JPH0749732Y2 - 半田付け実装部品のリ−ド - Google Patents
半田付け実装部品のリ−ドInfo
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- JPH0749732Y2 JPH0749732Y2 JP1987200671U JP20067187U JPH0749732Y2 JP H0749732 Y2 JPH0749732 Y2 JP H0749732Y2 JP 1987200671 U JP1987200671 U JP 1987200671U JP 20067187 U JP20067187 U JP 20067187U JP H0749732 Y2 JPH0749732 Y2 JP H0749732Y2
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- Japan
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- solder
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- leads
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Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
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- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は半田付け実装部品のリードに関する。
従来の技術 近年、IC,LSI等で表面実装形の部品のプリント基板への
実装には、フロー方式に代わってリフロー方式が多く採
用されてきている。
実装には、フロー方式に代わってリフロー方式が多く採
用されてきている。
当該部品のリード１は、第11図に示す形状である。
第12図中、２はプリント基板、３はランドである。４は
半田粒子とフラックスを練合してなるクリーム状半田の
膜であり、ランド３上に塗布して形成してある。
半田粒子とフラックスを練合してなるクリーム状半田の
膜であり、ランド３上に塗布して形成してある。
リード１は以下に説明するようにランド３と半田付けさ
れる。
れる。
まず、第12図に示すように、リード１をランド３に対向
させ、第13図に示すように、リード１をランド３に力Ｆ
で押し付け、この状態で第14図に示すように上方より熱
エネルギを矢印５で示すように照射し、クリーム状半田
膜４を溶融させる。６は溶融した半田である。その後、
熱エネルギの照射を止める。これにより、第15図に示す
ように、リード１がランド３に半田付けされる。７は凝
固した半田である。
させ、第13図に示すように、リード１をランド３に力Ｆ
で押し付け、この状態で第14図に示すように上方より熱
エネルギを矢印５で示すように照射し、クリーム状半田
膜４を溶融させる。６は溶融した半田である。その後、
熱エネルギの照射を止める。これにより、第15図に示す
ように、リード１がランド３に半田付けされる。７は凝
固した半田である。
リード１は、その両側の側面1a,1bが共に垂直な面であ
る形状である。
る形状である。
リード１の断面形状よりして、溶融半田６がリード１よ
り外側へ押し拡がり易く、熱エネルギの照射が均一でな
いと、リード側面で、「イモハンダ」と呼ばれる半田付
不良が発生することがあった。
り外側へ押し拡がり易く、熱エネルギの照射が均一でな
いと、リード側面で、「イモハンダ」と呼ばれる半田付
不良が発生することがあった。
第２図は従来の改良されたリード20（特開昭63-239851
号公報参照）を備えたLSI21の、プリント基板22上への
実装状態を示す。各リード20がランド23と半田付けして
ある。
号公報参照）を備えたLSI21の、プリント基板22上への
実装状態を示す。各リード20がランド23と半田付けして
ある。
第１図はリード20を拡大して示す斜視図、第３図は第１
図中III-III線に沿う軸線ｌに対して直角な断面を拡大
して示す図、第４図はIV-IV線に沿う拡大断面矢視図で
ある。
図中III-III線に沿う軸線ｌに対して直角な断面を拡大
して示す図、第４図はIV-IV線に沿う拡大断面矢視図で
ある。
リード20のうち上記ランド23に対向する部分は、上面20
a,下面20b,両側の側面20c,20d,先端面20eとを有する。
a,下面20b,両側の側面20c,20d,先端面20eとを有する。
側面20c,20dは、協働してＶ字状をなす傾斜面であり、
リード20の軸線直角断面は第３図に示すように逆等脚台
形である。
リード20の軸線直角断面は第３図に示すように逆等脚台
形である。
この斜面状の側面20c,20dの下側の部分24,25が、後述す
るようにリードを押し付けた段階ではクリーム状半田を
貯留し、その後にクリーム状半田を溶融した段階では溶
融半田を貯留するスペースとして機能する。
るようにリードを押し付けた段階ではクリーム状半田を
貯留し、その後にクリーム状半田を溶融した段階では溶
融半田を貯留するスペースとして機能する。
側面20c,20dの垂直面に対する傾斜角α，βは、例えば4
5度である。
5度である。
次に、LSI21を実装するときのリード20のリフロー方式
による半田付けについて説明する。
