JPH0734421B2 - コンデンサー - Google Patents
コンデンサーInfo
- Publication number
- JPH0734421B2 JPH0734421B2 JP62273578A JP27357887A JPH0734421B2 JP H0734421 B2 JPH0734421 B2 JP H0734421B2 JP 62273578 A JP62273578 A JP 62273578A JP 27357887 A JP27357887 A JP 27357887A JP H0734421 B2 JPH0734421 B2 JP H0734421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- film
- particle size
- polyester
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、誘電体として二軸配向ポリエステルフイルム
を使用したコンデンサーに関する。
を使用したコンデンサーに関する。
[従来技術] ポリエチレンテレフタレートからなる二軸配向フイルム
は、機械的性質,耐熱性,電気的性質などに優れている
ことから、コンデンサーの誘電体として用いられてい
る。このフイルムをコンデンサーの誘電体として使用す
るときの態様に、5〜10μm厚みの金属性電極箔(主
にアルミニウムが用いられる)と一般に4〜30μmの厚
みのフイルムを重ねて巻きとって素子を作る場合(以
下、箔巻きコンデンサー素子と呼ぶ)と、フイルムに
直接アルミニウムや亜鉛を真空蒸着して素子に巻きとる
様式(以下、蒸着フイルムコンデンサー素子と呼ぶ)と
がある。蒸着フイルムコンデンサー素子は、特にコンデ
ンサーの小型化の為に賞用されているが、コンデンサー
の製造工程で要求される重要な特性の一つは、該素子の
巻回性とつぶれ性が良好なことである。すなわち、蒸着
後のフイルムは巻芯に巻回した(巻回工程)後、芯から
抜きとり、プレスして素子を偏平につぶし(プレス工
程)、リード線をつけるためにハンダ付けができるよう
に、偏平にした素子の両端面に金属粒子を吹きつける工
程(メタリコン工程)を経なければならない。また箔巻
きコンデンサー素子でも、プレス工程やメタリコン工程
を経るものもあるので、巻回性とつぶれ性が良好である
ことが要求される。ここで、巻回性が良好とは、巻回機
にてフイルムをコンデンサー素子に巻取る際、フイルム
の蛇行や端面ずれを生じないことを意味し、つぶれ性が
良好とは、プレスが均一にでき、且つ余り大きな加重を
かけることなく偏平にでき、しかもプレス後の素子の端
面部にメタリコン工程で金属粒子の入りこむ隙間のない
ことである。
は、機械的性質,耐熱性,電気的性質などに優れている
ことから、コンデンサーの誘電体として用いられてい
る。このフイルムをコンデンサーの誘電体として使用す
るときの態様に、5〜10μm厚みの金属性電極箔(主
にアルミニウムが用いられる)と一般に4〜30μmの厚
みのフイルムを重ねて巻きとって素子を作る場合(以
下、箔巻きコンデンサー素子と呼ぶ)と、フイルムに
直接アルミニウムや亜鉛を真空蒸着して素子に巻きとる
様式(以下、蒸着フイルムコンデンサー素子と呼ぶ)と
がある。蒸着フイルムコンデンサー素子は、特にコンデ
ンサーの小型化の為に賞用されているが、コンデンサー
の製造工程で要求される重要な特性の一つは、該素子の
巻回性とつぶれ性が良好なことである。すなわち、蒸着
後のフイルムは巻芯に巻回した(巻回工程)後、芯から
抜きとり、プレスして素子を偏平につぶし(プレス工
程)、リード線をつけるためにハンダ付けができるよう
に、偏平にした素子の両端面に金属粒子を吹きつける工
程(メタリコン工程)を経なければならない。また箔巻
きコンデンサー素子でも、プレス工程やメタリコン工程
を経るものもあるので、巻回性とつぶれ性が良好である
ことが要求される。ここで、巻回性が良好とは、巻回機
にてフイルムをコンデンサー素子に巻取る際、フイルム
の蛇行や端面ずれを生じないことを意味し、つぶれ性が
良好とは、プレスが均一にでき、且つ余り大きな加重を
かけることなく偏平にでき、しかもプレス後の素子の端
面部にメタリコン工程で金属粒子の入りこむ隙間のない
ことである。
巻回性が悪かったり、つぶれ性が悪く端面に空隙がある
と、メタリコン粒子の侵入により、絶縁抵抗や誘電正接
の劣化がおこり、製品は不良品となる。
と、メタリコン粒子の侵入により、絶縁抵抗や誘電正接
の劣化がおこり、製品は不良品となる。
巻回性やつぶれ性を改良するためには、誘電体として用
いられているフイルムの滑り性を良くすることが必須要
件であって、この要件をみたすために、従来からポリマ
ー中に無機の微細な粒子を添加含有させたり、ポリマー
中に不溶性の触媒残渣を形成せしめたりして、フイルム
面に突起を付与することが行なわれている。
いられているフイルムの滑り性を良くすることが必須要
件であって、この要件をみたすために、従来からポリマ
ー中に無機の微細な粒子を添加含有させたり、ポリマー
中に不溶性の触媒残渣を形成せしめたりして、フイルム
面に突起を付与することが行なわれている。
上記のごとくポリマー中に不活性無機微粒子を添加した
り、不溶性の触媒残渣を形成せしめ、フイルム表面に多
くの突起を形成せしめることによって加工性(例えばフ
イルムの巻回性,つぶれ性)はある程度良好となるが、
その反面絶縁破壊電圧が低下し、絶縁破壊異常率が高く
なり、コンデンサー素子としての性能を低下せしめる。
逆に、絶縁破壊電圧を高め、絶縁破壊異常率を抑えるた
めフイルム表面を平滑にしようとすると加工性が低下す
る。
り、不溶性の触媒残渣を形成せしめ、フイルム表面に多
くの突起を形成せしめることによって加工性(例えばフ
イルムの巻回性,つぶれ性)はある程度良好となるが、
その反面絶縁破壊電圧が低下し、絶縁破壊異常率が高く
なり、コンデンサー素子としての性能を低下せしめる。
逆に、絶縁破壊電圧を高め、絶縁破壊異常率を抑えるた
めフイルム表面を平滑にしようとすると加工性が低下す
