JPH0473883B2 - - Google Patents
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- JPH0473883B2 JPH0473883B2 JP11181189A JP11181189A JPH0473883B2 JP H0473883 B2 JPH0473883 B2 JP H0473883B2 JP 11181189 A JP11181189 A JP 11181189A JP 11181189 A JP11181189 A JP 11181189A JP H0473883 B2 JPH0473883 B2 JP H0473883B2
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野
本発明は、可変リアクタンス回路に関するもの
で、特にコンデンサやコイル等の基本リアクタン
ス素子に基づき負の所定値から正の所定値迄変化
する等価リアクタンスを発生させることの出来る
可変リアクタンス回路に関するものである。 (ロ) 技術の背景 コンデンサ等の容量リアクタンス素子やコイル
等の誘導リアクタンス素子は、近年盛んなIC(集
積回路)化の妨げとなるものであり、IC化の容
易な回路を用いて等価リアクタンスを発生させる
試みが成されている。しかして、小容量のコンデ
ンサは現在でもIC化が行なわれており、また等
価誘導リアクタンスに関しても、ジヤイレイタの
使用等によりIC化が行なわれている。しかしな
がら、それらはいずれも固定型のものか、あるい
は正のリアクタンス範囲で可変出来るものであ
り、負の所定値から正の所定値迄の広い範囲に渡
つてリアクタンスを可変出来るものは、未だ存在
しなかつた。 (ハ) 発明の要点 本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、差
動接続された第1及び第2トランジスタのいずれ
か一方のトランジスタのベース・コレクタ間にリ
アクタンス素子を接続するとともに前記第1及び
第2トランジスタの動作電流を制御することによ
り正の等価リアクタンスを呈するようにした第1
増幅回路と、差動接続された第3及び第4トラン
ジスタのいずれか一方のトランジスタのベースと
他方のトランジスタのコレクタとの間に前記リア
クタンス素子を接続するとともに前記第3及び第
4トランジスタの動作電流を制御することにより
負の等価リアクタンスを呈するようにした第2増
幅回路と、入力端子が該第2増幅回路の前記一方
のトランジスタのコレクタに、出力端子が前記第
1増幅回路の前記一方のトランジスタのコレクタ
に接続された電流ミラー回路と、前記第1及び第
2増幅回路の入力端に共通に接続される出力端子
とを備え、前記第1及び第2トランジスタの動作
電流及び前記第3及び第4トランジスタの動作電
流を各々制御することにより、前記入力端子より
見た等価リアクタンスを負の所定値から正の所定
値迄変化する様にしたことを特徴とする。 (ニ) 実施例 第1図は、本発明の原理図を示すもので、1は
正の等価リアクタンスとして動作する第1増幅回
路、2は負の等価リアクタンスとして動作する第
2増幅回路、及び3は前記第1及び第2増幅回路
1及び2の出力端が共通に接続される出力端子で
ある。しかして、前記第1増幅回路1は、エミツ
タが共通接続された第1及び第2トランジスタ4
及び5と、該第1及び第2トランジスタ4及び5
の共通エミツタに接続された第1可変電流源6
と、前記第1及び第2トランジスタ4及び5のコ
レクタに接続された第1ダイオード7と第3トラ
ンジスタ8とから成る第1電流ミラー回路9と、
前記第1トランジスタ4のコレクタ・ベース間に
接続された第1コンデンサ10と、前記第1及び
第2トランジスタ4及び5のベース間に接続され
た第1抵抗11とによつて構成され、第2増幅回
路2は、エミツタが共通接続された第4及び第5
トランジスタ12及び13と、該第4及び第5ト
ランジスタ12及び13の共通エミツタに接続さ
れた第2可変電流源14と、前記第4及び第5ト
ランジスタ12及び13のコレクタに接続された
第2ダイオード15と第6トランジスタ16とか
ら成る第2電流ミラー回路17と、前記第4トラ
ンジスタ12のコレクタと前記第5トランジスタ
13のベースとの間に接続された第2コンデンサ
18と前記第4及び第5トランジスタ12及び1
3のベース間に接続された第2抵抗19とによつ
て構成されている。 いま、第1可変電流源6に流れる電流をI1、第
2可変電流源14に流れる電流を零、出力端子3
の電圧e0、第1コンデンサ10に流れる電流をi1
とすれば、前記電圧e0と電流i1とは、90度の位相
差を持つことになり、前記電圧e0に対し位相が90
度ずれた電流i1が前記第1コンデンサ10から第
1抵抗11に流れる。その時、第1トランジスタ