による半田付けについて説明する。
LSI21は自動機によりプリント基板22の所定部位に載置
される。
される。
リード20は、第５図に示すように、クリーム状半田膜30
が形成してあるランド23に対向して第６図に示すよう
に、力Ｆでクリーム状半田膜30上に押し付けられる。
が形成してあるランド23に対向して第６図に示すよう
に、力Ｆでクリーム状半田膜30上に押し付けられる。
クリーム状半田膜30は、リード20の押し付けにより軸方
向上左右に押し拡がろうとするが、側面20c,20dに対向
する部分24,25が空いているため、クリーム状半田は、
この部分24,25内に入り込んでこの部分に貯留され、左
右への押し拡がりがランド23の幅内に抑制される。30a,
30bは貯留されたクリーム半田を示す。
向上左右に押し拡がろうとするが、側面20c,20dに対向
する部分24,25が空いているため、クリーム状半田は、
この部分24,25内に入り込んでこの部分に貯留され、左
右への押し拡がりがランド23の幅内に抑制される。30a,
30bは貯留されたクリーム半田を示す。
この状態で、第７図に示すように、上方より熱エネルギ
を矢印31で示すように照射し、クリーム状半田膜30を溶
融させる。32は溶融した半田である。
を矢印31で示すように照射し、クリーム状半田膜30を溶
融させる。32は溶融した半田である。
溶融した半田32は、リード20の押し付けにより幅方向上
左右に押し拡がろうとするが、側面20c,20dに対向する
部分24,25が空いているため、溶融半田32は、この部分2
4,25内に入り込んでこの部分に貯留され、左右の押し拡
がりがランド23の範囲内に抑制される。33,34は貯留さ
れた溶融半田を示す。
左右に押し拡がろうとするが、側面20c,20dに対向する
部分24,25が空いているため、溶融半田32は、この部分2
4,25内に入り込んでこの部分に貯留され、左右の押し拡
がりがランド23の範囲内に抑制される。33,34は貯留さ
れた溶融半田を示す。
熱エネルギの照射を止めると、半田が凝固し、最終的に
は、リード20は第８図に示す状態でランド23に半田付け
される。35は凝固した半田である。
は、リード20は第８図に示す状態でランド23に半田付け
される。35は凝固した半田である。
第８図より分かるように、半田35はランド23より外側に
ははみ出さずにランド23の幅内に収まっている。
ははみ出さずにランド23の幅内に収まっている。
このため、リード20、ランド23のピッチｐが狭く、隣り
合うリード20間の間隔g1及び隣り合うランド23の間の間
隔g2が狭い場合であっても、半田による短絡不良は発生
しにくい。
合うリード20間の間隔g1及び隣り合うランド23の間の間
隔g2が狭い場合であっても、半田による短絡不良は発生
しにくい。
なお、第３図より分かるように、角度α，βを大きくす
ると、溶融半田収容スペースを大きくとることができる
が、ランド23に対向する下面20bの幅ｗが狭くなってし
まう。角度α，βは、幅ｗが狭少になり過ぎないように
適宜定めてある。
ると、溶融半田収容スペースを大きくとることができる
が、ランド23に対向する下面20bの幅ｗが狭くなってし
まう。角度α，βは、幅ｗが狭少になり過ぎないように
適宜定めてある。
また、第４図に示すように、リード20の先端面20eも上
記側面と同様に斜面としてある。クリーム半田はこの先
端面20eの下側の部分にも貯留される。
記側面と同様に斜面としてある。クリーム半田はこの先
端面20eの下側の部分にも貯留される。
考案が解決しようとする問題点 近年、リードの本数の増加に伴ってリードのピッチが狭
くなってきており、半田付不良が発生し易い状況となっ
てきている。
くなってきており、半田付不良が発生し易い状況となっ
てきている。
よって、上記の改良したリード20の場合よりも、半田の
側方への押し拡がりを更に抑制するようにする必要がで
てきた。
側方への押し拡がりを更に抑制するようにする必要がで
てきた。
本考案は、半田の側方への押し拡がりを更に抑制する工
夫を施して、上記問題点を解決した半田付け実装部品の
リードを提供することを目的とする。
夫を施して、上記問題点を解決した半田付け実装部品の
リードを提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本考案は、クリーム状半田の膜が形成されているプリン
ト基板のランドに押し付けられ、 該クリーム状半田を溶解されて上記ランドと半田付けさ
れる実装部品のリードであって、 該リードのうち上記ランドに対向する部分について、貫
通孔を形成すると共に、幅方向上両側の側面を傾斜面と
して、軸線に対して直角な断面を上下逆の等脚台形とし
た構成とし、 上記押し付けたときに、上記貫通孔の内部部分及び上記
傾斜した側面とこれと対向する上記ランドとの間の部分
に前記膜を形成しているクリーム状半田の一部が貯留す
る構成としたものである。
ト基板のランドに押し付けられ、 該クリーム状半田を溶解されて上記ランドと半田付けさ
れる実装部品のリードであって、 該リードのうち上記ランドに対向する部分について、貫
通孔を形成すると共に、幅方向上両側の側面を傾斜面と
して、軸線に対して直角な断面を上下逆の等脚台形とし
た構成とし、 上記押し付けたときに、上記貫通孔の内部部分及び上記
傾斜した側面とこれと対向する上記ランドとの間の部分
に前記膜を形成しているクリーム状半田の一部が貯留す
る構成としたものである。
