JPH0490114A - 薄膜磁気ヘッドウエハー及びその良否判定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜磁気ヘッド素子を整列して設けた薄膜磁
気ヘッドウェハー及びその良否判定方法に関し、下部ポ
ール及び上部ポールのそれぞれの前方に、トラック幅方
向の端部と対応するマークを横並びに設け、マークより
ポール部の良否判定を行なうことにより、ウェハー状態
でポール部の良否判定を行なうことがで斡るようにし、
製造、加工コストを引下げ、安価な薄膜磁気ヘッドを供
給できるようにしたものである。

〈従来の技術〉 第６図は従来の薄膜磁気ヘッドウェハーの斜視図で、ウ
ェハー１上に多数の薄膜磁気ヘット素子２を整列して設
けである。ウェハー１は、Ａ１２０３−Ｔｉｃ等から構
成された基体部分及びその上に形成されたアルミナ等の
絶縁膜を有しており、薄膜磁気ヘッドにおいてスライダ
となる部分である。

第７図は薄膜磁気ヘッド素子２の付近の平面拡大部分破
断面図、第８図は第７図Ａａ　　Ａａ縁線上おける断面
図である。２２は下部磁性膜、２３はアルミナ等でなる
ギャップ膜、２４は層間絶縁膜、２５はコイル膜、２６
は上部磁性膜、２７はアルミナ等の保１ｉ１１！、２８
．２９はリード導体であり、これらはＩＣ製造テクノロ
ジーと同様の技術によって形成されている。下部磁性膜
２２及び上部磁性膜２６は、ギャップ膜２３を介して重
なり合う下部ポール２２１及び上部ポール２６１をそれ
ぞれ有すると共に、下部ポール２２１及び上部ポール２
６１の後方にヨーク２２２．２６２を有し、ヨーク２２
２．２６２の後方領域を、磁気回路を完成するように互
いに結合した構造となっている。コイル膜２５は結合部
の周りを渦巻状に回るように配置されている。

下部ポール２２１のトラック幅方向の幅Ａ１は、第９図
に示すように、上部ポール２６１のトラック幅方向の幅
Ｌ２よりも大きくなっており、トラック幅方向の両端部
に、幅ＩＬＩ、ＩＬ２の差に起因したクリアランスｄ＋
、ｄ２が発生している。所定の電磁変換特性を確保する
ためには、下部ポール２２１のトラック幅方向の幅Ｌ１
及び上部ポール２６１のトラック幅方向の幅Ｌ２を所定
の値に設定した上で、両者のクリアランスｄ、、ｄ２を
極めて微小な所定値に保つ必要がある。

薄膜磁気ヘッドを得るには、ウェハー１を例えば第６図
切断線（Ｘｏ　　Ｘｏ　）　〜（Ｘ、　Ｘ−）で切断し
て、薄膜磁気ヘッド素子２が列状に配置されているバー
状薄膜磁気ヘッド集合体を取出し、バー状態で研削、研
磨、溝入れ加工等の必要な加工を施した後、切断加工を
することにより、薄膜磁気ヘッド素子２の１個または２
個を有する磁気ヘッドを個別的に取出す。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、この種の薄膜磁気ヘッドウェハーでは、
上部磁性膜２６を形成する際のフォトマスクの位置ズレ
、ピッチ精度の変動等によって、下部ポール２２１と上
部ポール２６１との間にトラック幅方向の位置ズレを生
じ、クリアランスｄ、、ｄ２を所定値に保つことがきわ
めて困難である。例えば第１０図に示すように、上部ポ
ール２６１が位置ずれを起し、下部ポール２２１のトラ
ック幅方向の端縁を超えて付着すようなことが起こる。

このような不正配置は、当業者間では、ポール、ラップ
、アラウンドと呼ばれている。ポール、ラップ、アラウ
ンドを生じた薄膜磁気ヘッド素子は、通常は、不良品と
して排除しなければならないものである。

