JPH0464718B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はパチンコ遊技機の打球装置に関し、詳
しくは、例えばロータリーソレノイド等のように
ソレノイドのオン・オフ作動により発生する磁束
変化に応答して打球杆を例えば回動駆動する駆動
力源を具備する打球装置において、長時間の遊技
によりソレノイドが発熱することによつて生じる
内部抵抗の上昇に起因する弾発力の低下を有効に
防止できるようにしたパチンコ遊技機の打球装置
に関する。

〔発明の技術的背景〕

近年例えばロータリーソレノイド等ソレノイド
のオン・オフ作動によつて生じる磁束の変化に応
答して打球杆を駆動する駆動力源を具備する打球
装置が案出されている。

該種の打球装置においては、ソレノイドのオフ
時に打球杆の自重や復帰バネ等によつて打球杆を
初期位置に復帰させるとともに、ソレノイドのオ
ン時に打球杆を付勢して打球位置にあるパチンコ
球を弾発している。

ところが該種打球装置の場合、遊技時間の経過
によりソレノイドが発生するジユール熱の影響で
ソレノイドの抵抗値が上昇することに伴い、ソレ
ノイドに流れる電流が減少し、その磁束密度が低
下して、弾発力が低下するという現象が発生し、
遊技時間の経過とともに、弾発力調整レバーを逐
次操作しなければ安定した弾発力を得られないと
いう欠点がある。

〔発明の目的〕

本発明はこのような欠点に鑑みてなされたもの
であり、ソレノイドの発熱によつて生じる内部抵
抗の上昇に起因する弾発力の低下を有効に防止で
きるようにしたパチンコ遊技機の打球装置を提供
することを目的とするものである。

〔発明の概要〕

要約すれば、本発明のパチンコ遊技機の打球装
置はソレノイドの発熱量の上昇に対応して駆動電
力を増大させるようになされており、遊技時間が
経過しても弾発力調整レバーの回動量を一定にし
ている限り、安定した弾発力を得られるようにし
てある。

〔発明の実施例〕

以下図面を参照して本発明の１実施例を詳細に
説明する。

先ず、第１図はパチンコ遊技機の打球装置の機
構図であり、遊技機の機枠１には打球機構の可動
部分を積載した発射基板２が固定される。この発
射基板２の略中央には駆動力源の１例として機枠
１の厚み内に収まるロータリーソレノイド３が固
定され、その回転軸４には打球杆５がナツト６に
より固着されている。又、７，８，９は各々打球
時の衝撃を和らげる緩衝部材である。更に、１０
は所望により配設される復帰バネであり、その牽
引力によつて打球杆５を初期位置におくためのも
のである。

又、図中１１は打球機構の可動部材を差動させ
る操作機構の例を示しており、具体的には操作機
構１１は、機枠１に対する取り付け部材となる椀
状基部１２、この椀状基部１２と同軸で遊技客の
触手による浮遊容量の変化を検出する公知のタツ
チセンサを有する椀状蓋部１３、椀状基部１２と
椀状蓋部１３の間に挟まれ回動操作により弾発力
を調整する弾発力調整レバー１４、弾発力調整レ
バー１４の回動量を増やすのにつれて摺動子が移
動してその抵抗値が上昇する可変抵抗１５とを具
備し、椀状蓋部１３に設けられたタツチセンサの
検出出力と可変抵抗１５の出力はリード線１６を
介して制御回路１７に加えられる。

制御回路１７の詳細に関しては後述するが、制
御回路１７は遊技客の触手時にパルス周期に同期
し、且つ弾発力調整レバー１４の回動量に対応し
た振幅の駆動電流をリード線１８を介してロータ
リーソレノイド３に対して供給するようにされて
いる。又、ロータリーソレノイド３はその固定子
であるソレノイドが形成する磁界内に回転子を置
いた構造であり、上記ソレノイドに対する駆動電
流の供給時に、上記回転子対して作用する電磁力
により回転子が急激に回転し、その回転軸４に固
着された打球杆５を図面において時計廻りに回転
するので、打球杆５の杆先１９はガイドレール２
０の打球位置２１に置かれたパチンコ球を弾発す
る。

