JPH0626210U - 多連抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面実装した際のセルフアライメント効果を
充分に発揮でき、さらに容易に端子電極の幅を規定する
溝が形成できる多連抵抗器を提供する。 【構成】 絶縁基板２の表面に形成された少なくとも３
つ以上の抵抗体５ａ〜５ｄと、前記抵抗体５ａ〜５ｄの
両端から、絶縁基板２の端面及び裏面に延出する端子電
極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄを有する多連抵抗器におい
て、前記絶縁基板２の最外部に形成された端子電極３
ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄを、前記最外部の端子に挟
まれて配置された中央部の端子電極３ｂ〜３ｃ、４ｂ〜
４ｃの幅ｄに対して、１．１〜１．３倍とした。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、多連抵抗器に関し、特に多連抵抗器の端子電極に関するものである 。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】

従来、この種の多連抵抗器は、アルミナなどの絶縁基板上の対向する２つ長辺 に表面側の端子電極を形成し、さらにこの表面側の端子電極から延出するように 基板の端面に端面端子電極、裏面側に裏面端子電極を形成し、基板の表面に、対 向する表面端子電極間に所定シート抵抗値の抵抗体膜を形成していた。

【０００３】 このような多連抵抗器は、プリント配線基板上の所定電極パッド上にクリーム 半田を塗布し、このクリーム半田上に、多連抵抗器の裏面端子電極を載置・仮保 持した後、リフロー炉を通過させて熱処理して半田接合していた。

【０００４】 上述の多連抵抗器において、プリント配線基板上の接合は、リフロー炉内で行 われるため、半田接合の位置決めの精度の高い管理は実質的に不可能であった。

【０００５】 そこで、端子電極の幅Ｄを隣接する端子電極の幅ｄよりも大きくして、クリーム 半田が溶融する際の半田の表面張力を利用して、位置決めの自己制御を行わせた （セルフアライメント）させた多連抵抗器が知られている（実開平３−９２００ ６号）。

【０００６】 図３は、端子電極の幅Ｄを隣接する端子電極の幅ｄよりも広くした多連抵抗器 の平面図である。図において、２は絶縁基板であり、３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄは 端子電極であり、５ａ〜５ｄは抵抗体膜であり、図では、４連抵抗の多連抵抗器 ３０であって、絶縁基板１の最外部（４隅部分）に配置される端子電極３ａ、３ ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄがそれ以外の端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの幅ｄより も広くなっている。抵抗体膜５ａは、端子電極３ａ、４ａ上に跨がるように配置 され、同様に、抵抗体膜５ｂ〜５ｄは端子電極３ｂ〜３ｄ、４ｂ〜４ｄ上に跨が るように配置されている。

【０００７】 ここで、端子電極３ａ、４ａ、３ｃ、４ｃの幅Ｄは、端子電極３ａ〜３ｄ、４ ａ〜４ｄが形成された絶縁基板１の側面に形成した半楕円形状の溝６ｂ〜６ｄ、 ７ｂ〜７ｄ及び基板１の隅部に形成した１／４楕円形状の溝６ａ、６ｅ、７ａ、 ７ｅの溝幅によって決定される。即ち、各端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄのピ ッチは同一であるため、端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの幅ｄを規定する溝６ ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄの開口幅を、溝６ａ、６ｅ、７ａ、７ｅの開口幅よりも大 きくしなければならない。通常、溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅは、絶縁基板１が複 数個抽出できる大型絶縁基板（図示せず）に、該絶縁基板１を区画する縦横に形 成された分割溝に跨がるようにスルーホールを形成して、製造工程中に分割溝に 沿って大型の絶縁基板を分割する際に形成される。即ち、開口幅の広い溝６ｃ、 ７ｃを形成するためには、そのスルーホールの直径を大きくしなくてはならない 。このように、スルーホールの直径を大きくすると、例えば絶縁基板１の両側面 に形成した例えば対向しあう溝６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄ間の間隔が狭くなり、上 述の分割工程で、分割溝でなく、この対向しあう溝６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄ間で の分断が発生してしまう。

【０００８】 これを防止するには、図３のように、スルーホールの形状を真円ではなく、楕 円形状にすることが考えられる。しかし、楕円形状のスルーホールを形成するた めには、その形状に応じたパンチング用の治具が必要となり、治具の製造費用が 真円治具に比較して大きく嵩んでしまうという問題点があった。

【０００９】 本考案は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、対向し あう端子電極間の溝で分断が発生することなく、さらにセルフアライメント効果 を充分に得られる多連抵抗器を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

本考案の多連抵抗器は、矩形状の絶縁基板の表面に３つ以上の抵抗体を形成す るとともに、該各記抵抗体の両端から、絶縁基板の二つの対向する端面及び裏面 にかけて端子電極を導出させた多連抵抗器において、前記絶縁基板の最外部に形 成される端子電極の幅を、中央部に配置された端子電極の幅に対し、１．１〜１ ．３倍としたことである。