る。
即ち、巻回性,つぶれ性等の加工性を改良するためにポ
リマー中に添加含有させる無機の微細な粒子又は重合過
程においてポリマー中に形成される触媒残渣粒子の電気
絶縁性が低いこと、及び二軸延伸製膜時に該粒子の周囲
に形成されるボイド(空隙)に起因して絶縁欠陥が生じ
ること等が、加工性とコンデンサー素子としての電気的
性質の両立を妨げている。
リマー中に添加含有させる無機の微細な粒子又は重合過
程においてポリマー中に形成される触媒残渣粒子の電気
絶縁性が低いこと、及び二軸延伸製膜時に該粒子の周囲
に形成されるボイド(空隙)に起因して絶縁欠陥が生じ
ること等が、加工性とコンデンサー素子としての電気的
性質の両立を妨げている。
これらの特性を両立させる方法について種々検討され、
また多くの提案がされている。
また多くの提案がされている。
その中でも大小2種の粒子をポリエステル中に分散含有
させることで、上述特性を満足させようとするものとし
て、例えば特開昭52−78953号がある。この方法は比較
的好ましい方法ではあるが、必ずしも満足出来るもので
はなく、特に6μm以下の薄いフイルムの場合、大粒子
の添加はコンデンサー素子の電気的性質の低下をもたら
す。
させることで、上述特性を満足させようとするものとし
て、例えば特開昭52−78953号がある。この方法は比較
的好ましい方法ではあるが、必ずしも満足出来るもので
はなく、特に6μm以下の薄いフイルムの場合、大粒子
の添加はコンデンサー素子の電気的性質の低下をもたら
す。
[発明の目的] 本発明の目的は、大小2種の粒子を用いる利点を保持し
ながら、上述の問題を解決し、加工性に優れ、しかも絶
縁破壊電圧が高くかつ絶縁欠陥の少いコンデンサー誘電
体用二軸配向ポリエステルフイルムを使用した高品質の
コンデンサーを提供することである。
ながら、上述の問題を解決し、加工性に優れ、しかも絶
縁破壊電圧が高くかつ絶縁欠陥の少いコンデンサー誘電
体用二軸配向ポリエステルフイルムを使用した高品質の
コンデンサーを提供することである。
[発明の構成・効果] 本発明の目的は、本発明によれば、厚み1〜16μmの二
軸配向ポリエステルフイルムを誘電体とするコンデンサ
ーにおいて、該フイルムがポリエステル中に、第1成分
として平均粒径が0.4〜4μmでありかつ粒径比(長径
/短径)が1.0〜1.3である球状シリカ粒子を0.005〜1.0
重量%含有し、かつ第2成分として平均粒径が第1成分
より小さいが0.01〜3μmの範囲にある他の不活性微粒
子を0.005〜1.0重量%含有する二軸配向フイルムである
ことを特徴とする絶縁破壊電圧の高いコンデンサーによ
って達成される。
軸配向ポリエステルフイルムを誘電体とするコンデンサ
ーにおいて、該フイルムがポリエステル中に、第1成分
として平均粒径が0.4〜4μmでありかつ粒径比(長径
/短径)が1.0〜1.3である球状シリカ粒子を0.005〜1.0
重量%含有し、かつ第2成分として平均粒径が第1成分
より小さいが0.01〜3μmの範囲にある他の不活性微粒
子を0.005〜1.0重量%含有する二軸配向フイルムである
ことを特徴とする絶縁破壊電圧の高いコンデンサーによ
って達成される。
ここで、球状シリカ粒子の長径,短径,面積円相当径は
粒子表面に金属を蒸着してのち電子顕微鏡にて1万〜3
万倍に拡大した像から求め、平均粒径,粒径化は次式で
求める。
粒子表面に金属を蒸着してのち電子顕微鏡にて1万〜3
万倍に拡大した像から求め、平均粒径,粒径化は次式で
求める。
平均粒径 =測定粒子の面積円相当径の総和/測定粒子の数粒径比 =シリカ粒子の平均長径/該粒子の平均短径 本発明におけるポリエステルとは芳香族ジカルボン酸を
主たる酸成分とし、脂肪族グリコールを主たるグリコー
ル成分とするポリエステルである。かかるポリエステル
は実質的に線状であり、そしてフイルム形成性特に溶融
成形によるフイルム形成性を有する。芳香族ジカルボン
酸としては、例えばテレフタル酸,ナフタレンジカルボ
ン酸,イソフタル酸,ジフェニルエタンジカルボン酸,
ジフェニルジカルボン酸,ジフェニルエーテルジカルボ
ン酸,ジフェニルスルホンジカルボン酸,ジフェニルケ
トンジカルボン酸,アンスラセンジカルボン酸等を挙げ
ることができる。脂肪族グリコールとしては、例えばエ
チレングリコール,トリメチレングリコール,テトラメ
チレングリコール,ペンタメチレングリコール,ヘキサ
メチレングリコール,デカメチレングリコール等の如き
炭素数2〜10のアルキレングリコール,ポリエチレング
リコール,あるいはシクロヘキサンジメタノールの如き
脂環族ジオール等を挙げることができる。
主たる酸成分とし、脂肪族グリコールを主たるグリコー
ル成分とするポリエステルである。かかるポリエステル
は実質的に線状であり、そしてフイルム形成性特に溶融
成形によるフイルム形成性を有する。芳香族ジカルボン
酸としては、例えばテレフタル酸,ナフタレンジカルボ
ン酸,イソフタル酸,ジフェニルエタンジカルボン酸,
ジフェニルジカルボン酸,ジフェニルエーテルジカルボ
ン酸,ジフェニルスルホンジカルボン酸,ジフェニルケ
トンジカルボン酸,アンスラセンジカルボン酸等を挙げ
ることができる。脂肪族グリコールとしては、例えばエ
チレングリコール,トリメチレングリコール,テトラメ
チレングリコール,ペンタメチレングリコール,ヘキサ
メチレングリコール,デカメチレングリコール等の如き
炭素数2〜10のアルキレングリコール,ポリエチレング
リコール,あるいはシクロヘキサンジメタノールの如き
脂環族ジオール等を挙げることができる。
本発明において、ポリエステルとしてはアルキレンテレ
フタレート及び/又はアルキレンフナタレートを主たる
構成成分とするものが好ましく用いられる。
フタレート及び/又はアルキレンフナタレートを主たる
構成成分とするものが好ましく用いられる。
かかるポリエステルのうちでも、特にポリエチレンテレ
フタレート,ポリエチレン−2,6−ナフタレートはもち
ろんのこと、例えば全ジカルボン酸成分の80モル%以上
がテレフタル酸及び/又は2,6−ナフタレンジカルボン