斯くして打球位置２１にあるパチンコ球が弾発
されると、この時の打球杆５の弾発動作に連動し
て原動レバー２２は軸２３を中心に揺動し、同軸
の従動レバー２４も揺動する。従つて、天秤２５
も揺動し、供給皿２６から供給されているパチン
コ球を１個順次供給窓２７から打球位置２１に送
り込む。

ところで該種打球装置において弾発力を最終的
に決定するのは、ロータリーソレノイド３の回転
子に作用する電磁力であるが、既述の通り、該種
打球装置の場合遊技時間の経過による発熱に伴い
ソレノイドの抵抗値が高くなると、ソレノイドに
流れる電流が減少するためにその磁束密度が低下
して、ロータリーソレノイド３の回転子に作用す
る電磁力は低下し、ひいては弾発力も低下してく
る。

そこで、本発明では制御回路１７に熱損失を検
出する手段を設け、熱損失に応答してロータリー
ソレノイド３に対する駆動電力を制御することに
より安定した弾発力を得られるようにしている。

そこで、第２図以下において、制御回路１７の
具体例を、その作用とともに説明する。

第２図は制御回路１７の回路例を示す回路図で
あり、先ず、３，１３，１５は第１図にも示した
ロータリーソレノイド３、椀状蓋部１３、可変抵
抗１５を各々示し、３２は椀状蓋部１３に対する
遊技客の触手を検出するタツチセンサ、３３はタ
ツチセンサ３２がオン状態の時に発振する発振器
を各々示す。又、３４は発振器３３が発生するパ
ルスを分周する分周回路を示し、発振器３３が発
振を開始すると、分周回路３４は周期が610ｍｓ
でパルス幅が60ｍｓの正パルスを出力する。

又、３５は電圧源３６とグランド間において、
ロータリーソレノイド３と直列接続されたスイツ
チング素子の１例であるトランジスタを示し、ト
ランジスタ３５は分周回路３４のオンパルスをベ
ース電流としてオン状態になり、ロータリーソレ
ノイド３に対して電圧源３６から駆動電流を流す
ためのものである。

又、３７は発熱によるロータリーソレノイド３
の抵抗値の変化を磁束密度の変化として検出する
磁束密度検出器を示し、磁束密度検出器３７は、
具体的にはホール素子により構成され、ロータリ
ーソレノイド３を構成するソレノイドの磁界中に
置かれる。この磁束密度検出器３７の検出出力は
磁束密度の低下に伴いそのレベルが低下し、この
磁束密度検出器３７の出力電圧はオペアンプ３８
の反転入力に加えられている。

一方、オペアンプ３８の非反転入力には、電圧
源３６の出力レベルと抵抗Ｒ１・可変抵抗１５及
び抵抗Ｒ２の分圧比によつて決定されるレベルが
加えられており、オペアンプ３８の差動出力は電
圧源３６の制御入力に加えられている。そしてこ
の電圧源３６は制御入力レベルが上昇すると出力
レベルを上昇させるようになされている。そし
て、電圧源３６の出力である駆動電流はトランジ
スタ３５が分周回路３４のオンパルスによつてオ
ン状態になつた時にロータリーソレノイド３に加
えられる。

さて、次ぎに第２図に示す実施例の作用を説明
しよう。

先ず、遊技客が第１図に示す弾発力調整レバー
１４を回動すると、その回動量に伴い可変抵抗１
５の抵抗値が決定されるとともに、遊技客の椀状
蓋部１３に対する触手により、タツチセンサ３２
はオンする。このタツチセンサ３２のオンにより
発振器３３は発振を開始し、正パルスを分周回路
３４に加える。分周回路３４はこれを分周してト
ランジスタ３５のベース入力に加えるとともに、
トランジスタ３５は分周回路３４のオンパルスの
タイミングでオン状態になるので、トランジスタ
３５は610ｍｓ周期で60ｍｓの時間オン状態にな
る。