【００１１】

【作用】

以上の構成により、絶縁基板１の最外部に形成した端子電極の幅Ｄが、その間 に配置された端子電極の幅ｄよりも１．１〜１．３倍と広いため、プリント配線 基板上にリフロー接合してもセルフアランメント効果により、接合位置精度が大 幅に向上する。

【００１２】 また、端子電極の幅Ｄが、その間に配置された端子電極の幅ｄよりも１．１〜 １．３倍程度であるため、大型の絶縁基板から所定大きさの絶縁基板を分割して も、絶縁基板の両側面に対向しあう溝間での分断・破損が発生しにくく、楕円形 状のパンチング治具を用いる必要がない。

【００１３】

【実施例】

以下、本考案の多連抵抗器を図面に基づいて詳説する。

【００１４】 図１は、本考案の多連抵抗器の平面図であり、図２は図１中のＸ−Ｘ線断面を 示す図である。尚、従来と同一部分は同一符号で説明する。

【００１５】 多連抵抗器１は、絶縁基板２、端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ、抵抗体膜５ ａ〜５ｄから構成されている。

【００１６】 絶縁基板２はアルミナなどの絶縁性材料からなり、絶縁基板２の対向する２つ の長辺側には、各端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄを区画するための半円形の溝 ６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄが形成され、また、長辺と短辺との交わる４隅部には、 １／４円形の溝６ａ、６ｅ、７ａ、７ｅが形成されている。即ち、絶縁基板２の 長辺側に配列した溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅによって端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ 〜４ｄの幅を決定する突出部が形成されている。

【００１７】 具体的には、絶縁基板２となる大型絶縁基板の未焼成状態で、絶縁基板２の大 きさに対応して、分割溝を形成するとともに、この分割溝に、分割後に溝６ａ〜 ６ｅ、７ａ〜７ｅとなる真円状のスルーホールを形成して、所定温度で焼成する ことにより製造される。

【００１８】 端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄは、Ａｇ系導電性ペーストを印刷・焼きつけ により被着形成され、絶縁基板２の表面側には表面側の端子電極膜が、絶縁基板 ２の端面には端面側の端子電極膜が、絶縁基板２の裏面には裏面側の端子電極膜 が夫々形成され、この３つの端子電極膜によって構成されている。

【００１９】 抵抗体膜５ａ〜５ｄは、例えば酸化ルテニウム系の抵抗体ペーストを印刷・焼 きつけにより被着形成され、絶縁基板の対向する長辺側に形成した端子電極３ａ 〜３ｄ、４ａ〜４ｄに跨がるように形成されている。例えば、抵抗体膜５ａは端 子電極３ａ、４ａの表面側の電極膜間に、同様に、抵抗体膜５ｂ〜５ｄは、端子 電極３ｂ〜３ｄ、４ｂ〜４ｄの表面側の電極膜間に形成される。

【００２０】 尚、抵抗体膜５ａ〜５ｄを形成した後、その抵抗値が調整される。例えば、抵 抗体膜５ａは、表面端子電極３ａ、４ａに抵抗値測定装置のプローブを当てて、 抵抗値を測定しながら、抵抗体膜５ａにレーザーによるトリミング溝などを形成 することにより抵抗値の調整が行われる。

【００２１】 上述の抵抗体膜５ａ〜５ｄ上にはガラスなどから成る保護膜８が被着形成され る。この保護膜８は、ガラスを主成分とする絶縁ペーストを印刷し、焼成するこ とによって形成され、具体的には端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの表面側の端 子電極膜の一部を含む抵抗体膜５ａ〜５ｄを完全に被覆するように形成される。

【００２２】 本考案の特徴的なことは、端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの幅、実際には、 絶縁基板２の長辺側端面と裏面との稜線部分の端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ （即ち、端面側の端子電極膜）の幅を特定したものであり、絶縁基板２の最外部 （４隅部分）に相当する端子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄを、絶縁基板２ の中央部寄りの端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの幅ｄに対して１．１〜１．３ 倍としたことである。

【００２３】 このように、絶縁基板２の最外部に配置される端子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ ｄの幅Ｄを基板２の中央部よりに配置される端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの 幅ｄよりも大きく設定することにより、例えば、プリント配線基板（図示せず） にリフロー半田処理により表面実装を行った場合、溶融した半田による表面張力 が、基板２の中央部よりに配置される端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃに比較し て、絶縁基板２の最外部に配置される端子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄで大きく なり、この最外部の表面張力によって、プリント配線基板の所定位置に、多連抵 抗器自身が自己位置合わせできる機能（セルフアライメント効果）が充分に発揮 されることになる。

【００２４】 本考案者が種々に実験を行った結果、上述のセルフアライメンイト効果を得る ためには、最外部の端子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄを、中央部側の端子 電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの幅ｄよりも、１．１倍以上であればよいことが確 認した。

【００２５】 また、端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ間の溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅを真円 状のスルーホールで形成する場合には、端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの幅の 関係は、溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅとなるスルーホールの直径に大きく関係する 。

