JPH06201605A - 外観検査装置 - Google Patents
外観検査装置Info
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- JPH06201605A JPH06201605A JP1790493A JP1790493A JPH06201605A JP H06201605 A JPH06201605 A JP H06201605A JP 1790493 A JP1790493 A JP 1790493A JP 1790493 A JP1790493 A JP 1790493A JP H06201605 A JPH06201605 A JP H06201605A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学特性の異なる二種以上の素材からなる物
品の外観を連続的に検査することができる装置を提供す
る。 【構成】 被検査物（Ｔ）を走査して所定のアナログ信
号を出力するラインイメージセンサ（１）を設け、アナ
ログ信号をディジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変
換手段（２）を設ける。Ａ／Ｄ変換手段（２）から出力
されるディジタル信号を微分処理して該当材質部の境界
を検出するとともに、当該材質部との対応関係を基に特
徴データを出力する高速プロセッサ（３）を設ける。特
徴データを当該材質部との対応関係を基に記憶する記憶
部（４）を設ける。記憶部（４）に記憶した特徴データ
から該当材質部における外観の適否を判定する判定手段
（５）を設ける。
品の外観を連続的に検査することができる装置を提供す
る。 【構成】 被検査物（Ｔ）を走査して所定のアナログ信
号を出力するラインイメージセンサ（１）を設け、アナ
ログ信号をディジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変
換手段（２）を設ける。Ａ／Ｄ変換手段（２）から出力
されるディジタル信号を微分処理して該当材質部の境界
を検出するとともに、当該材質部との対応関係を基に特
徴データを出力する高速プロセッサ（３）を設ける。特
徴データを当該材質部との対応関係を基に記憶する記憶
部（４）を設ける。記憶部（４）に記憶した特徴データ
から該当材質部における外観の適否を判定する判定手段
（５）を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面実装型のチップコン
デンサ，チップ抵抗，チップサーミスタ，その他ＬＣ複
合部品等のチップ状電子・電気部品、表面の光学特性が
異なる二種以上の素材より構成される電子・電気部品，
機械部品，医薬品，食品等を対象とした外観検査装置に
関する。
デンサ，チップ抵抗，チップサーミスタ，その他ＬＣ複
合部品等のチップ状電子・電気部品、表面の光学特性が
異なる二種以上の素材より構成される電子・電気部品，
機械部品，医薬品，食品等を対象とした外観検査装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、対象物品の外観を検査する装置と
して図９に示す装置が知られている。この装置は同図に
示すように、対象物品（６）を搬送する搬送装置（７）
と、搬送される対象物品（６）を撮像するＣＣＤライン
センサカメラ（１ａ）と、このＣＣＤラインセンサカメ
ラ（１ａ）からの画像データを処理するＡ／Ｄ変換手段
（２ａ）、高速プロセッサ（３ａ）、記憶部（４ａ）、
判定手段（５ａ）とから構成される。
して図９に示す装置が知られている。この装置は同図に
示すように、対象物品（６）を搬送する搬送装置（７）
と、搬送される対象物品（６）を撮像するＣＣＤライン
センサカメラ（１ａ）と、このＣＣＤラインセンサカメ
ラ（１ａ）からの画像データを処理するＡ／Ｄ変換手段
（２ａ）、高速プロセッサ（３ａ）、記憶部（４ａ）、
判定手段（５ａ）とから構成される。
【０００３】そして、まず、前記ＣＣＤラインセンサカ
メラ（１ａ）は対象物品の移動方向に対して直角な方向
に一定周期で走査し、生波形であるアナログ信号をＡ／
Ｄ変換手段（２ａ）へ出力する。そして、このＡ／Ｄ変
換手段（２ａ）は入力されたアナログ信号の特徴データ
のみを抽出し、前記高速プロセッサ（３ａ）に出力す
る。尚、特徴データのみを抽出するのは、生波形である
アナログ信号全般に対して画像解析を行うと、膨大なデ
ータを処理する必要があり、又、処理に時間を要する結
果、装置としての処理能力が不足するという理由による
ものである。また、ここで抽出される特徴データは、１
走査ライン中に何度微分が起きたかという微分回数、そ
の微分がＣＣＤラインセンサのどのセル付近で起こった
かを知るアドレス、検査対象物の電圧レベルをディジタ
ル値に変換したピーク色レベル、ある一定色レベル値の
範囲にタイマークロックがいくら入るかによる幅測定値
である。
メラ（１ａ）は対象物品の移動方向に対して直角な方向
に一定周期で走査し、生波形であるアナログ信号をＡ／
Ｄ変換手段（２ａ）へ出力する。そして、このＡ／Ｄ変
換手段（２ａ）は入力されたアナログ信号の特徴データ
のみを抽出し、前記高速プロセッサ（３ａ）に出力す
る。尚、特徴データのみを抽出するのは、生波形である
アナログ信号全般に対して画像解析を行うと、膨大なデ
ータを処理する必要があり、又、処理に時間を要する結
果、装置としての処理能力が不足するという理由による
ものである。また、ここで抽出される特徴データは、１
走査ライン中に何度微分が起きたかという微分回数、そ
の微分がＣＣＤラインセンサのどのセル付近で起こった
かを知るアドレス、検査対象物の電圧レベルをディジタ
ル値に変換したピーク色レベル、ある一定色レベル値の
範囲にタイマークロックがいくら入るかによる幅測定値
である。
【０００４】そして高速プロセッサ（３ａ）はＣＰＵ
（中央処理装置）、検査物特有の処理手順が書き込まれ
たＲＯＭ（リードオンリーメモリー）、一時記憶用のＲ
ＡＭ（ランダムアクセスメモリー）、Ｉ／Ｏポートから
