JPH0620123B2

JPH0620123B2 - 多孔性有機半導体

Info

Publication number: JPH0620123B2
Application number: JP60058602A
Authority: JP
Inventors: 静邦矢田; 之規羽藤; 拓司大崎; 和朗桜井
Original assignee: Kanebo Ltd
Current assignee: Kanebo Ltd
Priority date: 1985-03-25
Filing date: 1985-03-25
Publication date: 1994-03-16
Anticipated expiration: 2009-03-16
Also published as: JPS61218640A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は多孔性有機半導体に関する。更に詳しくは、フ
エノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物とアル
デヒド類との縮合物である芳香族系縮合ポリマーの熱処
理物である多孔性有機半導体に関する。

〔従来の技術〕

高分子材料は成型性、軽量性および量産性に優れてい
る。そのため高分子材料のこれらの特性を生かして、電
気的に半導性を有する有機高分子材料がエレクトロニク
ス産業を始めとして多くの産業分野において希求されて
いる。初期の有機半導体はフイルム状あるいは板状体等
に成形することが困難であり、又ｎ型あるいはｐ型の不
純物半導体としての性質を有していなかつたため、用途
的にも限定されていた。

近年、比較的成形性に優れた有機半導体が得られる様に
なり、しかもこれらの半導体に電子供与性ドーパントあ
るいは電子受容性ドーパントをドーピングすることによ
つてｎ型あるいはｐ型の有機半導体とすることが可能と
なつた。そのような有機半導体の代表例として、ポリア
セチレンがある。この有機半導体は約１０^−５（Ω−c
m）^−１の電気伝導度を有しているが、Ｉ₂、ＡｓＦ₅等
の電子受容性ドーパントあるいはＬｉ、Ｎａ等の電子供
与性ドーパントをドーピングすることによつて電気伝導
度を大巾に向上させることができ、１０²〜１０³（Ω−
cm）^-1の伝導度が得られている。ところがポリアセチレ
ンは酸素によつて酸化され易い欠点がある。このため空
気中で取り扱うことが困難であり、工業材料としては実
用性に欠ける。

また、本願と同一出願人の出願にかかる特開昭５８−１
３６，６４９号公報には、（Ａ）炭素、水素および酸素
から成る芳香族系縮合ポリマーの熱処理物であつて、水
素原子／炭素原子の原子比が０．６０〜０．１５のポリ
アセン系骨格構造を含有する不溶不融性基体と、（Ｂ）
電子供与性ドーピング剤又は電子受容性ドーピング剤と
から成り、（Ｃ）電気伝導性が未ドープの該基体よりも
大である電気伝導性有機高分子系材料が開示されてい
る。上記不溶不融性基体は、耐熱性耐酸化性に優れてお
り、しかも上記のとおり電子供与性ドーピング剤あるい
は電子受容性ドーピング剤によつてドーピングが可能で
あり、ｐ型あるいはｎ型の性質を示す有機半導体を与え
る。しかしながら、上記公開公報には多孔性基体あるい
は多孔性有機半導体に関しては何んら記載されていな
い。

一方、耐熱性、耐薬品性に優れた連通気孔を有する多孔
体としてはセラミツク多孔体あるいは炭素多孔体が知ら
れており、材を始めとして多くの工業分野で使用され
ている。

しかしながら、耐熱性、耐薬品性に優れた多孔性有機半
導体は、ハイテクノロジー時代の今日、社会的ニーズが
非常に大きいにもかかわらず、未だ開発されていない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は多孔性有機半導体を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は耐熱性および耐酸化性に優れた多孔
性有機半導体を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、電子受容性ドーパントおよ
び／または電子供与性ドーパントを迅速に且つ均一にド
ーピングしうる多数の連通孔を有する有機半導体を提供
することにある。

本発明のさらに他の目的は、電子受容性ドーパントおよ
び／または電子受容性ドーパントをドーピングした有機
半導体を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、フイルム状、板状等の形態
にある多孔性有機半導体を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、各種化学反応あるいは物理
的吸着等を生じ易い、微細な連通孔を持つた有機半導体
を提供することにある。