そしてロータリーソレノイド３は電圧源３６と
グランド間においてトランジスタ３５と直列接続
されているので、トランジスタ３５がオンする毎
にロータリーソレノイド３には駆動電流が流れ、
この駆動電流に対応した電磁力がその回転子に作
用する。従つて、回転子は上記駆動電流に対応し
た弾発力で打球装置２１にあるパチンコ球を弾発
する。

ところでこのようにして遊技時間が経過してい
くと、ロータリーソレノイド３自体のジユール熱
により、ロータリーソレノイド３の抵抗値は上昇
するので、一定の電圧を印加し続けた場合ロータ
リーソレノイド３に流れる駆動電流は低下し、そ
の弾発力も低下する。

そこで、第２図に示す実施例では磁束密度検出
器３７の作用により、発熱に起因する弾発力の低
下を保障している。

即ち、磁束密度検出器３７はロータリーソレノ
イド３が発生する磁束と鎖交する位置に配設され
ており、その出力レベルはロータリーソレノイド
３の磁束密度と比例するので、ロータリーソレノ
イド３の抵抗値の上昇に起因してロータリーソレ
ノイド３の磁束密度が低下すると、磁束密度検出
器３７がオペアンプ３８の反転入力に加えるレベ
ルも低下する。従つてオペアンプ３８の出力レベ
ルは上昇し、電圧源３６はその出力レベルを上昇
させて、ロータリーソレノイド３に流れる駆動電
流を上昇させる方向に作用するので、打球杆５に
よる弾発力は回復する。

尚、可変抵抗１５は既述の通り弾発力調整レバ
ー１４の回動量に対応して抵抗値が上昇するよう
に構成されているので、遊技客が弾発力調整レバ
ー１４を多く回動させると、オペアンプ３８の非
反転入力レベルは上昇して、オペアンプ３８の出
力レベルは上昇する。従つて、電圧源３６の出力
レベルは上昇するので、弾発力は上昇する。

次ぎに第３図は第２図に示す実施例の変形例を
示しており、第２図に示す例と共通の要素に関し
ては第２図と同一の符号を付して、冗長な説明は
省略するが、第３図に示す実施例ではサーミスタ
等の温度センサ３９によつて発熱による弾発力の
低下を保障している。

即ち、第３図に示す実施例では温度センサ３９
は、その組成的には検出温度の上昇に対して正特
性の抵抗値を示す様に構成されている。又、温度
センサ３９は回路的には電源−グランド間に抵抗
Ｒ３と直列接続されており、構造的にはロータリ
ーソレノイド３の磁心内に埋設される等ロータリ
ーソレノイド３の発熱の影響を受ける箇所に配置
される。

この第３図の実施例によれば、オペアンプ３８
の非反転入力のレベルは抵抗Ｒ３と温度センサ３
９の分圧比によつて決定される。そして、長時間
の遊技の結果ロータリーソレノイド３の温度、即
ち、温度センサ３９の温度が上昇すると、温度セ
ンサ３９の抵抗値は上昇して、オペアンプ３８の
非反転入力のレベルは上昇する。従つて、オペア
ンプ３８の出力レベルは上昇して、電圧源３６の
出力レベルも上昇するので、ロータリーソレノイ
ド３の駆動電流は上昇して安定した弾発力を得る
ことができる。

次ぎに第４図は本発明の他の実施例を示す回路
図であり、ロータリーソレノイド３・椀状蓋部１
３・可変抵抗１５・タツチセンサ３２・発振器３
３・抵抗Ｒ１，Ｒ２等は第２図及び第３図の例と
同一である。又、分周回路４０もその出力周期や
パルス幅は第２図及び第３図に示す分周回路３４
と同様であるが、第４図の例では分周回路４０は
第５図に示す様な負のパルスを出力する。