構成されるが、１走査ラインごとに前記Ａ／Ｄ変換手段
（２ａ）より出力されてくるデータを加工処理し、対象
物品全体としてのデータファイルを作成する。尚、ここ
にいう加工処理としては幅データを全て加算して面積値
としたり、アドレス値の最大値，最小値を見つけ出した
りする処理がある。
（中央処理装置）、検査物特有の処理手順が書き込まれ
たＲＯＭ（リードオンリーメモリー）、一時記憶用のＲ
ＡＭ（ランダムアクセスメモリー）、Ｉ／Ｏポートから
構成されるが、１走査ラインごとに前記Ａ／Ｄ変換手段
（２ａ）より出力されてくるデータを加工処理し、対象
物品全体としてのデータファイルを作成する。尚、ここ
にいう加工処理としては幅データを全て加算して面積値
としたり、アドレス値の最大値，最小値を見つけ出した
りする処理がある。
【０００５】ついで、高速プロセッサ（３ａ）によって
作られたデータファイルは記憶部（４ａ）に出力され、
ファイル書込み終了信号をＩ／Ｏポートによって判定手
段（５ａ）に出力する。この判定手段（５ａ）は前記高
速プロセッサ（３ａ）同様ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ｉ
／Ｏポートから構成されるが、該判定手段（５ａ）は対
象物品全体についてのデータファイルを前記記憶部（４
ａ）より読み出し、予め設定されている基準値とデータ
ファイル中の各項目を比較してその良否を判定する。
作られたデータファイルは記憶部（４ａ）に出力され、
ファイル書込み終了信号をＩ／Ｏポートによって判定手
段（５ａ）に出力する。この判定手段（５ａ）は前記高
速プロセッサ（３ａ）同様ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ｉ
／Ｏポートから構成されるが、該判定手段（５ａ）は対
象物品全体についてのデータファイルを前記記憶部（４
ａ）より読み出し、予め設定されている基準値とデータ
ファイル中の各項目を比較してその良否を判定する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の装置には以下に説明するような不都合があった。
即ち、従来の装置は対象物品の表面全体が同一の素材で
できていることを前提にしたものであり、対象物品の表
面が光学特性の異なる二種以上の素材からなる場合に
は、前記判定手段（５ａ）における判定のための基準値
を素材に対応させたものにその都度変更する必要があ
り、連続的な外観検査ができないのである。
従来の装置には以下に説明するような不都合があった。
即ち、従来の装置は対象物品の表面全体が同一の素材で
できていることを前提にしたものであり、対象物品の表
面が光学特性の異なる二種以上の素材からなる場合に
は、前記判定手段（５ａ）における判定のための基準値
を素材に対応させたものにその都度変更する必要があ
り、連続的な外観検査ができないのである。
【０００７】本発明は以上の実情に鑑みなされたもので
あって、光学特性の異なる二種以上の素材からなる物品
であっても、これを連続的に検査することのできる外観
検査装置の提供を目的とする。
あって、光学特性の異なる二種以上の素材からなる物品
であっても、これを連続的に検査することのできる外観
検査装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、少なくとも二種以上の材質からなる被検査
物を連続的に走行せしめて、被検査物の外観等を検査す
る装置であって、前記被検査物を走査して所定のアナロ
グ信号を出力するラインイメージセンサと、該アナログ
信号をディジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換手
段と、該Ａ／Ｄ変換手段から出力されるディジタル信号
を微分処理して該当材質部の境界を検出するとともに、
当該材質部との対応関係を基に特徴データを出力する高
速プロセッサと、該特徴データを当該材質部との対応関
係を基に記憶する記憶部と、該記憶部に記憶した特徴デ
ータから該当材質部における外観の適否を判定する判定
手段から構成したことを要旨とする。
の本発明は、少なくとも二種以上の材質からなる被検査
物を連続的に走行せしめて、被検査物の外観等を検査す
る装置であって、前記被検査物を走査して所定のアナロ
グ信号を出力するラインイメージセンサと、該アナログ
信号をディジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換手
段と、該Ａ／Ｄ変換手段から出力されるディジタル信号
を微分処理して該当材質部の境界を検出するとともに、
当該材質部との対応関係を基に特徴データを出力する高
速プロセッサと、該特徴データを当該材質部との対応関
係を基に記憶する記憶部と、該記憶部に記憶した特徴デ
ータから該当材質部における外観の適否を判定する判定
手段から構成したことを要旨とする。
【０００９】
【作用】上記構成の装置によれば、ラインイメージセン
サから出力された被検査物走査後のアナログ信号がＡ／
Ｄ変換手段によりディジタル信号に変換されて高速プロ
セッサに入力される。高速プロセッサでは入力されたデ
ィジタル信号から該当材質部の境界を検出するととも
に、当該材質部との関係を対応づけた特徴データを記憶
部に入力する。ついで判定手段は該当材質部における特
徴データから同部の外観の適否を判定する。
サから出力された被検査物走査後のアナログ信号がＡ／
Ｄ変換手段によりディジタル信号に変換されて高速プロ
セッサに入力される。高速プロセッサでは入力されたデ
ィジタル信号から該当材質部の境界を検出するととも
に、当該材質部との関係を対応づけた特徴データを記憶
部に入力する。ついで判定手段は該当材質部における特
徴データから同部の外観の適否を判定する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面に基
づいて説明する。図１は本発明装置の概要を示す説明図
であるが同図に示すように、実施例装置は対象物品