本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明
らかとなろう。

〔問題点を解決するための手段および作用〕

本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、フエノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物とア
ルデヒド類との縮合物である芳香族系縮合ポリマーの熱
処理物であつて、 (a) 水素原子／炭素原子の原子比が０．６〜０．０５
であるポリアセン系骨格構造を有し、そして (b) 平均孔径１０μｍ以下の連通孔を持ち、 (c) 多数の連通孔を介して３次元網目構造を示す、ことを特徴とする多孔性有機半導体によつて達成され
る。

本発明における芳香族系縮合ポリマーは、フエノール性
水酸基を有する芳香族炭化水素化合物とアルデヒド類と
の縮合物である。かかる芳香族炭化水素化合物として
は、例えばフエノール、クレゾール、キシレノールの如
きいわゆるフエノール類が好適であるが、これに限られ
ない。例えば下記式ここで、ｘおよびｙはそれぞれ独立に、０、１又は２で
ある、で表わされるメチレン−ビス・フエノール類であること
ができ、あるいはヒドロキシ−ビフエニル類、ヒドロキ
シナフタレン類であることもできる。これらのうち、実
用的にはフエノール類特にフエノールが好適である。

本発明における芳香族系縮合ポリマーとしては、さらに
フエノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物の１
部をフエノール性水酸基を有さない芳香族炭化水素化合
物例えばキシレン、トルエン等で置換した変性芳香族系
ポリマー例えばフエノールとキシレンとホルムアルデヒ
ドとの縮合物である変性芳香族系ポリマーを用いること
もできる。

またアルデヒドとしてはホルムアルデヒドのみならず、
アセトアルデヒド、フルフラールの如きその他のアルデ
ヒドも使用することができるが、ホルムアルデヒドが好
適である。フエノール・ホルムアルデヒド縮合物として
は、ノボラツク型又はレゾール型或はそれらの複合物の
いずれであつてもよい。

本発明の多孔性有機半導体は、上記の如き芳香族系縮合
ポリマーの熱処理物であつて例えば次のようにして製造
することができる。

フエノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物又は
フエノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物とフ
エノール性水酸基を有さない芳香族炭化水素化合物およ
びアルデヒド類の初期縮合物を準備し、この初期縮合物
と無機塩とを含む水溶液を調製し、この水溶液を適当な
型に流し込み、次いで水分の蒸発を抑止しつつ該水溶液
を加熱して該型内で例えば板状、フイルム状あるいは円
筒状等の形態に硬化し且つ変換し、その後この硬化体を
洗浄して該硬化体に含有される無機塩を除去し、次いで
得られた多孔性硬化縮合体を非酸化性雰囲気中で４００
〜８００℃の温度まで加熱し熱処理する。

初期縮合物と共に用いる上記無機塩は後の工程で除去さ
れ硬化体に連通孔を付与するために用いられる孔形成剤
であり、例えば塩化亜鉛、リン酸ナトリウム、水酸化カ
リウムあるいは硫化カリウム等である。これらのうち塩
化亜鉛が特に好ましく用いられる。無機塩は、初期縮合
物の例えば２．５〜１０重量倍の量で用いることができ
る。下限より少ない量では連通孔を有する多孔性硬化体
が得難くまた上限より多い量では最終的に得られる熱処
理物の機械的強度が低下する傾向が大きくなり望ましく
ない。初期縮合物と無機塩の水溶液は、使用する無機塩
の種類によつても異なるが例えば無機塩の０．１〜１重
量倍の水を用いて調製することができる。かくして、例
えば１００，０００〜１００センチポイズの粘度を有す
る水溶液は適当な型に流し込まれ、例えば５０〜２００
℃の温度に加熱される。この加熱の際、水溶液中の水分
の蒸発を抑止するのが肝要である。すなわち、水溶液中
において初期縮合物は加熱を受けて徐々に硬化し、塩化
亜鉛、水と分離しながら３次元網目構造に成長するもの
と考えられる。

得られた硬化体を水あるいは希塩酸等で十分に洗浄する
ことによつて、硬化体中に含まれる無機塩を除去するこ
とができる。無機塩を除去したのち乾燥すると連通孔の
発達した多孔性硬化縮合体を得ることができる。

