JPH0481959B2 - - Google Patents

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JPH0481959B2
JPH0481959B2 JP61141739A JP14173986A JPH0481959B2 JP H0481959 B2 JPH0481959 B2 JP H0481959B2 JP 61141739 A JP61141739 A JP 61141739A JP 14173986 A JP14173986 A JP 14173986A JP H0481959 B2 JPH0481959 B2 JP H0481959B2
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JP
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selenium
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nitrogen
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Masaki Ito
Katsuji Nakagawa
Akio Morimoto
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］ レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報）、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン係合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1967）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回析され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て、回析光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行なう。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、テルル−セレン合金層のみを記
録層として用いた光記録媒体では信号品質が充分
に良好ではなかつた。
一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと
窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好
となることを見出し、すでに提案している。本発
明はこれをさらに改善したものであり、耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体を
提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層が二無水３，４，９，10−ペリレンテト
ラカルボン酸よりなる前記基板側に形成された層
と、この層に隣接して前記基板の外方に形成され
たテルル、セレンおよび窒素を主成分とする層と
を少なくとも有していることを特徴とする光記録
媒体である。
本発明においては例えば第１図に示すように基
板１上に二無水３，４，９，10−ペリレンテトラ
カルボン酸（以下、PTCDA層と略す）２および
テルル、セレンおよび窒素を主成分とする層（以
下テルル−セレン−窒素層と略す）３が順次積層
されて記録層を形成する。このほか、基板１と
PTCDA層２の間および／またテルル−セレン−
窒素層３の外方に他の層が存在するものであつて
もよい。
PTCDA層の厚さは５Åから1000Åの範囲が望
ましく、テルル−セレン−窒素層の厚さは100Å
から1000Åの範囲が記録再生特性の観点から望ま
しい。またテルル−セレン−窒素層における窒素
の含有量は原子数パーセントで２パーセント以上
20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観点
から望ましく、セレンの含有量は原子数パーセン
トで２パーセントから50パーセントの範囲が耐候
性の観点から望ましい。
テルル−セレン−窒素層には、鉛、ヒ素、ス
ズ、ゲルマニウム、カドミウム、タリウム、アン
チモン、イオウ、リン、インジウム、ガリウム、
亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネ
シウム、タンタル、金、パラジウム、コバルトの
群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加され
ていてもよい。この場合、ピツトの形状を良好に
整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセ
ントで20パーセント未満が望ましい。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
また記録層の成膜方法は、スパツタリング法の
ほかに、蒸着法、反応性蒸着性、イオンプレーテ
イング法、イオンビームデポジシヨン法等でもよ
い。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。
実施例 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板にPTCDAを約120Å厚形成し、ひきつ
づきこの上に、テルル−セレン合金ターゲツトを
アルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロンスパツ
タにして、テルルとセレンと窒素の比が原子数パ
ーセントで90対４対６のテルル−セレン−窒素層
を約240Å厚形成した。この光デイスクを95℃の
窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、波長
8300Åにおける基板入射反射率を測定したところ
約30％であつた。波長8300Åの半導体レーザ光を
基板を通して入射して記録層上で1.6μｍφ程度に
絞り、媒体線速度5.6ｍ／sec、記録周波数3.77M
Hz、記録パルス幅70nsec、記録パワー5.5ｍＷの
条件で記録し、0.7ｍＷで再生した。バンド幅30k
Hzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は
50dBと良好であつた。この光デイスクを70℃、
80％の高温高湿度の環境に60時間保存した後、上
記特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光
記録媒体であることが確認された。
なお、記録ピツトはテルル−セレン−窒素層の
孔とPTCDA層の凹部とにより形成されている。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候
性がよくかつ高感度で信号品質の良好なものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２……PTCDA層、３……テルル
−セレン−窒素層、２１……記録層、２２……ピ
ツト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
    去されて情報を記録する前記基板上に形成された
    記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
    層が二無水３，４，９，10−ペリレンテトラカル
    ボン酸よりなる前記基板側に形成された層と、こ
    の層に隣接して前記基板の外方に形成されたテル
    ル、セレンおよび窒素を主成分とする層とを少な
    くとも有していることを特徴とする光記録媒体。
JP61141739A 1986-04-30 1986-06-17 光記録媒体 Granted JPS62297182A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61141739A JPS62297182A (ja) 1986-06-17 1986-06-17 光記録媒体
US07/043,626 US4839208A (en) 1986-04-30 1987-04-28 Optical information recording medium
EP87106262A EP0243958B1 (en) 1986-04-30 1987-04-29 Optical information recording medium
DE8787106262T DE3781926T2 (de) 1986-04-30 1987-04-29 Medium fuer optische informationsaufzeichnung.

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JP61141739A JPS62297182A (ja) 1986-06-17 1986-06-17 光記録媒体

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JPS62297182A JPS62297182A (ja) 1987-12-24
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