JPH0414526B2 - - Google Patents

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JPH0414526B2
JPH0414526B2 JP57169338A JP16933882A JPH0414526B2 JP H0414526 B2 JPH0414526 B2 JP H0414526B2 JP 57169338 A JP57169338 A JP 57169338A JP 16933882 A JP16933882 A JP 16933882A JP H0414526 B2 JPH0414526 B2 JP H0414526B2
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JP
Japan
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reactance
circuit
current
equivalent
transistors
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JP57169338A
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Kanji Tanaka
Kazuhisa Ishiguro
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/366Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks
    • H03H11/48One-port networks simulating reactances

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  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 技術分野 本発明は、可変リアクタンス回路に関するもの
で、特にコンデンサやコイル等の基本リアクタン
ス素子に基き負の所定値から正の所定値迄変化す
る等価リアクタンスを発生させることの出来る可
変リアクタンス回路に関するものである。
(ロ) 技術の背景 コンデンサ等の容量リアクタンス素子やコイル
等の誘導リアクタンス素子は、近年盛んなIC(集
積回路)化の妨げとなるものであり、IC化の容
易な回路を用いて等価リアクタンスを発生させる
試みが成されている。しかして、小容量のコンデ
ンサは現在でもIC化が行なわれており、また等
価誘導リアクタンスに関しても、ジヤイレイタの
使用等によりIC他が行なわれている。しかしな
がら、それらはいずれも固定型のものか、あるい
は正のリアクタンス範囲で可変出来るものであ
り、負の所定値から正の所定値迄の広い範囲に渡
つてリアクタンスを可変出来るものは、未だ存在
しなかつた。
(ハ) 発明の要点 本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、基
本リアクタンス素子に基き正の等価リアクタンス
として動作する第1増幅回路と、基本リアクタン
ス素子に基き負の等価リアクタンスとして動作す
る第2増幅回路と、前記第1及び第2増幅回路の
出力端に共通に接続される出力端子とを備え、前
記第1及び第2増幅回路に制御信号を印加するこ
とにより、前記出力端子から見た等価リアクタン
スが負の所定値から正の所定値迄変化するように
したことを特徴とするものである。
(ニ) 実施例 第1図は、本発明の一実施例を示すもので、
は正の等価リアクタンスとして動作する第1増幅
回路、は負の等価リアクタンスとして動作する
第2増幅回路、及び3は前記第1及び第2増幅回
及びの出力端が共通に接続される出力端子
である。しかして、前記第1増幅回路は、エミ
ツタが共通接続された第1及び第2トランジスタ
4及び5と、該第1及び第2トランジスタ4及び
5の共通エミツタに接続された第1可変電流源6
と、前記第1及び第2トランジスタ4及び5のコ
レクタに接続された第1ダイオード7と第3トラ
ンジスタ8とから成る第1電流ミラー回路と、
前記第1トランジスタ4のコレクタ・ベース間に
接続された第1コンデンサ10と、前記第1及び
第2トランジスタ4及び5のベース間に接続され
た第1抵抗11とによつて構成され、第2増幅回
は、エミツタが共通接続された第4及び第5
トランジスタ12及び13と、該第4及び第5ト
ランジスタ12及び13の共通エミツタに接続さ
れた第2可変電流源14と、前記第4及び第5ト
ランジスタ12及び13のコレクタに接続された
第2ダイオード15と第6トランジスタ16とか
ら成る第2電流ミラー回路17と、前記第4トラ
ンジスタ12のコレクタと前記第5トランジタ1