かくして得られた多孔性硬化縮合体は、次いで非酸化性
雰囲気（真空状態も含む）中で４００〜８００℃の温
度、好ましくは４５０〜７５０℃の温度、特に好ましく
は５００〜７００℃の温度まで加熱され、熱処理され
る。

熱処理の際の好ましい昇温速度は、使用する芳香族系縮
合ポリマー、又はその硬化処理の程度あるいはその形状
等によつて多少相違するが、一般に室温から３００℃程
度の温度までは比較的大きな昇温速度とすることが可能
であり例えば１００℃／時間の速度とすることも可能で
ある。３００℃以上の温度になると、該芳香族系縮合ポ
リマーの熱分解が開始し、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）、水素、メ
タン、一酸化炭素の如きガスが発生し始めるため、充分
に遅い速度で昇温せしめるのが有利である。

芳香族系縮合ポリマーのかかる加熱、熱処理は、非酸化
性雰囲気下において行なわれる。非酸化性雰囲気は、例
えば窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素等
であり、窒素が好ましく用いられる。かかる非酸化性雰
囲気は静止していても流動していてもさしつかえない。

かくして、上記加熱、熱処理により、水素原子／炭素原
子の原子比（以下、Ｈ／Ｃ比という）が０．６〜０．０
５、好ましくは０．５〜０．１５のポリアセン系骨格構
造を有し、且つ平均孔径１０μｍ以下の連通孔例えば平
均孔径０．０３〜１０μｍの連通孔を持つ、本発明の多
孔性有機半導体が得られる。本発明の多孔性有機半導体
は不溶不融性である。また、酸素原子／炭素原子の原子
比（Ｏ／Ｃの比）は通常０．０６以下、好ましくは０．
０３以下である。また、Ｘ線回折（ＣｕＯ_α）によれ
ば、メイン・ピークの位置は２θで表わして２０．５〜
２３．５゜の間に存在し、また該メイン・ピークの他に
４１〜４６゜の間にブロードな他のピークが存在する。
また、赤外線吸収スペクトルによれば、Ｄ（＝Ｄ₂₉₀₀〜
₂₉₄₀／Ｄ₁₅₆₀〜₁₆₄₀）の吸光度比は通常０．５以下、好
ましくは０．３以下である。

すなわち、上記不溶不融性基体は、ポリアセン系のベン
ゼンの多環構造がポリアセン系分子間に均一且つ適度に
発達したものであると理解される。

本発明によれば、上記不溶不融性基体に電子供与性ドー
パント又は電子受容性ドーパントあるいはこれらの両方
のドーパントをドーピングした多孔性有機半導体が同様
に提供される。

すなわち、本発明によれば、（Ａ）フエノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合
物とアルデヒド類との縮合物である芳香族系縮合ポリマ
ーの熱処理物であつて、(a)水素原子／炭素原子の原子
比が0.6〜0.05であるポリアセン系骨格構造を有しそし
て(b)平均孔径１０μｍ以下の連通孔を持ち、（ｃ）多
数の連通孔を介して３次元網目構造を示す多孔性不溶不
融性基体、および（Ｂ）電子供与体ドーパント及び／または電子受容性ド
ーパントから成ることを特徴とする多孔性有機半導体が提供され
る。

電子供与性ドーパントとしては電子を離し易い物質が用
いられる。例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ル
ビジウムあるいはセシウムの如き周期律表の第１Ａ族金
属が好ましく用いられる。

電子供与性ドーパントとしては、同様に、テトラ（Ｃ₁
〜Ｃ₄アルキル）アンモニウムカチオン例えば（ＣＨ₃）
₄Ｎ^＋あるいは（Ｃ₄Ｈ₉）₄Ｎ^＋を用いることができる。

また、電子受容性ドーパントとしては電子を受け取り易
い物質が用いられる。例えばフツ素、塩素、臭素、沃素
の如きハロゲン；ＡｓＦ₅，ＰＦ₅，ＢＦ₃，ＢＣｌ₃，Ｂ
Ｂｒ₃，ＦｅＣｌ₃の如きハロゲン化合物；ＳＯ₃あるい
はＮ₂Ｏ₅の如き非金属元素の酸化物；あるいはＨ₂Ｓ
Ｏ₄，ＨＮＯ₃又はＨＣｌＯ₄の如き無機酸に由来する陰
イオン等が好ましく用いられる。

