグラフィ工程は、１種目のイオ
ン注入の前のみとした。
トリソグラフィ工程を行わず、２種目のイオン注入を行
う。従って、フォトリソグラフィ工程は、１種目のイオ
ン注入の前のみとした。
上記のような工程にすれば、１種目のイオン注入を行っ
た後の酸化工程において、イオンが注入された場所と、
注入されていない場所とで酸化速度が数倍具なっている
ため、即にイオンが注入されている部分に厚く酸化膜が
形成される。この酸化膜をマスクにし、イオン注入を行
うことにより、２種めのイオン注入をフォトリソグラフ
ィ工程を行わずにできるようにしたものである。
た後の酸化工程において、イオンが注入された場所と、
注入されていない場所とで酸化速度が数倍具なっている
ため、即にイオンが注入されている部分に厚く酸化膜が
形成される。この酸化膜をマスクにし、イオン注入を行
うことにより、２種めのイオン注入をフォトリソグラフ
ィ工程を行わずにできるようにしたものである。
以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。Ｍ
ＯＳＦＥＴの製造工程のソース・ドレイン部のイオン注
入において、適当な工程が終了した基板において、第１
図［ａ）のように所望の領域をフォトレジストで覆い、
１種目のイオン、例えばＰイオン、インプラにより注入
する。次にフォトレジストを除去後、酸化を行う。酸化
条件は、例えば８００〜８５０ （’ｃ ）で、Ｗｅｔ
酸化を行う。すると、インプラが行われていない部分の
酸化膜が、例えば２００人程度になったとき、インプラ
をあらかじめ行った部分は、行わない部分の数倍、例え
ば１０００Å以上酸化される。ここで、第１図（ｂｌの
ように２種目のイオン、例えばＢＦ２イオンを、数十（
Ｋｅｖ）の注入エネルギーで全面に注入する。すると、
ＢＦ２の酸化膜中の飛程距離は数十（Ｋｅｙ）の注入エ
ネルギーでは１０００人に満たず、すてにＰイオンのイ
オン注入を行ったところでは、はとんどのＢＦ２が酸化
膜中で止まってしまうため、基板シリコン部には、一部
のＢＦ２Ｌか到達しない。従って、Ｐイオンのイオン注
入を行ったところは、Ｐイオンが支配的となり、Ｎ型半
導体となる。一方、Ｐイオンをイオン注入していないと
ころは、酸化膜厚が２００人程度であるため、数十（Ｋ
ｅｖ）の注入エネルギーで、十分に酸化膜を突き抜ける
ため、基板シリコン部はＢＦ２イオンにより、Ｐ型半導
体となる。このようにして形成されたＰ型半導体及びＮ
型半導体を、それぞれＭＯＳＦＥＴ）ランジスタのソー
ス・ドレイン部とし、適切な後工程を施すことにより、
ＣＭＯ３半導体が完成する。
ＯＳＦＥＴの製造工程のソース・ドレイン部のイオン注
入において、適当な工程が終了した基板において、第１
図［ａ）のように所望の領域をフォトレジストで覆い、
１種目のイオン、例えばＰイオン、インプラにより注入
する。次にフォトレジストを除去後、酸化を行う。酸化
条件は、例えば８００〜８５０ （’ｃ ）で、Ｗｅｔ
酸化を行う。すると、インプラが行われていない部分の
酸化膜が、例えば２００人程度になったとき、インプラ
をあらかじめ行った部分は、行わない部分の数倍、例え
ば１０００Å以上酸化される。ここで、第１図（ｂｌの
ように２種目のイオン、例えばＢＦ２イオンを、数十（
Ｋｅｖ）の注入エネルギーで全面に注入する。すると、
ＢＦ２の酸化膜中の飛程距離は数十（Ｋｅｙ）の注入エ
ネルギーでは１０００人に満たず、すてにＰイオンのイ
オン注入を行ったところでは、はとんどのＢＦ２が酸化
膜中で止まってしまうため、基板シリコン部には、一部
のＢＦ２Ｌか到達しない。従って、Ｐイオンのイオン注
入を行ったところは、Ｐイオンが支配的となり、Ｎ型半
導体となる。一方、Ｐイオンをイオン注入していないと
ころは、酸化膜厚が２００人程度であるため、数十（Ｋ
ｅｖ）の注入エネルギーで、十分に酸化膜を突き抜ける
ため、基板シリコン部はＢＦ２イオンにより、Ｐ型半導
体となる。このようにして形成されたＰ型半導体及びＮ
型半導体を、それぞれＭＯＳＦＥＴ）ランジスタのソー
ス・ドレイン部とし、適切な後工程を施すことにより、
ＣＭＯ３半導体が完成する。
この発明は、以上説明したように、−度のフォトリソグ
ラフィ工程で、２種の異なったイオン注入を行い、２種
の異なった半導体が形成できるため、工程を簡略化する
効果がある。
ラフィ工程で、２種の異なったイオン注入を行い、２種
の異なった半導体が形成できるため、工程を簡略化する
効果がある。
Ｎ型不純物注入部
インプラ用酸化膜（膜厚２１０００人）インプラ用酸化
膜（膜厚二２００人） Ｐ型不純物注入部 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
膜（膜厚二２００人） Ｐ型不純物注入部 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
第１図＋ａｌ、 ｆｂ）はこの発明にかかる半導体装置
の工程順断面図、第２図（ａ）、 Ｆｂｌは従来の製造
工程順断面図である。 シリコン基板 インプラ用酸化膜 Ｎ型ＭＯ５ＦＥＴ用ゲート Ｐ型ＭＯ５ＦＥＴ用ゲート フォトレジスト
の工程順断面図、第２図（ａ）、 Ｆｂｌは従来の製造
工程順断面図である。 シリコン基板 インプラ用酸化膜 Ｎ型ＭＯ５ＦＥＴ用ゲート Ｐ型ＭＯ５ＦＥＴ用ゲート フォトレジスト
Claims (1)
- Ｓｉ基板の異なった２ヵ所に、異なった２種のイオン
を注入する工程において、第１種目のイオンをフォトレ
ジストをマスクにし、所望の部分に注入する工程と、そ
の後に酸化を行う工程と、第２種目のイオンを、酸化膜
をマスクにし、所望の部分に注入する工程を有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02143058A JP3109001B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02143058A JP3109001B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435023A true JPH0435023A (ja) | 1992-02-05 |
| JP3109001B2 JP3109001B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=15329934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02143058A Expired - Lifetime JP3109001B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109001B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| UA108666C2 (uk) | 2010-09-03 | 2015-05-25 | Водонепроникний, дихаючий предмет взуття і спосіб виробництва предмета взуття (варіанти) |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP02143058A patent/JP3109001B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3109001B2 (ja) | 2000-11-13 |
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