JPH0618276B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシヨツトキバリア及び／又はｐｎ接合を含む高
耐圧半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

シヨツトキバリア半導体装置やｐｎ接合半導体装置の高
耐圧化構造として、フイールドプレート構造、フイール
ドリミツテイングリング構造あるいはこれらの組合せ構
造が広く採用されている。これらの高耐圧化構造は、主
たる整流障壁（シヨツトキバリアとｐｎ接合が代表的な
もの）の周辺部での耐圧を中央部での耐圧（いわゆるバ
ルク耐圧）に近づけることをねらつたものである。しか
し、長年に渡る多大な努力にもかかわらず、バルク耐圧
に近い耐圧を比較的簡単な構造及び製法のもとで安定か
つ確実に得ることには成功していない。

本願発明者等は、この問題を解決できる構造として、抵
抗性シヨツトキバリアフイールドプレート（Resistive
Schottky Barrier Field Plate、略してＲＥＳＰ）と呼
んでいる構造を提案し、シヨツトキバリア半導体装置に
適用したものを特願昭６２−３０７１９６として、ｐｎ
接合半導体装置に適用したものを特願昭６３−８０１７
３としてそれぞれ出願した。これらの出願の実施例にお
いて、ＲＥＳＰは半導体領域上に形成したＴi（チタ
ン）薄膜を酸化したチタン酸化物薄層で形成されてお
り、そのシート抵抗は全体的に均一である。ＲＥＳＰ構
造においては、逆電圧印加時にＲＥＳＰに逆電流が流れ
て電位勾配が形成され、この電位勾配によつて主たる整
流障壁の周縁部での電界集中が緩和され、バルク耐圧に
近い高耐圧が安定かつ確実に得られる。絶縁物の上部に
延在させたフイールドプレートを高抵抗層で形成した構
造、いわゆる抵抗性フイールドプレート構造が知られて
いる。ＲＥＳＰ構造はフイールドプレートを高抵抗層で
形成する点において従来の抵抗性フイールドプレート構
造と共通している。しかしＲＥＳＰ構造は、ＲＥＳＰが
半導体領域上に直接に接触してシヨツトキバリアを形成
している点に基づいて、高耐圧化、高温での耐圧特性の
安定性、信頼性のいずれの面でも従来の抵抗性フイール
ドプレート構造を大きく上回る好結果を得ることができ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

ＲＥＳＰ構造では、逆電圧印加時にＲＥＳＰの外周縁で
１次ブレークダウンと呼べるブレークダウン現象が発生
することが多い。この１次ブレークダウンに伴う逆電流
は、ＲＥＳＰの抵抗値による制限を受けて、耐圧低下を
持たらさない程度の微小電流に留まる。しかし、１次ブ
レークダウンは、逆電流レベルの増大を持たらすので、
望ましい現象ではない。

上述のような問題は、特公昭４９−４１４６３号公報に
記載されているように、ショットキバリア電極の周囲
に、テーパを有し且つショットキバリア効果を有する抵
抗層を形成することである程度解決される。

しかし、テーパを有する抵抗層を形成することは極めて
困難である。また、ショットキバリア電極と抵抗層とを
良好且つ容易に接続するために困難を伴なう。

そこで、本発明の目的は、逆電流を低減することができ
ると共に極めて容易に製造することができるＲＥＳＰ構
造の半導体装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明は、半導体領域と、
電極を備えて前記半導体領域との間に整流障壁を形成す
るための整流障壁形成手段と、前記電極を包囲するよう
に前記半導体領域上に配置され、かつ前記電極に電気的
に接続され、かつ前記電極のシート抵抗より大きい１０
ｋΩ／□以上のシート抵抗を有し、かつ前記半導体領域
との間にショットキバリアを生じさせるように形成され
ている第１の薄層と、前記第１の薄層を包囲するように
前記半導体領域上に配置され、かつ前記第１の薄層に電
気的に接続され、かつ前記第１の薄層より大きいシート
抵抗を有し、かつ前記半導体領域との間にショットキバ
リアを生じさせるように形成されている第２の薄層とを
備え、前記第１の薄層は金属酸化物の層から成り、前記
第２の薄層は前記第１の薄層と同一の金属酸化物の層か
ら成り、かつ前記第１の薄層と実質的に同一の厚さを有
し、かつ前記第１の薄層よりも強く酸化されていること
を特徴とする半導体装置に係わるものである。

