JPH0567140B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規なスルホン酸エステル、その調製
方法並びにACE抑制剤又はその前駆物質を調製
する為の中間体としてそれ等の化合物の使用に関
する。 〔発明の構成及び効果〕 新規スルホン酸エステルは、次式:
方法並びにACE抑制剤又はその前駆物質を調製
する為の中間体としてそれ等の化合物の使用に関
する。 〔発明の構成及び効果〕 新規スルホン酸エステルは、次式:
【化】
(式中、R1は未置換のフエニルであり、R2は
C1〜C7アルキルであり、R3はハロゲンもしくは
ニトロにより置換されたフエニルであり、更に星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わす)により表わされる。 本明細書中で、用いられる一般的語句は以下の
意味を有し更に「C1〜C7」は1〜7個、好まし
くは1〜4個の炭素原子を含有する有機基を表わ
す。 C1〜C7アルキルは例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル又は第三ブチルで
あるが又ペンチル、ヘキシル又はヘプチルであつ
てもよい。 C1〜C7アルコキシは、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ又は四種のブ
トキシ異性体の一種である。 C1〜C7アルカノイルは、例えばホルミル、ア
セチル、プロピオニル又はブチリル、更に又イソ
ブチリルもしくはピバロイルである。 C1〜C7アルカノイルオキシは、例えばアセト
キシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシであ
り、更にホルミルオキシ又はピバロイルオキシで
あつてもよい。 C5〜C6シクロアルキルは、シクロペンチルも
しくはシクロヘキシルである。C1〜C7アルキル
置換C5〜C6シクロアルキルは、例えばエチルシ
クロヘキシル又はメチルシクロヘキシル例えば4
−メチルシクロヘキシルである。 アリールは例えばナフチル又は、好ましくはフ
エニルである。 1−C1〜C7アルアルキルは、例えば1−ナフ
チルエチル、ベンジル又は、好ましくは1−フエ
ニルエチルである。 ハロゲンは例えばフツ素又はヨウ素であり、好
ましくは塩素又は臭素である。 C1〜C7アルキレンジオキシは例えばエチレン
ジオキシ、1,3−プロピレンジオキシ、2,3
−ブチレンジオキシ又は1,3−(2,2−ジメ
チル)プロピレンジオキシである。 C1〜C7アルキルアミノ又はジ(C1〜C7)アル
キルアミノは、例えばメチルアミノ、ジメチルア
ミノ、エチルアミノ、ジエチルアミノ、プロピル
アミノ、イソプロピルアミノ又はブチルアミノで
ある。 C1〜C7アルカノイルアミノは、例えばアセチ
ルアミノ又はプロピオニルアミノであり更に又ホ
ルミルアミノであつてもよい。 C1〜C7アルキルカルバモイル又はジ(C1〜C7)
アルキルカルバモイルは、例えばメチルカルバモ
イル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイ
ル、ジエチルカルバモイル、プロピルカルバモイ
ル又はブチルカルバモイルである。 C1〜C7アルカンスルホニルアミノは、例えば
メタンスルホニルアミノ、エタンスルホニルアミ
ノ又はプロパンスルホニルアミノである。 C1〜C7アルキルスルフアモイル又はジ(C1〜
C7)アルキルスルフアモイルは、例えばメチル
スルフアモイル、ジメチルスルフアモイル、エチ
ルスルフアモイル、ジエチルスルフアモイル、プ
ロピルスルフアモイル又はブチルスルフアモイル
である。 C1〜C7ハロアルキルは、例えばハロメチル例
えばトリフルオロメチル、又は2−クロロエチル
である。 C1〜C7ヒドロキシアルキルは、例えばヒドロ
キシメチル即ち1−ヒドロキシメチル又は、好ま
しくは2−ヒドロキシエチルである。 C1〜C7アミノアルキルは例えばアミノメチル
即ち1−もしくは2−アミノエチルである。 ニトロ置換フエニルとしてのR3は、例えばモ
ノ−もしくはジニトロフエニル例えば2−、3−
もしくは4−ニトロフエニル又は2,4−ジニト
ロフエニルである。 ハロゲン置換フエニルとしてのR3は、例えば
フツ素、塩素又は臭素の如きハロゲン原子1〜5
個により置換されたフエニルであり、更に例えば
ブロムフエニル、トリクロロフエニルもしくはペ
ンタフルオロフエニルである。 圧倒的数の分子中にS配置で存在するか又は圧
倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子を示
す星印は、該炭素原子に関し式の化合物が実質
的に純粋な光学的対掌体として得られかつラセミ
体としては得られないことを意味する。語句「実
質的に純粋」とは、式に関し、等モル比のラセ
ミ体とは異なる光学的対掌体の割合を意味し、例
えばその割合が少なくとも90:10、好ましくは少
なくとも95:5更に最も好ましくは98:2ないし
100:0であり、R形又はS形が優先する。式
の好ましい化合物において、先に定義した如き割
合でR配置が優先するであろう。 式の好ましい化合物は又、R1がC5〜C6シク
ロアルキル、フエニル又はC1〜C7アルキル、ヒ
ドロキシ、C1〜C7アルコキシ、C1〜C7アルカノ
イルオキシ、フツ素、トリフルオロメチルもしく
はC1〜C7アルキルジオキシにより置換されたフ
エニルであり更にR2、R3及び星印は先に与えた
意味を有する化合物でもある。 更に好ましい式の化合物は、R1がC5〜C6シ
クロアルキル、フエニル又はC1〜C4アルキル、
ヒドロキシ、C1〜C4アルコキシもしくはフツ素
により置換されたフエニルでありR2がC1〜C4ア
ルキルであり、R3が2−、3−もしくは4−ニ
トロフエニル、2,4−ジニトロフエニル又はペ
ンタフルオロフエニルであり、更に星印は圧倒的
数の分子中にS配置で存在するか又は圧倒的数の
分子中にR配置で存在する炭素原子を表わすがR
配置が好ましいような化合物である。 特に好ましい式の化合物は、R1がシクロヘ
キシル、フエニル、C1〜C4アルキルフエニルも
しくはC1〜C4アルコキシフエニルであり、R2は
C1〜C4アルキルであり、R3は4−ニトロフエニ
ルもしくは2,4−ジニトロフエニルであり更に
星印は圧倒的数の分子中にR配置が存在する炭素
原子を表わすような化合物である。 最も好ましい式の化合物は、R1がフエニル
であり、R2がC1〜C4アルキルであり、R3が4−
ニトロフエニルもしくは2,4−ジニトロフエニ
ルであり更に星印が圧倒的数の分子中にR配置で
存在する化合物であり;更にこれ等の化合物のう
ちとりわけ、第一の更に主要な化合物はR2がエ
チルであるような化合物である。 式の化合物は、次式:
C1〜C7アルキルであり、R3はハロゲンもしくは
ニトロにより置換されたフエニルであり、更に星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わす)により表わされる。 本明細書中で、用いられる一般的語句は以下の
意味を有し更に「C1〜C7」は1〜7個、好まし
くは1〜4個の炭素原子を含有する有機基を表わ
す。 C1〜C7アルキルは例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル又は第三ブチルで
あるが又ペンチル、ヘキシル又はヘプチルであつ
てもよい。 C1〜C7アルコキシは、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ又は四種のブ
