JPH0758752B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0758752B2 JPH0758752B2 JP61082709A JP8270986A JPH0758752B2 JP H0758752 B2 JPH0758752 B2 JP H0758752B2 JP 61082709 A JP61082709 A JP 61082709A JP 8270986 A JP8270986 A JP 8270986A JP H0758752 B2 JPH0758752 B2 JP H0758752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- semiconductor device
- external lead
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に半導体素子を樹脂封
止してなりかつ樹脂部と外部導出リードの肩部との間隔
が0.3mm以下となるような半導体装置に関する。
止してなりかつ樹脂部と外部導出リードの肩部との間隔
が0.3mm以下となるような半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、樹脂封止領域から外部に
導出されたリードが、外部リード樹脂封止領域取出し部
幅と同一または広く形成された後に外部リード先端部の
細リード部へと形成されていた。
導出されたリードが、外部リード樹脂封止領域取出し部
幅と同一または広く形成された後に外部リード先端部の
細リード部へと形成されていた。
上述した従来の外部リード形状は、半導体装置の樹脂部
と外部導出リードの肩部との間隔が0.3mm以上あり、半
導体装置の製造工程の一つであるリード曲げ工程におい
て、樹脂部と外部導出リード肩部との間にリード受けダ
イを介してリードを曲げることができた。ところが、最
近の半導体素子の多機能化、大容量化によりその半導体
素子自体も大型化し、かつその半導体素子を封止する樹
脂部幅も相対的に広くなってきている。それにより、樹
脂部と外部導出リードの肩部との間隔がより小さくな
り、樹脂部と外部導出リード肩部との間に受けダイを介
してリードを曲げ成形することが困難となってきてお
り、受けダイを介さずしてリード曲げ成形することが必
要となってきた。この場合、樹脂部と外部導出リード肩
部との間に受けダイを介さないため、リード曲げ成形時
に、多大なストレスが外部リード樹脂封止領域取出し部
に集中し、樹脂とリードの界面にすきまを生じるという
欠点があった。
と外部導出リードの肩部との間隔が0.3mm以上あり、半
導体装置の製造工程の一つであるリード曲げ工程におい
て、樹脂部と外部導出リード肩部との間にリード受けダ
イを介してリードを曲げることができた。ところが、最
近の半導体素子の多機能化、大容量化によりその半導体
素子自体も大型化し、かつその半導体素子を封止する樹
脂部幅も相対的に広くなってきている。それにより、樹
脂部と外部導出リードの肩部との間隔がより小さくな
り、樹脂部と外部導出リード肩部との間に受けダイを介
してリードを曲げ成形することが困難となってきてお
り、受けダイを介さずしてリード曲げ成形することが必
要となってきた。この場合、樹脂部と外部導出リード肩
部との間に受けダイを介さないため、リード曲げ成形時
に、多大なストレスが外部リード樹脂封止領域取出し部
に集中し、樹脂とリードの界面にすきまを生じるという
欠点があった。
本発明の半導体装置は、半導体素子を樹脂封止し、樹脂
封止領域から外部に導出されたリードを上記樹脂封止領
域との境界部近傍で折り曲げてなる半導体装置におい
て、上記リードにリード幅狭部を設け、上記リード幅狭
部において上記リードを折り曲げてなることを特徴とす
る。
封止領域から外部に導出されたリードを上記樹脂封止領
域との境界部近傍で折り曲げてなる半導体装置におい
て、上記リードにリード幅狭部を設け、上記リード幅狭
部において上記リードを折り曲げてなることを特徴とす
る。
これにより、樹脂部と外部導出リードの肩部との間隔が
0.3mm以下となるような半導体装置のリード曲げ成形工
程における外部リード樹脂封止領域取出し部へのストレ
ス集中を、リード幅の狭い部分に分散することにより回
避している。
0.3mm以下となるような半導体装置のリード曲げ成形工
程における外部リード樹脂封止領域取出し部へのストレ
ス集中を、リード幅の狭い部分に分散することにより回
避している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の一実施例を
示す側面図及び断面図である。半導体素子４の樹脂封止
領域１より外部かつ樹脂封止領域底面６より上部の位置
で、リード２の幅を樹脂封止領域取出し部７の外部リー
ド幅l,l′より狭くしたのち再び広く形成している。
示す側面図及び断面図である。半導体素子４の樹脂封止
領域１より外部かつ樹脂封止領域底面６より上部の位置
で、リード２の幅を樹脂封止領域取出し部７の外部リー
ド幅l,l′より狭くしたのち再び広く形成している。
従来の樹脂封止による半導体素子は第２図に示すように
樹脂部１と外部導出リードの肩部２′との間隔Ｌが0.3m
m以上となっており、リード曲げ工程におけるリード受
けダイをＬの寸法を考慮して使用することができた。し
かしながら、第３図（ａ）に示すように、樹脂部幅が広
くなった場合、Ｌの寸法が0.3mm以下となりリード曲げ
工程におけるリード受けダイの使用が、ダイ製作上及び
耐久性の問題で、困難であり、リード受けダイなしでリ
ード曲げを行なうことにより、第３図（ｂ）に示すよう
なすきま８が生じる場合があった。このすきまより水分
等が浸入し、半導体装置の耐湿性が悪化するという問題
点があった。
樹脂部１と外部導出リードの肩部２′との間隔Ｌが0.3m
m以上となっており、リード曲げ工程におけるリード受
けダイをＬの寸法を考慮して使用することができた。し
かしながら、第３図（ａ）に示すように、樹脂部幅が広
くなった場合、Ｌの寸法が0.3mm以下となりリード曲げ
工程におけるリード受けダイの使用が、ダイ製作上及び
耐久性の問題で、困難であり、リード受けダイなしでリ
ード曲げを行なうことにより、第３図（ｂ）に示すよう