ところが、上部ポール２６１が下部ポール２２１の上に
立体的に重なっていて、両者２２１．２６１の関係が見
えにくい上に、元来、両者２２１−２６１間のクリアラ
ンスｄ＋、ｄ２が極めて小さいために、ウェハーの状態
でポール、ラップ、アラウンドを発見することが困難で
、最終工程において、ポール端面を研磨した後に、ポー
ル、ラップ、アラウンドが生じているということが発見
されることが多かりた。このことは、本来、製品適格を
有しない薄膜磁気ヘッド素子に対して、製品適格を有す
る薄膜磁気ヘッドと同様の精密加工を施していたことに
なり、製造、加工費を押上げる１つの原因となっていた
。特に近年はコンピュータの外部記憶装置等において、
記憶密度を増大させるため、狭トラツク化が進められて
おり、これに使用される薄膜磁気ヘッドとして、ポール
部のトラック方向の幅が例えば８μｍと狭く、クリアラ
ンスｄ、、ｄ２が１μｍ以下の微小寸法となることが多
い。このため、ポール、ラップ、アラウンドをウェハー
の状態で発見することが極めて困難になっている。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、ウェハー状態でポール部の良否判定を行なうことが
できるようにし、製造、加工コストを引下げ、安価な薄
膜磁気ヘッドを供給し得る薄膜磁気ヘッドウェハー及び
その良否判定方法を提供することである。

く課題を解決するための手段〉 上述する課題を解決するため、本発明は、多数の薄膜磁
気ヘッド素子を整列して設けた薄膜磁気ヘッドウェハー
であって、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、コイル膜と共に磁気回路を
構成する下部磁性膜及び上部磁性膜を有しており、 前記下部磁性膜及び上部磁性膜のそれぞれは、ギャップ
膜を介して重なる下部ポール及び上部ポールを有してお
り、 前記下部ポール及び上部ポールの前方に、マークが設け
られており、 前記マークは、前記下部ポール及び上部ポールのそれぞ
れ毎に備えられていて、前記下部ポール及び前記上部ポ
ールのトラック幅方向の端縁と対応するようにして、ト
ラック幅方向に横並びに配置されていること を特徴とする。

また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドウェハーの良否判定
方法は、上述の薄膜磁気ヘッドウェハーにおいて、マー
クの相対位置関係よりポール部の良否判定を行なうこと
を特徴とする。

く作用〉 マークは、前記下部ポール及び上部ポールのそれぞれ毎
に備えられていて、前記下部ポール及び前記上部ポール
のトラック幅方向の端縁と対応するように配置されてい
るから、マークの相対的な位置関係から、上部ポール及
び下部ポールのトラック幅方向の端縁位置を知ることが
できる。

各マークは、トラック幅方向に横並びに配置されている
から、平面位置におけるマークの相対的位置関係から、
ウェハーの状態で、上部ポール及び下部ポールの相対的
な重なり位置を簡単、かつ、確実に知ることができる。

〈実施例〉 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドウェハーの一部に
おける拡大平面図、第２図は同じく薄膜磁気ヘッド素子
の構成を示す平面拡大部分破断面図、第３図は第２図Ａ
！−Ａ３線上における断面図である。図において、第６
図〜第８図と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示
している。

７１〜７３はマークである。マーク７１〜７３は下部ポ
ール２２１及び上部ポール２６１の前方に、トラック幅
方向の端縁と対応するように配置されている。

第４図は下部ポール２２１及び上部ポール２６１とマー
ク７１〜７３との関係を拡大して示す平面図、第５図は
第４図Ａ　ｓ　　Ａ　ｓ線上における断面図である。マ
ーク７１〜７３は、下部ポール２２１及び上部ポール２
６１のそれぞれ毎に備えられていて、トラック幅方向に
、間隔ｇ１、ｇ２を隔てて横並びに配置されている。マ
ーク７１．７２は下部ポール２２１に対応して設けられ
ており、マーク７３は上部ポール２６１に対応して設け
られている。

マーク７１．７２は下部ポール２２１と同時に同一のマ
スクを使用して形成する。マーク７３は上部ポール２６
１と同時に同一のマスクを使用して形成する。従って、
マーク７１〜７３はマスクのパターン精度を有して、下
部ポール２２１及び上部ポール２６１と対応配置される
。

マスク７１〜７３の間隔ｇ＋、ｇｚは、下部ポール２２
１と上部ポール２６１に対するマスク７１〜７３の相対
位置関係が確定できる限り、クリアランスｄ、、ｄ、と
同一であっても、または、異なっていてもよい。

上述のマーク７１〜７３を備えることにより、その位置
から、ウェハーの状態で、上部ポール２６１及び下部ポ
ール２２１のトラック幅方向の端縁位置を知ることがで
きる。マーク７１〜７３は保護膜２７で覆われるけれど
も、保１ｉ１ｉ２７は、通常、アルミナ等で構成される
ので、マーク７１〜７３は透けて見える。