4のベース電圧e1は、 e1=R・i1 ……(1) (ただし、Rは第1抵抗11の抵抗値) となり、また前記第1コンデンサ10に流れる電
流i1は、 i1=e0/R+1/jwC ……(2) (ただし、Cは第1コンデンサ10の容量 リアクタンス wは角周波数(1/jwC>R) となる。また、出力端子3に流入する電流i2は、 i2=e1・gm+i1 ……(3) (ただし、gmは相互コンダクタンス) となり、第1トランジスタ4のコレクタ電流i3
(=e1・gm)が第1コンデンサ10に流れる電流
i1よりも十分大の場合は、 i2=e1・gm ……(3′) となる。尚、前記第1トランジスタ4のコレクタ
電流i3の位相は、第1コンデンサ10に流れる電
流i1の位相に等しい。従つて、前記第(1),(2)及び
(3′)式から出力端子3に流入する電流i2は、 i2=e0/1/gm+1/jwR・C・gm ……(4) となり、これは出力端子3から見た場合、第1図
の回路が、第2図に示す如く、抵抗値が1/gmの抵 抗20と、容量リアクタンスがR・C・gmのコ
ンデンサ21とから成る直列回路に等価変換され
ることを示している。そして、1/gmを小と仮定す れば、第1図の回路は、等価容量リアクタンスが
R・C・gmのコンデンサであると見做すことが
出来る。例えば、第1抵抗11の値を1KΩ、第
1コンデンサ10の値を10PF、相互コンダクタ
ンスを1/50とすれば、等価容量リアクタンスは、 200PFと大きなものとなり、この様な大きなリア
クタンスをIC内に作成することが出来る。 また、相互コンダクタンスは、次式で示され
る。 gm=αqI/4kT×2=α/52I1 ……(5) (ただし、kはボルツマン定数 Tは絶対温度 qは電子の電荷量 αは電流増幅率) (I1は第1可変電流源6に流れる電流) 従つて、第1可変電流源6に流れる電流I1と等
価容量リアクタンスとは比例関係を呈することに
なり、前記電流I1を変化させることにより、零か
ら正の所定値迄変化する等価容量リアクタンスを
発生させることが出来る。 次に、第1可変電流源6に流れる電流を零、第
2可変電流源14に流れる電流をI2、第2コンデ
ンサ18に流れる電流をi4とすれば、第5トラン
ジスタ13のベース電圧e3は、 e3=R・i4 ……(6) (ただし、Rは第2抵抗19の抵抗値) となり、第2コンデンサ18に流れる電流i4は、 i4=e0/R+1/jwC ……(7) 〔ただし、Cは第2コンデンサ18の容量 リアクタンス wは角周波数〕 となる。また、出力端子3における電流i5は、 i5=−e3・gm+i4 ……(8) (ただし、gmは相互コンダクタンス) となり、前記第4トランジスタ12のコレクタ電
流i5(=−e3・gm)が第2コンデンサ18に流れ
る電流i4よりも十分大の場合は、 i5=−e3・gm=−R・i4・gm ……(8′) となる。尚、前記(8′)式から明らかな如く、第
4トランジスタ12のコレクタ電流i6の位相は、
第2コンデンサ18に流れる電流i4の位相と逆相
になる。従つて、第(7)及び(8′)式から i5=e0/1/gm+1/jw(−R・C・gm) ……(9) となり、これは出力端子3から見た場合、第1図
の回路が、抵抗値が−1/gmの抵抗と、容量リアク タンスが−R・C・gmのコンデンサとから成る
直列回路に等価変換されることを示している。 また、相互コンダクタンスは、第(5)式と同様、 gm=α/52I2 ……(10) で示されるから、第2可変電流源14に流れる電
流I2を変化させることにより、零から負の所定値
迄変化する等価容量リアクタンスを発生させるこ
とが出来る。 従つて、第1及び第2増幅回路1及び2を第1
図図示の如く接続し、第1及び第2可変電流源6
及び14に流れる電流I1及びI2を可変すれば、出
力端子3から見た等価リアクタンスを、負の所定
値から正の所定値迄変化させることが出来る可変
リアクタンス回路を提供出来る。尚、第1図おい
て、第1及び第2可変電流源6及び14を独立に
制御する場合について説明したが、前記第1及び
第2可変電流源6及び14を、エミツタが共通接
続された一対のトランジスタで構成し、前記一対
のトランジスタのベースに差動制御信号を印加す
ることにより、第1及び第2増幅回路6及び14
を共通に制御することが可能である。その場合
は、差動制御信号に応じて正の等価リアクタンス
と負の等価リアクタンスが変化し、その混合等価
リアクタンスが出力端子3に生じることになる。 第3図は、第1図の原理図に基づいた本発明の
一実施例を示すもので、エミツタが共通接続され
た第7及び第8トランジスタ22及び23と、出
力端子24と第7トランジスタ22のベースとの
間に接続された第3コンデンサ25と、前記第7
及び第8トランジスタ22及び23のベース間に
接続された第3抵抗26と、前記第7及び第8ト
