JPH0714887A - フィルムキャリヤ及びその製造方法 - Google Patents
フィルムキャリヤ及びその製造方法Info
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- JPH0714887A JPH0714887A JP6093177A JP9317794A JPH0714887A JP H0714887 A JPH0714887 A JP H0714887A JP 6093177 A JP6093177 A JP 6093177A JP 9317794 A JP9317794 A JP 9317794A JP H0714887 A JPH0714887 A JP H0714887A
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- bipolar
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- film carrier
- film
- semiconductor chip
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプ形成工程及び内部リードのチップ部位
のエッチング工程なしに半導体チップの一括ボンディン
グが可能な、ないしは、一括ボンディングによる半導体
チップの搭載の時、半導体チップの接着力を増大でき
る、フィルムキャリヤ及びその製造方法を提供するこ
と。 【構成】 半導体チップ３０を搭載するためのデバイス
孔１６が形成されたフィルム１０と、このフィルム１０
上で少なくとも一方の側の先部分が前記デバイス孔１６
に突出するように形成された複数個のリード２０と、複
数個のリード２０のそれぞれに対して少なくとも一方の
側の先部分において半導体チップ３０の電極パッド３２
と接触されるコンタクト部２２ａ及び両極酸化層２３ａ
と、を備える構成。
のエッチング工程なしに半導体チップの一括ボンディン
グが可能な、ないしは、一括ボンディングによる半導体
チップの搭載の時、半導体チップの接着力を増大でき
る、フィルムキャリヤ及びその製造方法を提供するこ
と。 【構成】 半導体チップ３０を搭載するためのデバイス
孔１６が形成されたフィルム１０と、このフィルム１０
上で少なくとも一方の側の先部分が前記デバイス孔１６
に突出するように形成された複数個のリード２０と、複
数個のリード２０のそれぞれに対して少なくとも一方の
側の先部分において半導体チップ３０の電極パッド３２
と接触されるコンタクト部２２ａ及び両極酸化層２３ａ
と、を備える構成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フィルムキャリヤ及
びその製造方法に関し、さらに詳しくは半導体チップの
電極パッドに接続される内部リードのチップ部位を両極
酸化させることにより、内部リードが半導体チップのエ
ッジの部位に短絡されることを防止できるフィルムキャ
リヤ及びその製造方法に関する。
びその製造方法に関し、さらに詳しくは半導体チップの
電極パッドに接続される内部リードのチップ部位を両極
酸化させることにより、内部リードが半導体チップのエ
ッジの部位に短絡されることを防止できるフィルムキャ
リヤ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、集積回路ＩＣ又は大規模集積回
路ＬＳＩなどの半導体チップは、その厚さが非常に薄く
大きさも非常に小さく印刷回路基板に直接装着すること
が難しい。このため、前記半導体チップは、モールディ
ング樹脂で密封されている一種の容器に収納して印刷回
路基板に装着する。
路ＬＳＩなどの半導体チップは、その厚さが非常に薄く
大きさも非常に小さく印刷回路基板に直接装着すること
が難しい。このため、前記半導体チップは、モールディ
ング樹脂で密封されている一種の容器に収納して印刷回
路基板に装着する。
【０００３】このような根半導体パッケージの基本形
は、半導体チップがリードフレームのダイパッド上に装
着され、ボンディングワイヤにより半導体チップの電極
端子と外部回路接続用リードが接続されている構造を取
っており、半導体チップ及びボンディングワイヤはリー
ドフレームと共に密封させ、多数の外部リードだけパッ
ケージの外へ突出している。
は、半導体チップがリードフレームのダイパッド上に装
着され、ボンディングワイヤにより半導体チップの電極
端子と外部回路接続用リードが接続されている構造を取
っており、半導体チップ及びボンディングワイヤはリー
ドフレームと共に密封させ、多数の外部リードだけパッ
ケージの外へ突出している。
【０００４】このような半導体パッケージは、外部リー
ドすなわちピンがパッケージの二辺から垂直下向折曲さ
れているデュアルインラインパッケージ方式と、前記ピ
ンがパッケージの四辺から突出しているクワッドフラッ
トパッケージ方式が主流を成している。
ドすなわちピンがパッケージの二辺から垂直下向折曲さ
れているデュアルインラインパッケージ方式と、前記ピ
ンがパッケージの四辺から突出しているクワッドフラッ
トパッケージ方式が主流を成している。
【０００５】前記クワッドフラットパッケージ方式にお
いては、ピンの数が、デュアルインラインパッケージ方
式より比較的多く形成できるので、印刷回路基板の実装
密度を若干高めることができる利点がある。
いては、ピンの数が、デュアルインラインパッケージ方
式より比較的多く形成できるので、印刷回路基板の実装
密度を若干高めることができる利点がある。
【０００６】しかし、近年、電子機器は、高機能化、小
型化及び薄型化または軽薄短小化で進行される趨勢にあ
り、これに対応して半導体チップもまた高集積化される
傾向にあり、それに比例してピンの数も急速に増加する
傾向にある。このために、デュアルインラインパケージ
方式とクワットフラットパッケージ方式などのワイヤボ
ンディングによるパッケージ方式では十分でなく新しい
パッケージ方式が要求されている実状にある。
型化及び薄型化または軽薄短小化で進行される趨勢にあ
り、これに対応して半導体チップもまた高集積化される
傾向にあり、それに比例してピンの数も急速に増加する
傾向にある。このために、デュアルインラインパケージ
方式とクワットフラットパッケージ方式などのワイヤボ
ンディングによるパッケージ方式では十分でなく新しい
パッケージ方式が要求されている実状にある。
【０００７】このような中で、通常のワイヤボンディン
グに基づくことなく半導体チップの電極とこれに対応す
るリードとを一括接続するいわゆるフィルムキャリヤ方
式が開発されている。このフィルムキャリヤ方式は、テ
ープキャリヤ方式又はタブ（TAB:Tape Automated Bondi
ng）方式と呼ばれることもある。
グに基づくことなく半導体チップの電極とこれに対応す
るリードとを一括接続するいわゆるフィルムキャリヤ方
式が開発されている。このフィルムキャリヤ方式は、テ
ープキャリヤ方式又はタブ（TAB:Tape Automated Bondi
ng）方式と呼ばれることもある。
【０００８】前記フィルムキャリヤ方式においては、リ
ードフレームと導線の役割をする金属パターン（リー
ド）がベースフレーム上に形成され、金属突起より成る
バンプによりベースフィルム上の金属パターンと半導体
チップの電極パッドをボンディングする。この技術は表
面実装形パッケージ技術の一種として、ボンディングワ
イヤを使う方式とは全く異なる進歩された技術であり、
小型計算機，ＬＣＤ及びコンピューターなどで主に用い
られている。
ードフレームと導線の役割をする金属パターン（リー
ド）がベースフレーム上に形成され、金属突起より成る
バンプによりベースフィルム上の金属パターンと半導体
チップの電極パッドをボンディングする。この技術は表
面実装形パッケージ技術の一種として、ボンディングワ
イヤを使う方式とは全く異なる進歩された技術であり、
小型計算機，ＬＣＤ及びコンピューターなどで主に用い
られている。
【０００９】図１０は、従来の技術によるタブパッケー
ジに用いるフィルムキャリヤの平面図である。図１０に
示すように、この従来のフィルムキャリヤは、スプロケ
ット孔１２が形成された絶縁フィルム１０からなり、こ
の絶縁フィルム１０上に取り付けられた銅薄膜をフォト
エッチングして形成された内部リード２２外部リード２
４をそれぞれ備える。
ジに用いるフィルムキャリヤの平面図である。図１０に
示すように、この従来のフィルムキャリヤは、スプロケ
ット孔１２が形成された絶縁フィルム１０からなり、こ
の絶縁フィルム１０上に取り付けられた銅薄膜をフォト
エッチングして形成された内部リード２２外部リード２
４をそれぞれ備える。
【００１０】以下、内部リード２２及び外部リード２４
