JPH0482279A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0482279A
JPH0482279A JP2195917A JP19591790A JPH0482279A JP H0482279 A JPH0482279 A JP H0482279A JP 2195917 A JP2195917 A JP 2195917A JP 19591790 A JP19591790 A JP 19591790A JP H0482279 A JPH0482279 A JP H0482279A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、一つのリード電極の先端部の端面上に半導体
素子が配設され、その他のリード電極の先端部の端面上
にボンディングワイヤの接続部、すなわちボンディング
部が形成される半導体装置に係り、特に１つのリード電
極に半導体素子が複数個配設される光半導体装置に関す
る。
（従来の技術） 従来、一つのリード電極の先端部の端面上に半導体素子
が配設され、その他のリード電極の先端部の端面上にボ
ンディング部が形成される半導体装置、例えばＬＥＤラ
ンプは、第５図又は第６図に示すようなものが知られて
いる。
第５図に示すＬＥＤランプは、リード電極を三本有する
ものであり、そのうちの−本は半導体素子、即ちＬＥＤ
チップがその先端部の端面上に配設されるマウント用リ
ード電極５０１、その他の二本はその先端部の端面上に
ボンディングワイヤの接続部、すなわちボンディング部
が形成されるボンディング用リード電極５０２となって
いる。
マウント用リード電極５０１は、ボンディング用リード
電極５０２の相互間に設けられ、その端面上には、ＬＥ
Ｄチップ５０３か二個配設されている。上記両ＬＥＤチ
ップ５０３の表面上に設けられた図示しないパッド電極
は、各ボンディングワイヤ５０４により、ボンディング
用リード電極５０２にそれぞれ電気的に接続されている
。ここで、ボンディング用リード電極５０２は、マウン
ト用リード電極５０１を挾んで対向するように存在して
いるため、ボンディングワイヤ５０４は互いに交差する
ことがなく、従って二個のＬＥＤチップ５０３を独立に
点灯可能なＬＥＤランプを提供することができる。
しかしながら、第６図に示すＬＥＤランプは、リード電
極を四本有するものであり、そのうちの−本はＬＥＤチ
ップがその先端部の端面上に配設されるマウント用リー
ド電極５０１であり、その他の三本はその先端部の端面
上にボンディング部が形成されるボンディング用リード
電極５０２である。この場合、マウント用リード電極５
０１の先端部端面上にはＬＥＤチップ５０３が三個配設
されており、それぞれのＬＥＤチップ５０３は、３本の
各ボンディングワイヤ５０４により、各ボンディング用
リード電極５０２とそれぞれ電気的に接続されている。
ここで、各リート電極５０ユ。
５０２が一直線上に並んでいるため、互いに非常に接近
し又は交差するボンディングワイヤ５０４が存在し、ボ
ンディングが非常に困難となる欠点がある。
（発明が解決しようとする課題） このように、従来の半導体装置は、三個以上の半導体素
子を配設すると、互いに非常に接近し又は交差するボン
ディングワイヤが存在することになり、ボンディングが
非常に困難となる欠点かあった。
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたものであり、
複数のリード電極の各先端部の端面に半導体素子を配設
し及びボンディング部を形成する半導体装置において、
ボンディングワイヤが互いに非常に接近し又は交差する
ことなく、容易にボンディングを行うことが可能な半導
体装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、先
端部の端面上に複数個の半導体素子が配設される第１の
リード電極と、上記第１のリード電極の先端部の近傍に
各先端部が位置するように配置され、各先端部の端面に
は上記半導体素子との間で電気的接続が図られるボンデ
ィングワイヤの接続部がそれぞれ設けられた複数本の第
２のリード電極とを具備し、前記端面側から見て前記複
数本の第２のリード電極の各接続部が一直線上に配列さ
れないように構成したことを特徴とする。
（作　用） 上記のような構成によれば、複数本の第２のリード電極
の先端部の端面、即ちボンディングワイヤの接続部が一
直線上に並ぶことはない。二のため、ボンディングワイ
ヤが互いに非常に接近し又は交差することがなく、容易
にボンディングを行うことができる。
（実施例） 以下、図面を参照しながら本発明を実施例により詳細に
説明する。
第１図は、本発明を、五本のリード電極とを有する光半
導体装置に適用した実施例を示すものである。また、第
２図（ａ）乃至（ｃ）は、上記第１図の半導体装置を詳