なお、請求項２に示すようにショットキバリア半導体装
置を構成する場合には、ショットキバリア電極とＲＥＳ
Ｐとしての第１の薄層との接続を容易にし、かつ第１及
び第２の薄層の形成を容易にするために、ショットキバ
リア電極を第１及び第２の金属層とし、第１及び第２の
薄層と第１の金属層と同一の金属の酸化物とすることが
望ましい。

〔第１の実施例〕 本発明の第１の実施例に係わる高速整流用シヨツトキバ
リアダイオードを第１図〜第４図に基づいて説明する。

第１図及び第２図において、ＧaＡs（砒化ガリウム）か
ら成る半導体基板１は、ｎ⁺形領域２の上にエピキシヤ
ル成長により高抵抗のｎ形領域３を形成したものであ
る。ｎ⁺形領域２の厚さは約３００μｍ、不純物濃度は
約２×１０¹⁸cm^-3である。ｎ形領域３の厚さは約１５μ
ｍ、不純物濃度は約１．８×１０¹⁵cm^-3である。ｎ形領
域３の上面にはバリア電極４が形成されている。バリア
電極４は、厚さ約５０Å（０．００５μｍ）と極薄のＴ
i薄層５と、厚さ約２μｍのＡl（アルミニウム）層６と
から成る。バリア電極４を隣接かつ包囲するようにｎ形
領域３上に第１〜第４のチタン酸化物薄層７ａ〜７ｄが
順に形成されている。チタン酸化物薄層７ａ〜７ｄの厚
さは正確にはわからないが、Ｔi薄層５の厚さの１．５
倍程度であると思われる。チタン酸化物薄層７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄのシート抵抗は、それぞれ約１００ＭΩ
／□、約３００ＭΩ／□、約１０００ＭΩ／□、約５０
０００ＭΩ／□である。第１〜第３のチタン酸化物薄層
７ａ、７ｂ、７ｃはｎ形領域３との間にシヨツトキバリ
アを形成しており、前述のＲＥＳＰとして働く。第４の
チタン酸化物薄層７ｄは、ＲＥＳＰとしての働きも皆無
ではないように観察されるが、主として表面を安定化さ
せる絶縁膜であると考えられる。チタン酸化物薄層７ａ
〜７ｄを被覆する保護膜としてプラズマＣＤで成長させ
たシリコン酸化膜８が形成されている。チタン酸化物薄
層７ａ〜７ｄに対するシリコン酸化膜８の接着性は非常
に良好であり、チタン酸化物薄層７ｄを設けるのは表面
安定化とともにシリコン酸化膜８のはがれ防止のためで
ある。バリア電極４の上には、Ｔi層にＡl層を重ねた接
続用電極９がアノード電極として形成されている。な
お、第２図ではシリコン酸化膜８と接続用電極９が省略
されている。n⁺形領域２の下面には、Ａu（金）−Ｇe
（ゲルマニウム）合金層にＡAu層を重ねたオーミツク電
極１０がカソード電極として形成されている。オーミツ
ク電極１０を正、接続用電極９を負とする逆電圧を印加
したときの空乏層１１の拡がりの様子を第１図に破線で
模式的に描いている。第２図に示す各部の寸法を例示す
ると次の通りである。バリア電極４の幅ｅは約９００μ
ｍ、チタン酸化物薄層７ａ、７ｂ、７ｃの幅ａ、ｂ、ｃ
はそれぞれ約４０μｍ、約３０μｍ、約２０μｍ、チタ
ン酸化物薄層７ｃとｎ形領域３の端縁との幅ｄ（チタン
酸化物薄層７ｄの幅）は約１４０μｍである。