をリードと通称する。ここで、絶縁フィルム１０は、ポ
リイミド、ポリエステル、ポリエーテルスルホン酸塩、
ポリパラアニック酸などの材料で作る。
をリードと通称する。ここで、絶縁フィルム１０は、ポ
リイミド、ポリエステル、ポリエーテルスルホン酸塩、
ポリパラアニック酸などの材料で作る。
【００１１】前記フィルムキャリヤの形成工程をさらに
詳細にみると、絶縁フィルム１０にデバイス孔１６と外
部リード溝１４をパンチング加工した後、１８〜３５ｍ
ｍ厚さの銅薄膜を全面に塗布する。続いて、銅薄膜に感
光膜の塗布、露光及び現像工程を実施して感光膜のパタ
ーンを形成し、この感光膜のパターンを用いて露出され
た領域の銅薄膜をエッチングした後、感光膜のパターン
を除去する。
詳細にみると、絶縁フィルム１０にデバイス孔１６と外
部リード溝１４をパンチング加工した後、１８〜３５ｍ
ｍ厚さの銅薄膜を全面に塗布する。続いて、銅薄膜に感
光膜の塗布、露光及び現像工程を実施して感光膜のパタ
ーンを形成し、この感光膜のパターンを用いて露出され
た領域の銅薄膜をエッチングした後、感光膜のパターン
を除去する。
【００１２】従って、感光膜のパターンにより内部リー
ド２２と外部リード２４を形成する。そして、絶縁フィ
ルム１０の中央部にパンチングされて形成されたデバイ
ス孔１６に部分的に突出された内部リード２２は、絶縁
フィルム１０の端の近傍にストレート模様で形成され
る。
ド２２と外部リード２４を形成する。そして、絶縁フィ
ルム１０の中央部にパンチングされて形成されたデバイ
ス孔１６に部分的に突出された内部リード２２は、絶縁
フィルム１０の端の近傍にストレート模様で形成され
る。
【００１３】このような構造のフィルムキャリヤは同一
構成のフィルムキャリヤの単位が連続して複数個形成さ
れたもので、保管用のリールに巻かれて保管できる。こ
のフィルムキャリヤには、いろいろの方法で半導体チッ
プが搭載される。すなわち、前記内部リード２２の一端
に半導体チップの電極パッドを同時に多点接合、更にい
うと、ギャングボンディングにより接合した後、外部リ
ード２４の他の端を印刷回路基板などの配線電極に接合
することができる。
構成のフィルムキャリヤの単位が連続して複数個形成さ
れたもので、保管用のリールに巻かれて保管できる。こ
のフィルムキャリヤには、いろいろの方法で半導体チッ
プが搭載される。すなわち、前記内部リード２２の一端
に半導体チップの電極パッドを同時に多点接合、更にい
うと、ギャングボンディングにより接合した後、外部リ
ード２４の他の端を印刷回路基板などの配線電極に接合
することができる。
【００１４】図１１及び図１２は、図１０のフィルムキ
ャリヤに搭載した半導体チップの電極パッドと内部リー
ドとをボンディングする方法を例示した部分断面図であ
る。
ャリヤに搭載した半導体チップの電極パッドと内部リー
ドとをボンディングする方法を例示した部分断面図であ
る。
【００１５】まず、図１１を参照すれば、前記ボンディ
ングは、半導体チップ３０の電極パッド３２上に金Ａｕ
を用いてバンプ３４を形成し、このバンプ３４上に対応
する内部リード２２を掛けた後、熱圧搾方式で押さえ、
ひろがったバンプ３４で半導体ップ３０の電極パッド３
２と内部リード２２とを接合することにより成る。
ングは、半導体チップ３０の電極パッド３２上に金Ａｕ
を用いてバンプ３４を形成し、このバンプ３４上に対応
する内部リード２２を掛けた後、熱圧搾方式で押さえ、
ひろがったバンプ３４で半導体ップ３０の電極パッド３
２と内部リード２２とを接合することにより成る。
【００１６】ここで、前記バンプ３４は、一般に半導体
チップ３０の電極パッド３２上に形成されるが、前記電
極パッド３２と対応する位置の内部リード２２上に形成
することもできる。そして、印刷回路基板または液晶表
示パネルＬＣＤは、外部リード２４と接合される。な
お、未説明の図面符号１０は絶縁フィルムである。この
ような方法は、例えば米国特許番号４，４９４，６８８
号及び３，７６３，４０４号などに開示されている。
チップ３０の電極パッド３２上に形成されるが、前記電
極パッド３２と対応する位置の内部リード２２上に形成
することもできる。そして、印刷回路基板または液晶表
示パネルＬＣＤは、外部リード２４と接合される。な
お、未説明の図面符号１０は絶縁フィルムである。この
ような方法は、例えば米国特許番号４，４９４，６８８
号及び３，７６３，４０４号などに開示されている。
【００１７】前記バンブを用いる図１１に示したボンデ
ィング方法は、半導体チップ３０の電極パッド３２上に
バンプ３４を形成する工程の時に、高集積化による電極
パッド３２間の微細ピッチ化により高精度を要し、高価
な装備を必要とする。
ィング方法は、半導体チップ３０の電極パッド３２上に
バンプ３４を形成する工程の時に、高集積化による電極
パッド３２間の微細ピッチ化により高精度を要し、高価
な装備を必要とする。
【００１８】また、バンプ３４により電極パッド３２と
連結された内部リード２２は、バンプ３４の高さだけ、
半導体チップ３０の表面と内部リード２２とが隔離され
るが、電極パッド３２と電気的に連結した内部リード２
２とが半導体チップ３０のエッジ部ａで短絡されるおそ
れがあるなどの問題点がある。
連結された内部リード２２は、バンプ３４の高さだけ、
半導体チップ３０の表面と内部リード２２とが隔離され
るが、電極パッド３２と電気的に連結した内部リード２
２とが半導体チップ３０のエッジ部ａで短絡されるおそ
れがあるなどの問題点がある。
【００１９】上記ボンディング方法と別のボンディング
方法として、図１２に示したごとく、バンプを形成せず
に半導体チップの電極パッドと内部リードとを直接ボン
ディングする方法が、例えば米国特許番号４，２１０，
９２６号に開示されている。
方法として、図１２に示したごとく、バンプを形成せず
に半導体チップの電極パッドと内部リードとを直接ボン
ディングする方法が、例えば米国特許番号４，２１０，
９２６号に開示されている。
【００２０】図１２を参照すれば、絶縁フィルム１０上
に形成される内部リード２２は、半導体チップ３０の電
極パッド３２と接合するコンタクト部２２ａと、半導体
チップ３０のエッジ部ａと対応するエッチング部２３と
を備える。そしてボンディングは、半導体チップ３０の
電極パッド３２上にコンタクト部２２が触れるように内
部リード２２を上げておき、熱圧搾方法で半導体チップ
３０の電極パッド３２と内部リード２２とを接合するこ
とによりなる。
に形成される内部リード２２は、半導体チップ３０の電
極パッド３２と接合するコンタクト部２２ａと、半導体
チップ３０のエッジ部ａと対応するエッチング部２３と
を備える。そしてボンディングは、半導体チップ３０の
電極パッド３２上にコンタクト部２２が触れるように内
部リード２２を上げておき、熱圧搾方法で半導体チップ
３０の電極パッド３２と内部リード２２とを接合するこ
とによりなる。
【００２１】このようなボンディング方法は、バンプを
形成しなくでもい利点がある半面、半導体チップ３０の
エッジ部ａから発生される短絡を防止するためには必ず
エッチング工程を実施しエッチング部２３を形成しなけ
ればならない問題点がある。
形成しなくでもい利点がある半面、半導体チップ３０の
エッジ部ａから発生される短絡を防止するためには必ず
エッチング工程を実施しエッチング部２３を形成しなけ
ればならない問題点がある。
【００２２】さらに、前記ボンディング方法は、微細ピ
ッチ化された内部リード２２の先端部を適切な厚さで正
確にエッチングするのに相当の難しさがあるだけでな
く、エッチング後に残る薄くなった部分２２ａにより内
部リード２２の先端部が弱化される問題点がある。
ッチ化された内部リード２２の先端部を適切な厚さで正
確にエッチングするのに相当の難しさがあるだけでな
く、エッチング後に残る薄くなった部分２２ａにより内
部リード２２の先端部が弱化される問題点がある。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】従って、この発明の目
的は、バンプ形成工程及び内部リードのチップ部位のエ
ッチング工程なしに半導体チップの一括ボンディングが
可能なフィルムキャリヤ及びその製造方法を提供するこ
とにある。
的は、バンプ形成工程及び内部リードのチップ部位のエ
ッチング工程なしに半導体チップの一括ボンディングが
可能なフィルムキャリヤ及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【００２４】この発明の他の目的は、一括ボンディング
による半導体チップの搭載の時、半導体チップの接着力
を増大できるフィルムキャリヤ及びその製造方法を提供
することにある。
による半導体チップの搭載の時、半導体チップの接着力