【００２６】 また、本考案者は最外部の端子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄを、中央部 側の端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの幅ｄよりも大きくするために、端子電極 ３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの幅を決定する溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅの大きさを変 動して、大型基板から絶縁基板２を分割抽出した時に発生する対向する溝６ａ− ７ａ、６ｂ−７ｂ・・・間に発生する破損を調べた。

【００２７】 絶縁基板２の寸法として、長辺が３．２ｍｍ、短辺が１．６ｍｍ、厚み０．４ ｍｍのアルミナ基板に、４つの抵抗体膜５ａ〜５ｄを形成した多連抵抗器を作成 する。

【００２８】 従来の構造として、１つの長辺に形成した４つの端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜 ４ｄのピッチ間隔を約０．８ｍｍ、端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの幅を０． ４ｍｍに設定した。この時、４つの端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの幅を決定 する溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅを形成するためのスルーホールの直径が全て０． ４ｍｍである。従って、絶縁基板２の２つの長辺に形成され、互いに対向しあう 溝６ａ−７ａ、６ｂ−７ｂ・・・間の最小間隔は１．２ｍｍとなり、この間で発 生する分割時の破損の発生割合は、２〜３％であった。

【００２９】 次に、セルフアライメント効果を得るために、最外部の端子電極３ａ、３ｄ、 ４ａ、４ｄの幅Ｄを、他の中央部の端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃの幅ｄより も徐々に広くするために、溝６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄを形成するスルーホールの 直径を徐々に大きくした。

【００３０】 その結果、溝６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄを形成するスルーホールの直径が０．４ ６ｍｍ程度、即ち、溝６ｂ−７ｂ、６ｃ−７ｃ、７ｄ−７ｄ間の間隔が約１．１ ４ｍｍ程度までは、この間で発生する分割時の破損の発生割合は、２〜３％と従 来と同一特性であった。

【００３１】 即ち、溝６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄを形成するスルーホールの直径が０．４６ｍ ｍ程度で、各端子電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ間のピッチを約０．８ｍｍとして 、４連の多連抵抗器を形成すると、溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅの形成するスルー ホールの直径が約０．３ｍｍ、溝６ｂ〜６ｄ、７ｂ〜７ｄを形成するスルーホー ルの直径が約０．４６ｍｍとすればよく、この時の絶縁基板２の最外部の端子電 極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄが約０．４１ｍｍとなり、他の中央部の端子電 極３ｂ〜３ｃ、４ｂ〜４ｃの幅ｄが約０．３２ｍｍとなった。即ち、最外部の端 子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄは、他の中央部の端子電極３ｂ、３ｃ、４ ｂ、４ｃの幅ｄの約１．３倍となる。

【００３２】 セルフアライメント効果及び真円のスルーホールで溝６ａ〜６ｅ、７ａ〜７ｅ を形成して、大型基板の分割時の歩留を従来と同等程度にするには、最外部の端 子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄの幅Ｄを、その間の端子電極３ｂ、３ｃ、４ｂ、 ３ｃの幅ｄの１．１〜１．３倍とすることが重要となる。

【００３３】 上述の端子電極３ａ、３ｄ、４ａ、４ｄとの関係を表１で示すと、以下のとお りとなる。尚、表１中、セルフアランメント性の丸印は良好を示し、また、溝間 の破損の丸印は破損発生率が３％以下を示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】 尚、上述の実施例では、４つの抵抗体膜５ａ〜５ｄを有する多連抵抗器で説明 したが、３つ以上の抵抗体膜を有する多連抵抗器であればよく、また、基板２の 短辺幅の中央に共通電極を形成して、絶縁基板２の２つの長辺に形成した各端子 電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄと前記共通電極の間に抵抗体膜を配置するなど種々 の変更が可能である。

【００３６】

【考案の効果】

以上のように、本考案によれば、最外部に配置される端子電極の幅Ｄが、その 端子電極間に配置された端子電極の幅ｄに比べ、１．１〜１．３倍と幅広とした ため、配線基板上に表面実装する際のセルフアライメント効果を充分に発揮させ ることができ、さらに、真円状のスルーホールを用いて端子電極の幅を規定する 溝を容易に形成でき、しかも、分割時の歩留が低下することがない多連抵抗器と なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の多連抵抗器の平面図である。

【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。

【図３】従来の多連抵抗器の平面図である。

【符号の説明】

１ ・・・・多連抵抗器 ２ ・・・・絶縁基板 ３ａ〜３ｄ・・・端子電極 ４ａ〜４ｄ・・・端子電極 ５ａ〜５ｄ・・・抵抗体膜 ８・・・・・保護膜

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 矩形状の絶縁基板の表面に３つ以上の抵
   抗体を形成するとともに、該各記抵抗体の両端から、絶
   縁基板の二つの対向する端面及び裏面にかけて端子電極
   を導出させた多連抵抗器において、 前記絶縁基板の最外部に形成される端子電極の幅を、中
   央部に配置された端子電極の幅に対し、１．１〜１．３
   倍としたことを特徴とする多連抵抗器。