トキシ異性体の一種である。 C1〜C7アルカノイルは、例えばホルミル、ア
セチル、プロピオニル又はブチリル、更に又イソ
ブチリルもしくはピバロイルである。 C1〜C7アルカノイルオキシは、例えばアセト
キシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシであ
り、更にホルミルオキシ又はピバロイルオキシで
あつてもよい。 C5〜C6シクロアルキルは、シクロペンチルも
しくはシクロヘキシルである。C1〜C7アルキル
置換C5〜C6シクロアルキルは、例えばエチルシ
クロヘキシル又はメチルシクロヘキシル例えば4
−メチルシクロヘキシルである。 アリールは例えばナフチル又は、好ましくはフ
エニルである。 1−C1〜C7アルアルキルは、例えば1−ナフ
チルエチル、ベンジル又は、好ましくは1−フエ
ニルエチルである。 ハロゲンは例えばフツ素又はヨウ素であり、好
ましくは塩素又は臭素である。 C1〜C7アルキレンジオキシは例えばエチレン
ジオキシ、1,3−プロピレンジオキシ、2,3
−ブチレンジオキシ又は1,3−(2,2−ジメ
チル)プロピレンジオキシである。 C1〜C7アルキルアミノ又はジ(C1〜C7)アル
キルアミノは、例えばメチルアミノ、ジメチルア
ミノ、エチルアミノ、ジエチルアミノ、プロピル
アミノ、イソプロピルアミノ又はブチルアミノで
ある。 C1〜C7アルカノイルアミノは、例えばアセチ
ルアミノ又はプロピオニルアミノであり更に又ホ
ルミルアミノであつてもよい。 C1〜C7アルキルカルバモイル又はジ(C1〜C7)
アルキルカルバモイルは、例えばメチルカルバモ
イル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイ
ル、ジエチルカルバモイル、プロピルカルバモイ
ル又はブチルカルバモイルである。 C1〜C7アルカンスルホニルアミノは、例えば
メタンスルホニルアミノ、エタンスルホニルアミ
ノ又はプロパンスルホニルアミノである。 C1〜C7アルキルスルフアモイル又はジ(C1〜
C7)アルキルスルフアモイルは、例えばメチル
スルフアモイル、ジメチルスルフアモイル、エチ
ルスルフアモイル、ジエチルスルフアモイル、プ
ロピルスルフアモイル又はブチルスルフアモイル
である。 C1〜C7ハロアルキルは、例えばハロメチル例
えばトリフルオロメチル、又は2−クロロエチル
である。 C1〜C7ヒドロキシアルキルは、例えばヒドロ
キシメチル即ち1−ヒドロキシメチル又は、好ま
しくは2−ヒドロキシエチルである。 C1〜C7アミノアルキルは例えばアミノメチル
即ち1−もしくは2−アミノエチルである。 ニトロ置換フエニルとしてのR3は、例えばモ
ノ−もしくはジニトロフエニル例えば2−、3−
もしくは4−ニトロフエニル又は2,4−ジニト
ロフエニルである。 ハロゲン置換フエニルとしてのR3は、例えば
フツ素、塩素又は臭素の如きハロゲン原子1〜5
個により置換されたフエニルであり、更に例えば
ブロムフエニル、トリクロロフエニルもしくはペ
ンタフルオロフエニルである。 圧倒的数の分子中にS配置で存在するか又は圧
倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子を示
す星印は、該炭素原子に関し式の化合物が実質
的に純粋な光学的対掌体として得られかつラセミ
体としては得られないことを意味する。語句「実
質的に純粋」とは、式に関し、等モル比のラセ
ミ体とは異なる光学的対掌体の割合を意味し、例
えばその割合が少なくとも90:10、好ましくは少
なくとも95:5更に最も好ましくは98:2ないし
100:0であり、R形又はS形が優先する。式
の好ましい化合物において、先に定義した如き割
合でR配置が優先するであろう。 式の好ましい化合物は又、R1がC5〜C6シク
ロアルキル、フエニル又はC1〜C7アルキル、ヒ
ドロキシ、C1〜C7アルコキシ、C1〜C7アルカノ
イルオキシ、フツ素、トリフルオロメチルもしく
はC1〜C7アルキルジオキシにより置換されたフ
エニルであり更にR2、R3及び星印は先に与えた
意味を有する化合物でもある。 更に好ましい式の化合物は、R1がC5〜C6シ
クロアルキル、フエニル又はC1〜C4アルキル、
ヒドロキシ、C1〜C4アルコキシもしくはフツ素
により置換されたフエニルでありR2がC1〜C4ア
ルキルであり、R3が2−、3−もしくは4−ニ
トロフエニル、2,4−ジニトロフエニル又はペ
ンタフルオロフエニルであり、更に星印は圧倒的
数の分子中にS配置で存在するか又は圧倒的数の
分子中にR配置で存在する炭素原子を表わすがR
配置が好ましいような化合物である。 特に好ましい式の化合物は、R1がシクロヘ
キシル、フエニル、C1〜C4アルキルフエニルも
しくはC1〜C4アルコキシフエニルであり、R2は
C1〜C4アルキルであり、R3は4−ニトロフエニ
ルもしくは2,4−ジニトロフエニルであり更に
星印は圧倒的数の分子中にR配置が存在する炭素
原子を表わすような化合物である。 最も好ましい式の化合物は、R1がフエニル
であり、R2がC1〜C4アルキルであり、R3が4−
ニトロフエニルもしくは2,4−ジニトロフエニ
ルであり更に星印が圧倒的数の分子中にR配置で
存在する化合物であり;更にこれ等の化合物のう
ちとりわけ、第一の更に主要な化合物はR2がエ
チルであるような化合物である。 式の化合物は、次式:
【式】
(式中、R1、R2および星印は式で定義され
た意味と同じである) で表されるα−ヒドロキシエステルを−OH置換
基を式−OSO2−R3(式中、R3は式に対し定義
した意味と同じである)の基に変換する化合物と
反応させることにより製造することができる。 −OH置換基を基−OSO2−R3に変換する化合
物は、例えば混合無水物の如きR3−スルホン酸
無水物、例えばヒドロハリツク酸との混合無水
物、即ちハロゲン原化R3−スルホニル、例えば
塩化もしくは臭化R3−スルホニル、並びに各々
のR3−スルホン酸それ自身の無水物、即ちR3−
SO2−O−SO2−R3タイプの化合物である。反応
は不活性溶剤中並びに塩基の存在中で好都合に行
われる。適当な溶剤の例はハロゲン化炭化水素例
えばジクロルメタン、クロロホルム又は四塩化炭
素、更にトルエン、ベンゼンもしくはヘキサンの
如き炭化水素である。適当な塩基は無機もしくは
有機塩基、例えば塩基性アルカリ金属塩もしくは
アルカリ土類金属塩例えばアルカリ金属炭酸化
物、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
水素ナトリウム、更に又第三アミン例えばピリジ
ン又はトリアルキルアミン、例えばトリエチルア
ミンである。 反応は−50゜〜+110℃の温度範囲で、所望によ
り不活性ガス雰囲気中、例えば窒素又はアルゴン
中で好都合に行われる。 反応経路は、星印により示される炭素原子の配
置が保持されるように立体化学的に均一である。
従つて、式の星印は式に対し定義された光学
対掌体の割合を示すが、光学対掌体の割合は少な
くとも80:20、好ましくは少なくとも85:15であ
る。 式の出発化合物は公知であるか、それ自身公
知の方法により調製出来る。ラネーニツケル及び
水素による対応するα−ケトエステルの還元、又
は対応するα−ヒドロキシニトリルの酸のケン化
及びその後のエステル化の如き多数の公知の調製
方法(例えばヨーロツパ特許出願126986参照)に
より、ラセミα−ヒドロキシエステルに至らし
め、これは引き続きその後の工程において、例え
ばジアステレオマー異性体を経由し、クロマトグ
