JPH0464457B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0464457B2 JPH0464457B2 JP60006043A JP604385A JPH0464457B2 JP H0464457 B2 JPH0464457 B2 JP H0464457B2 JP 60006043 A JP60006043 A JP 60006043A JP 604385 A JP604385 A JP 604385A JP H0464457 B2 JPH0464457 B2 JP H0464457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- polymer layer
- organic polymer
- reactive ion
- ion etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
- H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、傾斜した側壁を有する貫通孔を形成
するための方法に係る。この方法は、完全な乾式
方法である。
するための方法に係る。この方法は、完全な乾式
方法である。
［従来技術］
殆どのリソグラフイ・エツチング方法に於て
は、垂直な側壁が形成されることが望ましいが、
例外的に、貫通孔の場合に、傾斜した側壁を有す
ることが有利である場合がある。ソリツド・ステ
ート・テクノロジー（Solid State
Technology）、1980年４月号、第122頁に於ける
論文は、SiO2層中に傾斜した側壁を有する貫通
孔を形成するための方法について記載している。
その方法は、明らかに本発明の方法と著しく異な
るものである。本発明の方法は、アルカリ性溶液
を用いる湿式現像を含む従来の方法よりも便利で
ある。
は、垂直な側壁が形成されることが望ましいが、
例外的に、貫通孔の場合に、傾斜した側壁を有す
ることが有利である場合がある。ソリツド・ステ
ート・テクノロジー（Solid State
Technology）、1980年４月号、第122頁に於ける
論文は、SiO2層中に傾斜した側壁を有する貫通
孔を形成するための方法について記載している。
その方法は、明らかに本発明の方法と著しく異な
るものである。本発明の方法は、アルカリ性溶液
を用いる湿式現像を含む従来の方法よりも便利で
ある。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、完全な乾式方法により、傾斜
した側壁を有する貫通孔を形成するための方法を
提供することである。
した側壁を有する貫通孔を形成するための方法を
提供することである。
［問題を解決するための手段］
本発明は、完全な乾式により傾斜した側壁を有
する貫通孔を形成するための方法を提供する。本
発明の方法は、基板を有機重合体層で被覆し、マ
スクを上記有機重合体層の上方に20乃至200ミク
ロンの距離に配置することを含む。そのような距
離にマスクを配置することは、本発明の方法に於
ける１つの重要な特徴である。本発明の方法に於
ける次の工程は、上記マスクを経て酸素を用いた
反応性イオン・エツチング雰囲気に対して上記有
機重合体層をさらすことである。上記マスクは、
酸素を用いた反応性イオン・エツチング雰囲気に
耐える任意の材料より成り、開孔を有している。
それらの開孔は、概して約１乃至15ミクロン、好
ましくは約５ミクロンの直径を有する。上記反応
性イオン・エツチングは、上記マスク中の開孔と
整合されている貫通孔が上記有機重合体層中に形
成される迄、続けられる。
する貫通孔を形成するための方法を提供する。本
発明の方法は、基板を有機重合体層で被覆し、マ
スクを上記有機重合体層の上方に20乃至200ミク
ロンの距離に配置することを含む。そのような距
離にマスクを配置することは、本発明の方法に於
ける１つの重要な特徴である。本発明の方法に於
ける次の工程は、上記マスクを経て酸素を用いた
反応性イオン・エツチング雰囲気に対して上記有
機重合体層をさらすことである。上記マスクは、
酸素を用いた反応性イオン・エツチング雰囲気に
耐える任意の材料より成り、開孔を有している。
それらの開孔は、概して約１乃至15ミクロン、好
ましくは約５ミクロンの直径を有する。上記反応
性イオン・エツチングは、上記マスク中の開孔と
整合されている貫通孔が上記有機重合体層中に形
成される迄、続けられる。
本発明の方法に於て用いられる有機重合体層を
形成するために、任意の有機重合体を用いること
ができる。そのような材料は多数知られており、
例えば、レジスタ材料として用いられる材料が用
いられる。有機重合体層がポリイミドより成る場
合に、特に良好な結果が得られた。
形成するために、任意の有機重合体を用いること
ができる。そのような材料は多数知られており、
例えば、レジスタ材料として用いられる材料が用
いられる。有機重合体層がポリイミドより成る場
合に、特に良好な結果が得られた。
上記マスクは、酸素を用いた反応性イオン・エ
ツチング雰囲気に耐える任意の材料より成ること
ができる。そのような好ましい材料の１つはシリ
コンであり、特にステンシル・マスクに於ける如
き結晶方向（100）のシリコンである。マスクの
厚さは厳密さを要しないが、約２乃至５ミクロン
の厚さを有するマスクを用いて良好の結果が得ら
れた。
ツチング雰囲気に耐える任意の材料より成ること
ができる。そのような好ましい材料の１つはシリ
コンであり、特にステンシル・マスクに於ける如
き結晶方向（100）のシリコンである。マスクの
厚さは厳密さを要しないが、約２乃至５ミクロン
の厚さを有するマスクを用いて良好の結果が得ら
れた。
前述の如く、有機重合体層とマスクとの間の間
隙を制御することは、本発明の方法に於ける１つ