酸であり、全グリコール成分の80モル%以上がエチレン
グリコールである共重合体が好ましい。その際全酸成分
の20モル%以下はテレフタル酸及び/又はナフタレンジ
カルボン酸以外の上記芳香族ジカルボン酸であることが
でき、また例えばアジピン酸,セバチン酸等の如き脂肪
族ジカルボン酸;シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸
の如き脂環族ジカルボン酸等であることができる。ま
た、全グリコール成分の20モル%以下はエチレングリコ
ール以外の上記グリコールであることができ、また例え
ばハイドロキノン,レゾルシン,2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン等の如き芳香族ジオール;1,4−
ジヒドロキシメチルベンゼンの如き芳香族を含む脂肪族
ジオール;ポリエチレングリコール,ポリプロピレング
リコール,ポリテトラメチレングリコール等の如きポリ
アルキレングリコール(ポリオキシアルキレングリコー
ル)等であることもできる。
フタレート,ポリエチレン−2,6−ナフタレートはもち
ろんのこと、例えば全ジカルボン酸成分の80モル%以上
がテレフタル酸及び/又は2,6−ナフタレンジカルボン
酸であり、全グリコール成分の80モル%以上がエチレン
グリコールである共重合体が好ましい。その際全酸成分
の20モル%以下はテレフタル酸及び/又はナフタレンジ
カルボン酸以外の上記芳香族ジカルボン酸であることが
でき、また例えばアジピン酸,セバチン酸等の如き脂肪
族ジカルボン酸;シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸
の如き脂環族ジカルボン酸等であることができる。ま
た、全グリコール成分の20モル%以下はエチレングリコ
ール以外の上記グリコールであることができ、また例え
ばハイドロキノン,レゾルシン,2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン等の如き芳香族ジオール;1,4−
ジヒドロキシメチルベンゼンの如き芳香族を含む脂肪族
ジオール;ポリエチレングリコール,ポリプロピレング
リコール,ポリテトラメチレングリコール等の如きポリ
アルキレングリコール(ポリオキシアルキレングリコー
ル)等であることもできる。
また、本発明におけるポリエステルには、例えばヒドロ
キシ安息香酸の如き芳香族オキシ酸;ω−ヒドロキシカ
プロン酸の如き脂肪族オキシ酸等のオキシカルボン酸に
由来する成分を、ジカルボン酸成分およびオキシカルボ
ン酸成分の総量に対し20モル%以下で共重合或いは結合
するものも包含される。
キシ安息香酸の如き芳香族オキシ酸;ω−ヒドロキシカ
プロン酸の如き脂肪族オキシ酸等のオキシカルボン酸に
由来する成分を、ジカルボン酸成分およびオキシカルボ
ン酸成分の総量に対し20モル%以下で共重合或いは結合
するものも包含される。
さらに本発明におけるポリエステルには実質的に線状で
ある範囲の量、例えば全酸成分に対し2モル%以下の量
で、3官能以上のポリカルボン酸又はポリヒドロキシ化
合物、例えばトリメリット酸,ペンタエリスリトール等
を共重合したものをも包含される。
ある範囲の量、例えば全酸成分に対し2モル%以下の量
で、3官能以上のポリカルボン酸又はポリヒドロキシ化
合物、例えばトリメリット酸,ペンタエリスリトール等
を共重合したものをも包含される。
上記ポリエステルは、その自体公知であり、且つそれ自
体公知の方法で製造することができる。
体公知の方法で製造することができる。
上記ポリエステルとしては、o−クロロフェノール中の
溶液として35℃で測定して求めた固有粘度が約0.4〜約
0.9のものが好ましい。
溶液として35℃で測定して求めた固有粘度が約0.4〜約
0.9のものが好ましい。
本発明の二軸配向ポリエステルフイルムはそのフイルム
表面に多数の微細な突起を有している。それらの多数の
微細な突起は本発明によればポリエステル中に分散して
含有される多数の球状シリカ粒子と他の不活性微粒子と
に由来する。
表面に多数の微細な突起を有している。それらの多数の
微細な突起は本発明によればポリエステル中に分散して
含有される多数の球状シリカ粒子と他の不活性微粒子と
に由来する。
球状シリカ粒子と他の不活性微粒子とを分散含有するポ
リエステルは、通常ポリエステルを形成するための反応
時、例えばエステル交換法による場合のエステル交換反
応中あるいは重縮合反応中の任意の時期、又は直線重合
法による場合の任意の時期に、球状シリカ粒子(好まし
くはグリコール中のスラリーとして)と他の不活性微粒
子(好ましくはグリコール中のスラリーとして)を反応
系中に添加することにより製造することができる。好ま
しくは、重縮合反応の初期例えば固有粘度が約0.3に到
るまでの間に、これら不活性粒子を反応系中に添加する
のが好ましい。
リエステルは、通常ポリエステルを形成するための反応
時、例えばエステル交換法による場合のエステル交換反
応中あるいは重縮合反応中の任意の時期、又は直線重合
法による場合の任意の時期に、球状シリカ粒子(好まし
くはグリコール中のスラリーとして)と他の不活性微粒
子(好ましくはグリコール中のスラリーとして)を反応
系中に添加することにより製造することができる。好ま
しくは、重縮合反応の初期例えば固有粘度が約0.3に到
るまでの間に、これら不活性粒子を反応系中に添加する
のが好ましい。
本発明においてポリエステル中に分散含有させる第1成
分としての球状シリカ粒子は平均粒径が0.4〜4μmで
ありかつ粒径比(長径/短径)が1.0〜1.3であるシリカ
粒子である。この球状シリカ粒子は個々の形状が極めて
真球に近い球状であって、従来から滑剤として知られて
いるシリカ粒子が10nm程度の超微細な塊状粒子か、これ
らが凝集して0.5μm程度の凝集物(凝集粒子)を形成
しているのとは著しく異なる点に特徴がある。球状シリ
カ粒子の平均粒径は好ましくは0.5〜3.0μm、更に好ま
しくは0.6〜2.0μmである。この平均粒径が0.4μm未