かかるドーパントのドーピング方法としては、ポリアセ
チレンあるいはポリフエニレンについて従来用いられて
いるドーピング法と本質的に同じ方法を使用することが
できる。

例えば、ドーパントがアルカリ金属の場合には、溶融し
たアルカリ金属あるいはアルカリ金属の蒸気と不溶不融
性基体と接触せしめてドーピングすることができ、また
例えばテトラヒドロフラン中で生成せしめたアルカリ金
属ナフタレン錯体と不溶不融性基体とを接触せしめてド
ーピングすることもできる。

ドーパントがハロゲン、ハロゲン化合物あるいは非金属
元素の酸化物である場合にはこれらのガスを不溶不融性
基体と接触せしめることにより、容易にドーピングを行
うことができる。

ドーピング剤が無機酸に由来する陰イオンである場合に
は、無機酸を不溶不融性基体に直接塗布あるいは含浸せ
しめることによつて行うことができる。

また、不溶不融性基体を電極としてセツトし、電気化学
的に、リチウム、ナトリウム等の電子供与性ドーパント
あるいはＣｌＯ₄ ^-，ＢＦ₄ ^-等の電子受容性ドーパントを
ドーピングすることも可能である。

上記の如く、本発明の不溶不融性基体は連通孔を有する
多孔体であるため、上記の如きガス状ドーパントあるい
は溶液中のドーパントの拡散を容易とし、迅速に且つ均
一なドーピングを可能とする優れた利点を有する。

ドーピング剤は、一般に芳香族系縮合ポリマーの繰返し
単位に対して１０^−５モル以上の割合で、得られる本発
明の有機半導体に存在するように用いられる。

かくして得られる本発明の有機半導体は、ドーピング前
の不溶不融性基体の電気伝導度（例えば１０^-12〜１０²
Ω^−１・cm^-1）よりも高い電気伝導度、例えばドーピン
グ前の不溶不融性基体よりも数倍ないし１０¹⁰倍に増大
する。電子供与性ドーパントをドーピングしたときには
ｎ型半導体を与え、電子受容性ドーパントをドーピング
したときにはｐ型半導体を与える。本発明によればドー
パントとして電子供与性ドーパントと電子受容性ドーパ
ントとを一緒に用いることもできる。これらのドーパン
トが本発明の多孔性有機半導体にほぼ均一に混在する場
合にはいずれか一方の多く存在する方のドーパントによ
つてｐ型又はｎ型となる。例えば、電子供与性ドーパン
トが多く存在する場合にはｎ型となり、電子受容性ドー
パントが多く存在する場合にはｐ型となる。

〔発明の作用・効果〕

本発明の多孔性有機半導体は耐熱性、耐酸化性に優れて
おり、またフイルム状、板状、円筒状等任意の形状とす
る事が可能なため実用性の高い材料である。

本発明の多孔性有機半導体は、ポリアセン系骨格構造を
有する不溶不融性基体が連通孔を介して３次元網目状構
造を採つているため、該連通孔を通して流体が細部まで
自由に出入りし易い。連通孔の平均孔径は１０μｍ以下
と微細であり、孔径の揃つたすなわち孔径分布のシヤー
プな多孔体である。また平均孔径が０．１μｍと極めて
微細な多孔体から平均孔径が１０μｍ程度の多孔体まで
を得ることが出来るため、用途に応じて使い分けること
が可能である。