（Ｔ）を搬送する搬送装置（Ｈ）と、搬送される対象物
品（Ｔ）を撮像するＣＣＤラインセンサカメラ（１）
と、このＣＣＤラインセンサカメラ（１）の撮像データ
を処理するＡ／Ｄ変換手段（２）、高速プロセッサ
（３）、記憶部（４）、判定手段（５）とからなる装置
である。以下、各部の詳細について説明する。
づいて説明する。図１は本発明装置の概要を示す説明図
であるが同図に示すように、実施例装置は対象物品
（Ｔ）を搬送する搬送装置（Ｈ）と、搬送される対象物
品（Ｔ）を撮像するＣＣＤラインセンサカメラ（１）
と、このＣＣＤラインセンサカメラ（１）の撮像データ
を処理するＡ／Ｄ変換手段（２）、高速プロセッサ
（３）、記憶部（４）、判定手段（５）とからなる装置
である。以下、各部の詳細について説明する。
【００１１】前記搬送装置（Ｈ）は対象物品（Ｔ）を前
記ＣＣＤラインセンサカメラ（１）の撮像位置まで安定
して搬送できるものであればどのような手段でもよく、
ベルトコンベア，回転テーブル等が考えられる。
記ＣＣＤラインセンサカメラ（１）の撮像位置まで安定
して搬送できるものであればどのような手段でもよく、
ベルトコンベア，回転テーブル等が考えられる。
【００１２】前記ＣＣＤラインセンサカメラ（１）は公
知のものであり、これを対象物品（Ｔ）の搬送方向に対
して直角な方向に走査して撮像データを得るように配設
している。
知のものであり、これを対象物品（Ｔ）の搬送方向に対
して直角な方向に走査して撮像データを得るように配設
している。
【００１３】前記高速プロセッサ（３）はＣＰＵ（中央
処理装置）、ＲＯＭ（リード・オン・メモリ）、ＲＡＭ
（ランダム・アクセス・メモリ）、Ｉ／Ｏポートからな
り、該ＲＯＭにはＡ／Ｄ変換手段（２）からのデータを
加工処理するプログラムが格納されており、このプログ
ラムに従って加工処理したデータを対象物品（Ｔ）の素
材ごとの特徴データとして記憶部（４）に出力する。
処理装置）、ＲＯＭ（リード・オン・メモリ）、ＲＡＭ
（ランダム・アクセス・メモリ）、Ｉ／Ｏポートからな
り、該ＲＯＭにはＡ／Ｄ変換手段（２）からのデータを
加工処理するプログラムが格納されており、このプログ
ラムに従って加工処理したデータを対象物品（Ｔ）の素
材ごとの特徴データとして記憶部（４）に出力する。
【００１４】前記記憶部（４）は対象物品（Ｔ）の素材
ごとの特徴データファイル（電極Ａ部特徴データファイ
ル，セラミック部特徴データファイル，電極Ｂ部特徴デ
ータファイル）を備え、これに該当の特徴データを格納
する。
ごとの特徴データファイル（電極Ａ部特徴データファイ
ル，セラミック部特徴データファイル，電極Ｂ部特徴デ
ータファイル）を備え、これに該当の特徴データを格納
する。
【００１５】前記判定手段（５）は前記高速プロセッサ
（３）と同様ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ｉ／Ｏポートか
らなり、ＲＯＭに格納したプログラムにより対象物品
（Ｔ）の外観の良否を判定する。
（３）と同様ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ｉ／Ｏポートか
らなり、ＲＯＭに格納したプログラムにより対象物品
（Ｔ）の外観の良否を判定する。
【００１６】次に以上の構成を備える実施例装置の作動
について説明する。
について説明する。
【００１７】まず具体的検査対象物について説明する
と、図２に示すように、この例における検査対象物は中
央のセラミック部（Ｔ１）と、その両端部の半田で形成
される電極Ａ部（Ｔ２）、電極Ｂ部（Ｔ３）とからなる
チップコンデンサ（Ｔ）である。
と、図２に示すように、この例における検査対象物は中
央のセラミック部（Ｔ１）と、その両端部の半田で形成
される電極Ａ部（Ｔ２）、電極Ｂ部（Ｔ３）とからなる
チップコンデンサ（Ｔ）である。
【００１８】そしてまず、このチップコンデンサ（Ｔ）
を前記搬送装置（Ｈ）により前記ＣＣＤラインセンサカ
メラ（１）の撮像位置まで搬送し、このＣＣＤラインセ
ンサカメラ（１）によりこれを撮像する。
を前記搬送装置（Ｈ）により前記ＣＣＤラインセンサカ
メラ（１）の撮像位置まで搬送し、このＣＣＤラインセ
ンサカメラ（１）によりこれを撮像する。
【００１９】前記ＣＣＤラインセンサカメラ（１）は図
２に示すように、一定周期ごとに矢示Ｆ方向に走査して
チップコンデンサ（Ｔ）を撮像し、チップコンデンサ
（Ｔ）の搬送（矢示Ｅ方向）に伴ってその全体を撮像す
る。
２に示すように、一定周期ごとに矢示Ｆ方向に走査して
チップコンデンサ（Ｔ）を撮像し、チップコンデンサ
（Ｔ）の搬送（矢示Ｅ方向）に伴ってその全体を撮像す
る。
【００２０】そして前記Ａ／Ｄ変換手段（２）は前記Ｃ
ＣＤラインセンサカメラ（１）からのアナログデータを
受けてこれの特徴のみをデジタル値に変換して前記高速
プロセッサ（３）に出力する。尚、デジタル変換する特
徴データは、前述のＣＣＤラインセンサカメラ（１）の
一走査におけるアナログデータを微分処理して得られる
微分波形の発生個数（以下、微分個数という）、この微
分波形を生じる走査方向のアドレス値（以下、微分アド
レス値という）、クロックカウンタから得られるチップ
コンデンサの幅データ（Ｇ）（図３）、アナログ波形の
ピーク値をデジタル化した値（以下、色レベルという）
である。そして前述の通り走査ラインごとの各特徴デー
タを前記高速プロセッサ（３）に出力する。
ＣＤラインセンサカメラ（１）からのアナログデータを
受けてこれの特徴のみをデジタル値に変換して前記高速
プロセッサ（３）に出力する。尚、デジタル変換する特
徴データは、前述のＣＣＤラインセンサカメラ（１）の
一走査におけるアナログデータを微分処理して得られる
微分波形の発生個数（以下、微分個数という）、この微
分波形を生じる走査方向のアドレス値（以下、微分アド
レス値という）、クロックカウンタから得られるチップ
コンデンサの幅データ（Ｇ）（図３）、アナログ波形の
ピーク値をデジタル化した値（以下、色レベルという）
である。そして前述の通り走査ラインごとの各特徴デー