第３図(A)(B)は、チタン酸化物薄層７ａ〜７ｄを形成す
る方法を説明するためのものである。まず第３図(A)に
示すように、ｎ形領域３の上面にTi薄層１２とＡ層１３
が連続蒸着により形成され、Ａl層１３の一部をフオト
エツチング工程で除去する。これにより、チタン酸化物
薄層７ｄを形成すべき位置にTi薄層１２の一部が露出
し、Ｔi薄層１２の残部はＡl層１３によつて被覆されて
いる。

次に、空気中のような酸化雰囲気中で第１の熱処理を行
うと、第３図(B)に示すように、Ｔi薄層１２の露出部は
酸化されてチタン酸化物薄層７ｄとなる。Ｔi薄層の残
部１２ａは、Ａl層１３によつてマスクされているので
酸化されない。以下は図示しないが、同様の工程を繰り
返す。すなわち、Ａl層１３ａを除去した後に、第１の
熱処理よりも低温あるいは短時間として酸化程度を低く
した第２の熱処理を行い、チタン酸化物薄層７ｃを形成
する。更にＡl層１３ｂを除去した後に、第２の熱処理
よりも酸化程度を低くした第３の熱処理を行い、チタン
酸化物薄層７ｂを形成する。更にＡl層１３ｃを除去し
た後に、第３の熱処理よりも酸化程度を低くした第４の
熱処理を行い、チタン酸化物薄層７ａを形成する。最外
周の第４のチタン酸化物薄層７ｄは、第１の酸化処理を
Ｔi薄層が十分に酸化されるように行つているため、完
全な絶縁層と見なせるレベルのチタン酸化物になつてお
り、その組成はTiO₂に極めて近いと考えられる。第１、
第２及び第３のチタン酸化物薄層７ａ、７ｂ、７ｃは、
不完全に酸化されたチタン酸化物で、半絶縁層あるいは
高抵抗層と呼ぶのがふさわしいレベルのシート抵抗を有
する。換言すると、チタン酸化物薄層７ａ、７ｂ、７ｃ
は、酸素プアーなチタン酸化物TiO_x（ｘ＜２）であると
考えられる。なお、バリア電極４のシート抵抗は約０．
０５Ω／□、酸化前のＴi薄層１２のシート抵抗は約２
００Ω／□である。

第１図のシヨツトキバリアダイオードでは２００Ｖ以上
の耐圧（バルク耐圧にかなり近い高耐圧）が高い歩留り
で得られる。このシヨツトキバリアダイオードをスイツ
チング周波数１ＭHzの高周波スイツチングレギユレータ
の整流ダイオードとして使用したところ、極めて良好な
高速応答性が確認され、かつ整流ノイズの発生が極めて
少ないことも確認された。

第４図は、シヨツトキバリアダイオードの逆電圧−逆電
流特性を模式的に示すもので、曲線Ｉが本発明に従う第
１図のシヨツトキバリアダイオードのものである。曲線
Ｉでは、領域Ａで１次ブレークダウンが見られるが、こ
れによる逆電流の増加は少なく、高耐圧かつ低逆電流の
特性が得られている。曲線Ｉとして１次ブレークダウン
が微かに認められる例を示しているが、１次ブレークダ
ウンが全く認められないことも多い。第４図の曲線II、
IIIは比較のために示したもので、チタン酸化物薄層７
ａ、７ｂ、７ｃのシート抵抗値が同一の場合のものであ
る。曲線IIはチタン酸化物薄層のシート抵抗を低く設定
したときのもので、耐圧は曲線Ｉより少し劣る程度であ
るが、領域Ｂの１次ブレークダウンにより逆電流が大き
く増加している。曲線IIIはチタン酸化物薄層のシート
抵抗を高く設定したときのもので、１次ブレークダウン
は起こらないが、耐圧の低下が目立つ。このように、チ
タン酸化物薄層７ａ、７ｂ、７ｃのシート抵抗値が同一
である限り、このシート抵抗値をいかに調整しようと
も、曲線Ｉに匹敵するような高耐圧かつ低逆電流の特性
は得られない。