ラフイー法又は分別結晶法により分離すべきであ
る。この分離工程は、少なくとも50%のラセミ混
合物の規則的損失を伴う。従つてこのような異性
体の不経済な分離を避けるプロセスが必要とな
る。 本発明の範囲内において以下の内容が見い出さ
れた。即ちある種のα−ケトエステルの不整還元
に対する公知方法(例えば米国特許4329487又は
日本特許公開公報第55−35060号を参照)が、式
:
た意味と同じである) で表されるα−ヒドロキシエステルを−OH置換
基を式−OSO2−R3(式中、R3は式に対し定義
した意味と同じである)の基に変換する化合物と
反応させることにより製造することができる。 −OH置換基を基−OSO2−R3に変換する化合
物は、例えば混合無水物の如きR3−スルホン酸
無水物、例えばヒドロハリツク酸との混合無水
物、即ちハロゲン原化R3−スルホニル、例えば
塩化もしくは臭化R3−スルホニル、並びに各々
のR3−スルホン酸それ自身の無水物、即ちR3−
SO2−O−SO2−R3タイプの化合物である。反応
は不活性溶剤中並びに塩基の存在中で好都合に行
われる。適当な溶剤の例はハロゲン化炭化水素例
えばジクロルメタン、クロロホルム又は四塩化炭
素、更にトルエン、ベンゼンもしくはヘキサンの
如き炭化水素である。適当な塩基は無機もしくは
有機塩基、例えば塩基性アルカリ金属塩もしくは
アルカリ土類金属塩例えばアルカリ金属炭酸化
物、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
水素ナトリウム、更に又第三アミン例えばピリジ
ン又はトリアルキルアミン、例えばトリエチルア
ミンである。 反応は−50゜〜+110℃の温度範囲で、所望によ
り不活性ガス雰囲気中、例えば窒素又はアルゴン
中で好都合に行われる。 反応経路は、星印により示される炭素原子の配
置が保持されるように立体化学的に均一である。
従つて、式の星印は式に対し定義された光学
対掌体の割合を示すが、光学対掌体の割合は少な
くとも80:20、好ましくは少なくとも85:15であ
る。 式の出発化合物は公知であるか、それ自身公
知の方法により調製出来る。ラネーニツケル及び
水素による対応するα−ケトエステルの還元、又
は対応するα−ヒドロキシニトリルの酸のケン化
及びその後のエステル化の如き多数の公知の調製
方法(例えばヨーロツパ特許出願126986参照)に
より、ラセミα−ヒドロキシエステルに至らし
め、これは引き続きその後の工程において、例え
ばジアステレオマー異性体を経由し、クロマトグ
ラフイー法又は分別結晶法により分離すべきであ
る。この分離工程は、少なくとも50%のラセミ混
合物の規則的損失を伴う。従つてこのような異性
体の不経済な分離を避けるプロセスが必要とな
る。 本発明の範囲内において以下の内容が見い出さ
れた。即ちある種のα−ケトエステルの不整還元
に対する公知方法(例えば米国特許4329487又は
日本特許公開公報第55−35060号を参照)が、式
:
【式】
(式中R1及びR2は式に対し定義された意味
と同じである) で表わされる化合物に成功裏に適用出来る。 従つて、更に本発明の目的は担体に担持した白
金触媒並びにキナアルカロイドの存在下、次式
:
と同じである) で表わされる化合物に成功裏に適用出来る。 従つて、更に本発明の目的は担体に担持した白
金触媒並びにキナアルカロイドの存在下、次式
:
【式】
(式中、R1およびR2は式に対して定義され
た意味と同じである) で表わされる化合物を選択的に光学的対掌体とす
る還元に委ね次式:
た意味と同じである) で表わされる化合物を選択的に光学的対掌体とす
る還元に委ね次式:
【化】
(式中、R1およびR2は先に定義した意味と同
じである) で表わされる化合物を得、次いで該式の化合物
を、−OH置換基を式−OSO2−R3(式中、R3は先
に定義した意味と同じである)の基に変換する化
合物と反応させることにより上記に定義した式
の化合物を調製することにある。 式の化合物の還元は、もしも光学的収率が60
%又はそれ以上、好ましくは70%又はそれ以上、
最も好ましくは80%又はそれ以上である場合光学
的に選択的であると言われる。従つて星印により
示される炭素原子における配置の優位性は、式
において少なくとも80:20、好ましくは少なくと
も85:15更に最も好ましくは少なくとも90:10の
光学的対掌体の割合について言及しており、R又
はS形が優先する。 選択的に光学的対掌体とする還元は、それ自身
公知の方法により行われる。使用する白金触媒
を、不活性担体、例えば炭素、アルミナ、炭酸カ
ルシウム又は硫酸バリウムに適用するが、アルミ
ナが好ましい担体である。触媒を公知の方法によ
り水素を用い200゜〜400℃で活性化し次いでキナ
アルカロイドの溶液を用いて変性する(含浸す
る)、更に/又はキナアルカロイドを還元中直接
添加する。キナアルカロイドは、キナ及びレミジ
ア種の木の樹皮から特に単離出来る一群のキナ植
物主成分を意味するものと理解されたい。特にそ
れ等にはアルカロイド(−)−キニン、(+)−キ
ニジン、(+)−シンコニン及び(−)−シンコニ
ジンが含まれる。(−)−キニン及び(−)−シン
コニジンを用いると、R形の式の化合物とな
り、一方S形の式の化合物は、(+)−キニジン
及び(+)−シンコニンにより得られる。(−)−
シンコニジンを用いることが好ましい。好都合に
は、水素化は、例えばオートクレーブの如き加圧
反応器中、10〜170バール、好ましくは50〜150バ
ールの水素圧のもとで、室温±30℃で好ましくは
0〜30℃の範囲内で行われる。含浸用の好ましい
溶剤は、用いるキナアルカロイドを溶解する溶
剤、特にC1〜C7アルカノール例えばメタノール、
又はエーテル例えばテトラヒドロフランである。
水素化用の好ましい溶剤の例は、芳香族炭化水
素、例えばベンゼン又はトルエンであり、更に又
ハロゲン化炭化水素例えばシクロメタン、エーテ
ル例えば第三ブチルメチルエーテル、又は低沸点
カルボキシレート例えば酢酸エチルである。 式の星印の定義から推察出来るように、式
の化合物は上述の方法により少なくとも60%、好
ましくは70%更に最も好ましくは少なくとも80%
の光学的収率で得ることが出来る。上述の如く式
のスルホン酸エステルに更に反応せしめる経過
において、光学的収率は式の化合物が実質的に
純粋な形体で、即ち少なくとも95%、好ましくは
少なくとも97.5%更に最も好ましくは少なくとも
99〜100%の光学的収率で得られる程度に増加し
得る。 式の化合物はACE抑制剤又はその前駆物質
の調製に対し価値ある中間体である。この種の化
合物は最近その興味が増加している。該化合物は
有用な抗高血圧薬の可能性を拡大し従つて高血圧
症を治療する可能性を拡大している。多数の有効
なACE抑制剤(例えばヨーロツパ特許出願50850
及び72352参照)において、重要な点が部分式
:
じである) で表わされる化合物を得、次いで該式の化合物
を、−OH置換基を式−OSO2−R3(式中、R3は先
に定義した意味と同じである)の基に変換する化
合物と反応させることにより上記に定義した式
の化合物を調製することにある。 式の化合物の還元は、もしも光学的収率が60
%又はそれ以上、好ましくは70%又はそれ以上、
最も好ましくは80%又はそれ以上である場合光学
的に選択的であると言われる。従つて星印により
示される炭素原子における配置の優位性は、式
において少なくとも80:20、好ましくは少なくと
も85:15更に最も好ましくは少なくとも90:10の
光学的対掌体の割合について言及しており、R又