ランジスタ22及び23の共通エミツタに接続さ
れた定電流回路27と、前記第7トランジスタ2
2のコレクタに共通エミツタが接続された第9及
び第10トランジスタ28及び29と、前記第8ト
ランジスタ23のコレクタに共通エミツタが接続
された第11及び第12トランジスタ30及び31
と、第3ダイオード32と第13トランジスタ33
とから成る第3電流ミラー回路34とによつて構
成され、前記第9乃至第12トランジスタ28乃至
31のベースに差動制御信号が印加される様に成
されている。 いま、第1制御端子35に第2制御端子36よ
りも十分大なる正の制御電圧が印加されていると
すれば、第9及び第12トランジスタ28及び31
がオン、第10及び第11トランジスタ29及び30
がオフとなり、第3図の回路は、第1図の第1増
幅回路1と同等の構成となる。その為、出力端子
24から見た等価リアクタンスは、第(4)式に応じ
た値となる。 一方、第2制御端子36に第1制御端子35よ
りも十分大なる正の制御電圧が印加されていると
すれば、第9及び第12トランジスタ28及び31
がオフ、第10及び第11トランジスタ29及び30
がオンとなり、第3図の回路は、第1図の第2増
幅回路2と同等の構成となる。その為、出力端子
24から見た等価リアクタンスは、第(9)式に応じ
た値となる。 そして、第1及び第2制御端子35及び36に
等しい値の制御電圧が印加されているとすれば、
正の等価リアクタンスと負の等価リアクタンスが
キヤンセルされて出力端子24から見た等価リア
クタンスが零となり、第1及び第2制御端子35
及び36に印加される制御電圧が上述の各状態の
中間にある場合は、第9乃至第12トランジスタ2
8乃至31の導通に応じた正負の等価リアクタン
スが出力端子24に生ずる。 第4図は、本発明の別の実施例を示すもので、
共通エミツタに可変電流源となる第1電流源トラ
ンジスタ37が接続された第14及び第15トランジ
スタ38及び39と、共通エミツタに可変電流源
となる第2電流源トランジスタ40が接続された
第16及び第17トランジスタ41及び42と、出力
端子43と第14トランジスタ38のベースとの間
に接続された第4コンデンサ44と、前記第14及
び第17トランジスタ38及び42の共通ベースと
前記第15及び第16トランジスタ39及び41の共
通ベースとの間に接続された第4抵抗45と、第
4ダイオード46と第18トランジスタ47とから
成る第4電流ミラー回路48とによつて構成さ
れ、前記第1及び第2電流源トランジスタ37及
び40のベースに印加される制御信号に応じて、
出力端子43に所定の等価リアクタンスを発生さ
せるものである。 いま、第1電流源トランジスタ37のベースに
所定の制御信号を印加し、第2電流源トランジス
タ40のベースに制御信号を印加しないとすれ
ば、第1電流源トランジスタ37にI1のコレクタ
電流が流れ、第4図の回路は、第1図の第1増幅
回路1と全く同一の構成になり、出力端子43か
ら見た場合、第(4)式に応じた正の等価リアクタン
スが得られる。そして、前記第1電流源トランジ
スタ37のベースに印加される制御信号の大きさ
に応じて、そのコレクタ電流I1が変化するので、
零から正の所定値迄の等価リアクタンスを発生す
る可変リアクタンス回路が得られる。 また、第1電流源トランジスタ37のベースに
制御信号を印加せず、第2電流源トランジスタ4
0のベースに所定の制御信号を印加したとすれ
ば、第2電流源トランジスタ40にI2のコレクタ
電流が流れ、第4図の回路は、第1図の第2増幅
回路2と全く同一の構成になり、出力端子43か
ら見た場合、第(9)式に応じた等価リアクタンスが
得られる。そして、前記第2電流源トランジスタ
40のベースに印加される制御信号の大きさに応
じて、そのコレクタ電流I2が変化するので、零か
ら負の所定値迄の等価リアクタンスを発生する可
変リアクタンス回路が得られる。 尚、第1及び第2電流源トランジスタ37及び
40のベースに差動制御信号を印加することも出
来、その場合の動作も第1図の場合と同様に考え
られる。 第4図の回路は、第1図の回路に比べ素子数の
大幅な削減が出来る。即ち、コンデンサ、電流ミ
ラー回路及び抵抗をそれぞれ半減することが出来
る。特にコンデンサはIC化に際してチツプ面積
の増加につながる為、その利点は大である。又、
電流ミラー回路はオフセツト電流を発生する可能
性があるが、それについても電流ミラー回路の削
減により低下させることが可能となる。更に第4
図の回路においては、出力端子43に大振幅の信
号を印加しても2つの増幅回路は飽和することが
なくリアクタンス特性を呈することが出来る。即
ち、出力端子43に大振幅の信号が印加されると
第4コンデンサ44と第4抵抗45とで分圧され
た電圧が、第14及び第17トランジスタ38及び4
2のベースに印加されるが、前記第4抵抗45の
