JPH0563020B2 - - Google Patents

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JPH0563020B2
JPH0563020B2 JP61258232A JP25823286A JPH0563020B2 JP H0563020 B2 JPH0563020 B2 JP H0563020B2 JP 61258232 A JP61258232 A JP 61258232A JP 25823286 A JP25823286 A JP 25823286A JP H0563020 B2 JPH0563020 B2 JP H0563020B2
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bonding
wires
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は細線の接合に係り、特に狭域範囲内に
多数本接続するのに好適なワイヤボンデイング方
法に関する。
〔従来の技術〕
一般に多層配線基板には複数個の電子部品が高
密度に実装されている。この様な基板において、
仕様変更、設計変更あるいは設計ミス等により回
路変更が必要となつた場合、ワイヤを後付けする
ことにより、上記回路変更に対し対応している。
一方基板への高密度実装化あるいは基板の小形
化により、補修ワイヤを接続する接続パツドの大
きさも小さくかつ、補修ワイヤも細くなつてい
る。従つて従来この様な補修ワイヤの多くは、は
んだ接続されていたが、近年はエレクトロニツ
ク・パツケイジング・アンド・プロダクシヨン
1984年２月号第124頁〜127頁（ELECTRONIC
PCAKAGING＆PRODUCTION.
FEBRUARY1984、P124〜P127）に記載されて
いる様な超音波ボンデイング等による接続が行わ
れている。
超音波ボンデイングと同類の接続方法としてボ
ールボンデイングがある。この超音波ボンデイン
グあるいはボールボンデイングは特開昭55−
88348号や特開昭55−12712号に記載されている様
に、半導体の電極を導出するリード線のボンデイ
ング工法として従来使用されていた。第９図に超
音波ボンデイング方法による補修ワイヤの接続状
態、第１０図にボールボンデイング方法による接
続状態を示す。しかし、リード線のボンデイング
では、１つの接続パツドにつき１本のワイヤしか
出ないが、多層配線基板においては、１つの接続
パツドから複数本の補修ワイヤが出る場合が有
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術により、接続パツドに複数本の補
修ワイヤを接続した状態を第１１図、第１２図に
示す。第１１図は超音波ボンデイング方法によ
り、第１２図はボールボンデイング方法による場
合を示す。
従来技術では、接続パツド１に複数本の補修ワ
イヤ２をボンデイングする場合、図の様に平面打
ちになる為、接続パツド１が、接続する本数分の
所定の大きさを持たなければならない。したがつ
て、接続パツド１が小さくなると所定の本数をボ
ンデイング出来ない場合がでてくる。
本発明の目的は、高密度化に伴ない、接続パツ
ドが極小化されても、所定の本数をボンデイング
できるワイヤ積層ボンデイング方法を提供するこ
とにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、補修ワイヤをボンデイングした後
次の補修ワイヤを前にボンデイングした所の上に
積み重ねてボンデイングすることにより達成され
る。
〔作用〕
本発明のワイヤ積層ボンデイング方法では、パ
ツド上に第１番目の補修ワイヤをボンデイング
し、第２番目の補修ワイヤは、第１番目の補修ワ
イヤがボンデイングされたその上にボンデイング
する。それ以後の補修ワイヤのボンデイングも上
記ボンデイングと同様に積重ねて補修ワイヤをボ
ンデイングしていく為、パツド面積が小さくとも
複数本の補修ワイヤで１つのパツド内にボンデイ
ングできるものである。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例を図により説明する。第
１図は本発明による１つのパツドに複数本の補修
ワイヤが積み重ねて接合されている状態の斜視
図、第２図から第５図は本発明による積層ボンデ
イングの接続工程説明図、第６図は補修ワイヤを
布線する高密度実装多層モジユール基板、第７図
は第６図のＡ部拡大図である。第８図はセカンド
ボンデイング時のボール形成を行う為のつかみ変
えを示す第６図に示すように多層モジユール基板
１５上には半導体素子１６が実装され、その半導
体素子１６の周辺には補修ワイヤ２を接続するた
めの接続パツド１が配置されている。この多層モ
ジユール基板１５において、論理変更あるいは設
計ミス等による回路修正が必要となつた場合補修
ワイヤ２を接続パツド１に後付けする事により回
路修正、変更を行う。したがつて、接続パツド１
にボンデイングする補修ワイヤ２の本数は半導体
リード線のように１本のみとは限らず複数本の補
修ワイヤ２をボンデイングする事がある。ある接
続パツド１にボンデイングされた補修ワイヤ２は
他の所定の半導体素子１６の接続パツド１まで布
線され、所定の接続パツド１にボンデイングされ
る。ここで１つの接続パツド１に複数本の補修ワ
イヤ２をボンデイングする場合について説明す
る。１つの接続パツド１に１本の補修ワイヤ２を
ボンデイングする時は第９図、第１０図に示すよ
うに超音波ボンデイングあるいはボールボンデイ
ングで接続することはできる。また、１つの接続
パツドに複数本の補修ワイヤをボンデイングする
