JPH05109914A - 紫外線消去型半導体装置 - Google Patents

紫外線消去型半導体装置

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JPH05109914A
JPH05109914A JP9100592A JP9100592A JPH05109914A JP H05109914 A JPH05109914 A JP H05109914A JP 9100592 A JP9100592 A JP 9100592A JP 9100592 A JP9100592 A JP 9100592A JP H05109914 A JPH05109914 A JP H05109914A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
substrate
less
cap
thickness
Prior art date
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Pending
Application number
JP9100592A
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English (en)
Inventor
Kazufumi Terachi
和文 寺地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】厚さの薄い容器構造を持つ紫外線消去型半導体
装置を得ることにある。 【構成】厚さ０．７ｍｍ以下の凹形状の不透光アルミナ
で形成された容器基板に紫外線消去型半導体素子を載置
し、０．５ｍｍ以下の透光アルミナのキャップを低融点
ガラスにより封着し、気密封止した紫外線消去型半導体
装置を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリーカード，ＩＣ
カード用の薄型構造の紫外線消去型半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、種々のものが使用されて
いるが、メモリーカード，ＩＣカード等に搭載するため
に特に厚さを薄くした半導体装置に対する要請が近年高
い。
【０００３】しかし、従来、紫外線消去型半導体装置
は、セラミックキャップの一部に紫外線透過ガラスを埋
設したＤＩＰ型半導体装置が主であり、全体厚が厚かっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＤＩＰ
型半導体装置は、セラミックキャップの一部に紫外線透
過ガラスが埋設された構造を有している為、気密性を確
保する上で、キャップ厚を０．８ｍｍ以下にすることが
困難であり、又、全体厚が、２．５〜４．０ｍｍとなっ
てしまう為、メモリーカード，ＩＣカード等の薄い製品
に搭載することができなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、紫外線
消去型メモリー半導体素子を搭載する基板とこの半導体
素子を覆うように基板に対して装着されたキャップとこ
の基板と前記キャップとの間に挟持されて外部に延長
し、且つ、半導体素子に電気的に接続されたリードとを
具備する紫外線消去型半導体装置で、基板は、厚さ０．
７ｍｍ以下で凹形状の不透光アルミナで形成され、且
つ、キャップは、０．５ｍｍ以下の透光アルミナで形成
され、低融点ガラスにより気密封止されている紫外線消
去型半導体装置を得る。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例の断面図、図２
は、斜視図である。
【０００８】紫外線消去型半導体素子（１１）を搭載す
る、厚さ０．７ｍｍ以下で凹形状の不透光アルミナで形
成された基板（１２）上に、ガラスＡｇペースト，Ａｌ
ペースト等の接着剤（１３）で半導体素子（１１）が固
着され、半導体素子（１１）の周辺の基板上に４２合
金，コバール等より成る０．０５〜０．２０ｍｍ厚の外
部導出用リード（１４）が、封止前に所望の形状に整形
されて、低融点ガラス（１５）により固着されている。
【０００９】その上に、厚さ０．１５〜０．５ｍｍの透
光アルミナで形成されたキャップ（１６）が低融点ガラ
ス（１５）により固着され、全体厚が１．５ｍｍ以下に
なる様、構成される。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、０．７
ｍｍ以下で凹形状の不透光アルミナを基板とし、キャッ
プは、０．５ｍｍ以下の透光アルミナで構成されている
ことにより、全体厚が１．５ｍｍ以下となり、又、表面
実装（ＳＭＴ）が可能なＳＯＰタイプである為、メモリ
ーカード，ＩＣカード等に容易に実装ができ、且つ、気
密封止である為信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の断面図である。
【図２】斜視図である。
【符号の説明】
１１ 紫外線消去型半導体素子 １２，２２ 基板 １３ 接着剤 １４，２４ リード １５，２５ 封止ガラス １６，２６ キャップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 紫外線消去型メモリー半導体素子を搭載
    する基板と前記半導体素子を覆うように前記基板に対し
    て装着されたキャップと、前記基板と前記キャップとの
    間に挟持されて外部に延長し、且つ前記半導体素子に電
    気的に接続されたリードとを具備する半導体装置におい
    て、前記基板は、厚さ０．７ｍｍ以下で凹形状の不透光
    アルミナで形成され、前記キャップは、厚さ０．５ｍｍ
    以下の透光アルミナで形成され、且つ前記リードが封止
    前に所望の形状に整形され、全体厚が１．５ｍｍ以下で
    あることを特徴とする紫外線消去型半導体装置。
JP9100592A 1992-04-10 1992-04-10 紫外線消去型半導体装置 Pending JPH05109914A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110964460A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 北京梦之墨科技有限公司 一种紫外光固化各向异性导电胶及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6220359A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Nec Corp 紫外線消去型半導体装置
JPS6255356B2 (ja) * 1978-12-20 1987-11-19 Sanyo Electric Co

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A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19950228