値は非常に小さいので分圧された電圧は、充分小
レベルとなる。その為、2つの増幅回路を常に直
線領域で使用することが出来、安定なリアクタン
ス特性を呈することが出来る。 第5図は、本発明の別の実施例を示すもので、
第1図の第1及び第2コンデンサ10及び18の
代わりに、第1及び第2コイル49及び50を接
続し、出力端子51に等価誘導リアクタンスを発
生せしめんとするものである。回路動作は、第1
図の場合と同様で、出力端子51には、第1及び
第2コイル49及び50の誘導リアクタンスL1
及びL2の所定倍の正負の等価誘導リアクタンス
が発生する。 第6図は、本発明に係る可変リアクタンス回路
を、発振回路に利用した場合の一例を示すもの
で、52は差動接続された一対のトランジスタ5
3及び54で構成された発振回路、55は水晶振
動子の等の発振素子、及び56は本発明に係る第
1図、第3図もしくは第4図に示された可変リア
クタンス回路である。しかして、第6図の如き回
路構成とすれば、発振素子55の誘導リアクタン
スに、可変リアクタンス回路56の等価リアクタ
ンスが並列接続されることになり、前記可変リア
クタンス回路56の等価リアクタンスの値に応じ
て並列共振周波数が変化する。いま、第7図に示
す如く、可変リアクタンス回路56が接続されて
いない状態の発振素子55固有の並列共振周波数
をf1とすれば、可変リアクタンス回路56の等価
リアクタンスが零から正の所定値迄変化するにつ
れて、並列共振周波数が矢印A方向にf2迄移動
し、前記リアクタンスが零から負の所定値迄変化
するにつれて、並列共振周波数が矢印B方向にf3
迄移動する。従つて、例えば第1図において、第
1もしくは第2可変電流源6もしくは14の電流
I1もしくはI2を変化させれば、実質的に発振素子
55の並列共振周波数が変化し、発振回路の発振
周波数が変化する。 (ホ) 効果 以上述べた如く、本発明に依れば、基本リアク
タンス素子の所定倍の正負の等価リアクタンスを
IC化の可能な回路を用いて容易に作成すること
が出来るという大きな特徴を有する。そして、特
に制御信号に応じて、負の所定値から正の所定値
迄の広い範囲に渡つて、等価リアクタンスを可変
することが出来るので、様々な用途に利用出来
る。 また、第4図の実施例は、第1図に比べ、基本リ
アクタンス素子となるコンデンサや抵抗、電流源
等を第1及び第2増幅回路で共用する回路構成と
成されているので、IC化がより仕易いという利
点を有する。更に、第6図に示す如く、本発明に
係る可変リアクタンス回路を発振回路に利用すれ
ば、発振周波数の安定な水晶振動子等の発振素子
固有の周波数を中心に、例えばPLL回路の位相
比較器からの信号を制御信号として用い、発振回
路の発振周波数を、上下に可変することが出来る
ので、フリーラン周波数の安定な、VCO(電圧制
御発振器)が提供出来るという利点を有する。
で、特にコンデンサやコイル等の基本リアクタン
ス素子に基づき負の所定値から正の所定値迄変化
する等価リアクタンスを発生させることの出来る
可変リアクタンス回路に関するものである。 (ロ) 技術の背景 コンデンサ等の容量リアクタンス素子やコイル
等の誘導リアクタンス素子は、近年盛んなIC(集
積回路)化の妨げとなるものであり、IC化の容
易な回路を用いて等価リアクタンスを発生させる
試みが成されている。しかして、小容量のコンデ
ンサは現在でもIC化が行なわれており、また等
価誘導リアクタンスに関しても、ジヤイレイタの
使用等によりIC化が行なわれている。しかしな
がら、それらはいずれも固定型のものか、あるい
は正のリアクタンス範囲で可変出来るものであ
り、負の所定値から正の所定値迄の広い範囲に渡
つてリアクタンスを可変出来るものは、未だ存在
しなかつた。 (ハ) 発明の要点 本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、差
動接続された第1及び第2トランジスタのいずれ
か一方のトランジスタのベース・コレクタ間にリ
アクタンス素子を接続するとともに前記第1及び
第2トランジスタの動作電流を制御することによ
り正の等価リアクタンスを呈するようにした第1
増幅回路と、差動接続された第3及び第4トラン
ジスタのいずれか一方のトランジスタのベースと
他方のトランジスタのコレクタとの間に前記リア
クタンス素子を接続するとともに前記第3及び第
4トランジスタの動作電流を制御することにより
負の等価リアクタンスを呈するようにした第2増
幅回路と、入力端子が該第2増幅回路の前記一方
のトランジスタのコレクタに、出力端子が前記第
1増幅回路の前記一方のトランジスタのコレクタ
に接続された電流ミラー回路と、前記第1及び第
2増幅回路の入力端に共通に接続される出力端子
とを備え、前記第1及び第2トランジスタの動作
電流及び前記第3及び第4トランジスタの動作電