場合、上記の超音波ボンデイングあるいはボール
ボンデイングを用いたのでは第１１図あるいは第
１２図に示すように平面に並べてボンデイングせ
ざるおえない。しかし接続パツドが複数本の補修
ワイヤを平面に並べてボンデイングできるだけの
十分な大きさがない場合、第１図に示すように、
積み重ねて接合する。つまり接続パツド１上に第
１番目の補修ワイヤ２をボンデイングし、その上
に第２番目の補修ワイヤ３及び第３番目の補修ワ
イヤ４を積み重ねて接続する。次にこの積み重ね
方式によるボンデイングの工程を説明する。第２
図に示すようにキヤピラリ５から突き出した補修
ワイヤ２の先端に電気トーチ装置６の端子７を接
近させ補修ワイヤ２と端子７のあいだで放電させ
補修線ワイヤ２の先端を溶融しボール８を形成す
る。次に第３図に示すようにボール８が形成され
た補修ワイヤ２をキヤピラリ５を用いて接続パツ
ド１上にボール８を位置決めする。この時補修ワ
イヤ２は接続パツド１に対し水平方向に保持す
る。この状態でヒータチツプ９で加圧し、第４図
に示すようにボール８を加熱圧着することにより
ボール８を円板形状８′に変形させ接続パツド１
にボンデイングする。次に上記方法と同様にして
先端部にボール１０が形成された第２番目の補修
ワイヤ３を第５図に示すように第１番目のすでに
ボンデイングされた補修ワイヤ２の円板形状部
８′の上に位置決めし、ヒータチツプ９で加熱圧
着する。このようにすることにより、接続パツド
１の上にボンデイングされている第１番目の補修
ワイヤ２のさらに上に第２番目の補修ワイヤ３を
ボンデイングすることできる。さらに第３番目以
後の補修ワイヤについても上記した方法により積
み重ねて接合される。
上記した積層接続方法を用いることにより、第
６図に示す多層モジユール基板１５に補修ワイヤ
２を布線する場合、第７図に示すようにある限ら
れた大きさしかない接続パツド１に対しても補修
ワイヤ２を積み重ね接続することにより所定の複
数本の補修ワイヤ２を接続し、回路変更に対処す
ることができる。
また１本の補修ワイヤに対しフアーストボンデ
イングの時には、従来のボールボンデイングと同
様にキヤピラリを使いボールを形成できるが、セ
カンドボンデイングの際には、第８図に示すよう
に所定位置まで布線した後、チヤツク１７により
補修ワイヤ２を保持し、その後キヤピラリ５の出
口附近で補修ワイヤ２を切断し、ボールを形成す
る。あるいはあらかじめ所定長さを補修ワイヤを
切断しておき、両端にまずボールを形成し、ボー
ルが形成された補修ワイヤを使用することによ
り、フアーストボンデイングはもちろんセカンド
ボンデイングにおいても積み重ね接続を行うこと
ができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ある限られた大きさの接続パ
ツド上に複数本の細線を接続する事が可能となつ
た。また複数本の細線を積み重ねて接続するため
線の引出し方向としては水平方向で360°自由に各
線ともに引出すことができ、布線が自由に行え
る。
また接続強度においては、第９図に示した超音
波ボンデイングの場合のように素線径以上につぶ
す必要がないのでネツク部での切断等がなく素線
強度に近い強度が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るボンデイング方法の一実
施例の斜視図、第２図から第５図は第１図のボン
デイング方法による接続状態を作るための工程を
示す説明図、第６図は多層モジユール基板を示す
平面図、第７図は第６図におけるＡ部の拡大図、
第８図はセカンドボンデイング時のボール形成過
程を説明するための説明図、第９図は従来の超音
波ボンデイング方法による接続状態を示す斜視
図、第１０図は従来のボールボンデイング方法に
よる接続状態を示す斜視図、第１１図は従来の超
音波ボンデイング方法による複数線接続状態を示
す斜視図、第１２図は従来のボールボンデイング
方法による複数線接続状態を示す斜視図である。 １……接続パツド、２……補修ワイヤ、５……
キヤピラリ、８……ボール、９……ヒータチツ
プ、１５……多層モジユール基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 高密度に実装された多数個の電子部品と、該
    電子部品の相互間の配線を接続する為の多数個の
    接続パツドからなる多層配線基板において、上記
    電子部品間の配線を１つの接続パツドに複数の細
    線を接続する手段として細線を積み重ねて接続し
    たことを特徴とするワイヤ積層ボンデイング方
    法。
JP61258232A 1986-10-31 1986-10-31 ワイヤ積層ボンデイング方法 Granted JPS63114138A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61258232A JPS63114138A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 ワイヤ積層ボンデイング方法
US07/112,943 US4875618A (en) 1986-10-31 1987-10-27 Wire stacked bonding method
EP87115823A EP0265927B1 (en) 1986-10-31 1987-10-28 Wire stacked bonding method
DE8787115823T DE3778639D1 (de) 1986-10-31 1987-10-28 Verfahren zum stapelverbinden von draehten.

