JPH0712047B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0712047B2 JPH0712047B2 JP15067486A JP15067486A JPH0712047B2 JP H0712047 B2 JPH0712047 B2 JP H0712047B2 JP 15067486 A JP15067486 A JP 15067486A JP 15067486 A JP15067486 A JP 15067486A JP H0712047 B2 JPH0712047 B2 JP H0712047B2
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- JP
- Japan
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- mold
- semiconductor device
- primary
- resin
- chip
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばホトカプラのようなダブルトランス
ファーモールドの半導体装置の製造方法に関し、特にそ
の一次モールドと二次モールドの密着性の向上に係るも
のである。
ファーモールドの半導体装置の製造方法に関し、特にそ
の一次モールドと二次モールドの密着性の向上に係るも
のである。
第１図にダブルトランスファーモールドの半導体装置の
一つのホトカプラの一例の構造を示す。
一つのホトカプラの一例の構造を示す。
図において１は外部リード、２は発光ダイオードのチッ
プ、３はホトトランジスタのチップ、４はリード線、５
は光を透過する樹脂による一次モールド部、６は光を透
過しない例えば黒色樹脂による二次モールド部である。
プ、３はホトトランジスタのチップ、４はリード線、５
は光を透過する樹脂による一次モールド部、６は光を透
過しない例えば黒色樹脂による二次モールド部である。
上記構造のホトカプラは下記のようにして製造される。
発光ダイオードのチップ２とホトトランジスタのチップ
３をそれぞれリードフレームにマウントし、各チップ2,
3の電極パットをそれぞれ所定のリードにリード線４で
接続し、発光ダイオードのチップ２とホトトランジスタ
３のチップ３が所定の状態に対峙するようにそれぞれの
リードフレームを保持して、透明樹脂による一次モール
ド５を行い、一次モールド５表面周囲に黒色樹脂による
二次モールド６を行う。
３をそれぞれリードフレームにマウントし、各チップ2,
3の電極パットをそれぞれ所定のリードにリード線４で
接続し、発光ダイオードのチップ２とホトトランジスタ
３のチップ３が所定の状態に対峙するようにそれぞれの
リードフレームを保持して、透明樹脂による一次モール
ド５を行い、一次モールド５表面周囲に黒色樹脂による
二次モールド６を行う。
モールド終了後、リードフレームの不要部分をプレス切
断によって除去し、残った外部リード１を所定の形状に
整形する。
断によって除去し、残った外部リード１を所定の形状に
整形する。
樹脂モールドには金型が使用されるが、金型内に充填し
た樹脂を冷却固化後容易に樹脂から離すことができるよ
うに、通常、樹脂に含まれる離型剤や事前に金型内面に
ワックスなどの離型剤を塗る事で対応している。
た樹脂を冷却固化後容易に樹脂から離すことができるよ
うに、通常、樹脂に含まれる離型剤や事前に金型内面に
ワックスなどの離型剤を塗る事で対応している。
従来は、一次モールド後、モールド樹脂表面の離型剤を
除去するために、表面を洗浄してから、二次モールドを
行なっていた。
除去するために、表面を洗浄してから、二次モールドを
行なっていた。
従来の方法では、離型剤が完全に除去されずに残り、一
次モールド５と二次モールド６間の密着性が悪くなり、
接着部に生成された間隙で空気中放電を起こし絶縁耐圧
が低下したり湿気が浸入し、電極間の絶縁が低下すると
いう問題があった。
次モールド５と二次モールド６間の密着性が悪くなり、
接着部に生成された間隙で空気中放電を起こし絶縁耐圧
が低下したり湿気が浸入し、電極間の絶縁が低下すると
いう問題があった。
この発明は、上記問題を解消するためになされたもの
で、二次モールドが一次モールドに密に接着し、絶縁耐
圧性耐湿性のよいものが得られる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
で、二次モールドが一次モールドに密に接着し、絶縁耐
圧性耐湿性のよいものが得られる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
この発明の方法は、上記目的を達成するために、一次モ
ールドとして透明樹脂を使用するダブルトランスファー
モールドの半導体装置の製造方法において、一次モール
ド後に前記透明樹脂表面の離型剤を酸水素のガス炎によ
り蒸発させて除去した後に二次モールドを行うこととし
たものである。
ールドとして透明樹脂を使用するダブルトランスファー