そして分周回路４０の出力はトランジスタ４１
のベース入力に加えられるとともに、インバータ
４２を介してトランジスタ４３のベース入力に加
えられて、トランジスタ４１及び４３を同時にオ
ン・オフする。そして本実施例では、トランジス
タ４３がオン状態の時に検出電源４４からダイオ
ード４５−抵抗Ｒ４−トランジスタ４３を介して
コンデンサ４６を充電して、ロータリーソレノイ
ド３の抵抗値の変化をコンデンサ４６の充電レベ
ルの変化として検出する。

一方、トランジスタ４１がオン状態になると、
駆動電源４７から抵抗Ｒ５を介してトランジスタ
４８にベース電流が流れてトランジスタ４８をオ
ン状態にし、駆動電源４７からトランジスタ４８
を介してロータリーソレノイド３に駆動電流が供
給される。

そして本実施例ではコンデンサ４６の充電レベ
ルに対応してトランジスタ４８に流れるベース電
流を制御することにより、ロータリーソレノイド
３の抵抗値が変化しても、ロータリーソレノイド
３に流れる駆動電流量を安定化せしめ、長時間の
遊技の結果ロータリーソレノイド３の抵抗値が上
昇しても安定した弾発力を得ることができるよう
になされている。

尚、図中、４９及び５０はオペアンプを、５１
はオペアンプ５０に基準レベルを与える基準電源
を、Ｒ６及びＲ７はオペアンプ４９のゲイン調整
用の抵抗を、５２はトランジスタ４８のベース電
流を制御するダイオードを各々示している。

次ぎにこの第４図に示す実施例の動作を説明し
よう。

先ず、その動作を概説すると、第４図に示す実
施例の場合、駆動電源４７からトランジスタ４８
を介してロータリーソレノイド３に駆動電流が供
給され、この駆動電流量が決定されるとロータリ
ーソレノイド３の磁束密度が決定されて、その弾
発力も決定される。そして温度上昇によつてロー
タリーソレノイド３の抵抗値が上昇すると、ロー
タリーソレノイド３に流れる駆動電流が減少する
ように作用するが、本実施例では温度上昇による
ロータリーソレノイド３の抵抗値の変化をコンデ
ンサ４６の充電レベルの変化として検出し、コン
デンサ４６の充電レベルの変化に対応してトラン
ジスタ４８の導電率を変化せしめ、ロータリーソ
レノイド３の抵抗値が変化してもロータリーソレ
ノイド３に流れる駆動電流が安定するようになさ
れている。

次ぎに、その動作をより具体的に説明しよう。

先ず、分周回路４０の出力はトランジスタ４１
のベースに加えられるので、トランジスタ４１は
T1の時間がオフ状態でT2の時間がオン状態の断
続的なオン・オフを繰り返す。そして、トランジ
スタ４１がオン状態の時はトランジスタ４８のベ
ースはグランドに落ちるので、トランジスタ４８
はカツトオフされてロータリーソレノイド３には
駆動電流は供給されず、打球杆５は復帰バネ１０
の引張力によつて初期位置に置かれる。又、トラ
ンジスタ４１がオフ状態の時はトランジスタ４８
には抵抗Ｒ５を介して駆動電源４７からベース電
流が供給されるので、トランジスタ４８はオン状
態になつて、ロータリーソレノイド３にはトラン
ジスタ４８を介して駆動電源４７から駆動電流が
供給されて、打球杆５はコイルスプリング１０の
引張力に抗して弾発動作を行う。

このようにして弾発動作を実行していくと、既
に述べたように、ロータリーソレノイド３は発熱
し、その抵抗値は上昇していくので、ロータリー
ソレノイド３に対する印加電圧を一定とした場合
はロータリーソレノイド３に流れる電流量は減少
して打球杆５の弾発力は低下する。