タを前記高速プロセッサ（３）に出力する。
【００２１】ついで前記高速プロセッサ（３）はこの入
力を受け、走査ライン・アドレスと対応づけて、前記特
徴データたる微分個数，微分アドレス値，幅データ，色
レベルをＲＡＭに格納し、ＣＰＵはＲＯＭに格納したプ
ログラムに従って処理を行い、前記チップコンデンサ
（Ｔ）のセラミック部（Ｔ１），電極Ａ部（Ｔ２），電
極Ｂ部（Ｔ３）との境界を判定するとともに、当該各部
ごとの特徴データファイルを作成し、これを前記記憶部
（４）の対応する各特徴データファイルに入力する。
力を受け、走査ライン・アドレスと対応づけて、前記特
徴データたる微分個数，微分アドレス値，幅データ，色
レベルをＲＡＭに格納し、ＣＰＵはＲＯＭに格納したプ
ログラムに従って処理を行い、前記チップコンデンサ
（Ｔ）のセラミック部（Ｔ１），電極Ａ部（Ｔ２），電
極Ｂ部（Ｔ３）との境界を判定するとともに、当該各部
ごとの特徴データファイルを作成し、これを前記記憶部
（４）の対応する各特徴データファイルに入力する。
【００２２】そして、判定手段（５）はＲＯＭに格納し
たプログラムに従い、前記記憶部（４）の各特徴データ
ファイルに格納した特徴データを基に該当部の外観の良
否を判定する。
たプログラムに従い、前記記憶部（４）の各特徴データ
ファイルに格納した特徴データを基に該当部の外観の良
否を判定する。
【００２３】次に、前述した境界判定処理及び各部ファ
イル作成処理について説明する。
イル作成処理について説明する。
【００２４】前記ＲＡＭに記憶した各走査ラインごとの
色レベルを連続的に示すと図３に示す如き波形となる。
同図に示すように、金属の光沢を有する電極Ａ（Ｔ
２），電極Ｂ（Ｔ３）は色レベルが高く、光沢のない灰
緑色のセラミック部（Ｔ１）は色レベルが低くなってい
る。そして、この波形を微分処理（即ち、隣接走査ライ
ン間における色レベルの差を算出する処理をいい、以下
差分処理という）すると図４に示す如き波形となる。同
図から分るように、電極Ａ（Ｔ２），電極Ｂ（Ｔ３）と
セラミック部（Ｔ１）との境界で差分値が大きくなって
いる。
色レベルを連続的に示すと図３に示す如き波形となる。
同図に示すように、金属の光沢を有する電極Ａ（Ｔ
２），電極Ｂ（Ｔ３）は色レベルが高く、光沢のない灰
緑色のセラミック部（Ｔ１）は色レベルが低くなってい
る。そして、この波形を微分処理（即ち、隣接走査ライ
ン間における色レベルの差を算出する処理をいい、以下
差分処理という）すると図４に示す如き波形となる。同
図から分るように、電極Ａ（Ｔ２），電極Ｂ（Ｔ３）と
セラミック部（Ｔ１）との境界で差分値が大きくなって
いる。
【００２５】この境界判定処理はこの点に着目して行う
のであるが、図４に示すように、基準値としてＡレベル
値，Ｂレベル値，Ｃレベル値，Ｄレベル値を設定し、算
出した差分値がどの範囲にあるかによって境界を判定す
るのである。尚、ここにＡレベル値及びＢレベル値は、
これを超えると確実に境界であると認定し得る値であ
り、また、Ｃレベル値，Ｄレベル値は変動の許容範囲と
認め得る値であって、各値は完全な良品のチップコンデ
ンサ（Ｔ）をサンプルとして適宜に設定する。
のであるが、図４に示すように、基準値としてＡレベル
値，Ｂレベル値，Ｃレベル値，Ｄレベル値を設定し、算
出した差分値がどの範囲にあるかによって境界を判定す
るのである。尚、ここにＡレベル値及びＢレベル値は、
これを超えると確実に境界であると認定し得る値であ
り、また、Ｃレベル値，Ｄレベル値は変動の許容範囲と
認め得る値であって、各値は完全な良品のチップコンデ
ンサ（Ｔ）をサンプルとして適宜に設定する。
【００２６】以下、境界判定処理及び各部ファイル作成
処理の詳細について説明する。まず、ＣＰＵはＲＡＭに
記憶した走査ラインごとの色レベルデータから、隣接走
査ライン間における色レベルデータの差分値（以下、単
に差分値という）を算出し、これを走査ライン・アドレ
ス（以下、単にアドレスという）に対応づけてＲＡＭに
格納する。ついで、この差分値データに基づいてＣＰＵ
は図５乃至図８に示す処理を実施する。
処理の詳細について説明する。まず、ＣＰＵはＲＡＭに
記憶した走査ラインごとの色レベルデータから、隣接走
査ライン間における色レベルデータの差分値（以下、単
に差分値という）を算出し、これを走査ライン・アドレ
ス（以下、単にアドレスという）に対応づけてＲＡＭに
格納する。ついで、この差分値データに基づいてＣＰＵ
は図５乃至図８に示す処理を実施する。
【００２７】まず、図５に示すメインプログラムによる
処理について説明する。同図に示すように、この処理で
はまず、チップコンデンサ（Ｔ）を検知したか否かを判
別する（ステップＳ１）。即ち、ＲＡＭに格納した第１
番目のアドレスから順にそのアドレスにおける色レベル
データがあるか否かを判別する。そしてチップコンデン
サ（Ｔ）を検知した場合にはステップＳ２に進み、検知
していない場合にはステップＳ８に進む。
処理について説明する。同図に示すように、この処理で
はまず、チップコンデンサ（Ｔ）を検知したか否かを判
別する（ステップＳ１）。即ち、ＲＡＭに格納した第１
番目のアドレスから順にそのアドレスにおける色レベル
データがあるか否かを判別する。そしてチップコンデン
サ（Ｔ）を検知した場合にはステップＳ２に進み、検知
していない場合にはステップＳ８に進む。
【００２８】ステップＳ２では“Ａ１ＦＬＧ”（電極Ａ
のファイルの作成を終了したか否かを示すフラグであ
り、“Ａ１ＦＬＧ”が１のとき電極Ａのファイルの作成
を終了している。）が１か０かを判別し、“Ａ１ＦＬ
Ｇ”が０のときステップＳ３に進み、１のときステップ
Ｓ５に進む。ステップＳ３では電極Ａファイル作成プロ
グラムを実行し、ステップＳ４において、“ＥＮＤＦＬ
Ｇ”（チップコンデンサが検出されたか否かを示すフラ
グであり、“ＥＮＤＦＬＧ”が１のときチップコンデン
サが検出されている。）を１に設定する。
のファイルの作成を終了したか否かを示すフラグであ
り、“Ａ１ＦＬＧ”が１のとき電極Ａのファイルの作成
を終了している。）が１か０かを判別し、“Ａ１ＦＬ
