JPH0468559A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0468559A JPH0468559A JP2182032A JP18203290A JPH0468559A JP H0468559 A JPH0468559 A JP H0468559A JP 2182032 A JP2182032 A JP 2182032A JP 18203290 A JP18203290 A JP 18203290A JP H0468559 A JPH0468559 A JP H0468559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- sealing resin
- mount
- lead
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型の半導体装
置に関する。
置に関する。
従来のこの種の半導体装置には、ＤＩＰ、ＺＩＰ、ＳＯ
Ｊ、ＰＬＣＣ等のパッケージが適用され、表面実装対応
としてはＳＯＪか主流となっており、表面実装の場合、
リフロー半田付けにより実装される。（日経マイクロデ
バイス１９８８年５月号３６頁「大詰めを迎える４ＭＤ
ＲＡＭパッケージの開発ｊ参照） これら半導体装置のリードフレームは、加工性の良さ等
のためその材料は銅を用いる場合が多く、半導体チップ
は年々大型化の方向にある。
Ｊ、ＰＬＣＣ等のパッケージが適用され、表面実装対応
としてはＳＯＪか主流となっており、表面実装の場合、
リフロー半田付けにより実装される。（日経マイクロデ
バイス１９８８年５月号３６頁「大詰めを迎える４ＭＤ
ＲＡＭパッケージの開発ｊ参照） これら半導体装置のリードフレームは、加工性の良さ等
のためその材料は銅を用いる場合が多く、半導体チップ
は年々大型化の方向にある。
上述した従来の半導体装置は、リードフレームの材料と
しては銅が用いられ、半導体チップも年々大型化してい
るので、表面実装の際等の熱的衝撃、温度変化により、
リードフレームと封止樹脂部、半導体チップとの熱膨張
係数の違いのために、封止樹脂部の端部のリードフレー
ム付近に弓張り応力が集中してクラックが発生するとい
う欠点がある。
しては銅が用いられ、半導体チップも年々大型化してい
るので、表面実装の際等の熱的衝撃、温度変化により、
リードフレームと封止樹脂部、半導体チップとの熱膨張
係数の違いのために、封止樹脂部の端部のリードフレー
ム付近に弓張り応力が集中してクラックが発生するとい
う欠点がある。
本発明の目的は、熱的衝撃や温度変化に対してもクラッ
クの発生を防止することができる半導体装置を提供する
ことにある。
クの発生を防止することができる半導体装置を提供する
ことにある。
本発明の半導体装置は、リード部及びマウント部を備え
たリードフレームと、このリードフレームのマウント部
にマウント材により固着搭載された半導体チップと、こ
の半導体チップ、並びに前記リードフレームのリード部
の所定の部分及びマウント部を封入する封止樹脂部とを
有する半導体装置において、前記リードフレームの表面
の所定の部分に、引張り降伏点が前記封止樹脂部より小
さい金属材料で形成されためっき層を設けて構成される
。
たリードフレームと、このリードフレームのマウント部
にマウント材により固着搭載された半導体チップと、こ
の半導体チップ、並びに前記リードフレームのリード部
の所定の部分及びマウント部を封入する封止樹脂部とを
有する半導体装置において、前記リードフレームの表面
の所定の部分に、引張り降伏点が前記封止樹脂部より小
さい金属材料で形成されためっき層を設けて構成される
。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。
この実施例は、リード部１１及びマウント部１２を備え
、銅で形成されたリードフレーム１と、このリードフレ
ーム１の上表面全体に、引張り降伏点が封止樹脂部５よ
り小さい金属材料の金をめっきして形成されためつき層
２と、リードフレーム１のマウント部１２上にめっき層
２を介して銀ペースト等のマウント材３により固着搭載
された半導体チップ４と、この半導体チップ４、並びに
リードフレーム１のリード部１１の所定の部分及びマウ
ント部１２を内部に封入するプラスチック等の封止樹脂
部５とを有する構成となっている。
、銅で形成されたリードフレーム１と、このリードフレ
ーム１の上表面全体に、引張り降伏点が封止樹脂部５よ
り小さい金属材料の金をめっきして形成されためつき層
２と、リードフレーム１のマウント部１２上にめっき層
２を介して銀ペースト等のマウント材３により固着搭載
された半導体チップ４と、この半導体チップ４、並びに
リードフレーム１のリード部１１の所定の部分及びマウ
ント部１２を内部に封入するプラスチック等の封止樹脂
部５とを有する構成となっている。
この実施例のめっき層２には金が使用され、その引張り
降伏点は約” 、”ｋ ｇ／ｍｍ２であり、これに対し
封止樹脂部５の引張り降伏点は約８．０ｋｇ／ｍｍ２と
なっている。
降伏点は約” 、”ｋ ｇ／ｍｍ２であり、これに対し
封止樹脂部５の引張り降伏点は約８．０ｋｇ／ｍｍ２と
なっている。
熱的衝撃や温度変化による引張り応力は、主にリードフ
レーム１と封止樹脂部５との熱膨張係数の違いにより発
生する。
レーム１と封止樹脂部５との熱膨張係数の違いにより発
生する。
従って引張り応力が発生するリードフレーム１と封止樹
脂部５との間に、塑性材料の金によるめっき層２を設け
ることにより、上記のようにめっき層２の引張り降伏点
が封止樹脂部５より小さいので、めっき層２に塑性変形
が起こり引張り応力が低減し、封止樹脂部５のクラック
の発生を防止することができる。
脂部５との間に、塑性材料の金によるめっき層２を設け