作用 リードの両側の傾斜面とされた側面は、この下側の部分
にクリーム半田を貯留するスペースを形成する。
にクリーム半田を貯留するスペースを形成する。
また、リードのうちランドに対向する部分にある貫通孔
は、ガス抜き用孔として作用する。
は、ガス抜き用孔として作用する。
実施例 第９図は本考案の一実施例のリードを示す。このリード
40は、第１図のリード20の中央に貫通孔41を付加的に設
けたものであり、その他の部分の構成は第１図のリード
20と同じである。第９図中、第１図に示す部分と対応す
る部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
40は、第１図のリード20の中央に貫通孔41を付加的に設
けたものであり、その他の部分の構成は第１図のリード
20と同じである。第９図中、第１図に示す部分と対応す
る部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
第10図に示すように、クリーム半田42は、傾斜側面20c,
20dの下側のスペースに貯留される。ここで、熱エネル
ギを照射すると毛管現象で、溶融した半田は貫通孔41を
通って上面20a側にも供給されてここに貯留される。こ
れにより、クリーム半田の押し拡がりは、上記実施例の
ものに比べて更に抑えられる。
20dの下側のスペースに貯留される。ここで、熱エネル
ギを照射すると毛管現象で、溶融した半田は貫通孔41を
通って上面20a側にも供給されてここに貯留される。こ
れにより、クリーム半田の押し拡がりは、上記実施例の
ものに比べて更に抑えられる。
また貫通孔41はガス抜き用孔としても機能し、溶融半田
中に発生したガスは貫通孔41を通して逃がされる。
中に発生したガスは貫通孔41を通して逃がされる。
これにより、半田のリード40、ランド23に対するぬれ性
が良好となり、半田がリードの下面，側面のみならず上
面にも被着することになり、リード40は良好に半田付け
される。
が良好となり、半田がリードの下面，側面のみならず上
面にも被着することになり、リード40は良好に半田付け
される。
なお、上記の傾斜した側面20c,20d及び先端面20eは夫々
プレス加工により押し潰すことにより各リードについて
一度に形成される。貫通孔41はリードの打ち抜きと同時
に形成される。
プレス加工により押し潰すことにより各リードについて
一度に形成される。貫通孔41はリードの打ち抜きと同時
に形成される。
考案の効果 以上説明した様に、本考案によれば、リードのうちラン
ドに対向する部分について、貫通孔を形成すると共に、
幅方向上両側の側面を傾斜面として、軸線に対して直角
な断面を上下逆の等脚台形とした構成であるため、リフ
ロー方式で半田付けされる場合に、リードをクリーム状
半田の膜が形成されているリードに押し付けた状態にお
いて、クリーム状半田が傾斜した側面の下側のスペース
に加えて、貫通孔を内部スペース、更には貫通孔を通っ
てリード上面のスペースに貯留される。このため、半田
の横方向への押し拡がりを効果的に抑えることが出来、
然して、隣り合うリード間の短絡を発生しにくくし得、
特にピッチの狭いリードに適用して半田付けの信頼性の
向上を図ることが出来る。
ドに対向する部分について、貫通孔を形成すると共に、
幅方向上両側の側面を傾斜面として、軸線に対して直角
な断面を上下逆の等脚台形とした構成であるため、リフ
ロー方式で半田付けされる場合に、リードをクリーム状
半田の膜が形成されているリードに押し付けた状態にお
いて、クリーム状半田が傾斜した側面の下側のスペース
に加えて、貫通孔を内部スペース、更には貫通孔を通っ
てリード上面のスペースに貯留される。このため、半田
の横方向への押し拡がりを効果的に抑えることが出来、
然して、隣り合うリード間の短絡を発生しにくくし得、
特にピッチの狭いリードに適用して半田付けの信頼性の
向上を図ることが出来る。
また、リードのうちランドに対向する部分にある貫通孔
は、ガス抜き用孔として機能し、溶融半田中に発生した
ガスは、貫通孔を通して逃がされる。これにより、半田
のリード及びランドに対するぬれ性が良好となり、リー
ドを良好に半田付けすることが出来るという特長を有す
る。
は、ガス抜き用孔として機能し、溶融半田中に発生した
ガスは、貫通孔を通して逃がされる。これにより、半田
のリード及びランドに対するぬれ性が良好となり、リー
ドを良好に半田付けすることが出来るという特長を有す
る。
第１図は改良された従来の半田付け実装部品のリードの
一実施例の拡大斜視図、 第２図は第１図のリードを適用した半田付け実装部品の
実装状態を示す斜視図、 第３図は第１図中III-III線に沿う断面矢視図、 第４図は第１図中IV-IV線に沿う断面矢視図、 第５図はリードがクリーム状半田線と対向した状態を示
す図、 第６図はリードが半田膜に押圧されたときの状態を示す
図、 第７図は半田溶融時の状態を示す図、 第８図はリードの半田付完了後の状態を示す図、 第９図は本考案の一実施例のリードを示す斜視図、 第10図は第９図のリードの半田付時の状態を示す図、 第11図は従来のリードの１例の斜視図、 第12図乃至第15図は夫々第11図に示すリードの半田付け
を説明する図である。 20,40……リード、20a……上面、20b……下面、20c,20d
……傾斜側面、20e……傾斜先端面、21……LSI、22……
プリント基板、23……ランド、24,25……溶融半田貯留