そこで、本実施例ではトランジスタ４３がオン
状態になつているT2の時間において、ロータリ
ーソレノイド３の抵抗値をコンデンサ４６の充電
レベルとして検出して、このコンデンサ４６の充
電レベルに対応して、トランジスタ４８のベース
電流を制御し、ロータリーソレノイド３の抵抗値
が変動しても、トランジスタ４８とロータリーソ
レノイド３との合成抵抗を安定化せしめ、ロータ
リーソレノイド３に対して安定した駆動電流が供
給されるようにしている。

即ち、分周回路４０の出力はインバータ４２に
よつて反転されてトランジスタ４３のベースに加
えられるので、トランジスタ４３にはT2の時間
ベース電流が流れてトランジスタ４３はオンす
る。

又、ロータリーソレノイド３には検出電流４４
からダイオード４５及び抵抗Ｒ４を介して電圧が
印加されており、ロータリーソレノイド３の端子
レベルは抵抗Ｒ４の抵抗値とロータリーソレノイ
ド３自身の抵抗値との分圧比によつて決定され
る。そして、トランジスタ４３がオン状態になる
と、コンデンサ４６はロータリーソレノイド３の
端子レベルまで充電されるが、抵抗Ｒ４の抵抗値
は一定であるので、コンデンサ４６の充電レベル
はロータリーソレノイド３の抵抗値のみに依存し
て決定されることになる。

先ず、遊技開始直後はロータリーソレノイド３
の発熱量は少なく、その抵抗値も低いので、コン
デンサ４６の充電レベルは相対的に低く、又、遊
技時間の経過による温度上昇に伴いロータリーソ
レノイド３の抵抗値が上昇すると、コンデンサ４
６の充電レベルは相対的に高くなる。

そしてコンデンサ４６の充電レベルはオペアン
プ４９の非反転入力に加えられて、基準電源５１
のレベルと比較され、このオペアンプ４９の出力
はオペアンプ５０の非反転入力に加えられて増幅
されるので、オペアンプ５０の出力レベルはコン
デンサ４６の出力レベルに対応して変動すること
になり、具体的にはコンデンサ４６の充電レベル
が上昇するにつれてオペアンプ５０の出力レベル
も上昇することになる。

そしてT2の時間が終了してT1の時間になる
と、トランジスタ４１は分周回路４０の出力によ
つてカツトオフされる。

一方、本実施例では、駆動電源４７のレベルは
30V前後に、又、オペアンプ５０のレベルは20V
前後で増減するように設定されている。そしてト
ランジスタ４８のベースとトランジスタ４１のコ
レクタとダイオード５２のアノードの共通の端子
点には駆動電源４７から抵抗Ｒ５を介して電流が
供給されているので、トランジスタ４１がオン状
態の時は抵抗Ｒ５を介して供給された電流は全て
トランジスタ４１を介してグランドに流れるが、
上記のようにしてT1の時間においてトランジス
タ４１がカツトオフされると、この電流はトラジ
スタ４８のベースに流れるとともに、ダイオード
５２を介して、オペアンプ５０の出力側に扱い込
まれる。

そして既に述べたように遊技時間の経過によつ
てロータリーソレノイド３の抵抗値が上昇するほ
どコンデンサ４６の充電レベルは上昇し、オペア
ンプ５０の出力レベルも上昇するので、ダイオー
ド５２のアノードとカソード間の順方向電圧は低
下し、ダイオード５２を介してオペアンプ５０の
出力に扱い込まれる電流量は減少していく。そし
てこのオペアンプ５０の出力に扱い込まれる電流
量の減少分はトランジスタ４８のベース電流とな
つて流れるので、トランジスタ４８の導電率は上
昇して、ロータリソレノイド３に対して供給され
る駆動電流を上昇させる方向に作用する。

従つて、本実施例によれば、遊技時間の経過に
よる発熱のためにロータリーソレノイド３の抵抗
値が変化してもロータリーソレノイド３に供給さ
れる電流量は安定するので、可変抵抗１５の抵抗
値を人為的に変化させない限り、打球杆５による
弾発力も安定する。

