JPH064577Y2 - Icパッケージ - Google Patents
IcパッケージInfo
- Publication number
- JPH064577Y2 JPH064577Y2 JP1987141052U JP14105287U JPH064577Y2 JP H064577 Y2 JPH064577 Y2 JP H064577Y2 JP 1987141052 U JP1987141052 U JP 1987141052U JP 14105287 U JP14105287 U JP 14105287U JP H064577 Y2 JPH064577 Y2 JP H064577Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- package
- terminal chip
- stage
- convex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔概要〕 ダイステージにターミナルチップを設けた型のICパッケ
ージの構造に関し, ダイボンディングの工程中に,ダイコレットがターミナ
ルチップに接触することを防止し,ターミナルチップの
位置ずれ,接着強度の減少をなくすることを目的とし, 主面上において凸型形状の凹部をもつパッケージ本体
と,該凹部の底面に設けられた半導体ダイを搭載する凸
型形状のダイステージと,該ダイステージ上において凸
型形状の突出部に設けられ,かつ該ダイステージに電気
的に導通されているターミナルチップとを有する構成と
する。
ージの構造に関し, ダイボンディングの工程中に,ダイコレットがターミナ
ルチップに接触することを防止し,ターミナルチップの
位置ずれ,接着強度の減少をなくすることを目的とし, 主面上において凸型形状の凹部をもつパッケージ本体
と,該凹部の底面に設けられた半導体ダイを搭載する凸
型形状のダイステージと,該ダイステージ上において凸
型形状の突出部に設けられ,かつ該ダイステージに電気
的に導通されているターミナルチップとを有する構成と
する。
本考案はダイステージにターミナルチップを設けた型の
ICパッケージの構造に関する。
ICパッケージの構造に関する。
通常,リードフレームを用いたモールド型のパッケージ
では半導体ダイ(チップ)を搭載するダイステージはリ
ードと同時にリードフレームで形成されているが,サー
ディップ等のセラミックパッケージにおいては,熱放散
上,加工精度上ダイステージはセラミックパッケージ本
体上に金属粉末のメタライズで形成する場合が多い。
では半導体ダイ(チップ)を搭載するダイステージはリ
ードと同時にリードフレームで形成されているが,サー
ディップ等のセラミックパッケージにおいては,熱放散
上,加工精度上ダイステージはセラミックパッケージ本
体上に金属粉末のメタライズで形成する場合が多い。
このようなパッケージにおいては,ターミナルチップは
ダイステージに電気的導通をとるために設けられてい
る。
ダイステージに電気的導通をとるために設けられてい
る。
ICの組み立て工程において,ダイをステージにボンディ
ングする工程において,ダイを保持するダイコレットを
水平方向に動かしてスクラビングしながら加熱して金シ
リコン共晶ろうでダイをダイステージに融着する。
ングする工程において,ダイを保持するダイコレットを
水平方向に動かしてスクラビングしながら加熱して金シ
リコン共晶ろうでダイをダイステージに融着する。
第3図(1),(2)はそれぞれ従来例を説明するダイボンデ
ィング中のサーディップICパッケージの平面図と断面図
である。
ィング中のサーディップICパッケージの平面図と断面図
である。
図において,1はICパッケージ本体,2はパッケージ本
体に設けられた凹部,3は凹部底面に設けられたダイス
テージ,4はターミナルチップ,5はリードフレーム,
6は半導体ダイ,7はダイコレットである。
体に設けられた凹部,3は凹部底面に設けられたダイス
テージ,4はターミナルチップ,5はリードフレーム,
6は半導体ダイ,7はダイコレットである。
ダイボンディングにおいては,良好なボンディングを得
るために上記のようにダイコレット7を水平に動かすこ
とが必要である。
るために上記のようにダイコレット7を水平に動かすこ
とが必要である。
従来のパッケージでは,ダイボンディングの工程中に,
コレットがターミナルチップに接触した場合,ターミナ
ルチップがダイステージから動いてターミナルチップへ
ワイヤボンディングする際に位置ずれを起こしたり,タ
ーミナルチップはダイステージに対する接着強度が減少
し,極端な場合はダイステージより剥離するという欠点
があった。
コレットがターミナルチップに接触した場合,ターミナ
ルチップがダイステージから動いてターミナルチップへ
ワイヤボンディングする際に位置ずれを起こしたり,タ
ーミナルチップはダイステージに対する接着強度が減少
し,極端な場合はダイステージより剥離するという欠点
があった。
第1図(1),(2)は本考案を説明するICパッケージの平面
図と断面図である。
図と断面図である。
図において、1はICパッケージ本体,2Aはパッケージ本
体に設けられた凸型形状の凹部,3Aはダイステージ,4
はターミナルチップ,5はリードフレーム,6は半導体
ダイである。
体に設けられた凸型形状の凹部,3Aはダイステージ,4
はターミナルチップ,5はリードフレーム,6は半導体
ダイである。
上記問題点の解決は,第1図において,主面上におい
て、該主面と平行な断面形状が凸字型形状である凹部を
もつパッケージ本体と、該凹部の底面に設けられた半導
体ダイを搭載する該主面と平行な断面形状が凸字型形状
のダイステージと、該ダイステージ上において該凸字型
形状の凸部にあたる突出部に設けられ、かつ該ダイステ
ージに電気的に導通されているターミナルチップとを有
することを特徴とするICパッケージによって達成され
る。
て、該主面と平行な断面形状が凸字型形状である凹部を
もつパッケージ本体と、該凹部の底面に設けられた半導
体ダイを搭載する該主面と平行な断面形状が凸字型形状
のダイステージと、該ダイステージ上において該凸字型
形状の凸部にあたる突出部に設けられ、かつ該ダイステ
ージに電気的に導通されているターミナルチップとを有
することを特徴とするICパッケージによって達成され
る。
〔作用〕 本考案は,ターミナルチップを保護するために,ダイス
テージを形成する凹部をパッケージ本体の主面において
凸型形状に形成し,ターミナルチップを凸型形状の突出
部に設けて3方をパッケージ本体の壁で囲み,スクラビ
ング動作をするダイコレットは大きく動いてもパッケー
ジ本体に接触するだけで,ターミナルチップには直接接
触しないようにしたものである。
テージを形成する凹部をパッケージ本体の主面において
凸型形状に形成し,ターミナルチップを凸型形状の突出
部に設けて3方をパッケージ本体の壁で囲み,スクラビ
ング動作をするダイコレットは大きく動いてもパッケー
ジ本体に接触するだけで,ターミナルチップには直接接
触しないようにしたものである。
第2図(1),(2)は本考案の一実施例を説明するICパッケ
ージの平面図と側面図である。
ージの平面図と側面図である。
図はDIP型のサーディップICパッケージで,1はムライ
ト等のセラミックからなるICパッケージ本体,2Aはパッ
ケージ本体に設けられた凸型形状の凹部,3Aは例えばMo
等のメタライズ厚膜に金鍍金して形成されたダイステー
ジ,4は金属片,例えばコバールに金鍍金してダイステ
ージ3Aにろう付されたターミナルチップ,5はリードフ