はS形が優先する。 選択的に光学的対掌体とする還元は、それ自身
公知の方法により行われる。使用する白金触媒
を、不活性担体、例えば炭素、アルミナ、炭酸カ
ルシウム又は硫酸バリウムに適用するが、アルミ
ナが好ましい担体である。触媒を公知の方法によ
り水素を用い200゜〜400℃で活性化し次いでキナ
アルカロイドの溶液を用いて変性する(含浸す
る)、更に/又はキナアルカロイドを還元中直接
添加する。キナアルカロイドは、キナ及びレミジ
ア種の木の樹皮から特に単離出来る一群のキナ植
物主成分を意味するものと理解されたい。特にそ
れ等にはアルカロイド(−)−キニン、(+)−キ
ニジン、(+)−シンコニン及び(−)−シンコニ
ジンが含まれる。(−)−キニン及び(−)−シン
コニジンを用いると、R形の式の化合物とな
り、一方S形の式の化合物は、(+)−キニジン
及び(+)−シンコニンにより得られる。(−)−
シンコニジンを用いることが好ましい。好都合に
は、水素化は、例えばオートクレーブの如き加圧
反応器中、10〜170バール、好ましくは50〜150バ
ールの水素圧のもとで、室温±30℃で好ましくは
0〜30℃の範囲内で行われる。含浸用の好ましい
溶剤は、用いるキナアルカロイドを溶解する溶
剤、特にC1〜C7アルカノール例えばメタノール、
又はエーテル例えばテトラヒドロフランである。
水素化用の好ましい溶剤の例は、芳香族炭化水
素、例えばベンゼン又はトルエンであり、更に又
ハロゲン化炭化水素例えばシクロメタン、エーテ
ル例えば第三ブチルメチルエーテル、又は低沸点
カルボキシレート例えば酢酸エチルである。 式の星印の定義から推察出来るように、式
の化合物は上述の方法により少なくとも60%、好
ましくは70%更に最も好ましくは少なくとも80%
の光学的収率で得ることが出来る。上述の如く式
のスルホン酸エステルに更に反応せしめる経過
において、光学的収率は式の化合物が実質的に
純粋な形体で、即ち少なくとも95%、好ましくは
少なくとも97.5%更に最も好ましくは少なくとも
99〜100%の光学的収率で得られる程度に増加し
得る。 式の化合物はACE抑制剤又はその前駆物質
の調製に対し価値ある中間体である。この種の化
合物は最近その興味が増加している。該化合物は
有用な抗高血圧薬の可能性を拡大し従つて高血圧
症を治療する可能性を拡大している。多数の有効
なACE抑制剤(例えばヨーロツパ特許出願50850
及び72352参照)において、重要な点が部分式
:
【化】
(式中、R1及びR2に式に対し定義した意味
であり更に星印はS配置の炭素原子を示す) で表わされる構造単位に対し向けられる。 部分式の窒素原子および隣接炭素原子との間
の結合は、これまで公知の方法により、例えば式
の化合物を、還元的アルキル化の条件下、第一
又は第二アミンと反応させることにより(反応
1)、
であり更に星印はS配置の炭素原子を示す) で表わされる構造単位に対し向けられる。 部分式の窒素原子および隣接炭素原子との間
の結合は、これまで公知の方法により、例えば式
の化合物を、還元的アルキル化の条件下、第一
又は第二アミンと反応させることにより(反応
1)、
【化】
又は式aのα−ブロモエステルを用いること
により、(反応2)
により、(反応2)
【化】
又は式bの不飽和化合物を用いることによ
り、(反応3)
り、(反応3)
【化】
形成してきている。尚、前記式中、R1およびR2
は先に定義した意味である。 反応1及び反応2において、部分式のS配置
を有する目的化合物は直接得ることは出来ない。
その代り、得られたラセミ混合物を分離する必要
があり、これは少なくとも50%の該混合物の損失
をもたらす。反応1又は2が起こる際、部分式
の窒素原子は通常それ自身複雑なキラール分子の
成分であるので、ACE抑制剤の全合成のこの後
の工程において少なくとも50%の生成物の損失は
許容出来ないものとして認めざるを得ない。 反応3においては、ラセミ体の割合よりも幾分
よりよい異性体の割合即ち2:1まで得ることが
可能であるけれども、それにもかかわらず更に反
応工程即ち還元を行う必要がある。 式の化合物を用いると、先に述べた欠点を除
去出来る。式の化合物から出発すると、部分式
を有する化合物を化学的収率50%以上で得るこ
とが可能となる。 特に、式の化合物を用いる利点は以下の事実
から由来する。即ち特に、式の化合物は、かな
りのラセミ化又は脱離生成物の形成を伴うことな
く第一又は第二アミンと反応することが出来る。
かくして部分式を有する化合物が、式(式中
星印は圧倒的多数の分子中にR配置で存在する炭
素原子を示す)の化合物を用いることにより、反
転しながら高い化合物及び光学的収率で得られ
る。同様に、式(式中星印は圧倒的多数の分子
中にS配置で存在する炭素原子を示す)の化合物
から出発し、部分式(式中星印はR配置で存在
する炭素原子を示す)に相当する構造を有する化
合物を得ることが可能となる。 この結果は予期しないことでありかつ驚くべき
ことである。何故ならば従来技術からは第二の反
応とラセミ化を期待せしめるであろうし、この両
方は化学的収率を50%以下と認められるほど低下
せしめることとなるからである。 F.エツヘンベルガー等(Angew.Chem.95、50、
(1983)は、α−ヒドロキシカルボキシレートか
ら出発して、ラセミ化することなくN−置換α−
アミノ酸の合成に適当な脱離基を記載している。
この脱離基はα−トリフルオロメタンスルホニル
オキシ基である。しかし、同じ刊行物において、
著者は他の除去基の使用に対し忠告している。と
いうのはα−メタンスルホニルオキシカルボン酸
誘導体及びα−トルエンスルホニルオキシカルボ
ン酸誘導体の使用は強烈な反応条件の為特にラセ
ミ化及び脱離生成物の形成を伴うからである。更
に、α−ブロモ−、α−メタンスルホニルオキシ
−、α−トルエンスルホニルオキシ−及びα−ク
ロロプロピオン酸のエチルエステルの使用は、22
時間後それぞれ40、10、5及び1%の収率を与
え、一方提案されたα−トリフルオロメタンスル
ホニルオキシ化合物との反応は20分後100%であ
る。 芳香族スルホニルオキシ化合物がラセミ化する
ことなくα−アミノ酸の合成に対し極めて適当で
あるという本質的に予期しない結果の他に、本発
明方法において用いられる基R3を有する化合物
は、CF3SO2−O−基を含有する従来技術の化合
物と比較して永続した諸利点を有する:即ち該化
合物は相当により安価であり、生態学的により安
全であり更に非常に毒性が少ない。 別の面において、本発明は次式:
は先に定義した意味である。 反応1及び反応2において、部分式のS配置
を有する目的化合物は直接得ることは出来ない。
その代り、得られたラセミ混合物を分離する必要
があり、これは少なくとも50%の該混合物の損失
をもたらす。反応1又は2が起こる際、部分式
の窒素原子は通常それ自身複雑なキラール分子の
成分であるので、ACE抑制剤の全合成のこの後
の工程において少なくとも50%の生成物の損失は
許容出来ないものとして認めざるを得ない。 反応3においては、ラセミ体の割合よりも幾分
よりよい異性体の割合即ち2:1まで得ることが
可能であるけれども、それにもかかわらず更に反
応工程即ち還元を行う必要がある。 式の化合物を用いると、先に述べた欠点を除
去出来る。式の化合物から出発すると、部分式
を有する化合物を化学的収率50%以上で得るこ
とが可能となる。 特に、式の化合物を用いる利点は以下の事実
から由来する。即ち特に、式の化合物は、かな
りのラセミ化又は脱離生成物の形成を伴うことな
く第一又は第二アミンと反応することが出来る。
かくして部分式を有する化合物が、式(式中