の重要な特徴である。その間隙が増加するに従つ
て、形成される貫通孔の側壁の傾斜は大きくな
る。反対に、その間隙が減少するに従つて、上記
傾斜は小さくなる。後述する参考例に於て示され
ている如く、間隙が全く存在していない場合、即
ちマスクが有機重合体層に接触している場合に
は、傾斜した側壁は全く形成されない。そのよう
な状況の下では、側壁の角度が90°である。マス
クと有機重合体層との間の最も好ましい距離は50
乃至100ミクロンである。
隙を制御することは、本発明の方法に於ける１つ
の重要な特徴である。その間隙が増加するに従つ
て、形成される貫通孔の側壁の傾斜は大きくな
る。反対に、その間隙が減少するに従つて、上記
傾斜は小さくなる。後述する参考例に於て示され
ている如く、間隙が全く存在していない場合、即
ちマスクが有機重合体層に接触している場合に
は、傾斜した側壁は全く形成されない。そのよう
な状況の下では、側壁の角度が90°である。マス
クと有機重合体層との間の最も好ましい距離は50
乃至100ミクロンである。
［実施例］
次に、本発明に方法の実施例を参考例とともに
示す。参考例に於ては、マスクが有機重合体層に
接触するように配置され、即ち間隙が零であり、
そのような状況の下では、90°の角度を有する側
壁が生じた。実施例、及びは、所望の角度
で傾斜した側壁を得るための本発明の方法の実施
例を示している。上記参考例及び実施例はすべ
て、結晶方向（100）のシリコンのステンシル・
マスクを用いて行われた。
示す。参考例に於ては、マスクが有機重合体層に
接触するように配置され、即ち間隙が零であり、
そのような状況の下では、90°の角度を有する側
壁が生じた。実施例、及びは、所望の角度
で傾斜した側壁を得るための本発明の方法の実施
例を示している。上記参考例及び実施例はすべ
て、結晶方向（100）のシリコンのステンシル・
マスクを用いて行われた。
参考例
酸素を用いた反応性イオン・エツチングに耐え
るステンシル・マスクとポリイミド層との間の間
隙が零になるように配置された。0.15Torr及び
10sccmのO2、300Vのバイアス電位、並びに65℃
の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチング
が行われた。その結果、90°の角度の側壁を有す
るポリイミド・パターンが生じた。
るステンシル・マスクとポリイミド層との間の間
隙が零になるように配置された。0.15Torr及び
10sccmのO2、300Vのバイアス電位、並びに65℃
の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチング
が行われた。その結果、90°の角度の側壁を有す
るポリイミド・パターンが生じた。
実施例
ステンシル・マスクとポリイミド層との間の間
隙が200μmになるように配置された。0.15Torr及
び10sccmのO2、300Vのバイアス電位、並びに65
℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチン
グが行われた。その結果、35℃の角度の側壁を有
するポリイミド・パターンが得られた。
隙が200μmになるように配置された。0.15Torr及
び10sccmのO2、300Vのバイアス電位、並びに65
℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチン
グが行われた。その結果、35℃の角度の側壁を有
するポリイミド・パターンが得られた。
実施例
ステンシル・マスクとポリイミド層との間の間
隙が40μmになるように配置された。0.06Torr及
び4.2sccmのO2、500Vのバイアス電位、並びに
65℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチ
ングが行われた。その結果、60°の角度の側壁を
有するポリイミド・パターンが得られた。
隙が40μmになるように配置された。0.06Torr及
び4.2sccmのO2、500Vのバイアス電位、並びに
65℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチ
ングが行われた。その結果、60°の角度の側壁を
有するポリイミド・パターンが得られた。
実施例
ステンシル・マスクとポリイミド層との間の間
隙が200μmになるように配置された。0.06Torr及
び4.2sccmのO2、475Vのバイアス電位、並びに
65℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチ
ングが行われた。その結果、40°の角度の側壁を
有するポリイミド・パターンが得られた。
隙が200μmになるように配置された。0.06Torr及
び4.2sccmのO2、475Vのバイアス電位、並びに
65℃の基板温度を用いて、反応性イオン・エツチ
ングが行われた。その結果、40°の角度の側壁を
有するポリイミド・パターンが得られた。
本発明の方法によれば、完全な乾式方法によ
り、傾斜した側壁を有する貫通孔を形成するため
の方法が得られる。
り、傾斜した側壁を有する貫通孔を形成するため
の方法が得られる。
Claims (1)
- １ 基板を有機重合体層で被覆し、酸素を用いた
反応性イオン・エツチング雰囲気に耐える材料よ
り成る、開孔を有するマスクを上記有機重合体層
の上方に20乃至200ミクロンの距離に配置し、上
記マスク中の開孔と整合されている貫通孔が上記
有機重合体層中に形成される迄、上記マスクを経
て酸素を用いた反応性イオン・エツチング雰囲気
に対して上記有記重合体層をさらすことを含む、