また、第４図の曲線IIに示すように、チタン酸化物薄層
７ａ、７ｂ、７ｃのシート抵抗が同一であつても、逆電
流は大きくなるものの、高耐圧は得られる。しかし、所
定の耐圧を得るのに必要なチタン酸化物薄層７ａ、７
ｂ、７ｃの幅（第２図のｂ＋ｃ＋ｄ）は、本発明に係わ
る曲線Ｉの場合よりかなり大きくなる。このように、本
発明に従うシヨツトキバリアダイオードは、半導体チツ
プの小形化を図ることができ、高価な半導体基板１の使
用量を削減してコストダウンを図ることができる。

〔第２実施例〕 次に、本発明の第２の実施例に係わる高速整流用シヨツ
トキバリアダイオードを第５図に基づいて説明する。た
だし、第５図及び後に説明する第６図において、第１図
と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略
する。

第５図のシヨツトキバリアダイオードでは、チタン酸化
物薄層のシート抵抗が３段階に変化している。すなわ
ち、チタン酸化物薄層７ｅ、７ｆ、７ｇのシート抵抗は
それぞれ約２００ＭΩ／□、約１０００ＭΩ／□、約５
００００ＭΩ／□である。ＲＥＳＰとしてのチタン酸化
物薄層はチタン酸化物薄層７ｅ及び７ｆで、チタン酸化
物薄層７ｇは第１図のチタン酸化物薄層７ｄと同じ役割
を果す。チタン酸化物薄層７ｅ、７ｆ、７ｇの幅はそれ
ぞれ約８０μｍ、約３０μｍ、約１４０μｍである。Ｔ
i薄層５ａ、５ｂはいずれもシート抵抗が約２００Ω／
□、幅が約２０μｍで、ｎ形領域３との間にシヨツトキ
バリアを形成している。Ｔi薄層５ａは、バリア電極４
に対する補助的バリア電極と見なせるもので、Ｔi薄層
５ａがチタン酸化物薄層７ｅとバリア電極４の間に介在
することにより、特に超高速動作次の耐圧特性が向上す
る。Ｔi薄層５ａに相当する補助的バリア電極のシート
抵抗は２０Ω／□〜１００kΩ／□が望ましい。チタン
酸化物薄層７ｅ、７ｆの間に介在するＴi薄層５ｂは、
実質的に等電位領域として働き、逆電圧印加時のチタン
酸化物薄層７ｅ、７ｆの電位分布を安定させ、高耐圧化
を確実なものとする。接続用電極９の外周部９ａは、チ
タン酸化物薄層７ｅの上部に延在してフイールドプレー
トとなつている。

なお、チタン酸化物薄層７ｅからＴi薄層５ｂにかけて
の部分では、シート抵抗がバリア電極４から遠ざかるに
つれて低くなる傾向を有する。しかし、チタン酸化物薄
層７ｅの内周縁からチタン酸化物薄層７ｆの外周縁まで
を全体的に見れば、バリア電極４から遠ざかるにつれて
シート抵抗が高くなる傾向を有する。ただし、Ｔi薄層
５ｂは、チタン酸化物薄層７ｅ、７ｆを電気的に接続す
るためのバリア電極と見なすのが妥当であり、ＲＥＳＰ
の一部と見るべきではない。

