JPH047014B2 - - Google Patents

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JPH047014B2
JPH047014B2 JP4917787A JP4917787A JPH047014B2 JP H047014 B2 JPH047014 B2 JP H047014B2 JP 4917787 A JP4917787 A JP 4917787A JP 4917787 A JP4917787 A JP 4917787A JP H047014 B2 JPH047014 B2 JP H047014B2
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JP
Japan
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roller
film
polymer film
axial direction
forming apparatus
Prior art date
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Application number
JP4917787A
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English (en)
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JPS63214918A (ja
Inventor
Seizo Kainuma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Akai Electric Co Ltd
Original Assignee
Akai Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気テープ等の製造工程において高分
子フイルム等の表面に磁性薄膜等を連続的に形成
する薄膜形成装置等におけるフイルム走行装置に
関するものである。
〔従来の技術〕
高分子フイルム等の表面に磁気記録用の磁性膜
や、包装用等の非磁性膜を形成する場合、真空蒸
着又はスパツタリング等の手段によることが多
い。該手段において、前記高分子フイルム等が長
巻きのものであり、これに対して連続的に薄膜形
成せしめる場合、前記高分子フイルム等を連続的
かつ安定に走行せしめるためのフイルム走行装置
が必要である。
従来、この種の装置として第4図及び第5図に
示すものがあつた。第4図に示す第1の従来例に
おいて、1は金属性の円筒でなるキヤンであり、
該キヤン1の周囲に高分子フイルム3を半周以上
に亘つて巡らすように、ゴム系材料の円筒でなり
従動するニツプローラ2で前記高分子フイルム3
の前記キヤン1への巻き始めから巻き終りまでの
部分を前記キヤン1の周面へ当接せしめ、該キヤ
ン1の周面に対して滑らすことなくフイルム走行
を可能とする。5は本装置が真空蒸着装置の場合
には蒸着ルツボであり、本装置がスパツタリング
装置である場合にはスパツタターゲツトである。
又、第5図に示す第2の従来例では、前記ニツ
プローラ2の代りに中間ローラ6を用いている。
前記第1の従来例と異なる点は、前記した中間ロ
ーラ6はキヤン1から離れているため、該キヤン
1から直接に熱伝導されない。従つて前記キヤン
1が高温に加熱されても、前記中間ローラ6は著
しく温度上昇することもない。又、前記したキヤ
ン1と中間ローラ6とは、それらの周速及び当接
面の移動方向を一致させるように図示せぬ歯車等
により回転速度及び方向を規制され、図示せぬモ
ータ等がこれらを駆動することにより、前記した
キヤン1の周囲に巡らされた前記高分子フイルム
3を滑らすことなく所定の速度で走行せしめるよ
うになつている。しかし、後述する理由により、
前記したキヤン1の巻き取り周速と、中間ローラ
6との送り周速とは精密に一致してはいない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の薄膜形成装置等におけるフイルム走行装
置は上記ニツプローラ2がゴム系の材料で構成さ
れているため、該ゴム系材料の性質上、上記ニツ
プローラ2の使用温度の上限を低く制限する必要
がある。しかるにCo−Cr等の垂直磁気記録媒体
においては薄膜形成時に上記キヤン1の温度を
100℃以上に加熱する必要がある。又、非磁性膜
であつても、特に薄膜の上記高分子フイルム3へ
の付着強度を高めようとする場合には、前記Co
−Cr同様に上記キヤン1の温度を高める必要も
ある。
尚、上記ゴム系材料でなるニツプローラ2の使