満では滑り性や、耐削れ性の向上効果が不充分であり、
好ましくない。また平均粒径が4μmを越えるとフイル
ム表面が粗れすぎて好ましくない。また球状シリカ粒子
の粒径比は、好ましくは1.0〜1.2、更に好ましくは1.0
〜1.15である。
分としての球状シリカ粒子は平均粒径が0.4〜4μmで
ありかつ粒径比(長径/短径)が1.0〜1.3であるシリカ
粒子である。この球状シリカ粒子は個々の形状が極めて
真球に近い球状であって、従来から滑剤として知られて
いるシリカ粒子が10nm程度の超微細な塊状粒子か、これ
らが凝集して0.5μm程度の凝集物(凝集粒子)を形成
しているのとは著しく異なる点に特徴がある。球状シリ
カ粒子の平均粒径は好ましくは0.5〜3.0μm、更に好ま
しくは0.6〜2.0μmである。この平均粒径が0.4μm未
満では滑り性や、耐削れ性の向上効果が不充分であり、
好ましくない。また平均粒径が4μmを越えるとフイル
ム表面が粗れすぎて好ましくない。また球状シリカ粒子
の粒径比は、好ましくは1.0〜1.2、更に好ましくは1.0
〜1.15である。
また、球状シリカ粒子は粒径分布がシャープであること
が好ましく、分布の急峻度を表わす相対標準偏差が0.5
以下、更には0.4以下、特に0.3以下であることが好まし
い。この相対標準偏差は次式で表わされる。
が好ましく、分布の急峻度を表わす相対標準偏差が0.5
以下、更には0.4以下、特に0.3以下であることが好まし
い。この相対標準偏差は次式で表わされる。
ここで、Di:個々の粒子の面積円相当径(μm) :面積円相当径の平均値 n:粒子の個数 を表わす。
相対標準偏差が0.5以下の球状シリカ粒子を用いると、
該粒子が球状で且つ粒度分布が極めて急峻であることか
ら、フイルム表面の大突起の高さが極めて均一となる。
更にフイルム表面の個々の大突起は、滑剤周辺のボイド
が小さいために、突起形状が非常にシャープであり、従
って、同じ大突起の数であっても他の滑剤によるものに
比して滑り性が極めて良好となる。
該粒子が球状で且つ粒度分布が極めて急峻であることか
ら、フイルム表面の大突起の高さが極めて均一となる。
更にフイルム表面の個々の大突起は、滑剤周辺のボイド
が小さいために、突起形状が非常にシャープであり、従
って、同じ大突起の数であっても他の滑剤によるものに
比して滑り性が極めて良好となる。
球状シリカ粒子は、上述の条件を満たせば、その製法そ
の他に何ら限定されるものではない。例えば球状シリカ
粒子は、オルトケイ酸エチル[Si(OC2H5)4]の加水分解
から含水シリカ[Si(OH)4]単分散球をつくり、更にこ
の含水シリカ単分散球を脱水化処理してシリカ結合[≡
Si−O−Si≡]を三次元的に成長させることにより製造
できる(日本化学会誌′81,No.9,P1503)。
の他に何ら限定されるものではない。例えば球状シリカ
粒子は、オルトケイ酸エチル[Si(OC2H5)4]の加水分解
から含水シリカ[Si(OH)4]単分散球をつくり、更にこ
の含水シリカ単分散球を脱水化処理してシリカ結合[≡
Si−O−Si≡]を三次元的に成長させることにより製造
できる(日本化学会誌′81,No.9,P1503)。
Si(OC2H5)4+4H2O →Si(OH)4+4C2H5OH ≡Si−OH+HO−Si≡ →≡Si−O−Si≡+H2O 本発明において第1成分としての球状シリカ粒子の添加
量は、ポリエステルに対して0.005〜1.0重量%とする必
要があり、好ましくは0.03〜1.0重量%、更に好ましく
は0.05〜0.8重量%である。添加量が0.005重量%未満で
は、滑り性や加工性の向上効果が不充分となり、一方1.
0重量%を越えるとコンデンサーとしての電気的性質が
低下し、好ましくない。
量は、ポリエステルに対して0.005〜1.0重量%とする必
要があり、好ましくは0.03〜1.0重量%、更に好ましく
は0.05〜0.8重量%である。添加量が0.005重量%未満で
は、滑り性や加工性の向上効果が不充分となり、一方1.
0重量%を越えるとコンデンサーとしての電気的性質が
低下し、好ましくない。
本発明においてポリエステル中に分散含有させる第2成
分としての他の不活性微粒子は、平均粒径が第1成分よ
り小さいが0.01〜3μmの範囲にあるものであれば特に
限定されない。
分としての他の不活性微粒子は、平均粒径が第1成分よ
り小さいが0.01〜3μmの範囲にあるものであれば特に
限定されない。
この他の不活性微粒子の平均粒径が第1成分の平均粒径
より大きい又は3μmを越えると、ピンホールの増加、
絶縁破壊電圧の低下等電気的性質の低下が生じ、好まし
くない。また、この平均粒径が0.01μmより小さいと、
滑り性や加工性が不充分であり、加工性とコンデンサー
素子としての電気的性質を両立させるための大小2種の
粒子を分散含有させるという目的を達成することができ
ない。
より大きい又は3μmを越えると、ピンホールの増加、
絶縁破壊電圧の低下等電気的性質の低下が生じ、好まし
くない。また、この平均粒径が0.01μmより小さいと、
滑り性や加工性が不充分であり、加工性とコンデンサー
素子としての電気的性質を両立させるための大小2種の
粒子を分散含有させるという目的を達成することができ
ない。
この他の不活性微粒子は、触媒残渣からポリマー中に析
出させた不活性無機微粒子をも含むものであるが、例え
ば炭酸カルシウム,炭酸マグネシウム,カオリン,クレ
ー,ベントナイト,酸化チタン,多孔質シリカ,硫酸バ
リウム,チタン酸カルシウム,チタン酸バリウム,ホタ
ル石,クロム酸バリウム,ガラスビーズ等が挙げられ
る。これらは1種または2種以上を用いることができ
る。
出させた不活性無機微粒子をも含むものであるが、例え
ば炭酸カルシウム,炭酸マグネシウム,カオリン,クレ
ー,ベントナイト,酸化チタン,多孔質シリカ,硫酸バ
リウム,チタン酸カルシウム,チタン酸バリウム,ホタ
ル石,クロム酸バリウム,ガラスビーズ等が挙げられ
る。これらは1種または2種以上を用いることができ
る。
かかる不活性微粒子の平均粒径は0.1〜2.0μm,更には0.