ることにより、上記のようにめっき層２の引張り降伏点
が封止樹脂部５より小さいので、めっき層２に塑性変形
が起こり引張り応力が低減し、封止樹脂部５のクラック
の発生を防止することができる。
従来の半導体装置のリードフレームは銅で形成され、こ
の実施例のようにめっき層２がなく、かつ銅の引張り降
伏点は３５ｋｇ／ｍｍ２と高いので、封止樹脂部にクラ
ックが発生していた。
の実施例のようにめっき層２がなく、かつ銅の引張り降
伏点は３５ｋｇ／ｍｍ２と高いので、封止樹脂部にクラ
ックが発生していた。
実際に従来例と本発明との応力解析を行った数値例を第
１表に示す。この第１表より、加わる最大応力値は、従
来例より本発明の方が大幅に低減しており、本発明では
封止樹脂部５の引張り降伏点以下となっているのに対し
、従来例ではそれ以上となっていることが分かる。
１表に示す。この第１表より、加わる最大応力値は、従
来例より本発明の方が大幅に低減しており、本発明では
封止樹脂部５の引張り降伏点以下となっているのに対し
、従来例ではそれ以上となっていることが分かる。
第１表
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
この実施例は、引張り応力が第２図の（Ａ）部に示され
た封止樹脂部５の端部（封止樹脂部５の内側と外表面と
の境界）とリードフレーム１．めっき層２Ａとの接合部
に集中するので、この部分にめっき層２Ａを設けたもの
で、めっき層２Ａを形成する金の量を削減しコストを低
減することができる利点がある。
た封止樹脂部５の端部（封止樹脂部５の内側と外表面と
の境界）とリードフレーム１．めっき層２Ａとの接合部
に集中するので、この部分にめっき層２Ａを設けたもの
で、めっき層２Ａを形成する金の量を削減しコストを低
減することができる利点がある。
以上説明したように本発明は、リードフレームの表面、
特に引張り応力が集中する部分を主体に、引張り降伏点
が封止樹脂部より小さい塑性金属材料のめっき層を設け
た構成とすることにより、熱的衝撃や温度変化によりこ
のめっき層に塑性変形が起り引張り応力が低下するので
、封止樹脂部等のクラックの発生を防止することができ
る効果がある。
特に引張り応力が集中する部分を主体に、引張り降伏点
が封止樹脂部より小さい塑性金属材料のめっき層を設け
た構成とすることにより、熱的衝撃や温度変化によりこ
のめっき層に塑性変形が起り引張り応力が低下するので
、封止樹脂部等のクラックの発生を防止することができ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実
施例を示す断面図である。 １・・・リードフレーム、２，２Ａ・・・めっき層、３
・・・マウント材、４・・・半導体チップ、５・・・封
止樹脂部、１１・・・リード部、１２・・・マウント部
。
施例を示す断面図である。 １・・・リードフレーム、２，２Ａ・・・めっき層、３
・・・マウント材、４・・・半導体チップ、５・・・封
止樹脂部、１１・・・リード部、１２・・・マウント部
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リード部及びマウント部を備えたリードフレームと
、このリードフレームのマウント部にマウント材により
固着搭載された半導体チップと、この半導体チップ、並
びに前記リードフレームのリード部の所定の部分及びマ
ウント部を封入する封止樹脂部とを有する半導体装置に
おいて、前記リードフレームの表面の所定の部分に、引
張り降伏点が前記封止樹脂部より小さい金属材料で形成
されためっき層を設けたことを特徴とする半導体装置。 ２、封止樹脂部の内部と外表面との境界線部分と接合す
るリードフレームの表面の所定の範囲にめっき層を設け
た請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182032A JPH0468559A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182032A JPH0468559A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468559A true JPH0468559A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16111145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182032A Pending JPH0468559A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0468559A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5463248A (en) * | 1993-05-18 | 1995-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package using an aluminum nitride substrate |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2182032A patent/JPH0468559A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5463248A (en) * | 1993-05-18 | 1995-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package using an aluminum nitride substrate |
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