細に示すものであり、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）
は側面図、同図（ｃ）は上面図である。
五本のリード電極のうち、中央の一本のリード電極１０
１は、その先端部の端面上にＬＥＤチップが配設される
マウント用リード電極であり、その他の四本の各リード
電極１０２はそれぞれの先端部の端面上にボンディング
ワイヤの接続部が設けられたボンディング用リード電極
である。上記マウント用リード電極１０１の先端部の端
面上には、四個の各ＬＥＤチップ１０３がそれぞれ図示
しない導電性部材を介して固着されている。また、各Ｌ
ＥＤチップ１０３表面上に設けられている図示しない電
極パッドは、四本の各ボンディングワイヤ１０４を介し
てそれぞれ所定のボンディング用リード電極１０２のボ
ンディング部に接続されている。さらに、マウント用リ
ード１０１電極及びボンディング用リード電極１０２の
先端部及びその近傍は、第２図に示すようにモールド樹
脂１０５によって封止されている。
ここで、マウント用リード電極１０１及びボンディング
用リード電極１０２は、基本的には互いに平行となるよ
うに構成されているか、少なくともボンディング用リー
ド電極１０２のボンディング部は、端面側から見て一直
線上に並ばないように構成されている。例えば、第２図
に示すように、マウント用リード電極１０１に隣接する
ボンディング用リード電極１０２は、モールド樹脂１０
５内部の破線への位置で折り曲げられている。また、ボ
ンディング用リード電極１０２の先端部端面がマウント
用リード電極１０１の先端部端面（ＬＥＤチップ１０３
か配設される皿状部）に平行となるように破線Ｂの位置
でさらに折り曲げられている。
このような構成によれば、マウント用リード電極１０１
及びボンディング用リード電極１０２の先端部では、各
リード電極のボンディング部か一直線上に並んでいない
。このため、ボンディングワイヤ１０４が互いに交差す
ることなく、ＬＥＤチップ１０３とボンディング用リー
ド電極１０２とを接続することか可能である（第２図（
ｃ）参照）。
なお、第３図に示すように、ボンディング用リード電極
１０２を折り曲げる位置はモールド樹脂１０５の外部で
あっても構わない。
また、第４図に示すように、モールド樹脂１０５の外部
において、マウント用リード電極１０１及びボンディン
グ用リード電極１０２を破線Ｃ及びＤの位置でリードフ
ォーミング等により折り曲げてもよい。
［発明の効果］ 以上、説明したように、本発明の半導体装置によれば、
次のような効果を奏する。
全てのリード電極が、それその先端部において一直線上
に並んでいるような従来のリードフレームでは、三個以
上のＬＥＤチップを搭載してＬＥＤランプを形成する際
に、ボンディング用リード電極とＬＥＤチップとのボン
ディングが非常に困難であった。しかし、本発明では、
少なくともリード電極の先端部において、全てのリード
電極が一直線上に並ぶことがないため、ボンディング部
を二次元的に配置させることが可能である。よって、三
個以上のＬＥＤチップを搭載したＬＥＤランプであって
も、ボンディングワイヤの大きなループや交差を無くし
、ボンディングを容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体装置を示す外
観図、第２図は本発明の一実施例に係わる半導体装置を
詳細に示す図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の他
の実施例を示す側面図、第５図及び第６図はそれぞれ従
来の半導体装置を示す外観図である。 １０１・・・マウント用リード電極、１０２・・ボンデ
ィング用リード電極、１０３・・・ＬＥＤチップ、１０
４・・・ボンディングワイヤ、１０５・・・モールド樹
脂。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第 図 ＋０３ 第 図 第 図 （ａ） 第 図 （ｃ） 第 図 （ｂ）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）先端部の端面上に複数個の半導体素子が配設され
    る第１のリード電極と、 上記第１のリード電極の先端部の近傍に各先端部が位置
    するように配置され、各先端部の端面には上記半導体素
    子との間で電気的接続が図られるボンディングワイヤの
    接続部がそれぞれ設けられた複数本の第２のリード電極
    とを具備し、 前記端面側から見て前記複数本の第２のリード電極の各
    接続部が一直線上に配列されないように構成したことを
    特徴とする半導体装置。
  2. （２）前記第１のリード電極の先端部の端面上には３個
    以上の半導体素子が配設される請求項１記載の半導体装
    置。
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