部分、30……クリーム状半田膜、30a,30b……貯留され
たクリーム半田、31……エネルギを示す矢印、32……溶
融半田、33,34……貯留された溶融半田、35……凝固し
た半田、41……貫通孔。
一実施例の拡大斜視図、 第２図は第１図のリードを適用した半田付け実装部品の
実装状態を示す斜視図、 第３図は第１図中III-III線に沿う断面矢視図、 第４図は第１図中IV-IV線に沿う断面矢視図、 第５図はリードがクリーム状半田線と対向した状態を示
す図、 第６図はリードが半田膜に押圧されたときの状態を示す
図、 第７図は半田溶融時の状態を示す図、 第８図はリードの半田付完了後の状態を示す図、 第９図は本考案の一実施例のリードを示す斜視図、 第10図は第９図のリードの半田付時の状態を示す図、 第11図は従来のリードの１例の斜視図、 第12図乃至第15図は夫々第11図に示すリードの半田付け
を説明する図である。 20,40……リード、20a……上面、20b……下面、20c,20d
……傾斜側面、20e……傾斜先端面、21……LSI、22……
プリント基板、23……ランド、24,25……溶融半田貯留
部分、30……クリーム状半田膜、30a,30b……貯留され
たクリーム半田、31……エネルギを示す矢印、32……溶
融半田、33,34……貯留された溶融半田、35……凝固し
た半田、41……貫通孔。
Claims (1)
- 【請求項１】クリーム状半田の膜が形成されているプリ
ント基板のランドに押し付けられ、 該クリーム状半田を溶解されて上記ランドと半田付けさ
れる実装部品のリードであって、 該リードのうち上記ランドに対向する部分について、貫
通孔を形成すると共に、幅方向上両側の側面を傾斜面と
して、軸線に対して直角な断面を上下逆の等脚台形とし
た構成とし、 上記押し付けたときに、上記貫通孔の内部部分及び上記
傾斜した側面とこれと対向する上記ランドとの間の部分
に前記膜を形成しているクリーム状半田の一部が貯留す
る構成の半田付け実装部品のリード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987200671U JPH0749732Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半田付け実装部品のリ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987200671U JPH0749732Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半田付け実装部品のリ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103273U JPH01103273U (ja) | 1989-07-12 |
| JPH0749732Y2 true JPH0749732Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31491067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987200671U Expired - Lifetime JPH0749732Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半田付け実装部品のリ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749732Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12199194B2 (en) | 2019-11-28 | 2025-01-14 | Kyocera Corporation | Wiring base, package for storing semiconductor element, and semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2529849Y2 (ja) * | 1990-12-25 | 1997-03-19 | ヒロセ電機株式会社 | 表面実装用コネクタの補強金具構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125373U (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-25 | 富士通株式会社 | プリント配線板 |
| JPS5947747A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP1987200671U patent/JPH0749732Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12199194B2 (en) | 2019-11-28 | 2025-01-14 | Kyocera Corporation | Wiring base, package for storing semiconductor element, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01103273U (ja) | 1989-07-12 |
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