モールドの半導体装置の製造方法において、一次モール
ド後に前記透明樹脂表面の離型剤を酸水素のガス炎によ
り蒸発させて除去した後に二次モールドを行うこととし
たものである。
それぞれ発光ダイオードのチップ２とホトトランジスタ
のチップ３をマウントしたリードフレームを、該発光ダ
イオードのチップ２とホトトランジスタのチップ３が所
定の状態に対峙するように保持して、透明樹脂による一
次モールド５を行った後、モールド樹脂表面を酸水素の
ガス炎で焼き、表面に付着している離型剤を燃焼させて
除去する。
のチップ３をマウントしたリードフレームを、該発光ダ
イオードのチップ２とホトトランジスタのチップ３が所
定の状態に対峙するように保持して、透明樹脂による一
次モールド５を行った後、モールド樹脂表面を酸水素の
ガス炎で焼き、表面に付着している離型剤を燃焼させて
除去する。
離型剤などが完全に除去された清浄な一次モールド表面
に二次モールドすると、二次モールドが一次モールドに
密着し、空気中放電や接着界面を通って湿気が内部に浸
入することがなくなり、電極間の絶縁低下を招く恐れが
なくなる。
に二次モールドすると、二次モールドが一次モールドに
密着し、空気中放電や接着界面を通って湿気が内部に浸
入することがなくなり、電極間の絶縁低下を招く恐れが
なくなる。
上記には、実施例としてホトカプラを示したが、一次モ
ールドとして透明樹脂を使用したダブルトランスファー
モールドの半導体装置全般に適用できることは勿論であ
る。
ールドとして透明樹脂を使用したダブルトランスファー
モールドの半導体装置全般に適用できることは勿論であ
る。
以上のとおり、この発明によれば、一次モールドと二次
モールドの密着が可能となり空気中放電や接着界面を通
っての湿気の浸入がなくなり、湿気のモールド内への浸
入による電極間絶縁の低下がなくなり、信頼性が向上す
るという効果がある。
モールドの密着が可能となり空気中放電や接着界面を通
っての湿気の浸入がなくなり、湿気のモールド内への浸
入による電極間絶縁の低下がなくなり、信頼性が向上す
るという効果がある。
第１図はダブルトランスファーモールドの半導体装置の
一つのホトカプラの一例の構造を示す断面図である。 １……外部リード、２……発光ダイオードのチップ、３
……ホトトランジスタのチップ、４……リード線、５…
…一次モールド部、６……二次モールド部。
一つのホトカプラの一例の構造を示す断面図である。 １……外部リード、２……発光ダイオードのチップ、３
……ホトトランジスタのチップ、４……リード線、５…
…一次モールド部、６……二次モールド部。
Claims (1)
- 【請求項１】一次モールドとして透明樹脂を使用するダ
ブルトランスファーモールドの半導体装置の製造方法に
おいて、 一次モールド後に前記透明樹脂表面の離型剤を酸水素の
ガス炎により蒸発させて除去した後に二次モールドを行
うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15067486A JPH0712047B2 (ja) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15067486A JPH0712047B2 (ja) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637637A JPS637637A (ja) | 1988-01-13 |
| JPH0712047B2 true JPH0712047B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=15501993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15067486A Expired - Lifetime JPH0712047B2 (ja) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712047B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3435271B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2003-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153133A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Rohm Co Ltd | 電子部品におけるモ−ルド部のばり取り方法 |
-
1986
- 1986-06-28 JP JP15067486A patent/JPH0712047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637637A (ja) | 1988-01-13 |
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