を増大できるフィルムキャリヤ及びその製造方法を提供
することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
にこの発明に係るフィルムキャリアは、半導体チップを
搭載するためのデバイス孔が形成されたフィルムと、こ
のフィルム上で少なくとも一方の側の先部分が前記デバ
イス孔に突出するように形成された多数個のリードと、
これら多数個のリードのそれぞれに対して少なくとも一
方の側の先部分において半導体チップの電極パッドと接
触されるコンタクト部及び両極酸化層と、を備えること
を特徴とする。
にこの発明に係るフィルムキャリアは、半導体チップを
搭載するためのデバイス孔が形成されたフィルムと、こ
のフィルム上で少なくとも一方の側の先部分が前記デバ
イス孔に突出するように形成された多数個のリードと、
これら多数個のリードのそれぞれに対して少なくとも一
方の側の先部分において半導体チップの電極パッドと接
触されるコンタクト部及び両極酸化層と、を備えること
を特徴とする。
【００２６】この構成において、前記多数個のリード
は、両極の酸化の時に電極連結用として使われるトラン
クリードによりすべて電気的に結線されることができ
る。また、前記両極酸化層は、前記リードと半導体チッ
プのエッジ部との短絡を防止する絶縁層であり、前記コ
ンタクト部は、前記リードの一部として半導体チップの
電極パッドと接触する部分である。また、前記多数個の
リードは、両極酸化が可能な金属であることが望まし
く、その物質としては、アルミニウムＡｌ、タンタルＴ
ａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステンＷ中
のどれかの一つであるかあるいは二つ以上の合金である
ことができる。あるいは、前記多数個のリードは、両極
酸化が不可能な金属物質でもよく、その場合、その金属
物質の全表面に両極酸化が可能な物質が電気鍍金されれ
ばよい。また、前記両極酸化が不可能な物質は、銅ある
いは銅の合金系であることがきでる。
は、両極の酸化の時に電極連結用として使われるトラン
クリードによりすべて電気的に結線されることができ
る。また、前記両極酸化層は、前記リードと半導体チッ
プのエッジ部との短絡を防止する絶縁層であり、前記コ
ンタクト部は、前記リードの一部として半導体チップの
電極パッドと接触する部分である。また、前記多数個の
リードは、両極酸化が可能な金属であることが望まし
く、その物質としては、アルミニウムＡｌ、タンタルＴ
ａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステンＷ中
のどれかの一つであるかあるいは二つ以上の合金である
ことができる。あるいは、前記多数個のリードは、両極
酸化が不可能な金属物質でもよく、その場合、その金属
物質の全表面に両極酸化が可能な物質が電気鍍金されれ
ばよい。また、前記両極酸化が不可能な物質は、銅ある
いは銅の合金系であることがきでる。
【００２７】また、上記目的を達成するためにこの発明
に係るフィルムキャリヤの製造方法においては、フィル
ムをパンチング加工してデバイス孔を形成する第１工程
と、前記フィルム上に金属物質を塗布し、パターニング
して少なくとも一方の側の先部分が前記デバイス孔に突
出するように複数個のリードを形成する第２工程と、前
記複数個のリードに少なくとも一方の側の先部分に両極
酸化層が形成される部分を定義するために両極酸化マス
クを形成する第３工程と、前記第３工程の結果として得
られるべき構造で両極酸化を実施して半導体チップの電
極パッドと接触されるコンタクト部を除外した領域に両
極酸化層を形成する第４工程と、を具備することを特徴
とする。
に係るフィルムキャリヤの製造方法においては、フィル
ムをパンチング加工してデバイス孔を形成する第１工程
と、前記フィルム上に金属物質を塗布し、パターニング
して少なくとも一方の側の先部分が前記デバイス孔に突
出するように複数個のリードを形成する第２工程と、前
記複数個のリードに少なくとも一方の側の先部分に両極
酸化層が形成される部分を定義するために両極酸化マス
クを形成する第３工程と、前記第３工程の結果として得
られるべき構造で両極酸化を実施して半導体チップの電
極パッドと接触されるコンタクト部を除外した領域に両
極酸化層を形成する第４工程と、を具備することを特徴
とする。
【００２８】この製造方法において、前記両極酸化層
は、複数個のリードの少なくとも一方の側の先部分に形
成され、各リードの所定の部分を腐食した状態で形成さ
れることができる。また、上述したフィルムキャリヤの
構成のように、前記複数個のリードを両極酸化が可能な
金属（アルミニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオビウムＮ
ｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステンＷ中のどれか一つ
であるかあるいは二つ以上の合金）から形成してもよい
し、前記第２工程において、両極酸化が不可能な金属物
質により複数個のリードを形成するとともに前記リード
の全表面に両極酸化が可能な物質（銅あるいは銅の合金
系）により電気鍍金をするようにしてもよい。
は、複数個のリードの少なくとも一方の側の先部分に形
成され、各リードの所定の部分を腐食した状態で形成さ
れることができる。また、上述したフィルムキャリヤの
構成のように、前記複数個のリードを両極酸化が可能な
金属（アルミニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオビウムＮ
ｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステンＷ中のどれか一つ
であるかあるいは二つ以上の合金）から形成してもよい
し、前記第２工程において、両極酸化が不可能な金属物
質により複数個のリードを形成するとともに前記リード
の全表面に両極酸化が可能な物質（銅あるいは銅の合金
系）により電気鍍金をするようにしてもよい。
【００２９】また、この発明に係る別のフィルムキャリ
ヤにおいては、上端部及び下端部に形成された少なくと
も一つ以上のスプロケット孔と中心部に形成されたデバ
イス孔と長方形に形成された外部リード溝とを有するフ
ィルムと、前記フィルムの上面あるいは下面中心部に形
成された複数個のリードと、前記複数個のリードと一体
に形成され、両極酸化されて底面まで完全に絶縁体とな
された両極酸化パッドと、前記両極酸化パッドに形成さ
れ、半導体チップのボンディングの時にこの半導体チッ
プの電極パッドと接触する部分として両極酸化が不可能
な複数個のコンタクト部と、前記複数個のリードのそれ
ぞれにおいて、少なくとも一方の側の先部分の所定の領
域に形成された両極酸化層と、を具備することを特徴と
する。
ヤにおいては、上端部及び下端部に形成された少なくと
も一つ以上のスプロケット孔と中心部に形成されたデバ
イス孔と長方形に形成された外部リード溝とを有するフ
ィルムと、前記フィルムの上面あるいは下面中心部に形
成された複数個のリードと、前記複数個のリードと一体
に形成され、両極酸化されて底面まで完全に絶縁体とな
された両極酸化パッドと、前記両極酸化パッドに形成さ
れ、半導体チップのボンディングの時にこの半導体チッ
プの電極パッドと接触する部分として両極酸化が不可能
な複数個のコンタクト部と、前記複数個のリードのそれ
ぞれにおいて、少なくとも一方の側の先部分の所定の領
域に形成された両極酸化層と、を具備することを特徴と
する。
【００３０】この構成において、前記両極酸化パッド
に、少なくとも一つ以上の通孔を形成することができ
る。また、このフィルムキャリヤにおいても、前記両極
酸化層は、前記リードと半導体チップのエッジ部との短
絡を防止する絶縁層であり、前記コンタクト部は、前記
リードの一部として半導体チップの電極パッドと接触す
る部分であることができる。また、前記コンタクト部
は、両極酸化パッドのどの部分でも自由に設けられるこ
とが可能である。また、前記複数個のリード及びこの複
数個のリードと一体に形成された両極酸化パッドは、上
記同様、両極酸化が可能な金属から形成することができ
る。
に、少なくとも一つ以上の通孔を形成することができ
る。また、このフィルムキャリヤにおいても、前記両極
酸化層は、前記リードと半導体チップのエッジ部との短
絡を防止する絶縁層であり、前記コンタクト部は、前記
リードの一部として半導体チップの電極パッドと接触す
る部分であることができる。また、前記コンタクト部
は、両極酸化パッドのどの部分でも自由に設けられるこ
とが可能である。また、前記複数個のリード及びこの複
数個のリードと一体に形成された両極酸化パッドは、上