本発明の多孔性有機半導体の微細な連通孔を利用して、
界面で生じる各種の化学反応を迅速に進めることも可能
であり、例えば電池の電極材等に好適に用いられる。ま
た各種の物理的吸着もスムーズにしかも均一に生じるた
め、半導体としての性質と合俟つて、Ｈ₂Ｏ，Ｏ₂等のガ
スの吸着によつても若干の電気伝導度の変化を生じる。
そのためセンサー材として好適に用いることができる、本発明の多孔性有機半導体の見掛け密度は、通常０．３
〜０．８ｇ／cm³である。換言すれば気孔率の高い多孔
体から比較的気孔率の低い多孔体まで、本発明の多孔性
有機半導体に包含される。多孔体の機械的強度は見掛け
密度によつて変わるが、例えば０．３ｇ／cm³の本発明
多孔体でも実用上、十分な強度を有している。また本発
明の多孔性有機半導体はポリアセン系骨格構造を有した
不溶不融性基体からなつているため、耐薬品性に優れて
おりしかも微細な連通気孔を有しているので過酷な条件
下で使用する材としても好適である。

以上の様に本発明の多孔性有機半導体は耐熱性、耐酸化
性に優れ、しかも微細な連通気孔を有しているため電子
受容性あるいは電子供与性ドーパントが迅速にしかも均
一にドーピングできる有機半導体であり、また機械的強
度に優れたフイルム状、板状等の任意の形状を採りうる
ため、多方面に応用出来る産業上有用な材料である。

なお、本明細書において、連通孔の平均孔径は次のよう
にして測定されまた定義される。

試料について、例えば１０００〜１０，０００倍で電子
顕微鏡写真を撮影する。この写真に任意の直線を引き、
その直線と交叉する孔の数をｎとすると、平均孔径
（）は下記式により算出される。

ここで、ｌｉは直線が交叉する孔で切断される長さであ
り、はｎ個の孔についての該切断される長さの和であり、ｎ
は該直線と交叉する孔の数である、但しｎは１０以上の
値をとるものとする。

以下実施例によつて詳述する。

実施例１ (1) 水溶性レゾール（約６０％濃度）／塩化亜鉛／水
を重量比で１０／２５／４の割合で混合した水溶液をフ
イルムアプリケーターでガラス板上に成膜した。次に成
膜した水溶液上にガラス板を被せ水分が蒸発しないよう
にして約１００℃の温度で１時間加熱して硬化させた。
得られた硬化フイルムを希塩酸で洗浄した後、水洗し次
に乾燥させることによつて約２００μｍ厚のフイルム状
のフエノール樹脂硬化多孔体を得た。

該フエノール樹脂硬化多孔体をシリコニツト電化炉中に
入れ窒素気流中で４０℃／時間の速度で昇温して、６０
０℃まで熱処理を行い、不溶不融性のフイルム状多孔体
を得た。該多孔体の電気伝導度を直流４端子法で測定し
たところ、１０^−７（Ωcm）^−１であつた。また見掛け
密度は０．４０ｇ／cm³であり、機械的強度に優れたフ
イルムであつた。また該フイルムについて元素分析を行
つたところ水素原子／炭素原子の原子比は０．３４であ
つた。またＸ線回折から得られたピークの形状はポリア
セン系骨格構造に基因するパターンであり、２θで２０
〜２４゜付近にブロードなメインピークが存在し、また
４１〜４６゜付近に小さなピークが確認された。

次に該フイルム状半導体の気孔状態を観察するため、フ
イルム断面の電子顕微鏡写真を撮影した。第１図に示
す。第１図から明らかなように、３次元網目状構造で、
１０μｍ以下の微細な連通気孔を有する多孔体であつ
た。

(2) 次に脱水したテトラヒドロフラン、ナフタレン及
び金属ナトリウムを用いてナトリウムナフタレートのテ
トラヒドロフラン溶液を作成した。ドライボツクス中に
て、この溶液に上記したフイルム状半導体を浸漬し、室
温にも約１時間ドーピングした。その後脱水したテトラ
ヒドロフランにて洗浄した後、減圧下で約１０時間乾燥
した。乾燥試料の電気伝導度は約１０^−１（Ω・cm）
^−１であつた。

実施例２〜５ (1) 実施例１と同様にして得た約２００μ厚のフイル
ム状のフエノール樹脂硬化多孔体をシリコニツト電気炉
にて、窒素気流下約３０℃／時間の速度で昇温して第１
表に示した種々の所定温度まで加熱し、熱処理を行つ
た。得られた多孔性半導体フイルムについて元素分析、
電気伝導度の測定を行つた。結果を第１表に示す。