星印は圧倒的多数の分子中にR配置で存在する炭
素原子を示す)の化合物を用いることにより、反
転しながら高い化合物及び光学的収率で得られ
る。同様に、式(式中星印は圧倒的多数の分子
中にS配置で存在する炭素原子を示す)の化合物
から出発し、部分式(式中星印はR配置で存在
する炭素原子を示す)に相当する構造を有する化
合物を得ることが可能となる。 この結果は予期しないことでありかつ驚くべき
ことである。何故ならば従来技術からは第二の反
応とラセミ化を期待せしめるであろうし、この両
方は化学的収率を50%以下と認められるほど低下
せしめることとなるからである。 F.エツヘンベルガー等(Angew.Chem.95、50、
(1983)は、α−ヒドロキシカルボキシレートか
ら出発して、ラセミ化することなくN−置換α−
アミノ酸の合成に適当な脱離基を記載している。
この脱離基はα−トリフルオロメタンスルホニル
オキシ基である。しかし、同じ刊行物において、
著者は他の除去基の使用に対し忠告している。と
いうのはα−メタンスルホニルオキシカルボン酸
誘導体及びα−トルエンスルホニルオキシカルボ
ン酸誘導体の使用は強烈な反応条件の為特にラセ
ミ化及び脱離生成物の形成を伴うからである。更
に、α−ブロモ−、α−メタンスルホニルオキシ
−、α−トルエンスルホニルオキシ−及びα−ク
ロロプロピオン酸のエチルエステルの使用は、22
時間後それぞれ40、10、5及び1%の収率を与
え、一方提案されたα−トリフルオロメタンスル
ホニルオキシ化合物との反応は20分後100%であ
る。 芳香族スルホニルオキシ化合物がラセミ化する
ことなくα−アミノ酸の合成に対し極めて適当で
あるという本質的に予期しない結果の他に、本発
明方法において用いられる基R3を有する化合物
は、CF3SO2−O−基を含有する従来技術の化合
物と比較して永続した諸利点を有する:即ち該化
合物は相当により安価であり、生態学的により安
全であり更に非常に毒性が少ない。 別の面において、本発明は次式:
【式】
で表わされる化合物を、次式:
【化】
で表わされる化合物で、反転させながらアルキル
化することを含んでなる次式:
化することを含んでなる次式:
【化】
で表わされる化合物の調製のための式の化合物
の使用に関するものであり、R3は先に定義した
意味と同じであり、各々の場合において、R1お
よびR2は先の式で定義される意味であり、星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わし、更にR′は水素もしくはC1〜C7アルキ
ルであり更にRは部分式:
の使用に関するものであり、R3は先に定義した
意味と同じであり、各々の場合において、R1お
よびR2は先の式で定義される意味であり、星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わし、更にR′は水素もしくはC1〜C7アルキ
ルであり更にRは部分式:
【式】
(式中、R2、R3、R4、およびR7は次の式に
おけるR2、R3、R4およびR7と同じ意味であり、
はオキソ、2個の水素又は1個の水素原子およ
び1個のヒドロキシ基である)の基であるか、又
はR′は水素、もしくはC1〜C7アルキルであり更
にRは部分式:
おけるR2、R3、R4およびR7と同じ意味であり、
はオキソ、2個の水素又は1個の水素原子およ
び1個のヒドロキシ基である)の基であるか、又
はR′は水素、もしくはC1〜C7アルキルであり更
にRは部分式:
【化】
{式中、R2は水素またはC1〜C7アルキルであ
り;R3およびR4は各々独立に水素、C1〜C7アル
キル、C1〜C7アルコキシ、C1〜C7アルカノイル
オキシ、ヒドロキシ、ハロゲンまたはトリフルオ
ロメチルであるか又は、R3とR4は共に一緒にな
つてC1〜C7アルキレンジオキシを形成し;さら
にR7はヒドロキシ、C1〜C7アルコキシ、(アミ
ノ、モノーもしくはジ−C1〜C7アルキルアミノ)
置換C1〜C7アルコキシ、カルボキシ置換C1〜C7
アルコキシ、C1〜C7アルコキシ−カルボニル置
換C1〜C7アルコキシ、アリール置換C1〜C7アル
コキシ、フエニル−C1〜C7アルコキシ(これは、
C1〜C7アルキル、C1〜C7アルコキシ、C1〜C7ア
ルキレンジオキシ、C1〜C7アルカノイルオキシ、
ヒドロキシ、ハロゲンもしくはトリフルオロメチ
ルによりモノーもしくはジ置換される)、(ヒドロ
キシ、C1〜C7アルカノイルオキシもしくはC1〜
C7アルコキシ)置換C1〜C7アルコキシ、(ヒドロ
キシ、C1〜C7アルカノイルオキシもしくはC1〜
C7アルコキシ)置換C1〜C7アルコキシメトキシ、
ビシクロアルコキシカルボニル置換C1〜C7アル
コキシ、3−フタリドキシ、(C1〜C7アルキル、
C1〜C7アルコキシ、ハロ)置換3−フタリドキ
シ、アミノ、C1〜C7アルキルアミノ、ジ−C1〜
C7アルキルアミノ、ジC1〜C7アルキルアミノ
(ここにおいて、2個のアルキル部分は炭素−炭
素結合によつて結合されており、更にアミノ窒素
と一緒になつて5員、6員、もしくは7員の複素
環式環を形成する)、(アミノもしくはアシルアミ
ノ)置換C1〜C7アルキルアミノ、α−(カルボキ
シもしくはC1〜C7アルコキシカルボニル)置換
C1〜C7アルキルアミノ、アリール置換C1〜C7ア
ルキルアミノ(これは、α炭素原子でカルボキ
シ、もしくはC1〜C7アルコキシカルボニルによ
り、又はC1〜C7アルキル、C1〜C7アルコキシ、
C1〜C7アルキレンジオキシ、C1〜C7アルカノイ
ルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンもしくはトリフ
ルオロメチルによりモノ置換もしくはジ置換され
ているフエニル−C1〜C7アルキルアミノにより
置換されることができ更にこれはα−炭素原子で
カルボニルもしくはC1〜C7アルコキシカルボニ
ルにより置換され得る)} で表わされる基であるか;又は R1は水素でありさらにRは1−C1〜C7アルア
ルキルであるか、又はR′およびRは水素である。 上記置換アルキル化は、通常の一般的条件のも
と約0℃ないし反応混合物の沸点温度範囲で、好
ましくは室温ないし約100℃の範囲で行われる。
反応は反応成分に不活性な溶剤の存在下、例えば
クロロホルム又は塩化メチレンの如きクロル化低
級アルカン、ジエチルエーテル、1,2−ジメト
キシエタン、ジオキサン又はテトラヒドロフラン
の如き非環状もしくは環状エーテル、アセトニト
リルの如き低級アルカンカルボニトリル、例えば
酢酸エチルの如き低級アルカン酸の低沸点低級ア
ルキルエステル、例えばN,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドン、N−エチルピペリドン及びヘキ
サメチルホスホラミドの如き低分子量の第三アミ
ドの存在下で好都合に行われる。反応中に生じた
強酸HOSO2−R3を、酸受容体、好ましくはアル
カリ金属の炭酸水素塩、炭酸塩もしくは水酸化物
の如き無機塩基、例えばテトラブチルアンモニウ
ム塩の如き有機第四級アンモニウム塩、又はトリ
エチルアミン、N−エチルピペリジン、N−メチ
ルモルホリン、ピリジン又はキノリンの如き有機
第三塩基を添加することにより中和するのが好都
合である。 反応は、反転しながら即ち星印によつて示され
る炭素の配置が反転するように、立体化学的に均
一で進行する。従つてもしも式の化合物におい
て星印が圧倒的数の分子中でR配置で存在する炭
素原子を示す場合、星印は式の該化合物から得
られた式の化合物において圧倒的数の分子中に