用温度上限を無視して100℃以上の加熱すれば、
該ニツプローラ2が変形する他、特殊ガスを発生
して磁性膜の特性を劣化させたりする。
又、上記ニツプローラ2の使用温度上限を高め
るべく、上記ニツプローラ2を耐熱性の高い金属
材料で構成した場合、該金属材料は上記したゴム
系の材料に比べて弾力性に乏しいので、前記した
金属製のキヤン1との間に高分子フイルム3を介
して当接する際に弾力的な密着が得られない。従
つて高精度に安定かつ連続したフイルム走行は期
待できない上に、前記金属材料でなるニツプロー
ラ2及びキヤン1ではそれらのわずかな寸法誤差
及び表面仕上の悪さ等の影響を吸収できず、それ
らの凹凸により前記したキヤン1、ニツプローラ
2及び高分子フイルム3が互いに傷つけ合う。
このように、上記ニツプローラ2には弾力性と
耐熱性が合わせて要求されるにもかかわらず、こ
れらの要求を満足できる材料の選定が困難である
という欠点があつた。
又、上記したキヤン1の直径D1は約50cm、中
間ローラ6の直径D2は約10cm位であり、これら
のキヤン1と中間ローラ6の周面速度及び回転方
向を決定するための図示せぬ送り歯車の歯数比
と、前記した直径D1,D2の直径比とを完全に
一致させるために、前記D1,D2をミクロン単
位で精密に仕上げてこれを保つことは前記キヤン
1及び中間ローラ6の周面研磨及び熱膨張等の都
合上、不可能である。従つて上記第2の従来例の
装置では上記したキヤン1と中間ローラ6の夫々
のフイルム送り速度に微少な差が生じ、しかもそ
の速度差は上記したキヤン1と中間ローラ6の周
面の状態に応じて常に微少に変動し得る。従つ
て、上記高分子フイルム3及び成膜面はフイルム
走行に応じて常時、微少な伸縮を繰り返すために
シワを発生する。特に上記高分子フイルム3の両
面に磁性膜を形成する場合には前記シワの発生が
顕著になる。
このように上記したキヤン1と中間ローラ6に
直径寸法及び周面研磨等に高精度な仕上げを必要
とする欠点があつた 本発明は上記した欠点を除去するためになされ
たもので、上記ニツプローラ2の両端部近傍のロ
ーラ面だけが上記高分子フイルム3に当接する構
造となすことにより、耐熱性の高い金属材料等を
上記ニツプローラ2の材料として使用できるよう
にした、薄膜形成装置等におけるフイルム走行装
置を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は斯る問題点を解決するために、金属等
の耐熱材料でなる副ローラの軸方向の両端部近傍
以外の直径を細くし、両端部近傍のみでなるロー
ラ面により、上記高分子フイルム等を巡らした主
ローラに当接し、フイルム走行せしめる。
〔作用〕
回転する主ローラと副ローラとにより、高分子
フイルム等を挟持してフイルム走行せしめる装置
において、前記した両ローラが弾力性少なく剛性
の高い金属等の材料で構成されている場合、前記
した高分子フイルム等のうち前記副ローラのロー
ラ面が当接した部分には、傷等を生じるが、前記
副ローラが当接しない部分にはそれらが生じるこ
ともない。
〔実施例〕
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示す図で
あり、第1図は第1の実施例の斜視図、第2図は
第2の実施例の要部平面図、第3図は第3の実施
例の要部平面図である。
尚、各図に亘り同効のものは同一符号を付して
いる。
第1図において2aはステンレス又はアルミニ
ウム等の金属でなる空転自在のニツプローラであ
り、該ニツプローラ2aはその軸方向の両端部近
傍の周面だけをローラ面4aとして残し、中央部
近傍の大部分の直径を前記ローラ面4aよりも細
くして、軸だけを残すように構成している。この
ため、上記高分子フイルム3の幅方向の両側近傍
だけに前記ローラ面4aが圧接して上記キヤン1
との間に上記高分子フイルム3を挟持し、これを
精密かつ安定に連続走行せしめている。
第2図は第2の実施例であり、前記ニツプロー
ラ2aの応用例として鼓型のニツプローラ2bを
示す平面図である。該ニツプローラ2bはローラ
面4b以外の部分の形状に特徴があり、旋盤及び
研磨機等の工作機械の都合に合わせて適当な形状
とすれば良い。
第3図は第3の実施例であり、前記ニツプロー
ラ2bの応用例としてのニツプローラ2cを示す
平面図である。該ニツプローラ2cはローラ面4
cが円錐面を形成しており、該ローラ面4cは前
記ニツプローラ2cの軸方向における最両端部か
ら中央部に向かつて微少角度θで収束するような
形状である。すなわち、前記ローラ2cの軸方向
における最両端部から中央部に向かうに従つてな
だらかにローラ4cの直径を小さくしている。
又、前記ローラ面4a,4b面を前記微少角度