Ｇ”が０のときステップＳ３に進み、１のときステップ
Ｓ５に進む。ステップＳ３では電極Ａファイル作成プロ
グラムを実行し、ステップＳ４において、“ＥＮＤＦＬ
Ｇ”（チップコンデンサが検出されたか否かを示すフラ
グであり、“ＥＮＤＦＬＧ”が１のときチップコンデン
サが検出されている。）を１に設定する。
【００２９】また、ステップＳ５では“Ａ２ＦＬＧ”
（セラミック部のファイルの作成を終了したか否かを示
すフラグであり、“Ａ２ＦＬＧ”が１のときセラミック
部のファイルの作成を終了している。）が１か０かを判
別し、“Ａ２ＦＬＧ”が０のときステップＳ６に進み、
１のときステップＳ７に進む。そして、夫々ステップＳ
６ではセラミック部ファイル作成プログラムを実行し、
ステップＳ７では電極Ｂファイル作成プログラムを実行
する。ついでステップＳ４，Ｓ６又はＳ７を終了した
後、ステップＳ１に戻る。
（セラミック部のファイルの作成を終了したか否かを示
すフラグであり、“Ａ２ＦＬＧ”が１のときセラミック
部のファイルの作成を終了している。）が１か０かを判
別し、“Ａ２ＦＬＧ”が０のときステップＳ６に進み、
１のときステップＳ７に進む。そして、夫々ステップＳ
６ではセラミック部ファイル作成プログラムを実行し、
ステップＳ７では電極Ｂファイル作成プログラムを実行
する。ついでステップＳ４，Ｓ６又はＳ７を終了した
後、ステップＳ１に戻る。
【００３０】一方、ステップＳ８では前記“ＥＮＤＦＬ
Ｇ”が０か１かを判別し、１のときステップＳ９に進
み、０のときステップＳ１に戻る。ステップＳ９では作
成した電極Ａ（Ｔ２），電極Ｂ（Ｔ３），セラミック部
（Ｔ１）の各ファイルを前記記憶部（４）へ出力する。
ついで、ステップＳ１０において判定手段（５）へ出力
完了信号を出力し、ついでステップＳ１１において“Ａ
１ＦＬＧ”，“Ａ２ＦＬＧ”，“ＥＮＤＦＬＧ”を０ク
リアした後、ステップＳ１に戻る。
Ｇ”が０か１かを判別し、１のときステップＳ９に進
み、０のときステップＳ１に戻る。ステップＳ９では作
成した電極Ａ（Ｔ２），電極Ｂ（Ｔ３），セラミック部
（Ｔ１）の各ファイルを前記記憶部（４）へ出力する。
ついで、ステップＳ１０において判定手段（５）へ出力
完了信号を出力し、ついでステップＳ１１において“Ａ
１ＦＬＧ”，“Ａ２ＦＬＧ”，“ＥＮＤＦＬＧ”を０ク
リアした後、ステップＳ１に戻る。
【００３１】而して、この処理では第１番目のアドレス
から順に順次アドレスを更新しつつそのアドレスにおけ
る色レベルデータがあるか否かを判別し（ステップＳ
１）、色レベルデータが存在するアドレスを検知後は電
極Ａファイル作成プログラム、セラミックファイル作成
プログラム、電極Ｂファイル作成プログラムを順次実行
し（ステップＳ３，Ｓ６，Ｓ７）、ついで、作成した各
ファイルを判定手段へ出力する。
から順に順次アドレスを更新しつつそのアドレスにおけ
る色レベルデータがあるか否かを判別し（ステップＳ
１）、色レベルデータが存在するアドレスを検知後は電
極Ａファイル作成プログラム、セラミックファイル作成
プログラム、電極Ｂファイル作成プログラムを順次実行
し（ステップＳ３，Ｓ６，Ｓ７）、ついで、作成した各
ファイルを判定手段へ出力する。
【００３２】次に、図６に示す電極Ａファイル作成処理
について説明する。この処理ではまず、“ＩＮＴＡＦＬ
Ｇ”が１であるか０であるかを判別し、１であればステ
ップＳ２４に進み、０であればステップＳ２２に進む。
ステップＳ２２ではカウンタＫを０に、パラメータＭの
値を所定の値に設定する。尚、このカウンタＫ及びパラ
メータＭは境界の誤判定を防止するためのものである。
ついで前記“ＩＮＴＡＦＬＧ”を１に設定し（ステップ
Ｓ２３）、ステップＳ２４に進む。
について説明する。この処理ではまず、“ＩＮＴＡＦＬ
Ｇ”が１であるか０であるかを判別し、１であればステ
ップＳ２４に進み、０であればステップＳ２２に進む。
ステップＳ２２ではカウンタＫを０に、パラメータＭの
値を所定の値に設定する。尚、このカウンタＫ及びパラ
メータＭは境界の誤判定を防止するためのものである。
ついで前記“ＩＮＴＡＦＬＧ”を１に設定し（ステップ
Ｓ２３）、ステップＳ２４に進む。
【００３３】ステップＳ２４では対応するアドレスの差
分値を読み込み、ついでステップＳ２５では“ＬＶＥＬ
Ａ”が１であるか０であるかを判別し、１であればステ
ップＳ２６に進み、０であればステップＳ２７に進む。
ステップＳ２７では差分値のデータが負であるか又は０
以上であるかを判別し、負である場合にはステップＳ２
９に進み、０以上である場合にはステップＳ２８に進
む。
分値を読み込み、ついでステップＳ２５では“ＬＶＥＬ
Ａ”が１であるか０であるかを判別し、１であればステ
ップＳ２６に進み、０であればステップＳ２７に進む。
ステップＳ２７では差分値のデータが負であるか又は０
以上であるかを判別し、負である場合にはステップＳ２
９に進み、０以上である場合にはステップＳ２８に進
む。
【００３４】ステップＳ２８では差分値がＡレベル値を
超えたかどうかを判別し、Ａレベル値を超えた場合には
ステップＳ３０において“ＬＶＥＬＡ”を１に設定した
後ステップＳ３９に進み、Ａレベル値を超えない場合に
は、直ちにステップＳ３９に進む。
超えたかどうかを判別し、Ａレベル値を超えた場合には
ステップＳ３０において“ＬＶＥＬＡ”を１に設定した
後ステップＳ３９に進み、Ａレベル値を超えない場合に
は、直ちにステップＳ３９に進む。
【００３５】一方、ステップＳ２９では差分値がＢレベ
ル値を超えたかどうかを判別し、Ｂレベル値を超えた場
合にはステップＳ３１において“ＬＶＥＬＢ”を１に設
定した後ステップＳ３９に進み、Ｂレベル値を超えない
場合には直ちにステップＳ３９に進む。
ル値を超えたかどうかを判別し、Ｂレベル値を超えた場
合にはステップＳ３１において“ＬＶＥＬＢ”を１に設
定した後ステップＳ３９に進み、Ｂレベル値を超えない
場合には直ちにステップＳ３９に進む。
【００３６】また、ステップＳ２６では“ＬＶＥＬＢ”
が１であるか０であるかを判別し、１であればステップ