記同様、両極酸化が可能な金属から形成することができ
る。
【００３１】また、この発明に係る別のフィルムキャリ
ヤの製造方法においては、フィルム上に両極酸化が可能
な物質を塗布し、パターニングして複数個のリードを備
える金属パターンを形成する第１工程と、両極酸化マス
クを形成し、前記複数個のリードと前記金属パターンと
を連結するそれぞれの部分の表面上に第１次の両極酸化
を実施して両極酸化層を形成する第２工程と、半導体チ
ップが電極パッドと接触されるコンタクト部とを定義す
る両極酸化マスクを形成し、前記金属パターン全体が完
全な絶縁体になるまで第２次の両極酸化を実施する第３
工程と、を備えることを特徴とする。
ヤの製造方法においては、フィルム上に両極酸化が可能
な物質を塗布し、パターニングして複数個のリードを備
える金属パターンを形成する第１工程と、両極酸化マス
クを形成し、前記複数個のリードと前記金属パターンと
を連結するそれぞれの部分の表面上に第１次の両極酸化
を実施して両極酸化層を形成する第２工程と、半導体チ
ップが電極パッドと接触されるコンタクト部とを定義す
る両極酸化マスクを形成し、前記金属パターン全体が完
全な絶縁体になるまで第２次の両極酸化を実施する第３
工程と、を備えることを特徴とする。
【００３２】この方法において、前記金属パターンを形
成する第１工程の時、前記金属パターンに少なくとも一
つ以上の通孔を形成することができる。また、前記両極
酸化層は、前記リードと半導体チップのエッジ部との短
絡を防止する絶縁層であり、前記コンタクト部は、前記
リードの一部として半導体チップの電極パッドと接触す
る部分であることができる。また、前記コンタクト部
は、前記複数個のリードとそれぞれ電気的に連結される
場合には、前記両極酸化パッドのどの部分でも自由に設
けられることができる。前記複数個のリード及びこの複
数個のリードと一体に形成された両極酸化パッドは、両
極酸化が可能な金属（例えば、アルミニウムＡｌ、タン
タルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステ
ンＷ中のどれか一つであるかあるいは二つ以上の合金）
から形成されることができる。
成する第１工程の時、前記金属パターンに少なくとも一
つ以上の通孔を形成することができる。また、前記両極
酸化層は、前記リードと半導体チップのエッジ部との短
絡を防止する絶縁層であり、前記コンタクト部は、前記
リードの一部として半導体チップの電極パッドと接触す
る部分であることができる。また、前記コンタクト部
は、前記複数個のリードとそれぞれ電気的に連結される
場合には、前記両極酸化パッドのどの部分でも自由に設
けられることができる。前記複数個のリード及びこの複
数個のリードと一体に形成された両極酸化パッドは、両
極酸化が可能な金属（例えば、アルミニウムＡｌ、タン
タルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステ
ンＷ中のどれか一つであるかあるいは二つ以上の合金）
から形成されることができる。
【００３３】
【実施例】以下、添付した図面を参照してこの発明によ
るフィルムキャリヤ及びその製造方法に対する望ましい
実施例を詳細に説明する。
るフィルムキャリヤ及びその製造方法に対する望ましい
実施例を詳細に説明する。
【００３４】図１は、この発明によるフィルムキャリヤ
の一実施例の平面図である。ここで、従来のフィルムキ
ャリヤと同一部分に対しては同一参照符号を付与し、そ
れによる詳細な説明は省略する。
の一実施例の平面図である。ここで、従来のフィルムキ
ャリヤと同一部分に対しては同一参照符号を付与し、そ
れによる詳細な説明は省略する。
【００３５】図１を参照すれば、この発明によるフィル
ムキャリヤは、スプロケット孔１２、デバイス孔１６及
び外部リード溝１４を形成している絶縁フィルム１０
と、この絶縁フィルム１０の上面または下面にあってデ
バイス孔１６に部分的に突出され、外部リード溝１４を
貫いて形成された多数個のリード２０とを備えている。
ムキャリヤは、スプロケット孔１２、デバイス孔１６及
び外部リード溝１４を形成している絶縁フィルム１０
と、この絶縁フィルム１０の上面または下面にあってデ
バイス孔１６に部分的に突出され、外部リード溝１４を
貫いて形成された多数個のリード２０とを備えている。
【００３６】前記絶縁フィルム１０の材料としては、ポ
リイミド、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）、ポリパラアニック酸（ＰＰＡ）などを用いること
ができ、前記リード２０の材料としては両極酸化が良好
になされる金属物質、例えば、アルミニウムＡｌ、タン
タルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステ
ンＷなどを用いることができる。
リイミド、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）、ポリパラアニック酸（ＰＰＡ）などを用いること
ができ、前記リード２０の材料としては両極酸化が良好
になされる金属物質、例えば、アルミニウムＡｌ、タン
タルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステ
ンＷなどを用いることができる。
【００３７】ここで、未説明の図面符号１８は、前記多
数個のリード２０を電気的に結線するトランクリードで
ある。このトランクリード１８は、両極酸化の時に電極
連結用として使う。両極酸化に対しては後述する。
数個のリード２０を電気的に結線するトランクリードで
ある。このトランクリード１８は、両極酸化の時に電極
連結用として使う。両極酸化に対しては後述する。
【００３８】両極酸化層２３ａは、デバイス孔１６に部
分的に突出し、外部リード溝１４を貫いて形成している
リード２０の一方の側の先端部に形成されている。
分的に突出し、外部リード溝１４を貫いて形成している
リード２０の一方の側の先端部に形成されている。
【００３９】前記両極酸化層２３ａは、図１２に示す従
来の技術で、半導体チップ３０のエッジ部ａの接触を防
止するためのエッチング部２３と対応する位置に形成さ
れている。また両極酸化層２３ａは、図１の円（○）内
に示すＩ−Ｉ線で切って見た要部拡大断面図でさらに明
確に示される。
来の技術で、半導体チップ３０のエッジ部ａの接触を防
止するためのエッチング部２３と対応する位置に形成さ
れている。また両極酸化層２３ａは、図１の円（○）内
に示すＩ−Ｉ線で切って見た要部拡大断面図でさらに明
確に示される。
【００４０】ここで内部リード２２上に形成する両極酸
化層２３ａの断面形状を見ると、半導体チップ３０（図
２）の電極パッド３２と接触する部分であるコンタクト
部２２ａを除外したデバイス孔１６の内側へ伸びている
部分全体にわたって両極酸化層２３ａが形成されてい
る。
化層２３ａの断面形状を見ると、半導体チップ３０（図
２）の電極パッド３２と接触する部分であるコンタクト
部２２ａを除外したデバイス孔１６の内側へ伸びている
部分全体にわたって両極酸化層２３ａが形成されてい
る。
【００４１】このとき、両極酸化層２３ａは、内部リー
ド２２の一定部分だけが絶縁層になるようにするため
に、内部リード２２体の所定部分を腐食した状態で形成
されるものである。
ド２２の一定部分だけが絶縁層になるようにするため
に、内部リード２２体の所定部分を腐食した状態で形成
されるものである。
【００４２】この発明の核心技術の要旨は、このような
両極酸化層２３ａの形成にある。すなわち、半導体チッ
プ３０のボンディングパッドに接続される内部リード２
２のチップ部位を両極酸化させることにより、内部リー
ド２２が半導体チップ３０のエッジ部と短絡されること
を防止できるようにするものである。
両極酸化層２３ａの形成にある。すなわち、半導体チッ
プ３０のボンディングパッドに接続される内部リード２
２のチップ部位を両極酸化させることにより、内部リー
ド２２が半導体チップ３０のエッジ部と短絡されること
を防止できるようにするものである。
【００４３】従来技術の場合は、バンプを媒介したアル
ミニウムＡｌ電極パッドと熱圧搾工程を円滑にするため
に、通常のリード２０は銅またはその合金系の薄膜で形
成されているが、銅またはその合金系の薄膜は両極酸化
できないため、この発明ではそのままでは適用できな
い。したがって、前記リード２０の材料を両極酸化が可
能な金属で形成することが望ましい。
ミニウムＡｌ電極パッドと熱圧搾工程を円滑にするため
に、通常のリード２０は銅またはその合金系の薄膜で形
成されているが、銅またはその合金系の薄膜は両極酸化
できないため、この発明ではそのままでは適用できな