次ぎに第６図は本発明の他の実施例を示す回路
図である。この第６図に示す実施例は構成や作用
において第４図に示す実施例とその大半が共通す
るので、第４図に示す実施例と同一の構成要素に
関しては、第４図と同一の符号を付して重複した
説明を省略する。又、その基本的な作用も第４図
に示す実施例と同様に、コンデンサ４６の充電レ
ベルに対応して、トランジスタ４８の導電率を決
定し、長時間の遊技による発熱の影響でロータリ
ーソレノイド３の抵抗値が変動しても、トランジ
スタ４８とロータリーソレノイド３との合成抵抗
を安定化させ、ロータリーソレノイド３に流れる
駆動電流が一定化する様になされている。

そして第４図との相違点を述べると、分周回路
５３は、第７図に示す如く、第４図の分周回路４
０と同様に周期が610ｍｓでパルス幅が60ｍｓの
ネガテイブパルスφ1発生させる他に、周期が同
じく610ｍｓ・パルス幅50ｍｓで且つ位相が50ｍ
ｓ進んだネガテイブパルスφ2を発生させる。

そして、本実施例では第７図に示すT3の時間
において、分周回路５３が発生するパルスφ2に
よつてトランジスタ４３及びトランジスタ５４を
オン状態にしてコンデンサ４６を充電し、以下に
第４図に示す実施例と同様に、コンデンサ４６の
充電レベルに対応してT1の時間におけるトラン
ジスタ４８導電率を決定するようになされてい
る。

より具体的には、パルスφ2によつてトランジ
スタ４３及びトランジスタ５４がオン状態になる
と、コンデンサ４６は抵抗Ｒ４の抵抗値とロータ
リーソレノイド３の抵抗値の分圧比によつて決定
されるレベルに充電される。

従つて、遊技時間の経過による温度上昇に伴つ
てロータリーソレノイド３の抵抗値が上昇する程
コンデンサ４６の充電レベルは上昇する。そして
本実施例もその他の点は第４図の実施例と同様に
構成されるので、コンデンサ４６の充電レベルが
上昇するほどT1の時間におけるトランジスタ４
８ベース電流は上昇して、トランジスタ４８の導
電率は上昇する。従つて、本実施例の場合も発熱
の影響によつてロータリーソレノイド３の抵抗値
が変化しても、トランジスタ４８とロータリーソ
レノイド３の合成抵抗は一定化し、ロータリーソ
レノイド３には安定した駆動電流が供給され、打
球杆５は安定した弾発力で弾発動作をする。

尚、第６図に示す実施例の場合は、T3という
微少時間においてロータリーソレノイド３に検出
電源４４から電流が供給されるのみであるので、
特に復帰バネ１０を設けなくとも、打球杆５はト
ランジスタ４８が遮断されている時は、その自重
で初期位置に戻ることができる。

次ぎに、第８図は本発明の他の実施例を示す回
路図であり、この第８図の実施例はソレノイドが
形成する磁界中に打球杆５を駆動するための回転
子を置くとともに、ソレノイドが形成する磁束の
方向を反転して、回転子を左右両方向に回転する
ようにした駆動力源を差動させるための回路例を
示している。

尚、この駆動力源の構造を第９図を参照して説
明すると、この駆動力源はソレノイド３ａ，ｂが
形成する磁界中にSN極を有する回転子３ｃを置
いた構造であり、端子点Ｐ２は常時グランドレベ
ルに置かれている。そして、弾発時には端子点Ｐ
１，Ｐ３を正電位として電流Ｉ１，Ｉ２を流し、
非弾発時には端子点Ｐ１を正電位及び端子点Ｐ３
を負電位として電流Ｉ３，Ｉ４を流す。