流を各々制御することにより、前記入力端子より
見た等価リアクタンスを負の所定値から正の所定
値迄変化する様にしたことを特徴とする。 (ニ) 実施例 第1図は、本発明の原理図を示すもので、1は
正の等価リアクタンスとして動作する第1増幅回
路、2は負の等価リアクタンスとして動作する第
2増幅回路、及び3は前記第1及び第2増幅回路
1及び2の出力端が共通に接続される出力端子で
ある。しかして、前記第1増幅回路1は、エミツ
タが共通接続された第1及び第2トランジスタ4
及び5と、該第1及び第2トランジスタ4及び5
の共通エミツタに接続された第1可変電流源6
と、前記第1及び第2トランジスタ4及び5のコ
レクタに接続された第1ダイオード7と第3トラ
ンジスタ8とから成る第1電流ミラー回路9と、
前記第1トランジスタ4のコレクタ・ベース間に
接続された第1コンデンサ10と、前記第1及び
第2トランジスタ4及び5のベース間に接続され
た第1抵抗11とによつて構成され、第2増幅回
路2は、エミツタが共通接続された第4及び第5
トランジスタ12及び13と、該第4及び第5ト
ランジスタ12及び13の共通エミツタに接続さ
れた第2可変電流源14と、前記第4及び第5ト
ランジスタ12及び13のコレクタに接続された
第2ダイオード15と第6トランジスタ16とか
ら成る第2電流ミラー回路17と、前記第4トラ
ンジスタ12のコレクタと前記第5トランジスタ
13のベースとの間に接続された第2コンデンサ
18と前記第4及び第5トランジスタ12及び1
3のベース間に接続された第2抵抗19とによつ
て構成されている。 いま、第1可変電流源6に流れる電流をI1、第
2可変電流源14に流れる電流を零、出力端子3
の電圧e0、第1コンデンサ10に流れる電流をi1
とすれば、前記電圧e0と電流i1とは、90度の位相
差を持つことになり、前記電圧e0に対し位相が90
度ずれた電流i1が前記第1コンデンサ10から第
1抵抗11に流れる。その時、第1トランジスタ
4のベース電圧e1は、 e1=R・i1 ……(1) (ただし、Rは第1抵抗11の抵抗値) となり、また前記第1コンデンサ10に流れる電
流i1は、 i1=e0/R+1/jwC ……(2) (ただし、Cは第1コンデンサ10の容量 リアクタンス wは角周波数(1/jwC>R) となる。また、出力端子3に流入する電流i2は、 i2=e1・gm+i1 ……(3) (ただし、gmは相互コンダクタンス) となり、第1トランジスタ4のコレクタ電流i3
(=e1・gm)が第1コンデンサ10に流れる電流
i1よりも十分大の場合は、 i2=e1・gm ……(3′) となる。尚、前記第1トランジスタ4のコレクタ
電流i3の位相は、第1コンデンサ10に流れる電
流i1の位相に等しい。従つて、前記第(1),(2)及び
(3′)式から出力端子3に流入する電流i2は、 i2=e0/1/gm+1/jwR・C・gm ……(4) となり、これは出力端子3から見た場合、第1図
の回路が、第2図に示す如く、抵抗値が1/gmの抵 抗20と、容量リアクタンスがR・C・gmのコ
ンデンサ21とから成る直列回路に等価変換され
ることを示している。そして、1/gmを小と仮定す れば、第1図の回路は、等価容量リアクタンスが
R・C・gmのコンデンサであると見做すことが
出来る。例えば、第1抵抗11の値を1KΩ、第
1コンデンサ10の値を10PF、相互コンダクタ
ンスを1/50とすれば、等価容量リアクタンスは、 200PFと大きなものとなり、この様な大きなリア
クタンスをIC内に作成することが出来る。 また、相互コンダクタンスは、次式で示され
る。 gm=αqI/4kT×2=α/52I1 ……(5) (ただし、kはボルツマン定数 Tは絶対温度 qは電子の電荷量 αは電流増幅率) (I1は第1可変電流源6に流れる電流) 従つて、第1可変電流源6に流れる電流I1と等
価容量リアクタンスとは比例関係を呈することに
なり、前記電流I1を変化させることにより、零か
ら正の所定値迄変化する等価容量リアクタンスを
発生させることが出来る。 次に、第1可変電流源6に流れる電流を零、第
2可変電流源14に流れる電流をI2、第2コンデ
ンサ18に流れる電流をi4とすれば、第5トラン
ジスタ13のベース電圧e3は、 e3=R・i4 ……(6) (ただし、Rは第2抵抗19の抵抗値) となり、第2コンデンサ18に流れる電流i4は、 i4=e0/R+1/jwC ……(7) 〔ただし、Cは第2コンデンサ18の容量 リアクタンス wは角周波数〕 となる。また、出力端子3における電流i5は、 i5=−e3・gm+i4 ……(8) (ただし、gmは相互コンダクタンス) となり、前記第4トランジスタ12のコレクタ電
流i5(=−e3・gm)が第2コンデンサ18に流れ
