JPH0575095A - ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法Info
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- JPH0575095A JPH0575095A JP3234589A JP23458991A JPH0575095A JP H0575095 A JPH0575095 A JP H0575095A JP 3234589 A JP3234589 A JP 3234589A JP 23458991 A JP23458991 A JP 23458991A JP H0575095 A JPH0575095 A JP H0575095A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＨＢＴのエミッタ、コレクタのコンタクト抵
抗を低減し、かつ微細化に適したオーミックコンタクト
を形成する。 【構成】 ＨＢＴ構造において、メサエッチングにより
エミッタ、及びベース領域を形成した後に窒化シリコン
膜、二酸化シリコン膜をマスクにＭＯＣＶＤ法によりに
エミッタとコレクタ電極の直下のみに選択的にＩｎ組成
が０．５以上のＩｎＧａＡｓ層を成長し、さらにエミッ
タ、及びコレクタ電極金属を全面に蒸着し、フッ酸系の
溶液によりエッチングを行い、エミッタ、及びコレクタ
電極以外の電極金属を二酸化シリコン膜と共に除去し、
エミッタ、及びコレクタ電極を形成する。
抗を低減し、かつ微細化に適したオーミックコンタクト
を形成する。 【構成】 ＨＢＴ構造において、メサエッチングにより
エミッタ、及びベース領域を形成した後に窒化シリコン
膜、二酸化シリコン膜をマスクにＭＯＣＶＤ法によりに
エミッタとコレクタ電極の直下のみに選択的にＩｎ組成
が０．５以上のＩｎＧａＡｓ層を成長し、さらにエミッ
タ、及びコレクタ電極金属を全面に蒸着し、フッ酸系の
溶液によりエッチングを行い、エミッタ、及びコレクタ
電極以外の電極金属を二酸化シリコン膜と共に除去し、
エミッタ、及びコレクタ電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヘテロバイポーラトラン
ジスタの構造、およびその製造方法に関するものであ
る。
ジスタの構造、およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ヘテロバイポーラトランジスタは高利得
であり、電流駆動能力に優れているため超高速のＩＣへ
の応用が期待されている。図５に示すメサ型のｎｐｎ
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓヘテロバイポーラトランジスタ
（以下ＨＢＴと略す。）を例に従来の技術を説明する。
１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はコレクタのコンタクト
抵抗を低減するための高濃度Ｎ型ＧａＡｓコレクタコン
タクト層、３はＮ型ＧａＡｓコレクタ層、４は高濃度Ｐ
型ＧａＡｓベース層であり通常１Ｘ１０19ｃｍ-3厚さ１
０００Å程度としている。５はＮ型ＡｌＧａＡｓエミッ
タ層、６はＮ型ＧａＡｓエミッタコンタクト層、１０は
エミッタ電極、１１はコレクタ電極、１２はベース電極
である。動作はエミッタ電極からベースへ注入された少
数キャリア（電子）の一部がベース内でベースを通過
し、コレクタに捕らえられる。ここでＨＢＴの特徴とし
てエミッタにバンドギャップの大きなＡｌＧａＡｓを用
いることによりエミッタからベースへの少数キャリアの
逆注入が小さいためエミッタの注入効率が大きく、電流
利得が大きい。またベース濃度を大きくしても高い電流
利得を維持する事が可能であるためベース抵抗の低減を
図ることができる。またＨＢＴの高ｆｔ，高駆動能力を
生かすことが可能である超高速ディジタル回路への応用
が期待されており，ＩＣ化が進められている。
であり、電流駆動能力に優れているため超高速のＩＣへ
の応用が期待されている。図５に示すメサ型のｎｐｎ
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓヘテロバイポーラトランジスタ
（以下ＨＢＴと略す。）を例に従来の技術を説明する。
１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はコレクタのコンタクト
抵抗を低減するための高濃度Ｎ型ＧａＡｓコレクタコン
タクト層、３はＮ型ＧａＡｓコレクタ層、４は高濃度Ｐ
型ＧａＡｓベース層であり通常１Ｘ１０19ｃｍ-3厚さ１
０００Å程度としている。５はＮ型ＡｌＧａＡｓエミッ
タ層、６はＮ型ＧａＡｓエミッタコンタクト層、１０は
エミッタ電極、１１はコレクタ電極、１２はベース電極
である。動作はエミッタ電極からベースへ注入された少
数キャリア（電子）の一部がベース内でベースを通過