S配置で存在する炭素原子を示すであろうし、更
にその逆を示すであろう。式に関する表現「圧
倒的数の分子中に一の配置で」は、式に対して
与えられた意味と同じ意味を有する。 もしも式においてR及びR′が水素である場
合、即ちもしも式の化合物をアンモニアと反応
させる場合、反応はアセトニトリルの如き不活性
溶剤中、高圧下例えば10〜20バールのもとで好都
合に行われるであろう。 式の出発化合物は公知であるか又はそれ自身
公知の方法により(例えばヨーロツパ特許出願
72352参照)により調製出来る。 式の化合物は、次a:
り;R3およびR4は各々独立に水素、C1〜C7アル
キル、C1〜C7アルコキシ、C1〜C7アルカノイル
オキシ、ヒドロキシ、ハロゲンまたはトリフルオ
ロメチルであるか又は、R3とR4は共に一緒にな
つてC1〜C7アルキレンジオキシを形成し;さら
にR7はヒドロキシ、C1〜C7アルコキシ、(アミ
ノ、モノーもしくはジ−C1〜C7アルキルアミノ)
置換C1〜C7アルコキシ、カルボキシ置換C1〜C7
アルコキシ、C1〜C7アルコキシ−カルボニル置
換C1〜C7アルコキシ、アリール置換C1〜C7アル
コキシ、フエニル−C1〜C7アルコキシ(これは、
C1〜C7アルキル、C1〜C7アルコキシ、C1〜C7ア
ルキレンジオキシ、C1〜C7アルカノイルオキシ、
ヒドロキシ、ハロゲンもしくはトリフルオロメチ
ルによりモノーもしくはジ置換される)、(ヒドロ
キシ、C1〜C7アルカノイルオキシもしくはC1〜
C7アルコキシ)置換C1〜C7アルコキシ、(ヒドロ
キシ、C1〜C7アルカノイルオキシもしくはC1〜
C7アルコキシ)置換C1〜C7アルコキシメトキシ、
ビシクロアルコキシカルボニル置換C1〜C7アル
コキシ、3−フタリドキシ、(C1〜C7アルキル、
C1〜C7アルコキシ、ハロ)置換3−フタリドキ
シ、アミノ、C1〜C7アルキルアミノ、ジ−C1〜
C7アルキルアミノ、ジC1〜C7アルキルアミノ
(ここにおいて、2個のアルキル部分は炭素−炭
素結合によつて結合されており、更にアミノ窒素
と一緒になつて5員、6員、もしくは7員の複素
環式環を形成する)、(アミノもしくはアシルアミ
ノ)置換C1〜C7アルキルアミノ、α−(カルボキ
シもしくはC1〜C7アルコキシカルボニル)置換
C1〜C7アルキルアミノ、アリール置換C1〜C7ア
ルキルアミノ(これは、α炭素原子でカルボキ
シ、もしくはC1〜C7アルコキシカルボニルによ
り、又はC1〜C7アルキル、C1〜C7アルコキシ、
C1〜C7アルキレンジオキシ、C1〜C7アルカノイ
ルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンもしくはトリフ
ルオロメチルによりモノ置換もしくはジ置換され
ているフエニル−C1〜C7アルキルアミノにより
置換されることができ更にこれはα−炭素原子で
カルボニルもしくはC1〜C7アルコキシカルボニ
ルにより置換され得る)} で表わされる基であるか;又は R1は水素でありさらにRは1−C1〜C7アルア
ルキルであるか、又はR′およびRは水素である。 上記置換アルキル化は、通常の一般的条件のも
と約0℃ないし反応混合物の沸点温度範囲で、好
ましくは室温ないし約100℃の範囲で行われる。
反応は反応成分に不活性な溶剤の存在下、例えば
クロロホルム又は塩化メチレンの如きクロル化低
級アルカン、ジエチルエーテル、1,2−ジメト
キシエタン、ジオキサン又はテトラヒドロフラン
の如き非環状もしくは環状エーテル、アセトニト
リルの如き低級アルカンカルボニトリル、例えば
酢酸エチルの如き低級アルカン酸の低沸点低級ア
ルキルエステル、例えばN,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドン、N−エチルピペリドン及びヘキ
サメチルホスホラミドの如き低分子量の第三アミ
ドの存在下で好都合に行われる。反応中に生じた
強酸HOSO2−R3を、酸受容体、好ましくはアル
カリ金属の炭酸水素塩、炭酸塩もしくは水酸化物
の如き無機塩基、例えばテトラブチルアンモニウ
ム塩の如き有機第四級アンモニウム塩、又はトリ
エチルアミン、N−エチルピペリジン、N−メチ
ルモルホリン、ピリジン又はキノリンの如き有機
第三塩基を添加することにより中和するのが好都
合である。 反応は、反転しながら即ち星印によつて示され
る炭素の配置が反転するように、立体化学的に均
一で進行する。従つてもしも式の化合物におい
て星印が圧倒的数の分子中でR配置で存在する炭
素原子を示す場合、星印は式の該化合物から得
られた式の化合物において圧倒的数の分子中に
S配置で存在する炭素原子を示すであろうし、更
にその逆を示すであろう。式に関する表現「圧
倒的数の分子中に一の配置で」は、式に対して
与えられた意味と同じ意味を有する。 もしも式においてR及びR′が水素である場
合、即ちもしも式の化合物をアンモニアと反応
させる場合、反応はアセトニトリルの如き不活性
溶剤中、高圧下例えば10〜20バールのもとで好都
合に行われるであろう。 式の出発化合物は公知であるか又はそれ自身
公知の方法により(例えばヨーロツパ特許出願
72352参照)により調製出来る。 式の化合物は、次a:
【化】
(式中、R1、R2、R′星印およびR2、R3、R4、
R7およびは先に定義した意味と同じである) で表わされるACE抑制剤であるか、又はそれは
式b:
R7およびは先に定義した意味と同じである) で表わされるACE抑制剤であるか、又はそれは
式b:
【化】
(式中、R1、R2、R′、星印およびR2、R3、R4
およびR7は先に定義した意味である)のACE抑
制剤の前駆物質のいずれかであるか、又はそれら
は式c:
およびR7は先に定義した意味である)のACE抑
制剤の前駆物質のいずれかであるか、又はそれら
は式c:
【化】
(式中、R1、R2および星印は先に定義した意
味であり、更にRは1−C1〜C7アルアルキル、
例えばベンジル、1−フエニルエチルもしくは1
−ナフチルエチルである)のACE抑制剤の前駆
物質であるか、又はもしもRが水素である場合、
それらは式d:
味であり、更にRは1−C1〜C7アルアルキル、
例えばベンジル、1−フエニルエチルもしくは1
−ナフチルエチルである)のACE抑制剤の前駆
物質であるか、又はもしもRが水素である場合、
それらは式d:
例 1
触媒の調製及び水素添加は、米国特許4329487
明細書の記載に従つて行うことが出来る: 触媒の調製:5%のPt/C(例えばデグサタイ
プF101R)1gを、弱流の水素中300℃に3時間
加熱する。アルゴン雰囲気下で冷却した後、触媒
を、シンコニジンの1%エタノール性溶液80ml中
で還流し、、濾過して単離し、少量のエタノール
で洗浄し更に引き続き水素添加に用いた溶剤で洗
浄する。 水素添加:20gのエチル4−フエニル−2−オ
キソブチラートを、100mlのベンゼンに溶解し次
いで撹拌機を備えた300mlのオートクレーブ中に
フラツシユする。次いで0.1gのシンコニジン及
び調製した触媒を添加し、通常の方法で水素添加
を150バール及び20゜〜30℃で行う。水素の吸収が
終了したら、触媒を濾別し次いで溶剤を回転蒸発
機で除去する。エチル2−ヒドロキシ−4−フエ
ニルブチラートの化学収率は約95%でありR形の
光学的収率は70%である。 例 2 例1の手順を繰り返すが、但し5%のPt/
Al2O3(例えばエンゲルハルト タイプ4759b)1
gを用い更に水素添加を400℃で2時間行う。化
学的収率は約95%であり、光学的収率は72%であ
る。 例 3 例2の手順を繰り返すが、但し触媒はシンコニ