3のベースとの間に接続された第2コンデンサ1
8と前記第4及び第5トランジスタ12及び13
のベース間に接続された第2抵抗19とによつて
構成されている。
いま、第1可変電流源6に流れる電流をI1、第
2可変電流源14に流れる電流を零、出力端子3
の電圧をe0、第1コンデンサ10に流れる電流を
i1とすれば、前記電圧e0と電流i1とは、90度の位
相差を持つことになり、前記電圧e0に対し位相が
90度ずれた電流i1が前記第1コンデンサ10から
第1抵抗11に流れる。その時、第1トランジス
タ4のベース電圧e1は、 e1=R・i1 ……(1) (ただし、Rは第1抵抗4の抵抗値) となり、また前記第1コンデンサ10に流れる電
流i1は、 i1=e0/R+1/jwC ……(2) (ただし、Cは第1コンデンサ10の容量リア
クタンス wは角周波数(1/jwC>R)) となる。また、出力端子3に流入する電流i2は、 i2=e1・gm+i1 ……(3) (ただし、gmは相互コンダクタンス) となり、第1トランジスタ4のコレクタ電流i3
(=e1・gm)が第1コンデンサ10に流れる電流
i1よりも十分大の場合は、 i2=e1・gm ……(3)′ となる。尚、前記第1トランジスタ4のコレクタ
電流i3の位相は、第1コンデンサ10に流れる電
流i1の位相に等しい。従つて、前記第(1)、(2)及び
(3)′式から出力端子3に流入する電流i2は、 i2=e0/1/gm+1/jwR・C・gm ……(4) となり、これは出力端子3から見た場合、第1図
の回路が、第2図に示す如く、抵抗値が1/gmの抵 抗20と、容量リアクタンスR・C・gmのコン
デンサ21とから成る直列回路に等価変換される
ことを示している。そして、1/gmを小と仮定すれ ば、第1図の回路は、等価容量リアクタンスが
R・C・gmのコンデンサであると見倣すことが
出来る。例えば、第1抵抗11の値を1KΩ、第
1コンデンサ10の値を10,F、相互コンダクタ
ンスを1/50とすれば、等価容量リアクタンスは、
200rFと大きなものとなり、この様な大きなリア
クタンスをIC内に作成することが出来る。
また、相互コンダクタンスは、次式で示され
る。
gm=αqI/4kT×2=α/52I1 ……(5) (ただし、kはボルツマン定数 Tは絶対温度 qは電子の電荷量 αは電流増幅率) (I1は第1可変電流源6に流れる電流) 従つて、第1可変電流源6に流れる電流I1と等
価容量リアクタンスとは比例関係を呈することに
なり、前記電流I1を変化させることにより、零か
ら正の所定値迄変化する等価容量リアクタンスを
発生させることが出来る。
次に、第1可変電流源6に流れる電流を零、第
2可変電流源14に流れる電流をI2、第2コンデ
ンサ18に流れる電流をi4とすれば、第5トラン
ジスタ13のベース電圧e3は、 e3=R・i4 ……(6) (ただし、Rは第2抵抗19の抵抗値) となり、第2コンデンサ18に流れる電流i4は、 i4=e0/R+1/jwC ……(7) (ただし、Cは第2コンデンサ18の容量リア
クタンス wは角周波数) となる。また、出力端子3における電流i5は、 i5=−e3・gm+i4 ……(8) (ただし、gmは相互コンダクタンス) となり、前記第4トランジスタ12のコレクタ電
流i6(=−e3・gm)が第2コンデンサ18に流れ
る電流i4よりも十分大の場合は、 i5=−e3・gm=−R・i4・gm ……(8)′ となる。尚、第(8)′式から明らかな如く、第4ト
ランジスタ12のコレクタ電流i6の位相は、第2
コンデンサ18に流れる電流i4の位相と逆相にな
る。従つて、第(7)及び第(8)′式から i5=e0/−1/gm+1/jw(−R・C・gm) ……(9) となり、これは出力端子3から見た場合、第1図
の回路が、低抗値が−1/gmの抵抗と、容量リアク タンスが−R・C・gmのコンデンサとから成る
直列回路に等価変換されることを示している。
また、相互コンダクタンスは、第(5)式と同様、 gm=α/52I2 ……(10) で示されるから、第2可変電流源14に流れる電
流I2を変化させることにより、零から負の所定値
迄変化する等価容量リアクタンスを発生させるこ
とが出来る。
従つて、第1及び第2増幅回路及びを第1
図図示の如く接続し、第1及び第2可変電流源6
及び14に流れる電流I1及びI2を可変すれば、出
力端子3から見た等価リアクタンスを、負の所定
値から正の所定値迄変化させることが出来る可変
リアクタンス回路を提供出来る。尚、第1図にお
いて、第1及び第2可変電流源6及び14を独立
に制御する場合について説明したが、前記第1及
び第2可変電流源6及び14を、エミツタが共通
接続された一対のトランジスタで構成し、前記一
対のトランジスタのベースに差動制御信号を印加
することにより、第1及び第2増幅回路6及び1
4を共通に制御することが可能である。その場合