る電流i4よりも十分大の場合は、 i5=−e3・gm=−R・i4・gm ……(8′) となる。尚、前記(8′)式から明らかな如く、第
4トランジスタ12のコレクタ電流i6の位相は、
第2コンデンサ18に流れる電流i4の位相と逆相
になる。従つて、第(7)及び(8′)式から i5=e0/1/gm+1/jw(−R・C・gm) ……(9) となり、これは出力端子3から見た場合、第1図
の回路が、抵抗値が−1/gmの抵抗と、容量リアク タンスが−R・C・gmのコンデンサとから成る
直列回路に等価変換されることを示している。 また、相互コンダクタンスは、第(5)式と同様、 gm=α/52I2 ……(10) で示されるから、第2可変電流源14に流れる電
流I2を変化させることにより、零から負の所定値
迄変化する等価容量リアクタンスを発生させるこ
とが出来る。 従つて、第1及び第2増幅回路1及び2を第1
図図示の如く接続し、第1及び第2可変電流源6
及び14に流れる電流I1及びI2を可変すれば、出
力端子3から見た等価リアクタンスを、負の所定
値から正の所定値迄変化させることが出来る可変
リアクタンス回路を提供出来る。尚、第1図おい
て、第1及び第2可変電流源6及び14を独立に
制御する場合について説明したが、前記第1及び
第2可変電流源6及び14を、エミツタが共通接
続された一対のトランジスタで構成し、前記一対
のトランジスタのベースに差動制御信号を印加す
ることにより、第1及び第2増幅回路6及び14
を共通に制御することが可能である。その場合
は、差動制御信号に応じて正の等価リアクタンス
と負の等価リアクタンスが変化し、その混合等価
リアクタンスが出力端子3に生じることになる。 第3図は、第1図の原理図に基づいた本発明の
一実施例を示すもので、エミツタが共通接続され
た第7及び第8トランジスタ22及び23と、出
力端子24と第7トランジスタ22のベースとの
間に接続された第3コンデンサ25と、前記第7
及び第8トランジスタ22及び23のベース間に
接続された第3抵抗26と、前記第7及び第8ト
ランジスタ22及び23の共通エミツタに接続さ
れた定電流回路27と、前記第7トランジスタ2
2のコレクタに共通エミツタが接続された第9及
び第10トランジスタ28及び29と、前記第8ト
ランジスタ23のコレクタに共通エミツタが接続
された第11及び第12トランジスタ30及び31
と、第3ダイオード32と第13トランジスタ33
とから成る第3電流ミラー回路34とによつて構
成され、前記第9乃至第12トランジスタ28乃至
31のベースに差動制御信号が印加される様に成
されている。 いま、第1制御端子35に第2制御端子36よ
りも十分大なる正の制御電圧が印加されていると
すれば、第9及び第12トランジスタ28及び31
がオン、第10及び第11トランジスタ29及び30
がオフとなり、第3図の回路は、第1図の第1増
幅回路1と同等の構成となる。その為、出力端子
24から見た等価リアクタンスは、第(4)式に応じ
た値となる。 一方、第2制御端子36に第1制御端子35よ
りも十分大なる正の制御電圧が印加されていると
すれば、第9及び第12トランジスタ28及び31
がオフ、第10及び第11トランジスタ29及び30
がオンとなり、第3図の回路は、第1図の第2増
幅回路2と同等の構成となる。その為、出力端子
24から見た等価リアクタンスは、第(9)式に応じ
た値となる。 そして、第1及び第2制御端子35及び36に
等しい値の制御電圧が印加されているとすれば、
正の等価リアクタンスと負の等価リアクタンスが
キヤンセルされて出力端子24から見た等価リア
クタンスが零となり、第1及び第2制御端子35
及び36に印加される制御電圧が上述の各状態の
中間にある場合は、第9乃至第12トランジスタ2
8乃至31の導通に応じた正負の等価リアクタン
スが出力端子24に生ずる。 第4図は、本発明の別の実施例を示すもので、
共通エミツタに可変電流源となる第1電流源トラ
ンジスタ37が接続された第14及び第15トランジ
スタ38及び39と、共通エミツタに可変電流源
となる第2電流源トランジスタ40が接続された
第16及び第17トランジスタ41及び42と、出力
端子43と第14トランジスタ38のベースとの間
に接続された第4コンデンサ44と、前記第14及
び第17トランジスタ38及び42の共通ベースと
前記第15及び第16トランジスタ39及び41の共
通ベースとの間に接続された第4抵抗45と、第
4ダイオード46と第18トランジスタ47とから
成る第4電流ミラー回路48とによつて構成さ
れ、前記第1及び第2電流源トランジスタ37及
び40のベースに印加される制御信号に応じて、
出力端子43に所定の等価リアクタンスを発生さ
せるものである。 いま、第1電流源トランジスタ37のベースに
所定の制御信号を印加し、第2電流源トランジス
タ40のベースに制御信号を印加しないとすれ
ば、第1電流源トランジスタ37にI1のコレクタ