(2) 次にこれらの半導体フイルムを真空ライン中に入
れ、真空度を約１０^−２トールとした後、室温にてヨウ
素ガスをラインに導入し、ドーピングを約１０分間行つ
た。この時の電気伝導度を第１表に示す。

これらヨウ素がドーピングされたフイルム状試料の断面
についてＥＰＭＡ（エレクトロン・マイクロン・アナラ
イザー）でヨウ素の分布状態を調べたところ均一に分布
していることがわかつた。

ヨウ素のドーピングによつて電気伝導度が大巾に増加し
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多孔性有機半導体フイルムの断面の粒
子構造（多孔質構造）の電顕写真である。写真中、右下
に示す棒線の長さは５μである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭57−207329（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−69234（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フエノール性水酸基を有する芳香族炭化水
素化合物とアルデヒド類との縮合物である芳香族系縮合
ポリマーの熱処理物であつて、（ａ）水素原子／炭素原子の原子比が０．６〜０．０
５であるポリアセン系骨格構造を有し、（ｂ）平均孔径１０μｍ以下の連通孔を持ち、そして（ｃ）多数の連通孔を介して３次元網目構造を示す、ことを特徴とする多孔性有機半導体。
【請求項２】芳香族系縮合ポリマーがフエノールとホル
ムアルデヒドとの縮合物である特許請求の範囲第１項に
記載の多孔性有機半導体。
【請求項３】水素原子／炭素原子の原子比が０．５〜
０．１５である特許請求の範囲第１項に記載の多孔性有
機半導体。
【請求項４】平均孔径０．０３〜１０μｍの多数の連通
孔を持つ特許請求の範囲第１項に記載の多孔性有機半導
体。
【請求項５】酸素原子（Ｏ）／炭素原子（Ｃ）の原子比
が０．０６以下であるポリアセン系骨格構造を有する、
特許請求の範囲第１項に記載の多孔性有機半導体。
【請求項６】多孔性有機半導体がフイルム、板、繊維又
はそれらの複合体である特許請求の範囲第１項に記載の
多孔性有機半導体。
【請求項７】（Ａ）フエノール性水酸基を有する芳香族
炭化水素化合物とアルデヒド類との縮合物である芳香族
系縮合ポリマーの熱処理物であつて、（ａ）水素原子／
炭素原子の原子比が０．６〜０．０５であるポリアセン
系骨格構造を有し（ｂ）平均孔径１０μｍ以下の連通孔
を持ち、そして（ｃ）多数の連通孔を介して３次元網目
構造を示す多孔性不溶不融性基体、および（Ｂ）電子供与体ドーパント及び／または電子受容性ド
ーパントから成ることを特徴とする多孔性有機半導体。
【請求項８】上記多孔性不溶不融性基体（Ａ）の電気伝
導性よりも大きい電気伝導性を示す特許請求の範囲第７
項に記載の多孔性有機半導体。
【請求項９】電子供与性ドーパントがリチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムを含む第１Ａ
族金属である特許請求の範囲第７項に記載の多孔性有機
半導体。
【請求項１０】電子供与性ドーパントがテトラ（Ｃ₁〜
Ｃ₅低級アルキル）アンモニウムカチオンである特許請
求の範囲第７項に記載の多孔性有機半導体。
【請求項１１】電子受容性ドーパントがＡｓＦ₅、Ｐ
Ｆ₅、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃、ＦｅＣｌ₃の如きハロ
ゲン化物である特許請求の範囲第７項に記載の多孔性有
機半導体。
【請求項１２】電子受容性ドーパントがフツ素、塩素、
臭素、ヨウ素の如きハロゲンである特許請求の範囲第７
項に記載の多孔性有機半導体。
【請求項１３】電子受容性ドーパントがＳＯ₃あるいは
Ｎ₂Ｏ₅の如き非金属元素の酸化物又はＨ₂ＳＯ₄、ＨＮＯ
₃あるいはＨＣｌＯ₄の如き無機酸に由来する陰イオンで
ある特許請求の範囲第７項に記載の多孔性有機半導体。