は、差動制御信号に応じて正の等価リアクタンス
と負の等価リアクタンスが変化し、その混合等価
リアクタンスが出力端子3に生じることになる。
第3図は、本発明の別の実施例を示すもので、
エミツタが共通接続された第7及び第8トランジ
スタ22及び23と、出力端子24と第7トラン
ジスタ22のベースとの間に接続された第3コン
デンサ25と、前記第7及び第8トランジスタ2
2及び23のベース間に接続された第3抵抗26
と、前記第7及び第8トランジスタ22及び23
の共通エミツタに接続された定電流回路27と、
前記第7トランジスタ22のコレクタに共通エミ
ツタが接続された第9及び第10トランジスタ28
及び29と、前記第8トランジスタ23のコレク
タに共通エミツタが接続された第11及び第12トラ
ンジスタ30及び31と、第3ダイオード32と
第13トランジスタ33とから成る第3電流ミラー
回路34とによつて構成され、前記第9乃至第12
トランジスタ28乃至31のベースに差動制御信
号が印加される様に成されている。
いま、第1制御端子35に第2制御端子36よ
りも十分大なる正の制御電圧が印加されていると
すれば、第9及び第12トランジスタ28及び31
がオン、第10及び第11トランジスタ29及び30
がオフとなり、第3図の回路は、第1図の第1増
幅回路と同等の構成となる。その為、出力端子
24から見た等価リアクタンスは、第(4)式に応じ
た値となる。
一方、第2制御端子36に第1制御端子35よ
りも十分大なる正の制御電圧が印加されていると
すれば、第9及び第12トランジスタ28及び31
がオフ、第10及び第11トランジスタ29及び30
がオンとなり、第3図の回路は、第1図の第2増
幅回路と同等の構成となる。その為、出力端子
24から見た等価リアクタンスは、第(9)式に応じ
た値となる。
そして、第1及び第2制御端子35及び36に
等しい値の制御電圧が印加されているとすれば、
正の等価リアクタンスと負の等価リアクタンスが
キヤンセルされて出力端子24から見た等価リア
クタンスが零となり、第1及び第2制御端子35
及び36に印加される制御電圧が上述の各状態の
中間にある場合は、第9乃至第12トランジスタ2
8乃至31の導通に応じた正負の等価リアクタン
スが出力端子24に生ずる。
第4図は、本発明の別の実施例を示すもので、
共通エミツタに可変電流源となる第1電流源トラ
ンジスタ37が接続された第14及び第15トランジ
スタ38及び39と、共通エミツタに可変電流源
となる第2電流源トランジスタ40が接続された
第16及び第17トランジスタ41及び42と、出力
端子43と第14トランジスタ38のベースとの間
に接続された第4コンデンサ44と、前記第14及
び第17トランジスタ38及び42の共通ベースと
前記第15及び第16トランジスタ39及び41の共
通ベースとの間に接続された第4抵抗45と、第
4ダイオード46と第18トランジスタ47とから
成る第4電流ミラー回路48とによつて構成さ
れ、前記第1及び第2電流源トランジスタ37及
び40のベースに印加される制御信号に応じて、
出力端子43に所定の等価リアクタンスを発生さ
せるものである。
いま、第1電流源トランジスタ37のベースに
所定の制御信号を印加し、第2電流源トランジス
タ40のベースに制御信号を印加しないとすれ
ば、第1電流源トランジスタ37にI1のコレクタ
電流が流れ、第4図の回路は、第1図の第1増幅
回路と全く同一の構成になり、出力端子43か
ら見た場合、第(4)式に応じた正の等価リアクタン
スが得られる。そして、前記第1電流源トランジ
スタ37のベースに印加される制御信号の大きさ
に応じて、そのコレクタ電流I1が変化するので、
零から正の所定値迄の等価リアクタンスを発生す
る可変リアクタンス回路が得られる。
また、第1電流源トランジスタ37のベースに
制御信号を印加せず、第2電流源トランジスタ4
0のベースに所定の制御信号を印加したとすれ
ば、第2電流源トランジスタ40にI2のコレクタ
電流が流れ、第4図の回路は、第1図の第2増幅
回路と全く同一の構成になり、出力端子43か
ら見た場合、第(9)式に応じた等価リアクタンスが
得られる。そして、前記第2電流源トランジスタ
40のベースに印加される制御信号の大きさに応
じて、そのコレクタ電流I2が変化するので、零か
ら負の所定値迄の等価リアクタンスを発生する可
変リアクタンス回路が得られる。
尚、第1及び第2電流源トランジスタ37及び
40のベースに差動制御信号を印加することも出
来、その場合の動作も第1図の場合と同様に考え
られる。
第5図は、本発明の別の実施例を示すもので、
第1図の第1及び第2コンデンサ10及び18の
代わりに、第1及び第2コイル49及び50を接
続し、出力端子51に等価誘導リアクタンスを発
生せしめんとするものである。回路動作は、第1
図の場合と同様で、出力端子51には、第1及び
第2コイル49及び50の誘導リアクタンスL1