ジン溶液で予め処理しない。化学的収率は約95%
であり、光学的収率は68%である。 例 4 例2の手順を繰り返すが、但し水素添加用に次
の触媒を用いる:(a)トルエン、(b)ジクロルメタ
ン、(c)酢酸エチル、(d)t−ブチルメチルエーテ
ル。化学的収率は約95%であり、光学的収率は60
%と70%の間にある。 例 5 反応を例3における如く行うが、5℃の温度で
反応を行う。化学収率は約95%であり、光学的収
率は80%である。 例 6 〔α〕20 D=−17.0゜(82%ee)を有するエチル
(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フエニルブチラ
ート104.16g及び塩化4−ニトロベンゼンスルホ
ニル121.89gを、室温で500mlのトルエンに溶解
する。0℃で、66.8gのトリエチルアミンを1時
間に亘つて滴下する。次いでバツチを室温で1時
間撹拌する。水で処理し次いでトルエン相を1N
塩酸で抽出した後、一緒にしたトルエン相を少量
のシリカゲルで濾過し次いで回転蒸発機で濃縮さ
せる。残留オイルを、シクロヘキサン対酢酸エチ
ル4:1混合物100mlに吸収させ、溶液を室温で
48時間撹拌し、次いで0℃で8時間撹拌し最後に
濾過する。濾過残留物を乾燥し、融点68゜〜70℃
を有するラセミ体エチル2−(4−ニトロベンゼ
ンスルホニルオキシ)−4−フエニルブチラート
41.5gを得る。濾液を回転蒸発機で蒸発させるこ
とにより濃縮し次いで高真空圧のもと45℃で脱気
することにより、 〔α〕20 D=+10.6゜(3%、無水エタノール)を有
するエチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼン
スルホニルオキシ)−4−フエニルブチラートに
富んだ146.5gを得る。かくして得られた生成物
は90%を超える光学的対掌体を有し、HPLCによ
れば純度95%である。 この実施例の詳細に従つた純粋なエチル(−)
−R−2−ヒドロキシ−4−フエニルブチラート
(〔α〕20 D=−20.8゜、1%、クロロホルム)から得
られたエチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼ
ンスルホニルオキシ)−4−フエニルブチラート
は回転角度〔α〕20 D=+13.2゜(3%、無水エタノー
ル)を有する。 例 7 例6の手順に従い、対応するエチル(−)−R
−2−(2−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フエニルブチラートが、塩化2−ニトロベン
ゼンスルホニルとエチル(−)−R−2−ヒドロ
キシ−4−フエニルブチラート(82%ee)から得
られる。95%の収率でオイルとして得られたエス
テルは、回転角度〔α〕20 D=−9.6゜(3%、無水エ
タノール)を有する。 例 8 例6の手順に従い、エチル(+)−R−2−(3
−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フエ
ニルブチラートを、エチル(−)−R−2−ヒド
ロキシ−4−フエニルブチラート(82%ee)と3
−ニトロベンゼンスルホニルクロリドから得る。
生成物は回転角度〔α〕20 D=+6.9゜(3%、無水エ
タノール)を有する。 例 9 例6の手順に従い、融点64゜〜65℃(エーテ
ル/シクロヘキサンから再結晶)を有するエチル
(−)−R−2−(ペンタフルオロベンゼンスルホ
ニルオキシ)−4−フエニルブチラートを、エチ
ル(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フエニルブ
チラート(84%ee)及び塩化ペンタフルオロベン
ゼンスルホニルから98%の収率で得る。生成物は
回転角度〔α〕20 D=−2.5゜±0.2゜;α20 436=−12.4
゜(5
%、クロロホルム)を有する。 例 10 例6の手順に従い、エチル(−)−R−2−
(2,4−ジニトロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フエニルブチラートを、エチル(−)−R−
2−ヒドロキシ−4−フエニルブチラート(100
%ee)及び2,4−ジニトロベンゼンスルホニル
クロリドから95%収率でオイルとして得る。オイ
ルを、酢酸エチル対シクロヘキサン1:4混合物
から結晶化せしめ、殆んど白色の結晶性固体を
83.7%の収率で得る;融点69゜〜71℃〔α〕20 D=−
10.6゜(3%、無水エタノール)。
明細書の記載に従つて行うことが出来る: 触媒の調製:5%のPt/C(例えばデグサタイ
プF101R)1gを、弱流の水素中300℃に3時間
加熱する。アルゴン雰囲気下で冷却した後、触媒
を、シンコニジンの1%エタノール性溶液80ml中
で還流し、、濾過して単離し、少量のエタノール
で洗浄し更に引き続き水素添加に用いた溶剤で洗
浄する。 水素添加:20gのエチル4−フエニル−2−オ
キソブチラートを、100mlのベンゼンに溶解し次
いで撹拌機を備えた300mlのオートクレーブ中に
フラツシユする。次いで0.1gのシンコニジン及
び調製した触媒を添加し、通常の方法で水素添加
を150バール及び20゜〜30℃で行う。水素の吸収が
終了したら、触媒を濾別し次いで溶剤を回転蒸発
機で除去する。エチル2−ヒドロキシ−4−フエ
ニルブチラートの化学収率は約95%でありR形の
光学的収率は70%である。 例 2 例1の手順を繰り返すが、但し5%のPt/
Al2O3(例えばエンゲルハルト タイプ4759b)1
gを用い更に水素添加を400℃で2時間行う。化
学的収率は約95%であり、光学的収率は72%であ
る。 例 3 例2の手順を繰り返すが、但し触媒はシンコニ
ジン溶液で予め処理しない。化学的収率は約95%
であり、光学的収率は68%である。 例 4 例2の手順を繰り返すが、但し水素添加用に次
の触媒を用いる:(a)トルエン、(b)ジクロルメタ
ン、(c)酢酸エチル、(d)t−ブチルメチルエーテ
ル。化学的収率は約95%であり、光学的収率は60
%と70%の間にある。 例 5 反応を例3における如く行うが、5℃の温度で
反応を行う。化学収率は約95%であり、光学的収
率は80%である。 例 6 〔α〕20 D=−17.0゜(82%ee)を有するエチル
(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フエニルブチラ
ート104.16g及び塩化4−ニトロベンゼンスルホ
ニル121.89gを、室温で500mlのトルエンに溶解
する。0℃で、66.8gのトリエチルアミンを1時
間に亘つて滴下する。次いでバツチを室温で1時
間撹拌する。水で処理し次いでトルエン相を1N
塩酸で抽出した後、一緒にしたトルエン相を少量
のシリカゲルで濾過し次いで回転蒸発機で濃縮さ
せる。残留オイルを、シクロヘキサン対酢酸エチ
ル4:1混合物100mlに吸収させ、溶液を室温で
48時間撹拌し、次いで0℃で8時間撹拌し最後に
濾過する。濾過残留物を乾燥し、融点68゜〜70℃
を有するラセミ体エチル2−(4−ニトロベンゼ
ンスルホニルオキシ)−4−フエニルブチラート
41.5gを得る。濾液を回転蒸発機で蒸発させるこ
とにより濃縮し次いで高真空圧のもと45℃で脱気
することにより、 〔α〕20 D=+10.6゜(3%、無水エタノール)を有
するエチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼン
スルホニルオキシ)−4−フエニルブチラートに