Ｓ３２に進み、０であればステップＳ２７に進む。ステ
ップＳ３２では差分値が負であるか又は０以上であるか
を判別し、負である場合にはステップＳ３７に進み、０
以上であればステップＳ３３に進む。ステップＳ３３で
は更に差分値がＣレベル値以下であるか否かを判別し、
Ｃレベル値よりも大きい場合にはステップＳ３８におい
てカウンタＫを０クリアした後ステップＳ３９に進む。
一方、Ｃレベル値以下の場合にはステップＳ３９におい
てカウンタＫに１を加算した後、ステップＳ３４におい
てカウンタＫがパラメータＭの値以上か否かを判別し、
Ｋ≧Ｍであれば直ちにステップＳ３９に進み、Ｋ＜Ｍで
あればステップＳ３６において“Ａ１ＦＬＧ”を１に設
定した後ステップＳ３９に進む。
が１であるか０であるかを判別し、１であればステップ
Ｓ３２に進み、０であればステップＳ２７に進む。ステ
ップＳ３２では差分値が負であるか又は０以上であるか
を判別し、負である場合にはステップＳ３７に進み、０
以上であればステップＳ３３に進む。ステップＳ３３で
は更に差分値がＣレベル値以下であるか否かを判別し、
Ｃレベル値よりも大きい場合にはステップＳ３８におい
てカウンタＫを０クリアした後ステップＳ３９に進む。
一方、Ｃレベル値以下の場合にはステップＳ３９におい
てカウンタＫに１を加算した後、ステップＳ３４におい
てカウンタＫがパラメータＭの値以上か否かを判別し、
Ｋ≧Ｍであれば直ちにステップＳ３９に進み、Ｋ＜Ｍで
あればステップＳ３６において“Ａ１ＦＬＧ”を１に設
定した後ステップＳ３９に進む。
【００３７】ステップＳ３７では差分値がＤレベル値を
超えるか否かを判別し、Ｄレベル値以上であればステッ
プＳ３４に進み、Ｄレベル値より小さければステップＳ
３８に進む。
超えるか否かを判別し、Ｄレベル値以上であればステッ
プＳ３４に進み、Ｄレベル値より小さければステップＳ
３８に進む。
【００３８】そして、ステップＳ３９において対応する
アドレスの特徴データを電極Ａファイルに格納し、図５
に示すメインプログラムに戻る。メインプログラムでは
アドレスを更新し、次のアドレスについて処理を行う。
アドレスの特徴データを電極Ａファイルに格納し、図５
に示すメインプログラムに戻る。メインプログラムでは
アドレスを更新し、次のアドレスについて処理を行う。
【００３９】而して、図６に示す電極Ａファイル作成処
理によれば、１番目のアドレスから差分値がＡレベル
値，Ｂレベル値を順次超えた後、Ｄレベル値以上であり
且つＣレベル値以下である状態が連続してＭ回続くアド
レスまでの間の特徴データが電極Ａファイルに格納され
る。尚、この処理では、差分値がＢレベル値を超えたこ
とを捉えて直ちに境界であると判定するのではなく、そ
の後差分値がＤレベル値とＣレベル値との間の値を所定
回数連続してとることをもって境界としているので、誤
判定を防止して確実に境界を判定することができる。
理によれば、１番目のアドレスから差分値がＡレベル
値，Ｂレベル値を順次超えた後、Ｄレベル値以上であり
且つＣレベル値以下である状態が連続してＭ回続くアド
レスまでの間の特徴データが電極Ａファイルに格納され
る。尚、この処理では、差分値がＢレベル値を超えたこ
とを捉えて直ちに境界であると判定するのではなく、そ
の後差分値がＤレベル値とＣレベル値との間の値を所定
回数連続してとることをもって境界としているので、誤
判定を防止して確実に境界を判定することができる。
【００４０】次に、図７に示すセラミックファイル作成
処理について説明する。この処理ではまず“ＩＮＴＢＦ
ＬＧ”が１であるか０であるかを判別し、１であればス
テップＳ４４に進み、０であればステップＳ４２に進
む。ステップＳ４２ではカウンタＬを０に、パラメータ
Ｎの値を所定の値に設定する。尚、このカウンタＬ及び
パラメータＮは境界の誤判定を防止するためのものであ
る。ついで前記“ＩＮＴＢＦＬＧ”を１に設定し（ステ
ップＳ４３）、ステップＳ４４に進む。
処理について説明する。この処理ではまず“ＩＮＴＢＦ
ＬＧ”が１であるか０であるかを判別し、１であればス
テップＳ４４に進み、０であればステップＳ４２に進
む。ステップＳ４２ではカウンタＬを０に、パラメータ
Ｎの値を所定の値に設定する。尚、このカウンタＬ及び
パラメータＮは境界の誤判定を防止するためのものであ
る。ついで前記“ＩＮＴＢＦＬＧ”を１に設定し（ステ
ップＳ４３）、ステップＳ４４に進む。
【００４１】ついで、ステップＳ４４では対応するアド
レスの差分値を読み込み、つづいてステップＳ４５にお
いて差分値が負であるか又は０以上であるかを判別し、
負である場合にはステップＳ５０に進み、０以上である
場合にはステップＳ４６に進む。
レスの差分値を読み込み、つづいてステップＳ４５にお
いて差分値が負であるか又は０以上であるかを判別し、
負である場合にはステップＳ５０に進み、０以上である
場合にはステップＳ４６に進む。
【００４２】ステップＳ４６では、差分値がＣレベル値
以下であるか否かを判別し、Ｃレベル値以下である場合
にはカウンタＬを０クリアし（ステップＳ４７）、ステ
ップＳ５３に進み、Ｃレベル値よりも大きい場合には更
にその差分値がＡレベル値以上であるか否かを判別し
（ステップＳ４８）、Ａレベル値以上である場合にはス
テップＳ４９において“Ａ２ＦＬＧ”を１に設定した
後、ステップＳ５３に進み、Ａレベル値よりも小さい場
合にはステップＳ５１に進む。
以下であるか否かを判別し、Ｃレベル値以下である場合
にはカウンタＬを０クリアし（ステップＳ４７）、ステ
ップＳ５３に進み、Ｃレベル値よりも大きい場合には更
にその差分値がＡレベル値以上であるか否かを判別し
（ステップＳ４８）、Ａレベル値以上である場合にはス
テップＳ４９において“Ａ２ＦＬＧ”を１に設定した
後、ステップＳ５３に進み、Ａレベル値よりも小さい場
合にはステップＳ５１に進む。
【００４３】一方、ステップＳ５０では差分値がＤレベ
ル値以上であるか否かを判別し、Ｄレベル値以上である
場合にはステップＳ４７に進み、Ｄレベル値よりも小さ
い場合には、ステップＳ５１においてカウンタＬに１を