及びL2の所定倍の正負の等価誘導リアクタンス
が発生する。
第6図は、本発明に係る可変リアクタンス回路
を、発振回路に利用した場合の一例を示すもの
で、52は差動接続された一対のトランジスタ5
3及び54で構成された発振回路、55は水晶振
動子等の発振素子、及び56は本発明に係る第1
図、第3図もしくは第4図に示された可変リアク
タンス回路である。しかして、第6図の如き回路
構成とすれば、発振素子55の誘導リアクタンス
に、可変リアクタンス回路56の等価リアクタン
スが並列接続されることになり、前記可変リアク
タンス回路56の等価リアクタンスの値に応じて
並列共振周波数が変化する。いま、第7図に示す
如く、可変リアクタンス回路56が接続されてい
ない状態の発振素子55固有の並列共振周波数を
1とすれば、可変リアクタンス回路56の等価リ
アクタンスが零から正の所定値迄変化するにつれ
て、並列共振周波数が矢印A方向に2迄移動し、
前記リアクタンスが零から負の所定値迄変化する
につれて、並列共振周波数が矢印B方向に3迄移
動する。従つて、例えば第1図において、第1も
しくは第2可変電流源6もしくは14の電流I1
しくはI2を変化させれば、実質的に発振素子55
の並列共振周波数が変化し、発振回路の発振周波
数が変化する。
(ホ) 効果 以上述べた如く、本発明に依れば、基本リアク
タンス素子の所定倍の正負の等価リアクタンスを
IC化の可能な回路を用いて容易に作成すること
が出来るという大きな特徴を有する。そして、特
に制御信号に応じて、負の所定値から正の所定値
迄の広い範囲に渡つて、等価リアクタンスを可変
することが出来るので、様々な用途に利用出来
る。また、第3図の実施例は、第1図に比べ、基
本リアクタンス素子となるコンデンサや抵抗、電
流源等を第1及び第2増幅回路で共用する回路構
成と成されているので、IC化がより仕易いとい
う列点を有する。第4図の実施例は、第1図の回
路の更なる簡略化を計つたもので、電流ミラー回
路、コンデンサ、抵抗等を第1及び第2増幅回路
で共用しており、IC化した場合の素子数の低減
という大きな利点を有する。更に、第6図に示す
如く、本発明に係る可変リアクタンス回路を発振
回路に利用すれば、発振周波数の安定な水晶振動
子等の発振素子固有の周波数を中心に、例えば
PLL回路の位相比較器からの信号を制御信号と
して用い、発振回路の発振周波数を、上下に可変
することが出来るので、フリーラン周波数の安定
な、VCO(電圧制御発振器)が提供出来るという
利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2
図はその部分等価回路図、第3図は本発明の別の
実施例を示す回路図、第4図は本発明の別の実施
例を示す回路図、第5図は本発明の別の実施例を
示す回路図、第6図は本発明に係る可変リアクタ
ンス回路を使用した発振回路を示す回路図、及び
第7図はその説明に供する為の特性図である。 主な図番の説明、……第1増幅回路、……
第2増幅回路、3……出力端子、4,5,12,
13……トランジスタ、6,14……可変電流
源、10,18……コンデンサ、11,19……
抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 正の等価リアクタンスとして動作する第1増
    幅回路と、負の等価リアクタンスとして動作する
    第2増幅回路と、前記第1及び第2増幅回路の出
    力端に共通に接続される出力端子とを備え、前記
    第1及び第2増幅回路に制御信号を印加すること
    により前記第1及び第2増幅回路の増幅率を変化
    させ、前記出力端子から見た等価リアクタンスが
    負の所定値から正の所定値迄変化するようにした
    ことを特徴とする可変リアクタンス回路。
JP57169338A 1982-09-27 1982-09-27 可変リアクタンス回路 Granted JPS5957515A (ja)

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JP57169338A JPS5957515A (ja) 1982-09-27 1982-09-27 可変リアクタンス回路
US06/535,962 US4587500A (en) 1982-09-27 1983-09-23 Variable reactance circuit producing negative to positive varying reactance

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JPS5957515A JPS5957515A (ja) 1984-04-03
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