1〜0.9μmであることが好ましい。所定の平均粒径の粒
子を得るためには従来から知られている粒子調製法を用
いることができ、例えば粉砕処理,分級操作等を施して
所定の平均粒径,粒度分布にすることが好ましい。
1〜0.9μmであることが好ましい。所定の平均粒径の粒
子を得るためには従来から知られている粒子調製法を用
いることができ、例えば粉砕処理,分級操作等を施して
所定の平均粒径,粒度分布にすることが好ましい。
本発明において第2成分としての不活性微粒子の含有量
は、ポリエステルに対して0.005〜1.0重量%とする必要
があり、好ましくは0.01〜0.8重量%、更に好ましくは
0.02〜0.5重量%である。この含有量が0.005重量%未満
では滑り性や加工性の向上効果が不充分となり、一方1.
0重量%を越えるとコンデンサーとしての電気的性質が
低下し、好ましくない。
は、ポリエステルに対して0.005〜1.0重量%とする必要
があり、好ましくは0.01〜0.8重量%、更に好ましくは
0.02〜0.5重量%である。この含有量が0.005重量%未満
では滑り性や加工性の向上効果が不充分となり、一方1.
0重量%を越えるとコンデンサーとしての電気的性質が
低下し、好ましくない。
本発明の二軸配向ポリエステルフイルムは従来から蓄積
された二軸配向フイルムの製造法に準じて製造できる。
例えば、球状シリカ粒子及び他の不活性微粒子を含有す
るポリエステルを溶融製膜して非晶質の未延伸フイルム
とし、対で該未延伸フイルムを二軸方向に延伸し、熱固
定し、必要であれば弛緩熱処理することによって製造さ
れる。その際、フイルム表面特性は、球状シリカ粒子や
他の不活性微粒子の粒径,量等によって、また延伸条件
によって変化するので従来の延伸条件から適宜選択す
る。また密度,熱収縮率等も延伸,熱処理時の温度,倍
率,速度等によって変化するので、これらの特性を同時
に満足する条件を定める。例えば、延伸温度は1段目延
伸温度(例えば縦方向延伸温度:T1)が(Tg−10)〜
(Tg+45)℃の範囲(但し、Tg:ポリエステルのガラス
転移温度)から、2段目延伸温度(例えば横方向延伸温
度:T2)が(T1+15)〜(T1+40)℃の範囲から選択す
るとよい。また、延伸倍率は一軸方向の延伸倍率が2.5
倍以上、特に3倍以上でかつ面積倍率が8倍以上、特に
10倍以上となる範囲から選択するとよい。更にまた、熱
固定温度は180〜250℃、更には200〜230℃の範囲から選
択するとよい。
された二軸配向フイルムの製造法に準じて製造できる。
例えば、球状シリカ粒子及び他の不活性微粒子を含有す
るポリエステルを溶融製膜して非晶質の未延伸フイルム
とし、対で該未延伸フイルムを二軸方向に延伸し、熱固
定し、必要であれば弛緩熱処理することによって製造さ
れる。その際、フイルム表面特性は、球状シリカ粒子や
他の不活性微粒子の粒径,量等によって、また延伸条件
によって変化するので従来の延伸条件から適宜選択す
る。また密度,熱収縮率等も延伸,熱処理時の温度,倍
率,速度等によって変化するので、これらの特性を同時
に満足する条件を定める。例えば、延伸温度は1段目延
伸温度(例えば縦方向延伸温度:T1)が(Tg−10)〜
(Tg+45)℃の範囲(但し、Tg:ポリエステルのガラス
転移温度)から、2段目延伸温度(例えば横方向延伸温
度:T2)が(T1+15)〜(T1+40)℃の範囲から選択す
るとよい。また、延伸倍率は一軸方向の延伸倍率が2.5
倍以上、特に3倍以上でかつ面積倍率が8倍以上、特に
10倍以上となる範囲から選択するとよい。更にまた、熱
固定温度は180〜250℃、更には200〜230℃の範囲から選
択するとよい。
かくして得られるポリエステルフイルムは、その内部に
平均粒径の異る2種の粒子を含有し、表面には比較的大
きい突起とより小さい突起が存在するにもかかわらず、
従来のフイルムにみられるボイド特に大きい粒子すなわ
ち球状シリカ粒子に起因するボイドが実質的にないとい
う特徴を有する。
平均粒径の異る2種の粒子を含有し、表面には比較的大
きい突起とより小さい突起が存在するにもかかわらず、
従来のフイルムにみられるボイド特に大きい粒子すなわ
ち球状シリカ粒子に起因するボイドが実質的にないとい
う特徴を有する。
この球状シリカ粒子周辺のボイドが小さい理由は球状シ
リカ粒子のポリエステルへの親和性の良さと、更に粒子
そのものが極めて真球に近いことから、延伸において滑
剤周辺の応力が均等に伝播し、ポリエステルと滑剤の界
面の一部に応力が集中しないことによると推測される。
リカ粒子のポリエステルへの親和性の良さと、更に粒子
そのものが極めて真球に近いことから、延伸において滑
剤周辺の応力が均等に伝播し、ポリエステルと滑剤の界
面の一部に応力が集中しないことによると推測される。
一般にポリエステルと無機微粒子とは親和性がない。こ
のため溶融製膜したポリエステル未延伸フイルムを二軸
延伸すると、該粒子とポリエステルの境界に剥離が生
じ、該微粒子の囲りにボイドが形成される。そして、厚
み6μm以下のごとき薄い二軸延伸フイルムにおいては
無機微粒子とポリエステルの境界における剥離はピンホ
ール等になる場合も多い。そして、無機微粒子の粒径が
大きいほど該剥離によるボイドは大きく、ピンホールに
なる可能性も大きい。そして該ボイドはピンホールにな
らない場合にも必ず絶縁破壊電圧の低下をもたらす。
のため溶融製膜したポリエステル未延伸フイルムを二軸
延伸すると、該粒子とポリエステルの境界に剥離が生
じ、該微粒子の囲りにボイドが形成される。そして、厚
み6μm以下のごとき薄い二軸延伸フイルムにおいては
無機微粒子とポリエステルの境界における剥離はピンホ
ール等になる場合も多い。そして、無機微粒子の粒径が
大きいほど該剥離によるボイドは大きく、ピンホールに
なる可能性も大きい。そして該ボイドはピンホールにな
らない場合にも必ず絶縁破壊電圧の低下をもたらす。
本発明のポリエステルフイルムの表面の比較的大きい突
起を形成する球状シリカ粒子は、上述のごとく従来の無
機微粒子と異り、該粒子の囲りにボイドが形成されずピ
ンホールの増加,絶縁破壊電圧の低下等電気的性質の低
下をひきおこさない。また本発明のポリエステルフイル
ムの表面の比較的小さい突起を形成する微粒子は、その
粒径が小さいので該粒子とポリエステルの境界に剥離が
生じボイドが形成されても電気的性質の低下は著しくな
い。
