JPH07107904B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07107904B2 JPH07107904B2 JP61194484A JP19448486A JPH07107904B2 JP H07107904 B2 JPH07107904 B2 JP H07107904B2 JP 61194484 A JP61194484 A JP 61194484A JP 19448486 A JP19448486 A JP 19448486A JP H07107904 B2 JPH07107904 B2 JP H07107904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- emitter
- base
- base region
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置、詳しくは、トランジスタのベース
構造に関するものである。
構造に関するものである。
従来の技術 従来例のトランジスタで、その安全動作領域拡大を一方
策として、フローティングエミッタ構造をしたものがあ
る。第２図は、その従来例トランジスタの断面図であ
る。
策として、フローティングエミッタ構造をしたものがあ
る。第２図は、その従来例トランジスタの断面図であ
る。
同図において、１はコレクタ基板、２はベース領域、３
はエミッタ領域、４はフローティングエミッタ領域、５
はベース電極、６はエミッタ電極、７はコレクタ電極、
８は絶縁膜、９はベースの抵抗領域である。
はエミッタ領域、４はフローティングエミッタ領域、５
はベース電極、６はエミッタ電極、７はコレクタ電極、
８は絶縁膜、９はベースの抵抗領域である。
第２図に示すように、ベース電極５とエミッタ領域３と
の間のベース領域２に、エミッタ領域３と同時形成さ
れ、エミッタ領域３と同一導電型のフローティングエミ
ッタ領域４を設けたもので、この領域４はエミッタ領域
３を完全に包囲する構造となっている。かかる構造にお
いては、エミッタ領域３の側面部では、フローティング
エミッタ領域４によってキャリアの注入が阻止されるた
め、その動作メカニズムは制限を受ける。したがって、
フローティングエミッタ領域４の下部のベース領域２は
抵抗領域９として動作する。
の間のベース領域２に、エミッタ領域３と同時形成さ
れ、エミッタ領域３と同一導電型のフローティングエミ
ッタ領域４を設けたもので、この領域４はエミッタ領域
３を完全に包囲する構造となっている。かかる構造にお
いては、エミッタ領域３の側面部では、フローティング
エミッタ領域４によってキャリアの注入が阻止されるた
め、その動作メカニズムは制限を受ける。したがって、
フローティングエミッタ領域４の下部のベース領域２は
抵抗領域９として動作する。
発明が解決しようとする問題点 上記構成において、抵抗領域９の抵抗値はベース領域の
不純物濃度、同拡散長およびエミッタ拡散長によって決
定される。このため、抵抗値を変えようとすると、トラ
ンジスタの特性も付随的に大きく変化するという問題点
がある。
不純物濃度、同拡散長およびエミッタ拡散長によって決
定される。このため、抵抗値を変えようとすると、トラ
ンジスタの特性も付随的に大きく変化するという問題点
がある。
また、この抵抗値はフローティングエミッタ幅により変
えることができるが、高抵抗を形成する場合、フローテ
ィングエミッタ幅が大きくなり、チップの有効面積を減
少させる欠点があった。本発明の目的は、このような問
題点を解消することにある。
えることができるが、高抵抗を形成する場合、フローテ
ィングエミッタ幅が大きくなり、チップの有効面積を減
少させる欠点があった。本発明の目的は、このような問
題点を解消することにある。
問題点を解決するための手段 本発明の半導体装置は、コレクタ領域上に深いベース領
域と浅いベース領域とが接続されて形成され、前記深い
ベース領域内にエミッタ領域が、前記浅いベース領域上
にベース電極が形成され、前記浅いベース領域が前記深
いベース領域よりも低濃度であるものである。
域と浅いベース領域とが接続されて形成され、前記深い
ベース領域内にエミッタ領域が、前記浅いベース領域上
にベース電極が形成され、前記浅いベース領域が前記深
いベース領域よりも低濃度であるものである。
作用 上記構成により、エミッタ有効面積を減少させずに、ベ
ース領域に抵抗形成が可能であり、また、その抵抗値も
自由に設定でき、微細化が可能である。
ース領域に抵抗形成が可能であり、また、その抵抗値も
自由に設定でき、微細化が可能である。
実施例 本発明を実施例によって説明する。第１図は本発明実施
例の半導体装置の断面図である。同図においてコレクタ
領域となる基板１の主面に深いベース領域２と、その中
にエミッタ領域３とが形成され、また、深いベース領域