レーム,6は半導体ダイである。
ト等のセラミックからなるICパッケージ本体,2Aはパッ
ケージ本体に設けられた凸型形状の凹部,3Aは例えばMo
等のメタライズ厚膜に金鍍金して形成されたダイステー
ジ,4は金属片,例えばコバールに金鍍金してダイステ
ージ3Aにろう付されたターミナルチップ,5はリードフ
レーム,6は半導体ダイである。
このような構造においては,ターミナルチップ3Aはパッ
ケージ本体のセラミックで3方囲まれて保護されてい
る。
ケージ本体のセラミックで3方囲まれて保護されてい
る。
以上説明したように本考案によれば、ダイボンディング
の工程中に,ダイコレットがターミナルチップに接触す
ることを防止する。これによりターミナルチップがダイ
ステージから動いて位置ずれを起こしたり,接着強度が
減少したり,剥離したりすることはない。
の工程中に,ダイコレットがターミナルチップに接触す
ることを防止する。これによりターミナルチップがダイ
ステージから動いて位置ずれを起こしたり,接着強度が
減少したり,剥離したりすることはない。
また,ダイステージの方形部一杯に寸法の大きいダイが
使用できる。
使用できる。
第1図(1),(2)は本考案を説明するICパッケージの平面
図と断面図, 第2図(1),(2)は本考案の一実施例を説明するICパッケ
ージの平面図と側面図, 第3図(1),(2)はそれぞれ従来例を説明するダイボンデ
ィング中のサーディップICパッケージの平面図と断面図
である。 図において, 1はICパッケージ本体, 2Aは凸型形状の凹部, 3Aはダイステージ, 4はターミナルチップ, 5はリードフレーム, 6は半導体ダイ である。
図と断面図, 第2図(1),(2)は本考案の一実施例を説明するICパッケ
ージの平面図と側面図, 第3図(1),(2)はそれぞれ従来例を説明するダイボンデ
ィング中のサーディップICパッケージの平面図と断面図
である。 図において, 1はICパッケージ本体, 2Aは凸型形状の凹部, 3Aはダイステージ, 4はターミナルチップ, 5はリードフレーム, 6は半導体ダイ である。
Claims (1)
- 【請求項1】主面上において、該主面と平行な断面形状
が凸字型形状である凹部をもつパッケージ本体と、該凹
部の底面に設けられた半導体ダイを搭載する該主面と平
行な断面形状が凸字型形状のダイステージと、該ダイス
テージ上において該凸字型形状の凸部にあたる突出部に
設けられ、かつ該ダイステージに電気的に導通されてい
るターミナルチップとを有することを特徴とするICパッ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987141052U JPH064577Y2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Icパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987141052U JPH064577Y2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Icパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6447037U JPS6447037U (ja) | 1989-03-23 |
| JPH064577Y2 true JPH064577Y2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=31405779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987141052U Expired - Lifetime JPH064577Y2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Icパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064577Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-16 JP JP1987141052U patent/JPH064577Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6447037U (ja) | 1989-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5521429A (en) | Surface-mount flat package semiconductor device | |
| JPH08116016A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH064577Y2 (ja) | Icパッケージ | |
| JP2000349222A (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
| JPH0382060A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01187841A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2840166B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62158352A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JP2521944B2 (ja) | 集積回路パッケ−ジ | |
| JPH08130284A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60136344A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2522503B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0621304A (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH08279575A (ja) | 半導体パッケージ | |
| KR200172710Y1 (ko) | 칩 크기의 패키지 | |
| JPH0521649A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2513781B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62219531A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6336688Y2 (ja) | ||
| JPS59189659A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH033354A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07221211A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS635240Y2 (ja) | ||
| JPH03272161A (ja) | リードフレーム | |
| KR100475339B1 (ko) | 리드프레임및그를이용한반도체칩패키지 |