電流が流れ、第4図の回路は、第1図の第1増幅
回路1と全く同一の構成になり、出力端子43か
ら見た場合、第(4)式に応じた正の等価リアクタン
スが得られる。そして、前記第1電流源トランジ
スタ37のベースに印加される制御信号の大きさ
に応じて、そのコレクタ電流I1が変化するので、
零から正の所定値迄の等価リアクタンスを発生す
る可変リアクタンス回路が得られる。 また、第1電流源トランジスタ37のベースに
制御信号を印加せず、第2電流源トランジスタ4
0のベースに所定の制御信号を印加したとすれ
ば、第2電流源トランジスタ40にI2のコレクタ
電流が流れ、第4図の回路は、第1図の第2増幅
回路2と全く同一の構成になり、出力端子43か
ら見た場合、第(9)式に応じた等価リアクタンスが
得られる。そして、前記第2電流源トランジスタ
40のベースに印加される制御信号の大きさに応
じて、そのコレクタ電流I2が変化するので、零か
ら負の所定値迄の等価リアクタンスを発生する可
変リアクタンス回路が得られる。 尚、第1及び第2電流源トランジスタ37及び
40のベースに差動制御信号を印加することも出
来、その場合の動作も第1図の場合と同様に考え
られる。 第4図の回路は、第1図の回路に比べ素子数の
大幅な削減が出来る。即ち、コンデンサ、電流ミ
ラー回路及び抵抗をそれぞれ半減することが出来
る。特にコンデンサはIC化に際してチツプ面積
の増加につながる為、その利点は大である。又、
電流ミラー回路はオフセツト電流を発生する可能
性があるが、それについても電流ミラー回路の削
減により低下させることが可能となる。更に第4
図の回路においては、出力端子43に大振幅の信
号を印加しても2つの増幅回路は飽和することが
なくリアクタンス特性を呈することが出来る。即
ち、出力端子43に大振幅の信号が印加されると
第4コンデンサ44と第4抵抗45とで分圧され
た電圧が、第14及び第17トランジスタ38及び4
2のベースに印加されるが、前記第4抵抗45の
値は非常に小さいので分圧された電圧は、充分小
レベルとなる。その為、2つの増幅回路を常に直
線領域で使用することが出来、安定なリアクタン
ス特性を呈することが出来る。 第5図は、本発明の別の実施例を示すもので、
第1図の第1及び第2コンデンサ10及び18の
代わりに、第1及び第2コイル49及び50を接
続し、出力端子51に等価誘導リアクタンスを発
生せしめんとするものである。回路動作は、第1
図の場合と同様で、出力端子51には、第1及び
第2コイル49及び50の誘導リアクタンスL1
及びL2の所定倍の正負の等価誘導リアクタンス
が発生する。 第6図は、本発明に係る可変リアクタンス回路
を、発振回路に利用した場合の一例を示すもの
で、52は差動接続された一対のトランジスタ5
3及び54で構成された発振回路、55は水晶振
動子の等の発振素子、及び56は本発明に係る第
1図、第3図もしくは第4図に示された可変リア
クタンス回路である。しかして、第6図の如き回
路構成とすれば、発振素子55の誘導リアクタン
スに、可変リアクタンス回路56の等価リアクタ
ンスが並列接続されることになり、前記可変リア
クタンス回路56の等価リアクタンスの値に応じ
て並列共振周波数が変化する。いま、第7図に示
す如く、可変リアクタンス回路56が接続されて
いない状態の発振素子55固有の並列共振周波数
をf1とすれば、可変リアクタンス回路56の等価
リアクタンスが零から正の所定値迄変化するにつ
れて、並列共振周波数が矢印A方向にf2迄移動
し、前記リアクタンスが零から負の所定値迄変化
するにつれて、並列共振周波数が矢印B方向にf3
迄移動する。従つて、例えば第1図において、第
1もしくは第2可変電流源6もしくは14の電流
I1もしくはI2を変化させれば、実質的に発振素子
55の並列共振周波数が変化し、発振回路の発振
周波数が変化する。 (ホ) 効果 以上述べた如く、本発明に依れば、基本リアク
タンス素子の所定倍の正負の等価リアクタンスを
IC化の可能な回路を用いて容易に作成すること
が出来るという大きな特徴を有する。そして、特
に制御信号に応じて、負の所定値から正の所定値
迄の広い範囲に渡つて、等価リアクタンスを可変
することが出来るので、様々な用途に利用出来
る。 また、第4図の実施例は、第1図に比べ、基本リ
アクタンス素子となるコンデンサや抵抗、電流源
等を第1及び第2増幅回路で共用する回路構成と
成されているので、IC化がより仕易いという利
点を有する。更に、第6図に示す如く、本発明に
係る可変リアクタンス回路を発振回路に利用すれ
ば、発振周波数の安定な水晶振動子等の発振素子
固有の周波数を中心に、例えばPLL回路の位相
比較器からの信号を制御信号として用い、発振回
路の発振周波数を、上下に可変することが出来る
ので、フリーラン周波数の安定な、VCO(電圧制