し、コレクタに捕らえられる。ここでＨＢＴの特徴とし
てエミッタにバンドギャップの大きなＡｌＧａＡｓを用
いることによりエミッタからベースへの少数キャリアの
逆注入が小さいためエミッタの注入効率が大きく、電流
利得が大きい。またベース濃度を大きくしても高い電流
利得を維持する事が可能であるためベース抵抗の低減を
図ることができる。またＨＢＴの高ｆｔ，高駆動能力を
生かすことが可能である超高速ディジタル回路への応用
が期待されており，ＩＣ化が進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題】ＨＢＴのスピードを制
限する要因としてエミッタ抵抗、コレクタ容量、ベース
抵抗などが挙げられるがＩＣ化を行なって行く為には、
素子の微細化が必要であり、素子寸法の縮小に伴い各電
極のコンタクト抵抗の低減も一層重要になってくる。ま
たｎｐｎ構造ではベースはＰ型で１ｘ１０19ｃｍ-3の高
濃度で電極金属との障壁も低いため比較的容易にコンタ
クトが取れるのに対しエミッタ、コレクタはＮ型でドー
ピング濃度も低い為、十分な合金化反応が必要となり、
オーミック形成のための熱処理によって電極金属表面に
合金化反応の不均一性などによりコンタクト抵抗にばら
つきが生じたり、凹凸が発生し非常に微細なＨＢＴを考
えた場合、フォトリソグラフィの際などにパターン形成
が困難になるという問題が生じる。
限する要因としてエミッタ抵抗、コレクタ容量、ベース
抵抗などが挙げられるがＩＣ化を行なって行く為には、
素子の微細化が必要であり、素子寸法の縮小に伴い各電
極のコンタクト抵抗の低減も一層重要になってくる。ま
たｎｐｎ構造ではベースはＰ型で１ｘ１０19ｃｍ-3の高
濃度で電極金属との障壁も低いため比較的容易にコンタ
クトが取れるのに対しエミッタ、コレクタはＮ型でドー
ピング濃度も低い為、十分な合金化反応が必要となり、
オーミック形成のための熱処理によって電極金属表面に
合金化反応の不均一性などによりコンタクト抵抗にばら
つきが生じたり、凹凸が発生し非常に微細なＨＢＴを考
えた場合、フォトリソグラフィの際などにパターン形成
が困難になるという問題が生じる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では前記の問題点
を解決するためにエミッタとコレクタ電極の直下に選択
的にＩｎ組成が０．５以上のＩｎＧａＡｓ層を設けた構
造を用いる。またそのような構造を実現する製造方法に
ついて以下に示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板にＨＢＴ構造
を成長し、メサエッチングによりエミッタ、及びベース
領域を形成した後に全面に窒化シリコン膜、二酸化シリ
コン膜を順に形成し、エミッタ電極及びコレクタ電極の
形成される部分の窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜を
選択的に除去し、窓領域を形成する。ＭＯＣＶＤ法によ
り前記の窓領域に選択的にＩｎ組成が０．５以上のＩｎ
ＧａＡｓ層を成長し、さらにエミッタ、及びコレクタ電
極金属を全面に蒸着し、フッ酸系の溶液によりエッチン
グを行い、エミッタ、及びコレクタ電極以外の電極金属
を二酸化シリコン膜と共に除去し（リフトオフ）、エミ
ッタ、及びコレクタ電極を形成する。
を解決するためにエミッタとコレクタ電極の直下に選択
的にＩｎ組成が０．５以上のＩｎＧａＡｓ層を設けた構
造を用いる。またそのような構造を実現する製造方法に
ついて以下に示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板にＨＢＴ構造
を成長し、メサエッチングによりエミッタ、及びベース
領域を形成した後に全面に窒化シリコン膜、二酸化シリ
コン膜を順に形成し、エミッタ電極及びコレクタ電極の
形成される部分の窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜を
選択的に除去し、窓領域を形成する。ＭＯＣＶＤ法によ
り前記の窓領域に選択的にＩｎ組成が０．５以上のＩｎ
ＧａＡｓ層を成長し、さらにエミッタ、及びコレクタ電
極金属を全面に蒸着し、フッ酸系の溶液によりエッチン
グを行い、エミッタ、及びコレクタ電極以外の電極金属
を二酸化シリコン膜と共に除去し（リフトオフ）、エミ
ッタ、及びコレクタ電極を形成する。
【０００５】
【作用】前記のような構造では、ＩｎＧａＡｓは電極金
属との障壁が小さい為、合金化の為の熱処理を行なう必
要がないので電極金属の表面モホロジーを損なうことな
く低抵抗のオーミックコンタクトを形成する事が可能で
ある。またエミッタ、ベース領域形成後にエミッタ、コ
レクタ電極領域の窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜に
窓開けを行いエミッタのＮ型ＧａＡｓ及びコレクタのＮ