なすきま８が生じる場合があった。このすきまより水分
等が浸入し、半導体装置の耐湿性が悪化するという問題
点があった。
これらの問題点を解決するため、第１図に示すようなリ
ード幅狭部３を設けることにより、リード曲げ工程にお
いて外部リード樹脂封止領域取出し部７にかかるストレ
ス集中をリード幅狭部３に分散し、すきま８を減少させ
ることができた。
ード幅狭部３を設けることにより、リード曲げ工程にお
いて外部リード樹脂封止領域取出し部７にかかるストレ
ス集中をリード幅狭部３に分散し、すきま８を減少させ
ることができた。
また、リード幅狭部３の位置及び長さを変化させること
により、リード肩部２′の位置の位置を希望する位置に
変更することができる。
により、リード肩部２′の位置の位置を希望する位置に
変更することができる。
以上説明したように本発明は、樹脂封止領域より外部か
つ樹脂封止領域底面より上部の位置で外部リード幅を外
部リード樹脂封止領域取り出し部幅より狭くした後再び
広く形成したことにより、リード曲げ工程における外部
リード樹脂封止領域取出し部にかかるストレスを軽減
し、特に樹脂部と外部導出リードの肩部との間隔が0.3m
m以下となるような半導体装置の樹脂とリード界面のす
きまを減少し、半導体装置自体の耐湿性を向上できる効
果がある。
つ樹脂封止領域底面より上部の位置で外部リード幅を外
部リード樹脂封止領域取り出し部幅より狭くした後再び
広く形成したことにより、リード曲げ工程における外部
リード樹脂封止領域取出し部にかかるストレスを軽減
し、特に樹脂部と外部導出リードの肩部との間隔が0.3m
m以下となるような半導体装置の樹脂とリード界面のす
きまを減少し、半導体装置自体の耐湿性を向上できる効
果がある。
また、リード幅の狭い部分の長さや位置を変えることに
より、希望するリード曲げ形状を安定して得ることがで
きるという効果もある。
より、希望するリード曲げ形状を安定して得ることがで
きるという効果もある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す側面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図（ａ）
は従来お半導体装置を示す側面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、第３図（ａ）は樹脂部と外
部導出リードとの間隔が0.3mm以下となっている半導体
装置を従来リード幅にてリード曲げ成形した場合の断面
図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）の外部リード樹脂封
止領域取出し部を拡大した断面図である。 １……樹脂封止領域、２……外部リード、３……リード
幅狭部分、４……半導体素子、５……ボンディングワイ
ヤー、６……樹脂封止領域底面、７……外部リード樹脂
封止領域取出し部、８……樹脂とリードとのすきま部
分。
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図（ａ）
は従来お半導体装置を示す側面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、第３図（ａ）は樹脂部と外
部導出リードとの間隔が0.3mm以下となっている半導体
装置を従来リード幅にてリード曲げ成形した場合の断面
図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）の外部リード樹脂封
止領域取出し部を拡大した断面図である。 １……樹脂封止領域、２……外部リード、３……リード
幅狭部分、４……半導体素子、５……ボンディングワイ
ヤー、６……樹脂封止領域底面、７……外部リード樹脂
封止領域取出し部、８……樹脂とリードとのすきま部
分。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を樹脂封止し、樹脂封止領域か
ら外部に導出されたリードを前記樹脂封止領域との境界
部近傍で折り曲げてなる半導体装置において、前記リー
ドにリード幅狭部を設け、前記リード幅狭部において前
記リードを折り曲げてなることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082709A JPH0758752B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082709A JPH0758752B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238656A JPS62238656A (ja) | 1987-10-19 |
| JPH0758752B2 true JPH0758752B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=13781930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61082709A Expired - Lifetime JPH0758752B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758752B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322030A (en) * | 1976-08-03 | 1978-03-01 | Mikijirou Shida | Weed seed collecter for paddy field and collecter used at irrigation water channel |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61082709A patent/JPH0758752B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62238656A (ja) | 1987-10-19 |
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