〔第３の実施例〕 第６図は、本発明の第３の実施例に係わる高速整流用シ
ヨツトキバリアダイオードを示すものである。この実施
例では、チアン酸化物薄層７ｈとチタン酸化物薄層７
ｉ、７ｊの２層構造によりシート抵抗を３段階に変化さ
せている。チタン酸化物薄層７ｈ、７ｉ、７ｊは、それ
ぞれシート抵抗が約２００ＭΩ／□、約１０００ＭΩ／
□、約５００００ＭΩ／□に形成されている。チタン酸
化物薄層７ｈ、７ｉが２層になつている部分は、幅が約
８０μｍで、そのシート抵抗はチタン酸化物薄層７ｈに
より決定されて約２００ＭΩ／□である。チタン酸化物
薄層７ｉの一層のみとなつている外周側は、幅が約３０
μｍで、そのシート抵抗は約１０００ＭΩ／□である。
チタン酸化物薄層７ｊの幅は約１４０μｍである。ＲＥ
ＳＰとしてのチタン酸化物薄層はチタン酸化物薄層７
ｈ、７ｉの部分で、チタン酸化物薄層７ｊは第１図のチ
タン酸化物薄層７ｄと同じ役割を果す膜である。Ｔi薄
層５ｄは、第５図のＴi薄層５ａと同様に耐圧特性の一
層の向上を図るためのものである。また、p⁺形領域１４
から成るガードリングを形成して、逆サージ耐量の向上
を図つている。接続用電極９の外周部９ａがフイールド
プレートとなつているのは第５図と同じである。

第１図及び第５図の実施例では、主たる整流障壁はバリ
ア電極によつて形成されるシヨツトキバリアのみであ
る。これに対して第６図の実施例では、p⁺形領域１４の
表面にはシヨツトキバリアは形成されないので、主たる
整流障壁は、バリア電極によつて形成されるシヨツトキ
バリアとガードリングによつて形成されるｐｎ接合とが
連続したものである。主たる整流障壁にチタン酸化物薄
層によつて形成されるシヨツトキバリアが連続している
構造は、第１図、第５図及び第６図に共通である。

〔第４の実施例〕 次に、本発明の第４の実施例に係わる整流用ｐｎ接合ダ
イオードを第７図及び第８図に基づいて説明する。

第７図及び第８図において、ＧaＡsから成る半導体基板
２１は、n⁺形領域２２の上にエピタキシヤル成長により
高抵抗のｎ形領域２３を形成したものである。n⁺形領域
２２の厚さは約３００μｍ不純物濃度は約２×１０¹⁸cm
^-3である。ｎ形領域２３の厚さは約１５μｍ、不純物濃
度は約１．８×１０¹⁵cm^-3である。ｎ形領域２３の中に
はＺn（亜鉛）の拡散によつてp⁺形領域２４が形成され
ている。p⁺形領域２４の深さは約３μｍで、p⁺形領域２
４の平均比抵抗はｎ形領域２３より著しく小さい。した
がつて、p⁺形領域２４とｎ形領域２３との間に形成され
るｐｎ接合２５に逆電圧が印加されると、ｐｎ接合２５
から伸びる空乏層は主としてｎ形領域２３に拡がる。p⁺
形領域２４の上面には、Ａu−Ｇe合金層にＡu層を重ね
たオーミツク電極２６がアノード電極として形成されて
いる。オーミツク電極２６が隣接かつ包囲するように半
導体基板２１上にＴi薄層２８、チタン酸化物薄層２７
ａ〜２７ｅが形成されている。チタン酸化物薄層２７ａ
〜２７ｅの上面は、プラズマＣＶＤにより形成したシリ
コン酸化膜２９で被覆されている。Ｔi薄層２８の厚さ
は約５０Ａ（０．００５μｍ）と極薄である。チタン酸
化物薄層２７ａ〜２７ｅの厚さは、正確にはわからない
が、Ｔi薄層２８の厚さの１．５倍程度であると思われ
る。チタン酸化物薄層２７ｅ、２７ａ、２７ｂ、２７
ｃ、２７ｄのシート抵抗は、それぞれ約１００ＭΩ／
□、約１００ＭΩ／□、約３００ＭΩ／□、約１０００
ＭΩ／□、約５００００ＭΩ／□である。このようにシ
ート抵抗に変化を持たせるには、第３図(A)(B)について
説明した方法と実質的に同じ方法で行う。チタン酸化物
薄層２７ａ、２７ｅは同一の酸化工程で形成したもの
で、内側のチタン酸化物薄層２７ｅはp⁺形領域２４の上
に配置されている部分であり、外側のチタン酸化物薄層
２７ａはｎ形領域２３の上に配置されている部分であ
る。Ｔi薄層２８とチタン酸化物薄層２７ｅは、p⁺形領
域２４とオーミツク接触に近い接触をしており、p⁺形領
域２４と共同してオーミツク電極２６とチタン酸化物薄
層２７ａを電気的に接続する役目を果している。n⁺形領
域２２の下面には、Ａu−Ｇe合金層にＡu層を重ねたオ
ーミツク電極３０がカソード電極として形成されてい
る。第８図に示す各部の寸法を例示すると次の通りであ
る。ｐｎ接合２５の幅ｅは約９００μｍ、チタン酸化物
薄層２７ａ、２７ｂ、２７ｃの幅ａ、ｂ、ｃはそれぞれ
約４０μｍ、約３０μｍ、約２０μｍ、チタン酸化物薄
層２７ｃとｎ形領域２３の端縁との幅ｅ（チタン酸化物
薄層２７ｄの幅）は約１４０μｍである。