+ＧａＡｓ表面を露出させる。ＭＯＣＶＤによりＩｎＧ
ａＡｓの成長を行なう為、ＩｎＧａＡｓは窓開けをおこ
なったエミッタ、コレクタ電極領域にのみ選択的に成長
される。さらにそのまま電極金属を蒸着しリフトオフに
よりエミッタ、コレクタ電極領域にのみ電極を形成する
ことが可能である。その為以上のような方法によりエミ
ッタとコレクタのコンタクト抵抗を同時に低減可能とな
る。
属との障壁が小さい為、合金化の為の熱処理を行なう必
要がないので電極金属の表面モホロジーを損なうことな
く低抵抗のオーミックコンタクトを形成する事が可能で
ある。またエミッタ、ベース領域形成後にエミッタ、コ
レクタ電極領域の窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜に
窓開けを行いエミッタのＮ型ＧａＡｓ及びコレクタのＮ
+ＧａＡｓ表面を露出させる。ＭＯＣＶＤによりＩｎＧ
ａＡｓの成長を行なう為、ＩｎＧａＡｓは窓開けをおこ
なったエミッタ、コレクタ電極領域にのみ選択的に成長
される。さらにそのまま電極金属を蒸着しリフトオフに
よりエミッタ、コレクタ電極領域にのみ電極を形成する
ことが可能である。その為以上のような方法によりエミ
ッタとコレクタのコンタクト抵抗を同時に低減可能とな
る。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例をメサ型のｎｐｎ ＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ ＨＢＴの作製工程を図１〜４を用いて
説明する。１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はコレクタの
コンタクト抵抗を低減するための５ｘ１０18ｃｍ-3にＳ
ｉドーピングされた厚さ５０００Å程度の高濃度Ｎ型Ｇ
ａＡｓコレクタコンタクト層、３は５ｘ１０16ｃｍ-3に
Ｓｉドーピングされた厚さ３０００Å程度のＮ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、４は高濃度ＢｅまたはＣドープＰ型Ｇａ
Ａｓベース層であり通常１ー５Ｘ１０19ｃｍ-3厚さ１０
００Å程度としている。５は５ｘ１０17ｃｍ-3にＳｉド
ーピングされた厚さ５００Å程度Ａｌ組成０．３のＮ型
ＡｌＧａＡｓワイドギャップエミッタ層、６は５ｘ１０
18ｃｍ-3にＳｉドーピングされた厚さ１０００Å程度Ｎ
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層、１０はエミッタ電
極、１１はコレクタ電極、１２はベース電極である。ま
ず半絶縁性ＧａＡｓ基板上に高濃度Ｎ型ＧａＡｓコレク
タコンタクト層、Ｎ型ＧａＡｓコレクタ層、高濃度Ｐ型
ＧａＡｓベース層、Ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層、Ｎ型
ＧａＡｓエミッタコンタクト層をＭＢＥまたはＭＯＣＶ
Ｄ法によりエピタキシャル成長により順次形成しＨＢＴ
構造を形成する（ａ）。エミッタ領域となる部分を残し
エミッタ層をベース層表面まで選択的にエッチング除去
し（ｂ）、さらにエミッタ領域を含みかつベース領域お
よびベース電極が形成される領域を残し、ベース層、及
びコレクタ層を選択的にＮ型ＧａＡｓコレクタコンタク
ト層表面までエッチング除去する（ｃ）。次に全面に５
００Åの窒化シリコン膜８、３０００Åの二酸化シリコ
ン膜９を順に形成し（ｄ）、フォトリソグラフィーによ
りレジストをマスクにエミッタ電極及びコレクタ電極の
形成される部分の窒化シリコン膜をドライエッチングに
より、二酸化シリコン膜をフッ酸等により選択的に除去
し、窓領域を形成する（ｅ）。レジストの除去を行い酸
などを用いて成長前の表面処理を行いＭＯＣＶＤ装置に
導入しＭＯＣＶＤ法によりＩｎ組成が０．５以上のＩｎ
ＧａＡｓ層を成長する。ＭＯＣＶＤ法では二酸化シリコ
ン膜上にはＩｎＧａＡｓの成長または堆積は起こらずＧ
ａＡｓ表面が露出した前記の窓領域に選択的にＩｎＧａ
Ａｓの成長が起こる（ｆ）。さらにエミッタ、及びコレ
クタ電極となるＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕ金属を全面
に蒸着し（ｇ）、フッ酸系の溶液によりエッチングを行
い、エミッタ、及びコレクタ電極以外の電極金属を二酸
化シリコン膜と共に除去し、エミッタ、及びコレクタ電
極を形成する（ｈ）。次にフォトリソグラフィによりレ
ジストをマスクにベース電極形成部の窒化シリコン膜を
選択的に除去し全面にベース電極となるＣｒ／ＡｕＺｎ
／Ａｕを蒸着し、ベース電極以外の電極金属をレジスト
と共に除去しベース電極を形成し（ｉ）、エミッタ、ベ
ース、コレクタ領域を含む領域を残し、Ｎ型ＧａＡｓコ
レクタコンタクト層をエッチングにより除去し素子間分
離を行なう。
／ＡｌＧａＡｓ ＨＢＴの作製工程を図１〜４を用いて