貫通孔の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/612,189 US4482427A (en) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | Process for forming via holes having sloped walls |
| US612189 | 2009-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251628A JPS60251628A (ja) | 1985-12-12 |
| JPH0464457B2 true JPH0464457B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=24452120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006043A Granted JPS60251628A (ja) | 1984-05-21 | 1985-01-18 | 貫通孔の形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4482427A (ja) |
| EP (1) | EP0163074B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60251628A (ja) |
| DE (1) | DE3583308D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59111102A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-27 | Nippon Denso Co Ltd | 防眩型反射鏡 |
| US4830706A (en) * | 1986-10-06 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Method of making sloped vias |
| EP0327336B1 (en) * | 1988-02-01 | 1997-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic devices incorporating carbon films |
| US5840402A (en) * | 1994-06-24 | 1998-11-24 | Sheldahl, Inc. | Metallized laminate material having ordered distribution of conductive through holes |
| WO1997019469A1 (en) * | 1995-11-22 | 1997-05-29 | Olin Corporation | Semiconductor package with ground or power ring |
| AUPO281896A0 (en) * | 1996-10-04 | 1996-10-31 | Unisearch Limited | Reactive ion etching of silica structures for integrated optics applications |
| JP5846077B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2016-01-20 | 株式会社デンソー | 樹脂膜のパターニング方法およびそれを用いたセンサの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1109829B (it) * | 1977-07-05 | 1985-12-23 | Ibm | Processo di fabbricazione di cercuiti integrati |
| US4209356A (en) * | 1978-10-18 | 1980-06-24 | General Electric Company | Selective etching of polymeric materials embodying silicones via reactor plasmas |
| US4357203A (en) * | 1981-12-30 | 1982-11-02 | Rca Corporation | Plasma etching of polyimide |
-
1984
- 1984-05-21 US US06/612,189 patent/US4482427A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60006043A patent/JPS60251628A/ja active Granted
- 1985-04-11 DE DE8585104229T patent/DE3583308D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-11 EP EP85104229A patent/EP0163074B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3583308D1 (de) | 1991-08-01 |
| US4482427A (en) | 1984-11-13 |
| EP0163074A2 (en) | 1985-12-04 |
| JPS60251628A (ja) | 1985-12-12 |
| EP0163074B1 (en) | 1991-06-26 |
| EP0163074A3 (en) | 1988-11-02 |
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