２に接続するように浅いベース領域10が形成され、この
浅いベース領域10上にベース電極５が形成される。エミ
ッタ電極６およびコレクタ電極７は、それぞれ、エミッ
タ領域３上および基板１の裏面に形成される。
例の半導体装置の断面図である。同図においてコレクタ
領域となる基板１の主面に深いベース領域２と、その中
にエミッタ領域３とが形成され、また、深いベース領域
２に接続するように浅いベース領域10が形成され、この
浅いベース領域10上にベース電極５が形成される。エミ
ッタ電極６およびコレクタ電極７は、それぞれ、エミッ
タ領域３上および基板１の裏面に形成される。
このようにして形成されたトランジスタは、浅いベース
領域10内に抵抗領域９を有する。
領域10内に抵抗領域９を有する。
以上述べたように、本実施例によれば、深いベース領域
２の拡散長を10μｍ、表面濃度を5.0×1018cm-3に、エ
ミッタ領域３の拡散長を５μｍ、表面濃度を8.0×1020c
m-3にすることにより、電流増幅率（hFE）は約100が得
られ、かつ浅いベース領域10は拡散長３μｍ、表面濃度
1.0×1016cm-3にすることによりベースの平均抵抗は約
1.6Ωcmが得られ、実用上可能な範囲に制御できる。
２の拡散長を10μｍ、表面濃度を5.0×1018cm-3に、エ
ミッタ領域３の拡散長を５μｍ、表面濃度を8.0×1020c
m-3にすることにより、電流増幅率（hFE）は約100が得
られ、かつ浅いベース領域10は拡散長３μｍ、表面濃度
1.0×1016cm-3にすることによりベースの平均抵抗は約
1.6Ωcmが得られ、実用上可能な範囲に制御できる。
発明の効果 本発明によれば、浅いベース領域への抵抗挿入により、
安全動作領域を拡大し、しかも、チップの有効面積を減
少させずにその抵抗値を任意に変化させることが可能な
トランジスタ構造が実現でき、その実用的効果は大であ
る。
安全動作領域を拡大し、しかも、チップの有効面積を減
少させずにその抵抗値を任意に変化させることが可能な
トランジスタ構造が実現でき、その実用的効果は大であ
る。
第１図は本発明実施例半導体装置の断面図、第２図は従
来の半導体装置の断面図である。 １……基板、２……深いベース領域、３……エミッタ領
域、４……フローティングエミッタ領域、５……ベース
電極、６……エミッタ電極、７……コレクタ電極、８…
…絶縁膜、９……抵抗領域、10……浅いベース領域。
来の半導体装置の断面図である。 １……基板、２……深いベース領域、３……エミッタ領
域、４……フローティングエミッタ領域、５……ベース
電極、６……エミッタ電極、７……コレクタ電極、８…
…絶縁膜、９……抵抗領域、10……浅いベース領域。
Claims (1)
- 【請求項１】コレクタ領域上に深いベース領域と浅いベ
ース領域とが接続されて形成され、前記深いベース領域
内にエミッタ領域が、前記浅いベース領域上にベース電
極が形成され、前記浅いベース領域が前記深いベース領
域よりも低濃度である半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194484A JPH07107904B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194484A JPH07107904B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350064A JPS6350064A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH07107904B2 true JPH07107904B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=16325302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194484A Expired - Lifetime JPH07107904B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107904B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120775A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Bipolar transistor |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194484A patent/JPH07107904B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350064A (ja) | 1988-03-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |