JPH051752B2 - - Google Patents
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- JPH051752B2 JPH051752B2 JP61122685A JP12268586A JPH051752B2 JP H051752 B2 JPH051752 B2 JP H051752B2 JP 61122685 A JP61122685 A JP 61122685A JP 12268586 A JP12268586 A JP 12268586A JP H051752 B2 JPH051752 B2 JP H051752B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報，特公昭57−7919号公報，特公
昭57−56058号公報）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報，特公昭57−7919号公報，特公
昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ，７，189，
1964（phys.stat.sol，７，189，1964）｝。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ，７，189，
1964（phys.stat.sol，７，189，1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、前記したような従来の光記録媒
体において、記録層として用いられているテルル
−セレン系合金はその組成を制御することは容易
ではなく、そのため量産性に問題があつた。又、
ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成する
ことは困難であるため、充分に良好な記録再生特
性は得られなかつた。
体において、記録層として用いられているテルル
−セレン系合金はその組成を制御することは容易
ではなく、そのため量産性に問題があつた。又、
ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成する
ことは困難であるため、充分に良好な記録再生特
性は得られなかつた。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク１周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐候性に優れ、かつ、ト
ラツク１周にわたつてピツトを均一に形成でき、
良好な記録再生特性を有する光記録媒体となるこ
とを見出し、すでに提案している。
本発明者はこれをさらに改善したもので、量産
性および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
性および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、鉛層、テルル層、セレン層
を順次基板上に積層したものであることを特徴と
する光記録媒体である。
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、鉛層、テルル層、セレン層
を順次基板上に積層したものであることを特徴と
する光記録媒体である。
本発明においては第１図に示すように基板１上
にセレン層２、鉛層３、テルル層４、セレン層５
が順次積層して記録層を形成する。鉛層３を形成
することにより、記録により形成されるピツトが
大きく拡がらないようになる。
にセレン層２、鉛層３、テルル層４、セレン層５
が順次積層して記録層を形成する。鉛層３を形成
することにより、記録により形成されるピツトが
大きく拡がらないようになる。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ５〜
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、鉛層の膜厚は１〜50Åの範囲が記録再生特
性、耐候性の観点から望ましい。また基板として
はポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリメチ
ルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹
脂やガラスなど通常使用されるているものが用い
られる。
100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500Åの範
囲、鉛層の膜厚は１〜50Åの範囲が記録再生特
性、耐候性の観点から望ましい。また基板として
はポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリメチ
ルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹
脂やガラスなど通常使用されるているものが用い
られる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、鉛、
テルルおよびセレンを順に真空蒸着させることに
よつて製造することができる。
テルルおよびセレンを順に真空蒸着させることに
よつて製造することができる。
［作用］
テルル層とセレン層の間に鉛層を介在させるこ
とによつてピツトが大きく拡がらなくなり、優れ
た光記録媒体を得ることができる。これはピツト
形成による反射率変化の主要因であるテルル層の
有無による表面エネルギーの差が鉛層の形成によ
り変化することによつてピツトが拡がりにくくな
るためであると思われる。
とによつてピツトが大きく拡がらなくなり、優れ
た光記録媒体を得ることができる。これはピツト
形成による反射率変化の主要因であるテルル層の
有無による表面エネルギーの差が鉛層の形成によ
り変化することによつてピツトが拡がりにくくな
るためであると思われる。
ピツトが大きく拡がらないのでピツトをつめて
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
記録でき、高密度記録が可能となるとともに記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用
的な光記録媒体となる。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例 １
内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボ
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、６×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Te）
を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Se）
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼに鉛（Pb）を
入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次にPb水晶振
動子の周波数変化からの換算で２Å厚蒸着し、次
にTeを225Å厚蒸着し、最後にSeを80Å厚蒸着し
た。この光デイスクを95℃で１時間アニールした
のち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測定
したところ34％であつた。波長8300Åの半導体レ
ーザ光を基板を通して入射して1.5μmφ程度に絞
り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数3.77MHz、
記録パルス幅70nsecの条件で記録し、0.7mWで
再生した。記録パワーは5.5mWにおいて、バン
ド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／
Ｎ）は51dBと良好であつた。又、Ｃ／Ｎが45dB
以上得られる記録パワー領域は5.0mWから
8.0mWと広範囲であつた。比較のための80Å厚
のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの光デイスク
では、記録パワー5.0mWにおいてＣ／Ｎは48dB
であり、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワー
領域は5.0mWから6.5mWと狭い範囲であつた。
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、６×10-6Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Te）
を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Se）
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼに鉛（Pb）を
入れた。まずSeを80Å厚蒸着し、次にPb水晶振
動子の周波数変化からの換算で２Å厚蒸着し、次
にTeを225Å厚蒸着し、最後にSeを80Å厚蒸着し
た。この光デイスクを95℃で１時間アニールした
のち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測定
したところ34％であつた。波長8300Åの半導体レ
ーザ光を基板を通して入射して1.5μmφ程度に絞
り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数3.77MHz、
記録パルス幅70nsecの条件で記録し、0.7mWで
再生した。記録パワーは5.5mWにおいて、バン
ド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／
Ｎ）は51dBと良好であつた。又、Ｃ／Ｎが45dB
以上得られる記録パワー領域は5.0mWから
8.0mWと広範囲であつた。比較のための80Å厚
のSe、225Å厚のTe、80Å厚のSeの光デイスク
では、記録パワー5.0mWにおいてＣ／Ｎは48dB
であり、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワー
領域は5.0mWから6.5mWと狭い範囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
実施例 ２
実施例１と同様にして40Å厚のSe、４Å厚の
Pb、240Å厚のTe、40Å厚のSeを順次積層して
光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再
生実験により、5.5mWの記録パワーにおいて
Ｃ／Ｎは48dBと良好であり、45dB以上のＣ／Ｎ
を得られる記録パワー領域は5.0mWから7.5mW
と広範囲であつた。
Pb、240Å厚のTe、40Å厚のSeを順次積層して
光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再
生実験により、5.5mWの記録パワーにおいて
Ｃ／Ｎは48dBと良好であり、45dB以上のＣ／Ｎ
を得られる記録パワー領域は5.0mWから7.5mW
と広範囲であつた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
性および耐候性に優れているばかりでなく、高感
度で信号品質の良好なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２，５……セレン層、３……鉛
層、４……テルル層、２１……記録層、２２……
ピツト。
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２，５……セレン層、３……鉛
層、４……テルル層、２１……記録層、２２……
ピツト。
Claims (1)
- １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
層がセレン層、鉛層、テルル層、セレン層を順次
基板上に積層したものであることを特徴とする光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122685A JPS62278093A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122685A JPS62278093A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278093A JPS62278093A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH051752B2 true JPH051752B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14842090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122685A Granted JPS62278093A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278093A (ja) |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122685A patent/JPS62278093A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62278093A (ja) | 1987-12-02 |
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