そして、電流Ｉ１，Ｉ２を流すことにより、ソ
レノイド３ａ，ｂは各々磁束Ｂ１，Ｂ２を発生す
るので、回転子３ｃは初期位置から時計方向に回
転して図示の状態になり、回転子３ｃに固着され
た打球杆５はこれに伴い弾発動作を行う。又、電
流Ｉ３，Ｉ４を流すことにより、ソレノイド３
ａ，ｂは各々磁束Ｂ３，Ｂ４を発生し、この磁束
Ｂ３，Ｂ４は相互に打ち消しあい、回転子には磁
力は働かなくなり、打球杆５は自重で初期位置に
復帰する。従つて、第９図に示す駆動力源を使用
すると、復帰バネ１０は不要になる。

第８図に示す実施例も基本的には発熱によるソ
レノイド３ａ，ｂの抵抗値の上昇に対応してトラ
ンジスタ４８の導電率を上昇させて、トランジス
タ４８及びソレノド３ａ，ｂの合成抵抗を安定化
せしめ、ソレノイド３ａ，ｂの抵抗変化にかかわ
らず安定した駆動電流をソレノイド３ａ，ｂに供
給できるようになされているものであり、従つ
て、そ構成要素の多くは第４図、第６図の実施例
と共通する。そこで共通する要素に関しては第４
図及び第６図と同一の符号を付して、説明の重複
を避けるとともに、相違する要素を以下に説明す
ると、図中５５は打球杆５の初期位置復帰時にソ
レノイド３ａに電流Ｉ３を流すトランジスタ、５
６は打球杆５の同じく初期位置復帰時にソレノイ
ド３ｂに電流Ｉ４を流すトランジスタ、５７は打
球杆５の初期位置復帰時に電流の逆流を防止する
ダイオード、５８は電流Ｉ４を流すための負の補
助電源を各々示している。

次ぎに第８図、第９図に示す実施例の動作を、
第５図のタイムチヤートを参照して説明しよう。

先ず、分周回路４０が発生するパルスφ1はト
ランジスタ４１のベースに加えられて、T2の時
間トランジスタ４１をオン状態にする。従つて、
T2の時間トランジスタ４８のベースはグランド
に落ちるので、トランジスタ４８は遮断され、ソ
レノイド３ａ，ｂには駆動電源４７からの電流は
供給されない。

又、分周回路４０が発生するパルスφ1はイン
バータ４２を介してトランジスタ４３，５５，５
６のベースに加えられているので、T2の時間ト
ランジスタ４４，５５，５６も一斉にオン状態に
なる。

先ず、トランジスタ５５がオン状態になるとソ
レノイド３ａを経由して検出電源４４からグラン
ドに電流Ｉ３が流れ、又、トランジスタ５６がオ
ン状態になると、ソレノイド３ｂを経由してグラ
ンドから補助電源５８に電流Ｉ４が流れる。

従つて、第９図でも説明したように、ソレノイ
ド３ａは磁束Ｂ３を、ソレノイド３ｂは磁束Ｂ４
を各々発生し、この磁束Ｂ３，Ｂ４は相互に打ち
消しあうので、回転子３ｃには磁力は作用せず、
回転子３ｃに連結された、打球杆５はその自重で
初期位置に復帰する。

又、この時同時にトランジスタ４３がオン状態
になることによりコンデンサ４６は端子点Ｐ１の
レベルまで充電される。そして本実施例でも、コ
ンデンサ４６の充電レベルはソレノイド３ａと抵
抗Ｒ４の分圧比によつて決定されるので、発熱の
影響により、ソレノイド３ａの抵抗値が上昇する
ほどコンデンサ４６の充電レベルは上昇すること
になる。