起を形成する球状シリカ粒子は、上述のごとく従来の無
機微粒子と異り、該粒子の囲りにボイドが形成されずピ
ンホールの増加,絶縁破壊電圧の低下等電気的性質の低
下をひきおこさない。また本発明のポリエステルフイル
ムの表面の比較的小さい突起を形成する微粒子は、その
粒径が小さいので該粒子とポリエステルの境界に剥離が
生じボイドが形成されても電気的性質の低下は著しくな
い。
ポリエステルフイルムを用いてのコンデンサーの製造は
従来から知られている方法で行うことができる。
従来から知られている方法で行うことができる。
本発明のコンデンサーは上述した特徴,利点を有するポ
リエステルフイルムを誘電体としたものであり、電気的
性質に優れ且つ品質のバラツキの少い、優れたコンデン
サーである。
リエステルフイルムを誘電体としたものであり、電気的
性質に優れ且つ品質のバラツキの少い、優れたコンデン
サーである。
[実施例] 以下、実施例を掲げて本発明を更に説明する。なお本発
明における種々の物性値および特性は以下の如く測定さ
れたものである。
明における種々の物性値および特性は以下の如く測定さ
れたものである。
(1)粒子の粒径等 (1−1)シリカ粒子について 粒子粒径の測定には次の状態がある。
1)シリカ粉体から、平均粒径,粒径比等を求める場合 2)フイルム中のシリカ粒子の平均粒径,粒径比等を求
める場合 1)シリカ粉体からの場合: 電顕試料台上にシリカ粉体を個々の粒子ができるだけ重
ならないように散在せしめ、金スパッター装置によりこ
の表面に金薄膜蒸着層を厚み200Å〜300Åで形成せし
め、走査型電子顕微鏡にて10000〜30000倍で観察し、日
本レギュレーター(株)製ルーゼックス500にて、少く
とも100個の粒子の長径(Dli),短径(Dsi)及び面積
円相当径(Di)を求める。そして、これらの次式で表わ
される数平均値をもって、シリカ粒子の長径(Dl),短
径(Ds),平均粒径()を表わす。
める場合 1)シリカ粉体からの場合: 電顕試料台上にシリカ粉体を個々の粒子ができるだけ重
ならないように散在せしめ、金スパッター装置によりこ
の表面に金薄膜蒸着層を厚み200Å〜300Åで形成せし
め、走査型電子顕微鏡にて10000〜30000倍で観察し、日
本レギュレーター(株)製ルーゼックス500にて、少く
とも100個の粒子の長径(Dli),短径(Dsi)及び面積
円相当径(Di)を求める。そして、これらの次式で表わ
される数平均値をもって、シリカ粒子の長径(Dl),短
径(Ds),平均粒径()を表わす。
2)フイルム中のシリカ粒子の場合: 試料フイルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定
し、日本電子(株)製スパッターリング装置(JFC−110
0型イオンスパッターリング装置)を用いてフイルム表
面に下記条件にてイオンエッチング処理を施す。条件は
ベルジャー内に試料を設置し、約10-3Torrの真空状態ま
で真空度を上げ、電圧0.25KV,電流12.5mAにて約10分間
イオンエッチングを実施する。更に同装置にてフイルム
表面に金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡にて1000
0〜30000倍で観察し、日本レギュレーター(株)製ルー
ゼックス500にて少くとも100個の粒子の長径(Dli),
短径(Dsi)及び面積円相当径(Di)を求める。以下、
上記1)と同様に行う。
し、日本電子(株)製スパッターリング装置(JFC−110
0型イオンスパッターリング装置)を用いてフイルム表
面に下記条件にてイオンエッチング処理を施す。条件は
ベルジャー内に試料を設置し、約10-3Torrの真空状態ま
で真空度を上げ、電圧0.25KV,電流12.5mAにて約10分間
イオンエッチングを実施する。更に同装置にてフイルム
表面に金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡にて1000
0〜30000倍で観察し、日本レギュレーター(株)製ルー
ゼックス500にて少くとも100個の粒子の長径(Dli),
短径(Dsi)及び面積円相当径(Di)を求める。以下、
上記1)と同様に行う。
(1−2)他の不活性微粒子について 1)粒子の平均粒径 島津製作所CP−50型セントリフュグル パーティクル
サイズ アナライザー(Centrifugal Particle Size An
alyser)を用いて測定する。得られた遠心沈降曲線を基
に算出した各粒径の粒子とその存在量との累積曲線か
ら、50マスパーセント(mass percent)に相当する粒径
を読み取り、この値を上記平均粒径とする(「粒度測定
技術」日刊工業新聞社発行,1975年,頁242〜247参
照)。
サイズ アナライザー(Centrifugal Particle Size An
alyser)を用いて測定する。得られた遠心沈降曲線を基
に算出した各粒径の粒子とその存在量との累積曲線か
ら、50マスパーセント(mass percent)に相当する粒径
を読み取り、この値を上記平均粒径とする(「粒度測定
技術」日刊工業新聞社発行,1975年,頁242〜247参
照)。
2)粒子粒径比 フイルム小片をエポキシ樹脂にて約5mmφ棒状に固定成
形し、ミクロトームにて約600Åの厚みの超薄切片を作
製する。この試料を、日立製作所製の透過電子顕微鏡H
−800型を用い、加速電圧100kVにてフイルムの断面に存
在する不活性微粒子を観察する。この粒子の長径と短径
を求め、粒径比を算出する。
形し、ミクロトームにて約600Åの厚みの超薄切片を作
製する。この試料を、日立製作所製の透過電子顕微鏡H
−800型を用い、加速電圧100kVにてフイルムの断面に存
在する不活性微粒子を観察する。この粒子の長径と短径
を求め、粒径比を算出する。
観察する粒子個数は20個とし、各々の粒径比を求め、そ
れらの平均値をもって粒径比として示す。
れらの平均値をもって粒径比として示す。
3)相対標準偏差 1)項の累積曲線より差分粒度分布を求め、相対標準偏
差の下記の定義式にもとづいて相対標準偏差を算出す
る。
差の下記の定義式にもとづいて相対標準偏差を算出す
る。
ここで、Di:1)項で求める各々の粒径(μm) :1)項で求める平均径(μm) n :1)項で累積曲線を求めるときの分割数 φi:各粒径の粒子の存在確率(マスパーセン