富んだ146.5gを得る。かくして得られた生成物
は90%を超える光学的対掌体を有し、HPLCによ
れば純度95%である。 この実施例の詳細に従つた純粋なエチル(−)
−R−2−ヒドロキシ−4−フエニルブチラート
(〔α〕20 D=−20.8゜、1%、クロロホルム)から得
られたエチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼ
ンスルホニルオキシ)−4−フエニルブチラート
は回転角度〔α〕20 D=+13.2゜(3%、無水エタノー
ル)を有する。 例 7 例6の手順に従い、対応するエチル(−)−R
−2−(2−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フエニルブチラートが、塩化2−ニトロベン
ゼンスルホニルとエチル(−)−R−2−ヒドロ
キシ−4−フエニルブチラート(82%ee)から得
られる。95%の収率でオイルとして得られたエス
テルは、回転角度〔α〕20 D=−9.6゜(3%、無水エ
タノール)を有する。 例 8 例6の手順に従い、エチル(+)−R−2−(3
−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フエ
ニルブチラートを、エチル(−)−R−2−ヒド
ロキシ−4−フエニルブチラート(82%ee)と3
−ニトロベンゼンスルホニルクロリドから得る。
生成物は回転角度〔α〕20 D=+6.9゜(3%、無水エ
タノール)を有する。 例 9 例6の手順に従い、融点64゜〜65℃(エーテ
ル/シクロヘキサンから再結晶)を有するエチル
(−)−R−2−(ペンタフルオロベンゼンスルホ
ニルオキシ)−4−フエニルブチラートを、エチ
ル(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フエニルブ
チラート(84%ee)及び塩化ペンタフルオロベン
ゼンスルホニルから98%の収率で得る。生成物は
回転角度〔α〕20 D=−2.5゜±0.2゜;α20 436=−12.4
゜(5
%、クロロホルム)を有する。 例 10 例6の手順に従い、エチル(−)−R−2−
(2,4−ジニトロベンゼンスルホニルオキシ)−
4−フエニルブチラートを、エチル(−)−R−
2−ヒドロキシ−4−フエニルブチラート(100
%ee)及び2,4−ジニトロベンゼンスルホニル
クロリドから95%収率でオイルとして得る。オイ
ルを、酢酸エチル対シクロヘキサン1:4混合物
から結晶化せしめ、殆んど白色の結晶性固体を
83.7%の収率で得る;融点69゜〜71℃〔α〕20 D=−
10.6゜(3%、無水エタノール)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次式: 【化】 (式中、R1は未置換のフエニルであり、R2は
C1〜C7アルキルであり、R3はハロゲンもしくは
ニトロにより置換されたフエニルであり、更に星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わす) で表わされるスルホン酸エステル。 2 前記式中R1が未置換のフエニルであり、
R2はC1〜C4アルキルであり、R3は2−,3−も
しくは4−ニトロフエニル、2,4−ジニトロフ
エニルもしくはペンタフルオロフエニルであり、
更に星印は圧倒的数の分子中にS配置で存在する
か又は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素
原子を表わす。特許請求の範囲第1項記載のスル
ホン酸エステル。 3 前記式中、R1が未置換のフエニルであり、
R2はC1〜C4アルキルであり、R3は4−ニトロフ
エニルもしくは2,4−ジニトロフエニルであり
更に星印は圧倒的数の分子中にR配置で存在する
炭素原子を表わす、特許請求の範囲第1項記載の
スルホン酸エステル。 4 前記式中、R1が未置換のフエニルであり、
R2はC1〜C4アルキルであり、R3は4−ニトロフ
エニルもしくは2,4−ジニトロフエニルであ
り、更に星印は圧倒的数の分子中にR配置で存在
する炭素原子を表わす、特許請求の範囲第1項記
載のスルホン酸エステル。 5 エチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼン
スルホニルオキシ)−4−フエニルブチラートも
しくはエチル(−)−R−2−(2,4−ジニトロ
ベンゼンスルホニルオキシ)−4−フエニルブチ
ラートである、特許請求の範囲第1項記載のスル
ホン酸エステル。 6 次式: 【化】 (式中、R1は未置換のフエニルであり、R2は
C1〜C7アルキルであり、R3はハロゲンもしくは
ニトロにより置換されたフエニルであり、更に星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わす) で表わされるスルホン酸エステルの製造方法であ
つて、 次式: 【化】 (式中、R1およびR2は式で定義された意味
と同じであり、更に星印は圧倒的数の分子中にS
配置で存在するか、または圧倒的数の分子中にR
配置で存在する) で表わされるα−ヒドロキシエステルを、−OH
置換基を式−OSO2−R3(式中、R3は式に対し
定義された意味と同じである)で表わされる基に
変換する化合物と反応させることを含んでなる、
前記方法。 7 R3−スルホン酸無水物を用いる、特許請求
の範囲第6項記載の方法。 8 ハロゲン化R3−スルホニルを用いる、特許
請求の範囲第6項記載の方法。 9 ハロゲン化4−ニトロベンゼンスルホニルを
用いる、特許請求の範囲第6項記載の方法。 10 ハロゲン化3−ニトロベンゼンスルホニル
を用いる、特許請求の範囲第6項記載の方法。 11 ハロゲン化2,4−ジニトロベンゼンスル
ホニルを用いる、特許請求の範囲第6項記載の方
法。 12 ハロゲン化ペンタフルオロベンゼンスルホ
ニルを用いる、特許請求の範囲第6項記載の方
法。 13 R3−SO2−O−SO2−R3タイプの無水物を
用いる、特許請求の範囲第6項記載の方法。 14 次式: 【化】 (式中、R1は未置換のフエニルであり、R2は
C1〜C7アルキルであり、R3はハロゲンもしくは
ニトロにより置換されたフエニルであり、更に星
印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子
を表わす) で表わされるスルホン酸エステルの製造方法であ
つて、 担体に担持した白金触媒並びにキナアルカロイ
ドの存在下、次式: 【化】 (式中、R1およびR2は式に対して定義され
た意味と同じである) で表わされる化合物を選択的に光学対掌体とする
還元に委ね次式: 【化】 (式中、R1およびR2は先に定義した意味と同
じである) で表わされる化合物を得、次いで該式の化合物
を、−OH置換基を式−OSO2−R3(式中、R3は先
に定義した意味と同じである)の基に変換する化
合物と反応させることを含んでなる、前記方法。 15 担体が炭素、アルミナ、炭酸カルシウム又
は硫酸バリウムである、特許請求の範囲第14項
記載の方法。 16 キナアルカロイドが、(−)−キニン、(+)
−キニジン、(+)−シンコニンもしくは(−)−
シンコニジンである、特許請求の範囲第14項記
載の方法。 17 キナアルカロイドが(−)−シンコニジン
である、特許請求の範囲第14項記載の方法。 18 出発物質がエチル4−フエニル−2−オキ
ソブチラートである、特許請求の範囲第14項記
載の方法。
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