加算した後、更にカウンタＬがパラメータＮ値以上であ
るか否かを判別し（ステップＳ５２）、Ｌ≧Ｎであれば
ステップＳ４９に進み、Ｌ＜Ｎであれば直ちにステップ
Ｓ５３に進む。
ル値以上であるか否かを判別し、Ｄレベル値以上である
場合にはステップＳ４７に進み、Ｄレベル値よりも小さ
い場合には、ステップＳ５１においてカウンタＬに１を
加算した後、更にカウンタＬがパラメータＮ値以上であ
るか否かを判別し（ステップＳ５２）、Ｌ≧Ｎであれば
ステップＳ４９に進み、Ｌ＜Ｎであれば直ちにステップ
Ｓ５３に進む。
【００４４】そして、ステップＳ５３において対応する
アドレスの特徴データをセラミックファイルに格納し、
図５に示すメインプログラムに戻る。メインプログラム
ではアドレスを更新し、次のアドレスについて処理を行
う。
アドレスの特徴データをセラミックファイルに格納し、
図５に示すメインプログラムに戻る。メインプログラム
ではアドレスを更新し、次のアドレスについて処理を行
う。
【００４５】而して、図７に示すセラミックファイル作
成処理によれば、前記電極Ａファイル作成処理終了後の
次のアドレスから、差分値がＡレベル値を超えるか又
は、連続してＮ回続いて差分値がＤレベル値より小さい
値か若しくはＣレベル値より大きい値となるアドレスま
での間の特徴データがセラミックファイルに格納され
る。尚、このように差分値がＮ回連続してＤレベル値よ
り小さい値となるか若しくはＣレベル値より大きい値と
なった場合に境界と認定するのは、良品のチップコンデ
ンサにおいても製造上のバラツキがあることを考慮して
のことである。即ち、良品のチップコンデンサであって
も、製造上のバラツキにより光沢や形状に若干の違いが
生じており、これが映像の色レベル値に影響を与え、境
界部の色レベル差分値がＡレベル値を超えない場合があ
ることに鑑み、上述のような境界認定手法を採ることに
したのである。
成処理によれば、前記電極Ａファイル作成処理終了後の
次のアドレスから、差分値がＡレベル値を超えるか又
は、連続してＮ回続いて差分値がＤレベル値より小さい
値か若しくはＣレベル値より大きい値となるアドレスま
での間の特徴データがセラミックファイルに格納され
る。尚、このように差分値がＮ回連続してＤレベル値よ
り小さい値となるか若しくはＣレベル値より大きい値と
なった場合に境界と認定するのは、良品のチップコンデ
ンサにおいても製造上のバラツキがあることを考慮して
のことである。即ち、良品のチップコンデンサであって
も、製造上のバラツキにより光沢や形状に若干の違いが
生じており、これが映像の色レベル値に影響を与え、境
界部の色レベル差分値がＡレベル値を超えない場合があ
ることに鑑み、上述のような境界認定手法を採ることに
したのである。
【００４６】次に図８に示す電極Ｂファイル作成処理に
ついて説明する。この処理ではステップＳ６１において
対応するアドレスの特徴データを順次電極Ｂファイルに
格納する。
ついて説明する。この処理ではステップＳ６１において
対応するアドレスの特徴データを順次電極Ｂファイルに
格納する。
【００４７】以上詳述したように実施例装置によれば、
ＲＡＭに記憶した外観の特徴データのうち、色レベルの
差分値を基礎としてチップコンデンサの電極Ａ部，セラ
ミック部，電極Ｂ部の各境界を認識し、各部に区分けし
て特徴データをファイルに収納した後、これを基に各部
の外観の良否の判定を行うので、異なる素材からなるチ
ップコンデンサの外観を正確且つ容易にその良否の判定
を行うことができる。
ＲＡＭに記憶した外観の特徴データのうち、色レベルの
差分値を基礎としてチップコンデンサの電極Ａ部，セラ
ミック部，電極Ｂ部の各境界を認識し、各部に区分けし
て特徴データをファイルに収納した後、これを基に各部
の外観の良否の判定を行うので、異なる素材からなるチ
ップコンデンサの外観を正確且つ容易にその良否の判定
を行うことができる。
【００４８】尚、前述の通りチップコンデンサはセラミ
ック部と半田よりなる電極部とから構成されるが、各部
における不良特性を考慮した検査用の照明を採用する必
要がある。即ち、セラミック部は微小孔による表面の凹
凸が問題であり、この場合には指向性をもった直接光が
適している一方、電極部は局部的な塗布不良（素体たる
セラミック部の露出）が多く、この場合には指向性のな
い拡散的照明が適している。従って、直接光による照明
と拡散的照明とを併用する方が好ましい。尚、拡散的照
明は、直接光と対象物の間に半透明の部材を設けること
により実現できる。
ック部と半田よりなる電極部とから構成されるが、各部
における不良特性を考慮した検査用の照明を採用する必
要がある。即ち、セラミック部は微小孔による表面の凹
凸が問題であり、この場合には指向性をもった直接光が
適している一方、電極部は局部的な塗布不良（素体たる
セラミック部の露出）が多く、この場合には指向性のな
い拡散的照明が適している。従って、直接光による照明
と拡散的照明とを併用する方が好ましい。尚、拡散的照
明は、直接光と対象物の間に半透明の部材を設けること
により実現できる。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明装置によれば
異なった二種以上の材質からなる被検査物を同一のライ
ンイメージセンサにより撮像して検査することができる
ので、検査装置が非常にコンパクトなものとなる。ま
た、各材質部に応じて検査するので、細やかな検査を実
現でき、検査精度の向上を図ることができる。
異なった二種以上の材質からなる被検査物を同一のライ
ンイメージセンサにより撮像して検査することができる
ので、検査装置が非常にコンパクトなものとなる。ま
た、各材質部に応じて検査するので、細やかな検査を実
現でき、検査精度の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例装置の全体構成を示すブロック
図である。
図である。
【図２】チップコンデンサを示す平面図である。
【図３】ラインイメージセンサにより得た各走査ライン
における色レベル値のピーク値を時系列でプロットした