θでなる円錐面となしてもよい(図示せず)。
又、前記したニツプローラ2a,2b,2cの
材料には、ステンレス又はアルミニウム等の金属
を用い、該金属製のニツプローラ2a,2b,2
cのローラ面4a,4b,4cにポリイミド等の
耐熱性高分子膜をコーテイングすることにより
(図示せず)、上記した金属でなるローラ面4a,
4b,4cどうし又は該金属ローラから上記高分
子フイルム3への傷つきを防止する他、上記した
ローラ面4a,4b,4cと高分子フイルム3と
のすべりをも防止しながら精密かつ安定にフイル
ム走行せしめる。
以上のように本発明のものでは、前記ニツプロ
ーラ2a,2b,2cの軸方向における両端近傍
のローラ面だけで上記高分子フイルム3の幅方向
の両側近傍に当接するので、該両端近傍の当接面
だけに上記した傷付等のトラブル発生を限定でき
る。従つて上記高分子フイルム3の両側近傍を切
り捨てれば、残りの大部分は完全な製品となし得
る。
尚、本発明の要旨とする上記した金属等の耐熱
材料でなる副ローラのうち、該副ローラの軸方向
の両端近傍のローラ面だけで、上記主ローラへ上
記高分子フイルム等を圧接できるようになした構
成のものは全て本発明に含まれる。又、上記副ロ
ーラの数を2個に限定するものではない。又、該
副ローラの耐熱材料としてセラミツクを用いても
よい。
〔発明の効果〕
本発明のものは真空蒸着又はスパツタリング等
の手段により、磁性膜等を長巻き状の高分子フイ
ルム等に被着せしめる薄膜形成装置等におけるフ
イルム走行装置であり、主ローラと副ローラとを
備え、前記主ローラに巡らした前記高分子フイル
ム等に前記副ローラを当接し、該高分子フイルム
等を連続的かつ安定に走行せしめるようにした、
薄膜形成装置等におけるフイルム走行装置におい
て、前記副ローラを金属等の耐熱材料で構成し、
該副ローラの軸方向の略中央近傍の直径を前記軸
方向の両端近傍の直径に比べて小さくし、前記両
端近傍のローラ面だけで前記高分子フイルム等の
軸方向の両側近傍に当接するようにしたから、前
記主ローラと副ローラの回転周速をミクロン単位
で完全に一致させることなく、前記高分子フイル
ムの大部分に亘りシワ及び傷等を発生させずに薄
膜形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示す図で
あり、第1図は第1の実施例の斜視図、第2図は
第2の実施例の要部平面図、第3図は第3の実施
例の要部平面図である。第4図及び第5図は夫々
第1、第2の従来例を示す斜視図である。 1:キヤン、2,2a,2b,2c:ニツプロ
ーラ、3:高分子フイルム、4,4a,4c:ロ
ーラ面、5:蒸着ルツボ又はターゲツト、6:中
間ローラ、D1:キヤン1の直径、D2:中間ロ
ーラ6の直径。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 真空蒸着又はスパツタリング等の手段によ
    り、磁性膜等を長巻き状の高分子フイルム等に被
    着せしめる薄膜形成装置等におけるフイルム走行
    装置であり、主ローラと副ローラとを備え、前記
    主ローラに巡らした前記高分子フイルム等に前記
    副ローラを当接し、該高分子フイルム等を連続的
    かつ安定に走行せしめるようにした、薄膜形成装
    置等におけるフイルム走行装置において、前記副
    ローラを金属等の耐熱材料で構成し、該副ローラ
    の軸方向の略中央近傍の直径を前記軸方向の両端
    近傍の直径に比べて小さくし、前記両端近傍のロ
    ーラ面だけで前記高分子フイルム等の軸方向の両
    側近傍に当接するようにしたことを特徴とする薄
    膜形成装置等におけるフイルム走行装置。 2 副ローラのローラ面に耐熱性高分子膜を形成
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の薄膜形成装置等におけるフイルム走行装置。
JP4917787A 1987-03-04 1987-03-04 薄膜形成装置等におけるフイルム走行装置 Granted JPS63214918A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6508080B2 (ja) * 2016-02-05 2019-05-08 住友金属鉱山株式会社 キャンロールと長尺体の処理装置および処理方法
JP6922164B2 (ja) * 2016-07-01 2021-08-18 住友金属鉱山株式会社 長尺樹脂フィルムの巻取方法及び巻取装置

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