御発振器)が提供出来るという利点を有する。
第1図は本発明の原理を示す回路図、第2図は
その部分等価回路図、第3図は本発明の実施例を
示す回路図、第4図は本発明の別の実施例を示す
回路図、第5図は本発明の別の実施例を示す回路
図、第6図は本発明に係る可変リアクタンス回路
を使用した発振回路を示す回路図、及び第7図は
その説明に供する為の特性図である。 主な図番の説明、1……第1増幅回路、2……
第2増幅回路、3……出力端子、4,5,12,
13……トランジスタ、6,14……可変電流
源、10,18……コンデンサ、11,19……
抵抗。
その部分等価回路図、第3図は本発明の実施例を
示す回路図、第4図は本発明の別の実施例を示す
回路図、第5図は本発明の別の実施例を示す回路
図、第6図は本発明に係る可変リアクタンス回路
を使用した発振回路を示す回路図、及び第7図は
その説明に供する為の特性図である。 主な図番の説明、1……第1増幅回路、2……
第2増幅回路、3……出力端子、4,5,12,
13……トランジスタ、6,14……可変電流
源、10,18……コンデンサ、11,19……
抵抗。
Claims (1)
- 1 差動接続された第1及び第2トランジスタ及
び該第1トランジスタのベース・コレクタ間に接
続されたリアクタンス素子とを備えた前記第1及
び第2トランジスタの動作電流を制御することに
より正の等価リアクタンスを呈するようにした第
1増幅回路と、差動接続された第3及び第4トラ
ンジスタを備え前記第4トランジスタのベースと
前記第3トランジスタのコレクタ間に前記リアク
タンス素子を接続し前記第3及び第4トランジス
タの動作電流を制御することにより負の等価リア
クタンスを呈するようにした第2増幅回路と、入
力端が前記第4トランジスタのコレクタに、出力
端が前記第1トランジスタのコレクタに接続され
た電流ミラー回路と、前記第1トランジスタのコ
レクタと前記第3トランジスタのコレクタとに共
通接続される出力端子とを備え、前記第3トラン
ジスタのベースと前記第2トランジスタのベース
を共通接続するとともに前記第4トランジスタの
コレクタを前記第2トランジスタのコレクタに接
続し前記第1及び第2トランジスタの動作電流及
び前記第3及び第4トランジスタの動作電流を
各々制御することにより、前記出力端子より見た
等価リアクタンスを負の所定値から正の所定値迄
変化する様にしたことを特徴とする可変リアクタ
ンス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181189A JPH02237212A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 可変リアクタンス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181189A JPH02237212A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 可変リアクタンス回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169338A Division JPS5957515A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 可変リアクタンス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237212A JPH02237212A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH0473883B2 true JPH0473883B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14570755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11181189A Granted JPH02237212A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 可変リアクタンス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02237212A (ja) |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP11181189A patent/JPH02237212A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02237212A (ja) | 1990-09-19 |
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