い。したがって、前記リード２０の材料を両極酸化が可
能な金属で形成することが望ましい。
【００４４】しかしながら、図３に示すように、両極酸
化ができない金属物質をリードに用いるために内部リー
ド２２の所定の部分に両極酸化が可能な金属物質を電気
鍍金して、両極酸化を実現するようにすることもでき
る。
化ができない金属物質をリードに用いるために内部リー
ド２２の所定の部分に両極酸化が可能な金属物質を電気
鍍金して、両極酸化を実現するようにすることもでき
る。
【００４５】すなわち、図３に示すように、内部リード
２２ｃの全表面を両極酸化が可能な物質２２ｄで電気鍍
金し、この内部リード２２ｃの下端部の所定の領域に、
両極酸化層２３ｂを形成することができる。そして、半
導体チップ３０の電極パッド３２と内部リード２２とが
直接ボンディングされるものである。
２２ｃの全表面を両極酸化が可能な物質２２ｄで電気鍍
金し、この内部リード２２ｃの下端部の所定の領域に、
両極酸化層２３ｂを形成することができる。そして、半
導体チップ３０の電極パッド３２と内部リード２２とが
直接ボンディングされるものである。
【００４６】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、１のフィル
ムキャリヤに搭載した半導体チップ３０の電極パッド３
２と内部リード２２とをボンディングする例を示す部分
断面図である。図２（ａ）は、絶縁フィルム１０の上部
にリード２０が形成された場合であり、図２（ｂ）は絶
縁フィルム１０の下部にリード２０が形成された場合を
それぞれ示すが、ボンディング方法には差異がない。
ムキャリヤに搭載した半導体チップ３０の電極パッド３
２と内部リード２２とをボンディングする例を示す部分
断面図である。図２（ａ）は、絶縁フィルム１０の上部
にリード２０が形成された場合であり、図２（ｂ）は絶
縁フィルム１０の下部にリード２０が形成された場合を
それぞれ示すが、ボンディング方法には差異がない。
【００４７】図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照すれば、
半導体チップ３０の電極パッド３２と対応する内部リー
ド２２のコンタクト部２２ａが前記電極パッド３２と直
接熱圧搾される。このとき、両極酸化層２３ａが内部リ
ード２２と半導体チップ３０のエッジ部ａ（図１２参
照）が短絡することを防止している。
半導体チップ３０の電極パッド３２と対応する内部リー
ド２２のコンタクト部２２ａが前記電極パッド３２と直
接熱圧搾される。このとき、両極酸化層２３ａが内部リ
ード２２と半導体チップ３０のエッジ部ａ（図１２参
照）が短絡することを防止している。
【００４８】このような構成を持つこの発明によるフィ
ルムキャリヤの製造方法に対する一実施例を説明する。
ルムキャリヤの製造方法に対する一実施例を説明する。
【００４９】先ず、絶縁フィルム１０にデバイス孔１６
と外部リード溝１４をパンチング加工した後、所定の厚
さの金属薄膜を全面に塗布する。ここで、金属薄膜の材
料としては、両極酸化が良好になされる金属物質、例え
ば、アルミニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオブＮｂ、ジ
ルコニウムＺｒ、タングステンＷ等を用いることができ
る。
と外部リード溝１４をパンチング加工した後、所定の厚
さの金属薄膜を全面に塗布する。ここで、金属薄膜の材
料としては、両極酸化が良好になされる金属物質、例え
ば、アルミニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオブＮｂ、ジ
ルコニウムＺｒ、タングステンＷ等を用いることができ
る。
【００５０】続いて、前記金属薄膜に感光膜の塗布、露
光及び現像工程を実施して感光膜のパターンを形成し、
この感光膜のパターンを用いて露出された領域の金属薄
膜をエッチングした後に前記感光膜のパターンを除去す
る。
光及び現像工程を実施して感光膜のパターンを形成し、
この感光膜のパターンを用いて露出された領域の金属薄
膜をエッチングした後に前記感光膜のパターンを除去す
る。
【００５１】この結果的な構造として、前記感光膜のパ
ターンにより内部リード２２、外部リード２４を備える
多数個のリード２０が形成される。このとき、内部リー
ド２２の一方の側の先端部は、半導体チップ３０を搭載
するために絶縁フィルム１０の中央部にパンチングされ
て形成されたデバイス孔１６に、部分的に突出するよう
に形成され、また内部リード２２の他の側の先端部は、
トランクリード１８を通じてすべて結線される。
ターンにより内部リード２２、外部リード２４を備える
多数個のリード２０が形成される。このとき、内部リー
ド２２の一方の側の先端部は、半導体チップ３０を搭載
するために絶縁フィルム１０の中央部にパンチングされ
て形成されたデバイス孔１６に、部分的に突出するよう
に形成され、また内部リード２２の他の側の先端部は、
トランクリード１８を通じてすべて結線される。
【００５２】次に、半導体チップ３０の電極パッド３２
と接触する部分であるコンタクト部２２ａを除外したデ
バイス孔１６の内側へ伸びている部分の全体にわたっ
て、両極酸化層２３ａを形成する工程を実施する。
と接触する部分であるコンタクト部２２ａを除外したデ
バイス孔１６の内側へ伸びている部分の全体にわたっ
て、両極酸化層２３ａを形成する工程を実施する。
【００５３】ここで、リード２０の材料をアルミニウＡ
ｌ薄膜とした場合を例として説明する。両極酸化層２３
ａを形成する部分を除外した内部リード２２の全表面に
感光膜を塗布した後、パターニングして内部リード２２
のチップ部分の両極酸化層２３ａを形成する部分を両極
酸化マスクと定義する。
ｌ薄膜とした場合を例として説明する。両極酸化層２３
ａを形成する部分を除外した内部リード２２の全表面に
感光膜を塗布した後、パターニングして内部リード２２
のチップ部分の両極酸化層２３ａを形成する部分を両極
酸化マスクと定義する。
【００５４】この場合、前記両極酸化マスクとして、感
光膜だけを塗布して使うこともできるが、誘導体マスク
材料としてコーティングした後にエッチングして、感光
膜としてパターンを形成することもできる。
光膜だけを塗布して使うこともできるが、誘導体マスク
材料としてコーティングした後にエッチングして、感光
膜としてパターンを形成することもできる。
【００５５】上記誘電体として作るマスクは、高い両極
酸化の電圧で信頼できるので、さらに良いアルミニウＡ
ｌのパターンを定義することができる。
酸化の電圧で信頼できるので、さらに良いアルミニウＡ
ｌのパターンを定義することができる。
【００５６】両極酸化マスクを形成した後に両極酸化を
実施することになるが、両極酸化は、電解槽で電極を両
極にして作用させて電極の表面上で酸化膜を成長させる
通常の方法が両極酸化工程として実施される。
実施することになるが、両極酸化は、電解槽で電極を両
極にして作用させて電極の表面上で酸化膜を成長させる
通常の方法が両極酸化工程として実施される。
【００５７】前記両極酸化工程は、先ず、クランプを使
ってアルミニウムＡｌ薄膜を形成しているリード２２の
トランクリード１８をアノードに電気的に接続し、電解
液で満たされた電解槽に漬けて、両極の間に電圧をかけ
る。このとき、電解液には、３〜５％のシュウ酸Ｈ2 Ｃ
2 Ｏ4 を使う。
ってアルミニウムＡｌ薄膜を形成しているリード２２の
トランクリード１８をアノードに電気的に接続し、電解
液で満たされた電解槽に漬けて、両極の間に電圧をかけ
る。このとき、電解液には、３〜５％のシュウ酸Ｈ2 Ｃ
2 Ｏ4 を使う。
【００５８】また、両極酸化層２３ａは、内部リード２
２の一定の部分だけを絶縁するために形成するもので、
内部リード体の所定の部分を腐食して形成しなければな
らない。
２の一定の部分だけを絶縁するために形成するもので、
内部リード体の所定の部分を腐食して形成しなければな
らない。
【００５９】従って、リード２０、すなわちアルミニウ
ムＡｌ薄膜の厚さｔ１が１０〜２０μｍ程度である場
合、両極酸化層２３ａの厚さｔ２は、５〜７μｍ程度な
らば、絶縁層として十分であるので、このとき両極酸化
の条件は、温度３０±〜２℃、両極酸化電圧にＡＣ８０
Ｖ、電流密度３Ａ／ｄｍ2 で２０分かかって実施するこ
とが望ましい。アルミニウムＡｌがより純粋な程度を有
することにより、さらに良好な両極酸化層２３ａを得る
ことができる。
ムＡｌ薄膜の厚さｔ１が１０〜２０μｍ程度である場
合、両極酸化層２３ａの厚さｔ２は、５〜７μｍ程度な
らば、絶縁層として十分であるので、このとき両極酸化
の条件は、温度３０±〜２℃、両極酸化電圧にＡＣ８０
Ｖ、電流密度３Ａ／ｄｍ2 で２０分かかって実施するこ
とが望ましい。アルミニウムＡｌがより純粋な程度を有