波形図である。
における色レベル値のピーク値を時系列でプロットした
波形図である。
【図４】図３における色レベル波形の差分値を示す波形
図である。
図である。
【図５】境界判定のアルゴリズム全体を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図６】電極Ａ部とセラミック部との境界判定及び電極
Ａ部のファイル作成処理を示すフローチャートである。
Ａ部のファイル作成処理を示すフローチャートである。
【図７】セラミック部と電極Ｂ部との境界判定及びセラ
ミック部のファイル作成処理を示すフローチャートであ
る。
ミック部のファイル作成処理を示すフローチャートであ
る。
【図８】電極Ｂ部のファイル作成処理を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図９】従来の外観検査装置の全体構成を示すブロック
図である。
図である。
１ ＣＣＤラインセンサカメラ ２ Ａ／Ｄ変換手段 ３ 高速プロセッサ ４ 記憶部 ５ 判定手段 Ｔ チップコンデンサ Ｈ 搬送手段
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも二種以上の材質からなる被検
査物を連続的に走行せしめて、被検査物の外観等を検査
する装置であって、前記被検査物を走査して所定のアナ
ログ信号を出力するラインイメージセンサと、該アナロ
グ信号をディジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換
手段と、該Ａ／Ｄ変換手段から出力されるディジタル信
号を微分処理して該当材質部の境界を検出するととも
に、当該材質部との対応関係を基に特徴データを出力す
る高速プロセッサと、該特徴データを当該材質部との対
応関係を基に記憶する記憶部と、該記憶部に記憶した特
徴データから該当材質部における外観の適否を判定する
判定手段から構成したことを特徴とする外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1790493A JPH06201605A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1790493A JPH06201605A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06201605A true JPH06201605A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11956737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1790493A Pending JPH06201605A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06201605A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200090092A (ko) * | 2019-01-18 | 2020-07-28 | 다이이치지쯔교 비스위루 가부시키가이샤 | 검사 장치 |
| JP2023007049A (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-18 | 株式会社ダイフク | 検査装置、及びそれを備えた塗布装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221005A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツジ位置検出装置 |
| JPH0476444A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント基板のパターン検査装置 |
| JP4090258B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-05-28 | 大阪瓦斯株式会社 | 地震被害推定方法 |
-
1993
- 1993-01-07 JP JP1790493A patent/JPH06201605A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221005A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツジ位置検出装置 |
| JPH0476444A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント基板のパターン検査装置 |
| JP4090258B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-05-28 | 大阪瓦斯株式会社 | 地震被害推定方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200090092A (ko) * | 2019-01-18 | 2020-07-28 | 다이이치지쯔교 비스위루 가부시키가이샤 | 검사 장치 |
| CN111458294A (zh) * | 2019-01-18 | 2020-07-28 | 第一实业视检系统股份有限公司 | 检查装置 |
| JP2020115110A (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-30 | 第一実業ビスウィル株式会社 | 検査装置 |
| JP2023007049A (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-18 | 株式会社ダイフク | 検査装置、及びそれを備えた塗布装置 |
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