説明する。１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はコレクタの
コンタクト抵抗を低減するための５ｘ１０18ｃｍ-3にＳ
ｉドーピングされた厚さ５０００Å程度の高濃度Ｎ型Ｇ
ａＡｓコレクタコンタクト層、３は５ｘ１０16ｃｍ-3に
Ｓｉドーピングされた厚さ３０００Å程度のＮ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、４は高濃度ＢｅまたはＣドープＰ型Ｇａ
Ａｓベース層であり通常１ー５Ｘ１０19ｃｍ-3厚さ１０
００Å程度としている。５は５ｘ１０17ｃｍ-3にＳｉド
ーピングされた厚さ５００Å程度Ａｌ組成０．３のＮ型
ＡｌＧａＡｓワイドギャップエミッタ層、６は５ｘ１０
18ｃｍ-3にＳｉドーピングされた厚さ１０００Å程度Ｎ
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層、１０はエミッタ電
極、１１はコレクタ電極、１２はベース電極である。ま
ず半絶縁性ＧａＡｓ基板上に高濃度Ｎ型ＧａＡｓコレク
タコンタクト層、Ｎ型ＧａＡｓコレクタ層、高濃度Ｐ型
ＧａＡｓベース層、Ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層、Ｎ型
ＧａＡｓエミッタコンタクト層をＭＢＥまたはＭＯＣＶ
Ｄ法によりエピタキシャル成長により順次形成しＨＢＴ
構造を形成する（ａ）。エミッタ領域となる部分を残し
エミッタ層をベース層表面まで選択的にエッチング除去
し（ｂ）、さらにエミッタ領域を含みかつベース領域お
よびベース電極が形成される領域を残し、ベース層、及
びコレクタ層を選択的にＮ型ＧａＡｓコレクタコンタク
ト層表面までエッチング除去する（ｃ）。次に全面に５
００Åの窒化シリコン膜８、３０００Åの二酸化シリコ
ン膜９を順に形成し（ｄ）、フォトリソグラフィーによ
りレジストをマスクにエミッタ電極及びコレクタ電極の
形成される部分の窒化シリコン膜をドライエッチングに
より、二酸化シリコン膜をフッ酸等により選択的に除去
し、窓領域を形成する（ｅ）。レジストの除去を行い酸
などを用いて成長前の表面処理を行いＭＯＣＶＤ装置に
導入しＭＯＣＶＤ法によりＩｎ組成が０．５以上のＩｎ
ＧａＡｓ層を成長する。ＭＯＣＶＤ法では二酸化シリコ
ン膜上にはＩｎＧａＡｓの成長または堆積は起こらずＧ
ａＡｓ表面が露出した前記の窓領域に選択的にＩｎＧａ
Ａｓの成長が起こる（ｆ）。さらにエミッタ、及びコレ
クタ電極となるＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕ金属を全面
に蒸着し（ｇ）、フッ酸系の溶液によりエッチングを行
い、エミッタ、及びコレクタ電極以外の電極金属を二酸
化シリコン膜と共に除去し、エミッタ、及びコレクタ電
極を形成する（ｈ）。次にフォトリソグラフィによりレ
ジストをマスクにベース電極形成部の窒化シリコン膜を
選択的に除去し全面にベース電極となるＣｒ／ＡｕＺｎ
／Ａｕを蒸着し、ベース電極以外の電極金属をレジスト
と共に除去しベース電極を形成し（ｉ）、エミッタ、ベ
ース、コレクタ領域を含む領域を残し、Ｎ型ＧａＡｓコ
レクタコンタクト層をエッチングにより除去し素子間分
離を行なう。
【０００７】
【発明の効果】以上、本発明の構造及び製造方法のＨＢ
Ｔによると合金化の為の熱処理を行なう必要がないノン
アロイオーミックのＩｎＧＡｓを用いており電極金属の
表面モホロジーを損なうことなく低抵抗のオーミックコ
ンタクトを形成する事が可能である為、集積化に伴う微
細加工が可能となる。またさらにそのまま電極金属を蒸
着しリフトオフによりエミッタ、コレクタ電極を同時に
形成することが可能であり作製工程を簡略化する事がで
きる。以上のような方法によりエミッタとコレクタのコ
ンタクト抵抗を同時に低減可能となる。
Ｔによると合金化の為の熱処理を行なう必要がないノン
アロイオーミックのＩｎＧＡｓを用いており電極金属の
表面モホロジーを損なうことなく低抵抗のオーミックコ
ンタクトを形成する事が可能である為、集積化に伴う微
細加工が可能となる。またさらにそのまま電極金属を蒸
着しリフトオフによりエミッタ、コレクタ電極を同時に
形成することが可能であり作製工程を簡略化する事がで
きる。以上のような方法によりエミッタとコレクタのコ
ンタクト抵抗を同時に低減可能となる。
【図１】本発明のＨＢＴの断面構造図
【図２】本発明のＨＢＴの第１の製造工程断面図
【図３】本発明のＨＢＴの第２の製造工程断面図
【図４】本発明のＨＢＴの第３の製造工程断面図
【図５】従来のＨＢＴの断面構造図
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ Ｎ型ＧａＡｓコレクタコンタクト層、 ３ Ｎ型ＧａＡｓコレクタ層 ４ Ｐ型ＧａＡｓベース層 ５ Ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層 ６ Ｎ型ＧａＡｓエミッタコンタクト層 ７ ＩｎＧａＡｓ層 ８ 窒化シリコン膜 ９ 二酸化シリコン膜 １０ エミッタ電極 １１ コレクタ電極 １２ ベース電極