することにより、さらに良好な両極酸化層２３ａを得る
ことができる。
【００６０】両極酸化工程後の結果的構造は、図１の円
（○）内に示した要部拡大断面図で示したように、両極
酸化層２３ａがリード２２を腐食した状態で形成され、
リード２２の全体表面は段差なく形成される。これは、
両極酸化膜がアルミニウムＡｌを消耗しながら成長する
ためである。
（○）内に示した要部拡大断面図で示したように、両極
酸化層２３ａがリード２２を腐食した状態で形成され、
リード２２の全体表面は段差なく形成される。これは、
両極酸化膜がアルミニウムＡｌを消耗しながら成長する
ためである。
【００６１】従って、内部リード２２の先端部は、エチ
ッング工程に形成した従来のものに比べて強化され、ボ
ンディングの時にリード端部の曲げを防止することがで
きる。
ッング工程に形成した従来のものに比べて強化され、ボ
ンディングの時にリード端部の曲げを防止することがで
きる。
【００６２】一方、図３に示すごとく、両極酸化が不可
能な金属物質をリードで用いる場合の製造方法は、内部
リード２２の表面に電気鍍金する追加工程の外に、前述
した両極酸化工程と同様な方法で製造することができ
る。
能な金属物質をリードで用いる場合の製造方法は、内部
リード２２の表面に電気鍍金する追加工程の外に、前述
した両極酸化工程と同様な方法で製造することができ
る。
【００６３】図４は、この発明によるフィルムキャリヤ
の他の実施例を示す平面図であり、図５はＶ−Ｖ線で切
って見た断面図である。図４を参照すれば、この実施例
によるフィルムキャリヤは、スプロケット孔１２及び外
部リード溝１４を形成している絶縁フィルム１０と、こ
の絶縁フィルム１０の上面又は下面に内部リード２２及
び外部リード２４を含む多数個のリード２０と、このリ
ード２０と一体に形成されると共にハード両極酸化され
て底面まで完全に絶縁体になった放射形の金属物質１７
ａ（以下両極酸化パッドという）とを備えている。
の他の実施例を示す平面図であり、図５はＶ−Ｖ線で切
って見た断面図である。図４を参照すれば、この実施例
によるフィルムキャリヤは、スプロケット孔１２及び外
部リード溝１４を形成している絶縁フィルム１０と、こ
の絶縁フィルム１０の上面又は下面に内部リード２２及
び外部リード２４を含む多数個のリード２０と、このリ
ード２０と一体に形成されると共にハード両極酸化され
て底面まで完全に絶縁体になった放射形の金属物質１７
ａ（以下両極酸化パッドという）とを備えている。
【００６４】前記両極酸化パッド１７ａは、図１におけ
るデバイス孔１６の大きさと同じで、ここで、この部分
はハード両極酸化層になる。前記両極酸化パッド１７ａ
には、半導体チップボンディングの時に電極パッド３２
（図６）と接触するコンタクト部２２ｂが両極酸化が不
可能な部分に残っている。
るデバイス孔１６の大きさと同じで、ここで、この部分
はハード両極酸化層になる。前記両極酸化パッド１７ａ
には、半導体チップボンディングの時に電極パッド３２
（図６）と接触するコンタクト部２２ｂが両極酸化が不
可能な部分に残っている。
【００６５】また、前記フィルムキャリヤは、前記コン
タクト部２２ｂと電気的に連結する内部リード２２の所
定の領域に両極酸化層２３ｂを備える。この両極酸化層
２３ｂは上で説明した一実施例に係る両極酸化層２３ａ
と概念上同じ構造である。未説明符号２６は、両極酸化
パッド１７に形成している多数個の通孔を示す。これに
関しては後述する。
タクト部２２ｂと電気的に連結する内部リード２２の所
定の領域に両極酸化層２３ｂを備える。この両極酸化層
２３ｂは上で説明した一実施例に係る両極酸化層２３ａ
と概念上同じ構造である。未説明符号２６は、両極酸化
パッド１７に形成している多数個の通孔を示す。これに
関しては後述する。
【００６６】上記構造は、図５に示すＶ−Ｖで切って見
た部分拡大断面図でさらに明確に知ることができる。こ
の図５を参照すれば、外部リード溝１４を形成している
絶縁フィルム１０に両極酸化パッド１７ａが形成されて
おり、前記両極酸化パッド１７ａと対応して多数個のリ
ード２０が長方形で形成されている。
た部分拡大断面図でさらに明確に知ることができる。こ
の図５を参照すれば、外部リード溝１４を形成している
絶縁フィルム１０に両極酸化パッド１７ａが形成されて
おり、前記両極酸化パッド１７ａと対応して多数個のリ
ード２０が長方形で形成されている。
【００６７】前記両極酸化パッド１７ａは、リード２０
を構成する金属薄膜を底面まで両極酸化した完全な絶縁
体であり、ここには多数個の通孔２６が形成されてい
る。そして、コンタクト部２２ｂは、リード２０と電気
的に連結されており、前記コンタクト部２２ｂの表面周
囲は両極酸化層２３ｂ及び両極酸化パッド１７ａにより
隔離されている。
を構成する金属薄膜を底面まで両極酸化した完全な絶縁
体であり、ここには多数個の通孔２６が形成されてい
る。そして、コンタクト部２２ｂは、リード２０と電気
的に連結されており、前記コンタクト部２２ｂの表面周
囲は両極酸化層２３ｂ及び両極酸化パッド１７ａにより
隔離されている。
【００６８】ここで、前記絶縁フィルム１０の材料は、
ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（Ｐ
ＥＳ）、ポリパラアニック酸（ＰＰＡ）などを用いるこ
とができる。また、前記リード２０は、両極酸化が良好
になされる金属物資、例えばアルミニウムＡｌ、タンタ
ルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステン
Ｗ等を用いることができる。
ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（Ｐ
ＥＳ）、ポリパラアニック酸（ＰＰＡ）などを用いるこ
とができる。また、前記リード２０は、両極酸化が良好
になされる金属物資、例えばアルミニウムＡｌ、タンタ
ルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺｒ、タングステン
Ｗ等を用いることができる。
【００６９】図６は、図４で示したフィルムキャリヤに
搭載した半導体チップ３０の電極パッド３２と内部リー
ド２２とをボンディングする例を示す断面図である。
搭載した半導体チップ３０の電極パッド３２と内部リー
ド２２とをボンディングする例を示す断面図である。
【００７０】図６を参照すれば、半導体チップ３０の電
極パッド３２と対応するコンタクト部２２ｂが前記電極
パッド３２と直接熱圧搾される。このとき、両極酸化層
２３ｂは、半導体チップ３０のエッジ部ａをカバーする
ことになるので、内部リード２２がエッジ部ａと短絡す
ることが防止される。
極パッド３２と対応するコンタクト部２２ｂが前記電極
パッド３２と直接熱圧搾される。このとき、両極酸化層
２３ｂは、半導体チップ３０のエッジ部ａをカバーする
ことになるので、内部リード２２がエッジ部ａと短絡す
ることが防止される。
【００７１】そして、両極酸化パッド１７ａは、半導体
チップ３０の上面全体の上に載置されているとともに、
多数個の通孔２６を形成しており、両極酸化パッド１７
ａの上部に形成されてある絶縁フィルム１０の所定の領
域を予め開口してカプセル化のためのコーティングレジ
ンを塗布することにより、半導体チップ３０の全体リー
ド間の結合力を向上させるができる。図面では、特別に
絶縁フィルム１０の開口及びコーティングレジンは示さ
なかった。
チップ３０の上面全体の上に載置されているとともに、
多数個の通孔２６を形成しており、両極酸化パッド１７
ａの上部に形成されてある絶縁フィルム１０の所定の領
域を予め開口してカプセル化のためのコーティングレジ
ンを塗布することにより、半導体チップ３０の全体リー
ド間の結合力を向上させるができる。図面では、特別に
絶縁フィルム１０の開口及びコーティングレジンは示さ
なかった。
【００７２】このような、構成を持つ他の実施例による
フィルムキャリヤの製造方法を図７乃至図９を参照して
説明する。
フィルムキャリヤの製造方法を図７乃至図９を参照して
説明する。
【００７３】まず、図７に示すように、絶縁フィルム１
０上に両極酸化が可能な物質を塗布し、パターニングし
て正方形の金属パターン１７およびそれに一体に備えら
れる多数個のリード２０を形成する。
０上に両極酸化が可能な物質を塗布し、パターニングし
て正方形の金属パターン１７およびそれに一体に備えら
れる多数個のリード２０を形成する。
【００７４】前記多数個のリード２０は、前記正方形の
金属パターン１７に対して四方に対称となるように形成
される。前記リード２０は、内部リード２２と外部リー
ド２４とからなる。前記正方形の金属パターン１７及び
リード２０のパターニングの時に、図４に示す通孔２６