チタン酸化物薄層２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、ＲＥＳＰ
として第１図のチタン酸化物薄層７ａ、７ｂ、７ｃと実
質的に同一の作用効果を発揮する。チタン酸化物薄層２
７ｄは、第１図のチタン酸化物薄層７ｄと同じ役割を果
す。また、オーミツク電極２６の外周部２６ａはフイー
ルドプレートとなつている。結果として、バルク耐圧に
かなり近いと思われる２００Ｖ以上の高耐圧が高い歩留
りで得られ、その耐圧特性は極めて安定である。逆電圧
−逆電流特性は、第４図の曲線Ｉと同様である。また、
チタン酸化物薄層２７ａ、２７ｂ、２７ｃのシート抵抗
を同一としてそのシート抵抗値を変化させたときの傾向
も、第４図の曲線II、IIIと同様である。したがつて、
本発明に従うｐｎ接合ダイオードは高耐圧化と同時に逆
電流の低減が図られている。また、半導体チツプの小形
化とこれに伴うコストダウンを図ることができる。な
お、ｐｎ接合ダイオードの場合でも、第５図及び第６図
と同様の高耐圧化構造を採用することができる。

〔変形例〕

本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。

(1)ＲＥＳＰとしての第１及び第２の薄層の領域のシー
ト抵抗は諸条件によつて効果的な範囲は変わるけれど
も、１０kΩ／□以上で効果が認められ、望ましくは１
０ＭΩ／□〜１００００ＭΩ／□に選ぶのが良い。

(2)第１及び第２の薄層領域のシート抵抗は、整流障壁
の端部からの距離に対して指数関数的に次第に高くなる
のが理想である。しかし、製造面を考慮すると、実用的
には２段〜４段程度に段階的にシート抵抗を変化させる
ことになる。

(3)第１及び第２の薄層領域としては、チタン酸化物薄
層が好適であるが、タンタル酸化物薄層等にすることも
できる。また、半導体領域上に被着された金属薄層を酸
化して形成した金属酸化物薄層を第１及び第２の薄層領
域として使用するのが便利であるが、金属酸化物の蒸着
やスパツタリングで形成した金属酸化物薄層を使用して
もよい。

(4)第１図のチタン酸化物薄層７ｄ及びこれに相当する
他の実施例のチタン酸化物薄層が形成されていることに
より、チタン酸化物薄層７ｃ等の外周縁での１次ブレー
クダウンが起こり難くなり、高耐圧化と逆電流低減を両
立させる上で好都合である。しかし、チタン酸化物薄層
７ｄ等を除去しても、本発明の効果は十分に認められ
る。