しかも、各マーク７１〜７３はトラック幅方向に横並び
に配置されているから、平面位置におけるマーク７１〜
７３の相対的位置関係から、上部ポール２６１及び下部
ポール２２１の重なり位置関係を、確実に知ることがで
きる。

ウェハー１から薄膜磁気ヘッドを得るには、第１図切断
線（Ｘ＋　　Ｘ＋　）　〜（Ｘｓ　　Ｘｓ　）　で切断
して、薄膜磁気ヘッド素子２が列状に配置されているバ
ー状薄膜磁気ヘッド集合体を取出し、バー状態で研削、
研磨、溝入れ加工等の必要な加工を施した後、切断線Ｙ
ｌ〜Ｙ３で切断をする。

これにより、薄膜磁気ヘッド素子２の１個または２個を
有する薄膜磁気ヘッドが得られる。マーク７１〜７３は
切断線（Ｘ＋　　Ｘ＋）〜（Ｘｓ　　Ｘｓ）における切
断またはその後の研削、研磨等工程において削除され、
最終製品として得られる薄ＩＩＭ磁気ヘッドには残らな
い。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドウェハ
ーは、ポール部の前方に、前記ポール部のトラック幅方
向の端縁と対応するマークを有しており、マークはポー
ル部のそれぞれ毎に備えられていて、トラック幅方向に
横並びに配置されているから、ウェハー状態でポール部
の良否判定を行なうことができ、安価な薄膜磁気ヘッド
を供給し得る薄膜磁気ヘッドウェハー及びその良否判定
方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドウェハーの一部に
おける拡大平面図、第２図は同じく薄膜磁気ヘッド素子
の構成を示す平面拡大部分破断面図、第３図は第２図Ａ
３　　Ａｓ線上における断面図、第４図は下部ポール及
び上部ポールとマークとの関係を拡大して示す平面図、
第５図は第４図Ａｓ　　Ａｓ線上における断面図、第６
図は従来の薄膜磁気ヘッドウェハーの斜視図、第７図は
薄膜磁気ヘッド素子付近の平面拡大部分破断面図、第８
図は第７図Ａ　ａ　　Ａ　ａ線上における断面図、第９
図は下部ポールと上部ポールとの関係を示す図、第１０
図は同じくその問題点を示す図である。 １・＋拳つェハー ２・・・薄膜磁気ヘッド素子 ２２・・・下部磁性膜 ２３・・・ギャップ膜 ２５・・・コイル ２２１・・・下部ポール ２６１・・・上部ポール ７１〜７３・・・マーク 第４ 図 第 図 第 図 第 図 ｒｎ 第 図 第１０ 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）多数の薄膜磁気ヘッド素子を整列して設けた薄膜
   磁気ヘッドウェハーであって、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、コイル膜と共に磁気回路を
   構成する下部磁性膜及び上部磁性膜を有しており、 前記下部磁性膜及び上部磁性膜のそれぞれは、ギャップ
   膜を介して重なる下部ポール及び上部ポールを有してお
   り、 前記下部ポール及び上部ポールの前方に、マークが設け
   られており、 前記マークは、前記下部ポール及び上部ポールのそれぞ
   れ毎に備えられていて、前記下部ポール及び前記上部ポ
   ールのトラック幅方向の端縁と対応するようにして、ト
   ラック幅方向に横並びに配置されていること を特徴とする薄膜磁気ヘッドウェハー。
2. （２）多数の薄膜磁気ヘッド素子を整列して設けたウェ
   ハー上において、前記薄膜磁気ヘッド素子の良否判定を
   行なう方法であって、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、コイル膜と共に磁気回路を
   構成する下部磁性膜及び上部磁性膜を有しており、 前記下部磁性膜及び上部磁性膜のそれぞれは、ギャップ
   膜を介して重なる下部ポール及び上部ポールを有してお
   り、 前記下部ポール及び上部ポールの前方に、マークが設け
   られており、 前記マークは、前記下部ポール及び上部ポールのそれぞ
   れ毎に備えられていて、前記下部ポール及び前記上部ポ
   ールのトラック幅方向の端縁と対応するようにして、ト
   ラック幅方向に横並びに配置されており、 前記マークの相対位置関係より前記ポール部の良否判定
   を行なうこと を特徴とする薄膜磁気ヘッドウェハーの良否判定方法。