ト) を表わす。
ト) を表わす。
(2)フイルム表面粗さ(Ra) 中心線平均粗さ(Ra)としてJIS−B0601で定義される値
であり、本発明では(株)小坂研究所の触針式表面粗さ
計(SURFCORDER SE−30C)を用いて測定する。測定条件
等は次の通りである。
であり、本発明では(株)小坂研究所の触針式表面粗さ
計(SURFCORDER SE−30C)を用いて測定する。測定条件
等は次の通りである。
(a)触針先端半径:2μm (b)測定圧力 :30mg (c)カットオフ :0.25mm (d)測定長 :2.5mm (e)データーのまとめ方 同一試料について5回繰返し測定し、最も大きい値を1
つ除き、残り4つのデーターの平均値の少数点以下4桁
目を四捨五入し、少数点以下3行目まで表示する。
つ除き、残り4つのデーターの平均値の少数点以下4桁
目を四捨五入し、少数点以下3行目まで表示する。
(3)絶縁破壊電圧及び絶縁欠陥率 絶縁破壊電圧はJIS−C−2318に示される方法で測定す
る。
る。
(4)熱収縮率 フイルム試料の大きさ350mm×350mmのものの縦及び横方
向につき中央部に300mmの距離をおいて標点を付け、150
℃に設定したテスター産業製熱風式恒温槽内に試料10枚
を無緊張下につりさげ、2時間保持後取り出し、標点間
の距離を再び測定し、熱収縮率を下記の式により算出
し、n=10の平均値で表わす。
向につき中央部に300mmの距離をおいて標点を付け、150
℃に設定したテスター産業製熱風式恒温槽内に試料10枚
を無緊張下につりさげ、2時間保持後取り出し、標点間
の距離を再び測定し、熱収縮率を下記の式により算出
し、n=10の平均値で表わす。
(5)蒸着加工性の評価 フイルム巾500mm,巻長さ20,000mの原フイルムに対して
アルミニウム蒸着をアルミニウム純度99.99%,蒸着源
温度1400℃,蒸着面とフイルム面との距離350mm,入射角
40°,真空度5×10-5Torr,蒸着速度300m/mm,蒸着テン
ション20kg,蒸着厚さ100mμの条件でアルミニウム蒸着
を行い、原フイルムの蒸着加工性について蒸着加工時に
横しわが全く発生しないものを◎,やや横しわが発生す
るが蒸着斑や蒸着後のスリット不良までには到らないも
のを〇,横しわ、あるいは場合により縦しわが発生し、
蒸着斑や蒸着後のスリット不良が頻繁に起こり、使用に
供し得ないものを×とする。
アルミニウム蒸着をアルミニウム純度99.99%,蒸着源
温度1400℃,蒸着面とフイルム面との距離350mm,入射角
40°,真空度5×10-5Torr,蒸着速度300m/mm,蒸着テン
ション20kg,蒸着厚さ100mμの条件でアルミニウム蒸着
を行い、原フイルムの蒸着加工性について蒸着加工時に
横しわが全く発生しないものを◎,やや横しわが発生す
るが蒸着斑や蒸着後のスリット不良までには到らないも
のを〇,横しわ、あるいは場合により縦しわが発生し、
蒸着斑や蒸着後のスリット不良が頻繁に起こり、使用に
供し得ないものを×とする。
(6)素子端面不揃い、及び偏平化後の素子端面形状の
評価 4〜12μmのフイルムをアルミニウム蒸着し、20mm巾に
スリットしたものを、外径3mmの巻芯に巻張力40g,巻取
速度30cm/secで4mの長さを巻回した素子を作り、素子端
面不揃いについては、端面が全て完全に揃っているもの
を〇とし、一部にやや不揃いのものもあるがその程度も
小で、実用上何ら差支えないものを△,使用できないも
のを×とする。
評価 4〜12μmのフイルムをアルミニウム蒸着し、20mm巾に
スリットしたものを、外径3mmの巻芯に巻張力40g,巻取
速度30cm/secで4mの長さを巻回した素子を作り、素子端
面不揃いについては、端面が全て完全に揃っているもの
を〇とし、一部にやや不揃いのものもあるがその程度も
小で、実用上何ら差支えないものを△,使用できないも
のを×とする。
該素子をプレスにより偏平につぶした時の偏平化後の素
子端面形状評価は、フイルム層間が一直線で均一につぶ
れて隙間のないものを〇,一部に僅かの隙間が認められ
るが実用上何ら問題のないものを△,つぶれが不均一で
フイルム層間に隙間ができて使用できないものを×とす
る。
子端面形状評価は、フイルム層間が一直線で均一につぶ
れて隙間のないものを〇,一部に僅かの隙間が認められ
るが実用上何ら問題のないものを△,つぶれが不均一で
フイルム層間に隙間ができて使用できないものを×とす
る。
(7)総合評価 つぶれ性,巻回性等の取扱い作業性,蒸着加工性,絶縁
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、いずれも良好なものを◎,若干劣る面を
有するが実用上問題ないもの〇,実用上問題のあるもの
を△,使用に耐えないものを×とする。
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、いずれも良好なものを◎,若干劣る面を
有するが実用上問題ないもの〇,実用上問題のあるもの
を△,使用に耐えないものを×とする。
比較例1〜7 ジメチルテレフタレートとエチレングリコールを、エス
テル交換触媒として酢酸マンガンを、重合触媒として三
酸化アンチモンを、安定剤として亜燐酸を、更に滑剤
(添加粒子)として第1表に示すものを用いて、エステ
ル交換および重縮合を行い、固有粘度([η])0.65の
ポリエチレンテレフタレートを得た。
テル交換触媒として酢酸マンガンを、重合触媒として三
酸化アンチモンを、安定剤として亜燐酸を、更に滑剤
(添加粒子)として第1表に示すものを用いて、エステ
ル交換および重縮合を行い、固有粘度([η])0.65の
ポリエチレンテレフタレートを得た。
なお、上記滑剤はエチレングリコールに添加し、超音波
分散処理して得られたグリコール分散液として添加し
た。
分散処理して得られたグリコール分散液として添加し
た。
このポリエチレンテレフタレートのペレットを170℃,3
時間乾燥後押出機ホッパーに供給し、溶融温度280〜300
℃で溶融し、この溶融ポリマーを開度1mmのスリット状
ダイを通して表面仕上げ0.3S程度、表面温度20℃の回転
冷却ドラム上に押出成形し、80μmの未延伸フイルムを
得た。
時間乾燥後押出機ホッパーに供給し、溶融温度280〜300
℃で溶融し、この溶融ポリマーを開度1mmのスリット状
ダイを通して表面仕上げ0.3S程度、表面温度20℃の回転