(5)ガードリング、フイールドプレート、フイールドリ
ミツテイングリング等の高耐圧化構造と組合せることも
できる。

(6)従来、高耐圧化が困難であつたＧaＡs、ＩnＰ（燐化
インジウム）等のIII−Ｖ族化合物半導体を使用する半
導体装置に本発明を適用すれば、顕著な効果が得られる
が、本発明はシリコン半導体装置にも適用可能である。

(7)集積回路中に形成した半導体装置に適用してもよい
し、実施例とは半導体領域の導電型を反対とする半導体
装置に適用することもできる。

〔発明の効果〕

請求項１及び２の発明は次の効果を有する。

（イ）第１及び第２の薄層が同一の金属酸化物の酸化の
度合に依存して異なるシート抵抗を有するように形成さ
れているので、シート抵抗の異なる第１及び第２の薄層
を容易に得ることができる。

（ロ）第１及び第２の薄層を同一の金属酸化物で構成す
るので、両者の電気的接続を良好且つ確実に達成するこ
とができる。

また、請求項２の発明においては、更に次の効果を有す
る。

（ハ）ショットキバリア電極が第１及び第２の金属層と
され、第１及び第２の薄層が第１の金属層と同一の金属
の酸化物層とされているので、ショットキバリア電極と
第１の薄層との接続を良好且つ確実に達成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わるシヨツトキバリ
アダイオードを示す断面図、 第２図は第１図の接続電極とシリコン酸化膜とを省いて
シヨツトキバリアダイオードを示す平面図、 第３図(A)(B)は第１図のシヨツトキバリアダイオードの
製造方法を工程順に示す断面図、 第４図は第１図のシヨツトキバリアダイオードと２つの
比較例のシヨツトキバリアダイオードの逆電圧−逆電流
特性を示す図、 第５図は本発明の第２の実施例に係わるシヨツトキバリ
アダイオードを示す断面図、 第６図は本発明の第３の実施例に係わるシヨツトキバリ
アダイオードを示す断面図、 第７図は本発明の第４の実施例に係わるｐｎ接合ダイオ
ードを示す断面図、 第８図は第７図の電極とシリコン酸化膜を省いたｐｎ接
合ダイオードの平面図である。 ３……ｎ形領域、４……バリア電極、７ａ，７ｂ，７
ｃ，７ｄ……チタン酸化物薄層、９……接続電極、１１
……空乏層、２３……ｎ形領域、２４……p⁺形領域、２
６……オーミツク電極、２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７
ｄ……チタン酸化物薄層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体領域と、 電極を備えて前記半導体領域との間に整流障壁を形成す
   るための整流障壁形成手段と、 前記電極を包囲するように前記半導体領域上に配置さ
   れ、かつ前記電極に電気的に接続され、かつ前記電極の
   シート抵抗より大きい１０ｋΩ／□以上のシート抵抗を
   有し、かつ前記半導体領域との間にショットキバリアを
   生じさせるように形成されている第１の薄層と、 前記第１の薄層を包囲するように前記半導体領域上に配
   置され、かつ前記第１の薄層に電気的に接続され、かつ
   前記第１の薄層より大きいシート抵抗を有し、かつ前記
   半導体領域との間にショットキバリアを生じさせるよう
   に形成されている第２の薄層とを備え、 前記第１の薄層は金属酸化物の層から成り、 前記第２の薄層は前記第１の薄層と同一の金属酸化物の
   層から成り、かつ前記第１の薄層と実質的に同一の厚さ
   を有し、かつ前記第１の薄層よりも強く酸化されている
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】前記整流障壁形成手段は、前記半導体領域
   の上に形成されたショットキバリアを生じさせることが
   できるショットキバリア電極であり、 前記ショットキバリア電極が前記半導体領域上に形成さ
   れた第１の金属層と前記第１の金属層の上に形成された
   第２の金属層とを有し、 前記第１及び第２の薄層は前記第１の金属層と同一の金
   属の酸化物層であることを特徴とする請求項１記載の半
   導体装置。