Applications Claiming Priority (1)

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JP61258232A JPS63114138A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 ワイヤ積層ボンデイング方法

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JPS63114138A JPS63114138A (ja) 1988-05-19
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EP (1) EP0265927B1 (ja)
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2636179B1 (fr) * 1988-09-02 1990-09-07 Mitnikoff Michel Procede de realisation de mise en forme de raccordement d'une tresse et produit ainsi obtenu
JPH02101754A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Hitachi Ltd ボンディング方法及びボンディング装置
JPH03209733A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Fujitsu Ltd 半導体装置
KR940001149B1 (ko) * 1991-04-16 1994-02-14 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 칩 본딩 방법
JP2558976B2 (ja) * 1991-11-08 1996-11-27 松下電器産業株式会社 電子部品の電極とリードとの接合方法
US5295619A (en) * 1992-05-22 1994-03-22 Rohm Co., Ltd. Method and apparatus for performing wire bonding by using solder wire
US5455461A (en) * 1992-09-21 1995-10-03 Fujitsu Limited Semiconductor device having reformed pad
DE4307162C2 (de) * 1993-03-06 2000-06-08 Amatech Advanced Micromechanic Verbindung, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Verbindung auf einer Chipanschlußfläche
US5328079A (en) * 1993-03-19 1994-07-12 National Semiconductor Corporation Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components
JP3248778B2 (ja) * 1993-05-21 2002-01-21 ローム株式会社 半田ワイヤーにボール部を形成する方法
US5842628A (en) * 1995-04-10 1998-12-01 Fujitsu Limited Wire bonding method, semiconductor device, capillary for wire bonding and ball bump forming method
KR100186752B1 (ko) * 1995-09-04 1999-04-15 황인길 반도체 칩 본딩방법
JP3146345B2 (ja) * 1996-03-11 2001-03-12 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド バンプチップスケール半導体パッケージのバンプ形成方法
DE19916177B4 (de) * 1999-04-10 2006-01-26 Sokymat Gmbh Verfahren zum Kontaktieren des Halbleiterchips und Halbleiterchip mit drahtförmigen Anschlußstücken
US6651322B1 (en) * 2000-12-28 2003-11-25 Unisys Corporation Method of reworking a multilayer printed circuit board assembly
DE10324069B4 (de) * 2003-05-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur leitenden Verbindung von Kontaktflecken bei Halbleiterchips
DE102004047306B4 (de) * 2004-09-29 2008-02-07 Infineon Technologies Ag Leistungs-Halbleiterbauteil mit mehreren Bauteilkomponenten
DE102005006333B4 (de) * 2005-02-10 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit mehreren Bondanschlüssen und gebondeten Kontaktelementen unterschiedlicher Metallzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben
US20060186179A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Levine Lee R Apparatus and method for bonding wires
US8022522B1 (en) 2005-04-01 2011-09-20 Marvell International Ltd. Semiconductor package
DE102005020087A1 (de) * 2005-04-29 2006-11-09 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von einem bondbaren Flächenbereich auf einem Träger
DE102005031836B4 (de) * 2005-07-06 2007-11-22 Infineon Technologies Ag Halbleiterleistungsmodul mit SiC-Leistungsdioden und Verfahren zur Herstellung desselben
US8168458B2 (en) * 2008-12-08 2012-05-01 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming bond wires and stud bumps in recessed region of peripheral area around the device for electrical interconnection to other devices
US8008785B2 (en) * 2009-12-22 2011-08-30 Tessera Research Llc Microelectronic assembly with joined bond elements having lowered inductance

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1590345B1 (de) * 1966-05-10 1970-12-23 Electro Mechanismus Inc Verfahren zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen gedruckten Schaltungen und Verbindungselemente zum Durchfuehren des Verfahrens
US3669333A (en) * 1970-02-02 1972-06-13 Western Electric Co Bonding with a compliant medium
DE2622000A1 (de) * 1976-05-18 1977-12-01 Bosch Gmbh Robert Verfahren und vorrichtung zum anloeten eines drahtes
JPS5512712A (en) * 1978-07-12 1980-01-29 Toshiba Corp Wire bonding method for semiconductor element
JPS5588348A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Toshiba Corp Semiconductor device
US4388512A (en) * 1981-03-09 1983-06-14 Raytheon Company Aluminum wire ball bonding apparatus and method
US4390771A (en) * 1981-05-11 1983-06-28 Fairchild Camera & Instrument Corp. Bonding wire ball forming method and apparatus
US4465913A (en) * 1981-10-06 1984-08-14 Augat Inc. Parallel gap welder
DE3577371D1 (de) * 1984-07-27 1990-05-31 Toshiba Kawasaki Kk Apparat zum herstellen einer halbleiteranordnung.
DE3519418C1 (de) * 1985-05-30 1986-07-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum Stapelloeten
JPH118643A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Nec Corp タイミングソース切替方法及びシステム

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Publication number Publication date
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DE3778639D1 (de) 1992-06-04

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