を共に形成することもできる。図７〜図９では通孔２６
を省略している。
金属パターン１７に対して四方に対称となるように形成
される。前記リード２０は、内部リード２２と外部リー
ド２４とからなる。前記正方形の金属パターン１７及び
リード２０のパターニングの時に、図４に示す通孔２６
を共に形成することもできる。図７〜図９では通孔２６
を省略している。
【００７５】次に、図８に示すように、内部リード２２
と前記金属パターン１７とを連結する部分の表面、すな
わち、内部リード２２の一方の側の表面に、第１両極酸
化を実施して両極酸化層２３ｂを形成する。このとき、
実施する両極酸化工程は、図１に示すフィルムキャリヤ
の製造方法の時と工程条件及び具体的な方法において基
本的に同一である。これに対しては前述したの詳細な説
明を省略する。
と前記金属パターン１７とを連結する部分の表面、すな
わち、内部リード２２の一方の側の表面に、第１両極酸
化を実施して両極酸化層２３ｂを形成する。このとき、
実施する両極酸化工程は、図１に示すフィルムキャリヤ
の製造方法の時と工程条件及び具体的な方法において基
本的に同一である。これに対しては前述したの詳細な説
明を省略する。
【００７６】次に、図９に示すように、前記両極酸化層
２３ｂを形成した後、その結果的構造における両極酸化
層２３ｂを含むリード２０全体に感光膜を塗布し、パタ
ーニングしてコンタクト部を形成する領域を定義する両
極酸化マスクを形成する。
２３ｂを形成した後、その結果的構造における両極酸化
層２３ｂを含むリード２０全体に感光膜を塗布し、パタ
ーニングしてコンタクト部を形成する領域を定義する両
極酸化マスクを形成する。
【００７７】前記両極酸化マスクを形成した後に、第２
両極酸化を実施することになるが、この両極酸化として
は、表面だけを酸化するソフト両極酸化である第１両極
酸化とは異なるハード両極酸化を実施し、金属パターン
１７全体が完全な絶縁体になるまで実施がなされる。
両極酸化を実施することになるが、この両極酸化として
は、表面だけを酸化するソフト両極酸化である第１両極
酸化とは異なるハード両極酸化を実施し、金属パターン
１７全体が完全な絶縁体になるまで実施がなされる。
【００７８】前記第２両極酸化の条件は、金属パターン
の厚さが２０〜４０μｍ程度である場合、第１両極酸化
の条件で、単に８０〜１６０分の両極酸化時間で実施す
れば、所望の両極酸化層２３ａを得ることができる。第
２両極酸化後に、金属パターン１７には、前述した完全
に絶縁性の両極酸化パッド１７ａが形成される。
の厚さが２０〜４０μｍ程度である場合、第１両極酸化
の条件で、単に８０〜１６０分の両極酸化時間で実施す
れば、所望の両極酸化層２３ａを得ることができる。第
２両極酸化後に、金属パターン１７には、前述した完全
に絶縁性の両極酸化パッド１７ａが形成される。
【００７９】このように製造される他の実施例によるフ
ィルムキャリヤは、図１に示す一実施例で期待できる効
果をすべて得ることができ、又、ボンディングする半導
体チップ３０の電極パッド３２と接触するコンタクト部
２３ｂの位置を、長方形の金属パターン１７のどの部分
にも自由に位置させることができる。半導体チップ３０
の電極パッド３２の位置に関係無く、自由にリードを形
成することができるフィルムキャリヤを製造することが
できる。これは、両極酸化マスクパターンに適切に配置
することにより可能である。
ィルムキャリヤは、図１に示す一実施例で期待できる効
果をすべて得ることができ、又、ボンディングする半導
体チップ３０の電極パッド３２と接触するコンタクト部
２３ｂの位置を、長方形の金属パターン１７のどの部分
にも自由に位置させることができる。半導体チップ３０
の電極パッド３２の位置に関係無く、自由にリードを形
成することができるフィルムキャリヤを製造することが
できる。これは、両極酸化マスクパターンに適切に配置
することにより可能である。
【００８０】なお、この発明の技術的思想から外れない
範囲内で、上記実施例に限定されず、多様な変更が可能
であることはいうまでもない。
範囲内で、上記実施例に限定されず、多様な変更が可能
であることはいうまでもない。
【００８１】
【発明の効果】以上、説明したよう、この発明によるフ
ィルムキャリヤ及びその製造方法によれば、内部リード
と半導体チップのエッジ部が短絡することを防止するこ
とができるが、その他にも、次のような効果がある。す
なわち、 従来技術のようにバンプ形成工程ないしリードのチッ
プ部分に対するエッチング工程が不必要となり、両極酸
化工程だけで製造することができ、製造単価を減らすこ
とができる 半導体ボンディングの時、リードの曲げ問題を解決す
ることができる デバイスのアクティブ領域を両極酸化された部位が保
護することにより、α線によるデバイスの不良が発生す
る問題を解決することができる 両極酸化パッド及びそれに形成された通孔としてコー
ティングレジンの塗布の時、半導体チップとリードとの
間の接着力を増大することができる。
ィルムキャリヤ及びその製造方法によれば、内部リード
と半導体チップのエッジ部が短絡することを防止するこ
とができるが、その他にも、次のような効果がある。す
なわち、 従来技術のようにバンプ形成工程ないしリードのチッ
プ部分に対するエッチング工程が不必要となり、両極酸
化工程だけで製造することができ、製造単価を減らすこ
とができる 半導体ボンディングの時、リードの曲げ問題を解決す
ることができる デバイスのアクティブ領域を両極酸化された部位が保
護することにより、α線によるデバイスの不良が発生す
る問題を解決することができる 両極酸化パッド及びそれに形成された通孔としてコー
ティングレジンの塗布の時、半導体チップとリードとの
間の接着力を増大することができる。
【図１】この発明によるフィルムキャリヤの実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、図１のフィルムキャリ
ヤに搭載した半導体チップの電極パッドと内部リードと
をボンディングする例を示す部分断面図である。
ヤに搭載した半導体チップの電極パッドと内部リードと
をボンディングする例を示す部分断面図である。
【図３】図１のフィルムキャリヤのリードに対する他の
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図４】この発明によるフィルムキャリヤの他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】図４に示したＶ−Ｖ線で切って見た断面図であ
る。
る。
【図６】図４に示したフィルムキャリヤに搭載した半導
体チップの電極パッドと内部リードとをボンディングす
る例を示す断面図である。
体チップの電極パッドと内部リードとをボンディングす
る例を示す断面図である。
【図７】図４に示したフィルムキャリヤの製造方法を説
明するための工程図であって、その１番目のものであ
る。
明するための工程図であって、その１番目のものであ
る。
【図８】図７に示した工程図の次の工程を説明するため
の図である。
の図である。
【図９】図８に示した工程図の次の工程を説明するため
の図である。
の図である。
【図１０】従来の技術によるフィルムキャリヤの平面図
である。
である。
【図１１】図１０に示したフィルムキャリヤに搭載した
半導体チップの電極パッドと内部リードとをボンディン
グする一例を示す部分断面図である。
半導体チップの電極パッドと内部リードとをボンディン
グする一例を示す部分断面図である。
【図１２】図１０に示したフィルムキャリヤに搭載した
半導体チップの電極パッドと内部リードとをボンディン
グする他の例を示す部分断面図である。
半導体チップの電極パッドと内部リードとをボンディン
グする他の例を示す部分断面図である。
１０ 絶縁フィルム １４ 外部リード溝 １６ デバイス孔 １７ 金属パターン １７ａ 両極酸化パッド １８ トランクリード ２０ リード ２２，２２ｃ 内部リード ２２ａ，２２ｂ コンタクト部 ２２ｄ 両極酸化が可能な物質 ２３ａ，２３ｂ 両極酸化層 ２６ 通孔
Claims (28)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するためのデバイス
孔が形成されたフィルムと、 前記フィルム上で少なくとも一方の側の先部分が前記デ
バイス孔に突出するように形成された複数個のリード
と、 前記複数個のリードのそれぞれに対して少なくとも一方
の側の先部分において半導体チップの電極パッドと接触
されるコンタクト部及び両極酸化層と、を備えることを
特徴とするフィルムキャリア。 - 【請求項２】 前記複数個のリードは、両極の酸化の時
に電極連結用として使われるトランクリードによりすべ