Claims (2)
- 【請求項１】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に高濃度Ｎ型Ｇａ
Ａｓコレクタコンタクト層、Ｎ型コレクタ層、Ｐ型Ｇａ
Ａｓベース層、Ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層、Ｎ型Ｇａ
Ａｓエッミタコンタクト層を順次形成してからなるヘテ
ロバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極、及
びコレクタ電極直下にＩｎ組成が０．５以上のＩｎＧａ
Ａｓ層を有するヘテロバイポーラトランジスタ。 - 【請求項２】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に高濃度Ｎ型Ｇａ
Ａｓコレクタコンタクト層、Ｎ型ＧａＡｓコレクタ層、
Ｐ型ＧａＡｓベース層、Ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層、
Ｎ型ＧａＡｓエミッタコンタクト層をエピタキシャル成
長により順次形成した後にエミッタ領域となる部分を残
しエミッタ層をベース層表面まで選択的に除去し、さら
にエミッタ領域を含みかつベース領域およびベース電極
が形成される領域を残し、ベース層、及びコレクタ層を
選択的にＮ型ＧａＡｓコレクタコンタクト層表面まで除
去する工程と全面に窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜
を順に形成し、エミッタ電極及びコレクタ電極の形成さ
れる部分の窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜を選択的
に除去し、窓領域を形成し、有機金属化学気相堆積法
（ＭＯＣＶＤ法）により前記の窓領域に選択的にＩｎ組
成が０．５以上のＩｎＧａＡｓ層を成長し、さらにエミ
ッタ、及びコレクタ電極金属を全面に蒸着し、フッ酸系
の溶液によりエッチングを行い、エミッタ、及びコレク
タ電極以外の電極金属を二酸化シリコン膜と共に除去
し、エミッタ、及びコレクタ電極を形成する工程を有す
るヘテロバイポーラトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234589A JPH0575095A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234589A JPH0575095A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575095A true JPH0575095A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16973395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234589A Pending JPH0575095A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575095A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765242B1 (en) * | 2000-04-11 | 2004-07-20 | Sandia Corporation | Npn double heterostructure bipolar transistor with ingaasn base region |
| JP2004221501A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体材料及びそれを用いた半導体素子 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234589A patent/JPH0575095A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765242B1 (en) * | 2000-04-11 | 2004-07-20 | Sandia Corporation | Npn double heterostructure bipolar transistor with ingaasn base region |
| JP2004221501A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体材料及びそれを用いた半導体素子 |
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