そして本実施例でも、T2の時間におけるコン
デンサ４６の充電レベルに対応してT1の時間に
おけるトランジスタ４８の導電率を制御するため
の回路系は第４図や第６図に示す実施例と同様に
構成されるので、温度上昇に伴いソレノイド３ａ
の抵抗値が上昇すると、トランジスタ４８の導電
率も上昇し、発熱の影響によりソレノイド３ａ，
ｂの抵抗値が上昇しても、T1の時間におけるト
ランジスタ４８とソレノイド３ａ，ｂの合成抵抗
は安定する。従つて、発熱によるソレノイド３
ａ，ｂの抵抗値の変化にかかわらず、ソレノイド
３ａ，ｂには各々安定した量の駆動電流Ｉ１，Ｉ
２が供給され、打球杆５の弾発力は安定する。

尚、上記では弾発力調整レバー１４に連動した
可変抵抗１５により、弾発力を調整する例に本発
明を適用した実施例を示したが、弾発力調整レバ
ー１４に連動するカムにより打球杆５の初期位置
を変動せしめ、弾発力を調整するような打球装置
に本発明を適用することも可能である。

又、上記では遊技客の触手に起因する浮遊容量
の変化を検出して打球指示を与えるタツチセンサ
を使用した例を示したが、打球指示はこれ以外で
も公知の全てのスイツチ機構を使用することがで
きる。

又、上記ではソレノイドのオン・オフに対応し
て回動する打球装置に本発明を適用した例を示し
たが、ソレノイドの動作によつて直線的に摺動す
る打球装置に本発明を適用することもできる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、長時間
の遊技によるソレノイドの発熱に伴つて生じるソ
レノイド内部抵抗の上昇に起因する弾発力の低下
を防止できるので、打球の所謂むら飛びを有効に
防止することができるばかりでなく、弾発力調整
レバーの回動量に対応した安定した弾発力を得る
ことができ、遊技客による自由な弾発力の微調整
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例にかかるパチンコ遊
技機の打球装置の機構図、第２図・第３図・第４
図・第６図・第８図は各々本発明の実施例の回路
例を示す回路図、第５図及び第７図は各々タイミ
ング図、第９図は駆動力源の機構図を示す。 ３……ロータリーソレノイド、５……打球杆、
１５……可変抵抗、３６……電圧源、３７……磁
束密度検出器、３９……温度センサ、４４……検
出電源、４６……コンデンサ、４７……駆動電
源、４８……トランジスタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ パルス状の駆動電力により間欠作動するソレ
   ノイドと、該ソレノイドの間欠作動により弾発動
   作をする弾発部とを少なくとも有するパチンコ遊
   技機の打球装置において、 前記ソレノイドの弾発力を指令するための指令
   値を発生する指令値発生手段と、 前記ソレノイドの発熱量を検出する検出手段
   と、 前記指令値発生手段が発生する指令値と、前記
   検出手段が検出した検出値の偏差に対応して前記
   ソレノイドの駆動電力を制御する作動増幅手段と
   を備えることを特徴とするパチンコ遊技機の打球
   装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパチンコ遊技機
   の打球装置において、 前記検出手段は、前記ソレノイドの発熱量を、
   該ソレノイドの発熱に対応した該ソレノイドの抵
   抗値の変動に起因する該ソレノイドが発生する磁
   束密度の変化として検出する磁束密度検出器を具
   備し、該磁束密度検出器の出力が前記差動増幅手
   段にフイードバツクされることを特徴とするパチ
   ンコ遊技機の打球装置。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパチンコ遊技機
   の打球装置において、 前記検出手段は、前記ソレノイドの発熱量を直
   接検出する温度センサを具備し、該温度センサの
   出力が前記差動増幅手段にフイードバツクされる
   ことを特徴とするパチンコ遊技機の打球装置。 ４ 特許請求の範囲第１項記載のパチンコ遊技機
   の打球装置において、 前記検出手段は、前記ソレノイドの発熱量を、
   該ソレノイドの発熱に対応した該ソレノイドの抵
   抗値の変動に起因して変化する該ソレノイドの電
   流供給点電圧として検出し、該ソレノイドの電流
   供給点電圧が前記差動増幅手段にフイードバツク
   されることを特徴とするパチンコ遊技機の打球装
   置。