て電気的に結線されることを特徴とする請求項１記載の
フィルムキャリヤ。 - 【請求項３】 前記両極酸化層は、前記リードと半導体
チップのエッジ部との短絡を防止する絶縁層であること
を特徴とする請求項１記載のフィルムキャリヤ。 - 【請求項４】 前記コンタクト部は、前記リードの一部
として半導体チップの電極パッドと接触する部分である
ことを特徴とする請求項１記載のフィルムキャリヤ。 - 【請求項５】 前記複数個のリードは、両極酸化が可能
な金属であることを特徴とする請求項１記載のフィルム
キャリヤ。 - 【請求項６】 前記両極酸化が可能な物質は、アルミニ
ウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウムＺ
ｒ、タングステンＷ中のどれかの一つであるかあるいは
二つ以上の合金であることを特徴とする請求項５記載の
フィルムキャリヤ。 - 【請求項７】 前記複数個のリードは、両極酸化が不可
能な金属物質からなり、この金属物質の全表面に両極酸
化が可能な物質が電気鍍金されたことを特徴とする請求
項１記載のフィルムキャリヤ。 - 【請求項８】 前記両極酸化が不可能な物質は、銅ある
いは銅の合金系であることを特徴とする請求項７記載の
フィルムキャリヤ。 - 【請求項９】 フィルムをパンチング加工してデバイス
孔を形成する第１工程と、 前記フィルム上に金属物質を塗布し、パターニングして
少なくとも一方の側の先部分が前記デバイス孔に突出す
るように複数個のリードを形成する第２工程と、 前記複数個のリードに少なくとも一方の側の先部分に両
極酸化層が形成される部分を定義するために両極酸化マ
スクを形成する第３工程と、 前記第３工程の結果として得られるべき構造で両極酸化
を実施して半導体チップの電極パッドと接触されるコン
タクト部を除外した領域に両極酸化層を形成する第４工
程と、を備えることを特徴とするフィルムキャリヤの製
造方法。 - 【請求項１０】 前記両極酸化層は、複数個のリードの
少なくとも一方の側の先部分に形成され、各リードの所
定の部分を腐食した状態で形成されることを特徴とする
請求項９記載のフィルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項１１】 前記複数個のリードは、両極酸化が可
能な金属からなることを特徴とする請求項９記載のフィ
ルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項１２】 前記両極酸化が可能な物質は、アルミ
ニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオビウムＮｂ、ジルコニ
ウムＺｒ、タングステンＷ中のどれか一つであるかある
いは二つ以上の合金であることを特徴とする請求項９記
載のフィルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第２工程は、両極酸化が不可能な
金属物質により複数個のリードを形成する工程と、 前記リードの全表面に両極酸化が可能な物質により電気
鍍金をする工程とを具備することを特徴とする請求項９
記載のフィルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項１４】 前記両極酸化が不可能な物質は、銅あ
るいは銅の合金系であることを特徴とする請求項９記載
のフィルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項１５】 上端部及び下端部に形成された少なく
とも一つ以上のスプロケット孔と中心部に形成されたデ
バイス孔と長方形に形成された外部リード溝とを有する
フィルムと、 前記フィルムの上面あるいは下面中心部に形成された複
数個のリードと、 前記複数個のリードと一体に形成され、両極酸化されて
底面まで完全に絶縁体となされた両極酸化パッドと、 前記両極酸化パッドに形成され、半導体チップのボンデ
ィングの時にこの半導体チップの電極パッドと接触する
部分として両極酸化が不可能な複数個のコンタクト部
と、 前記複数個のリードのそれぞれにおいて、少なくとも一
方の側の先部分の所定の領域に形成された両極酸化層
と、を具備することを特徴とするフィルムキャリヤ。 - 【請求項１６】 前記両極酸化パッドに少なくとも一つ
以上の通孔が形成されることを特徴とする請求項１５記
載のフィルムキャリヤ。 - 【請求項１７】 前記両極酸化層は、前記リードと半導
体チップのエッジ部との短絡を防止する絶縁層であるこ
とを特徴とする請求項１５記載のフィルムキャリヤ。 - 【請求項１８】 前記コンタクト部は、前記リードの一
部として半導体チップの電極パッドと接触する部分であ
ることを特徴とする請求項１５記載のフィルムキャリ
ヤ。 - 【請求項１９】 前記コンタクト部は、両極酸化パッド
のどの部分でも自由に設けられることが可能であること
を特徴とする請求項１５または１８記載のフィルムキャ
リヤ。 - 【請求項２０】 前記複数個のリード及びこの複数個の
リードと一体に形成された両極酸化パッドは、両極酸化
が可能な金属からなることを特徴とする請求項１５記載
のフィルムキャリヤ。 - 【請求項２１】 前記両極酸化が可能な金属は、アルミ
ニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウム
Ｚｒ、タングステンＷ中のどれか一つであるかあるいは
二つ以上の合金であることを特徴とする請求項１５記載
のフィルムキャリヤ。 - 【請求項２２】 フィルム上に両極酸化が可能な物質を
塗布し、パターニングして複数個のリードを備える金属
パターンを形成する第１工程と、 両極酸化マスクを形成し、前記複数個のリードと前記金
属パターンとを連結するそれぞれの部分の表面上に第１
次の両極酸化を実施して両極酸化層を形成する第２工程
と、 半導体チップが電極パッドと接触されるコンタクト部と
を定義する両極酸化マスクを形成し、前記金属パターン
全体が完全な絶縁体になるまで第２次の両極酸化を実施
する第３工程と、を備えることを特徴とするフィルムキ
ャリヤの製造方法。 - 【請求項２３】 前記金属パターンを形成する第１工程
の時、前記金属パターンに少なくとも一つ以上の通孔を
形成することを特徴とする請求項２２記載のフィルムキ
ャリヤの製造方法。 - 【請求項２４】 前記両極酸化層は、前記リードと半導
体チップのエッジ部との短絡を防止する絶縁層であるこ
とを特徴とする請求項２２記載のフィルムキャリヤの製
造方法。 - 【請求項２５】 前記コンタクト部は、前記リードの一
部として半導体チップの電極パッドと接触する部分であ
ることを特徴とする請求項２２記載のフィルムキャリヤ
の製造方法。 - 【請求項２６】 前記コンタクト部は、前記複数個のリ
ードとそれぞれ電気的に連結される場合には、前記両極
酸化パッドのどの部分でも自由に設けられることを特徴
とする請求項２２記載のフィルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項２７】 前記複数個のリード及びこの複数個の
リードと一体に形成された両極酸化パッドは、両極酸化
が可能な金属からなることを特徴とする請求項２２記載
のフィルムキャリヤの製造方法。 - 【請求項２８】 前記両極酸化が可能な金属は、アルミ
ニウムＡｌ、タンタルＴａ、ニオブＮｂ、ジルコニウム
Ｚｒ、タングステンＷ中のどれか一つであるかあるいは
二つ以上の合金であることを特徴とする請求項２２記載
のフィルムキャリヤの製造方法。
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|---|---|---|---|
| KR1993-7570 | 1993-05-03 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714887A true JPH0714887A (ja) | 1995-01-17 |
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| JP6093177A Expired - Fee Related JP2779131B2 (ja) | 1993-05-03 | 1994-05-02 | フィルムキャリヤ及びその製造方法 |
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- 1994-05-03 US US08/237,359 patent/US5528078A/en not_active Expired - Lifetime
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