冷却ドラム上に押出成形し、80μmの未延伸フイルムを
得た。
このようにして得られた未延伸フイルムを75℃に予熱
し、更に低速,高速のロール間で15mm上方より900℃の
表面温度のIRヒーター1本にて加熱し、縦方向に3.6倍
に延伸後急冷し、続いてステンターに供給し105℃にて
横方向に3.7倍に延伸した。得られた二軸延伸フイルム
を220℃の温度で5秒間熱固定し、厚み6μmの熱固定
二軸配向フイルムを得た。このフイルムを用いて蒸着フ
イルムコンデンサーを製造した。
し、更に低速,高速のロール間で15mm上方より900℃の
表面温度のIRヒーター1本にて加熱し、縦方向に3.6倍
に延伸後急冷し、続いてステンターに供給し105℃にて
横方向に3.7倍に延伸した。得られた二軸延伸フイルム
を220℃の温度で5秒間熱固定し、厚み6μmの熱固定
二軸配向フイルムを得た。このフイルムを用いて蒸着フ
イルムコンデンサーを製造した。
上記フイルムの150℃,30分間における熱収縮率は縦方向
1.5%,横方向1.7%であり、蒸着加工性はすべて良好で
あった。
1.5%,横方向1.7%であり、蒸着加工性はすべて良好で
あった。
更に他の特性を第1表に示す。
実施例1〜7 滑剤(添加粒子)を第2表に示したものに変更する以外
は比較例1〜7と同様に行なってポリエチレンテレフタ
レートのペレットを得た。該ペレットを用いる以外は比
較例1〜7と同様に行なって、厚み6μmの熱固定二軸
配向フイルムを得た。更にこのフイルムを用いて蒸着フ
イルムコンデンサーを製造した。このフイルムの150℃,
30分間における熱収縮率は縦方向1.5%,横方向1.7%で
あり、蒸着加工性が良好であった。
は比較例1〜7と同様に行なってポリエチレンテレフタ
レートのペレットを得た。該ペレットを用いる以外は比
較例1〜7と同様に行なって、厚み6μmの熱固定二軸
配向フイルムを得た。更にこのフイルムを用いて蒸着フ
イルムコンデンサーを製造した。このフイルムの150℃,
30分間における熱収縮率は縦方向1.5%,横方向1.7%で
あり、蒸着加工性が良好であった。
このフイルムおよびコンデンサーの特性を第2表に示
す。
す。
これら実施例で得たフイルムおよびコンデンサーはいず
れも優れた品質のものであった。
れも優れた品質のものであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 能美 慶弘 神奈川県相模原市小山3丁目37番19号 帝 人株式会社プラスチック研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−255909(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】厚み1〜16μmの二軸配向ポリエステルフ
イルムを誘電体とするコンデンサーにおいて、該フイル
ムがポリエステル中に、第1成分として平均粒径が0.4
〜4μmでありかつ粒径比(長径/短径)が1.0〜1.3で
ある球状シリカ粒子を0.005〜1.0重量%含有し、かつ第
2成分として平均粒径が第1成分より小さいが0.01〜3
μmの範囲にある他の不活性微粒子を0.005〜1.0重量%
含有する二軸配向フイルムであることを特徴とする絶縁
破壊電圧の高いコンデンサー。 - 【請求項2】球状シリカ粒子の下記式で表わされる相対
標準偏差が0.5以下である特許請求の範囲第1項記載の
コンデンサー。 ここで、Di:個々の粒子の面積円相当径(μm) :面積円相当径の平均値 n:粒子の個数 を表わす。 - 【請求項3】他の不活性微粒子がカオリン,ベントナイ
ト,酸化チタン,炭酸カルシウム及び多孔質シリカより
なる群から選ばれる少くとも一種である特許請求の範囲
第1項記載のコンデンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62273578A JPH0734421B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | コンデンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62273578A JPH0734421B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | コンデンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117309A JPH01117309A (ja) | 1989-05-10 |
| JPH0734421B2 true JPH0734421B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=17529751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62273578A Expired - Lifetime JPH0734421B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | コンデンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734421B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19606956A1 (de) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Hoechst Diafoil Gmbh | Rauhe biaxial orientierte Polyesterfolie für die Kondensatoranwendung |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62273578A patent/JPH0734421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01117309A (ja) | 1989-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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