JPH076895A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH076895A JPH076895A JP5317712A JP31771293A JPH076895A JP H076895 A JPH076895 A JP H076895A JP 5317712 A JP5317712 A JP 5317712A JP 31771293 A JP31771293 A JP 31771293A JP H076895 A JPH076895 A JP H076895A
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- plasma
- microwave
- waveguide
- plasma processing
- plasma generation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ発生室内に安定して均一なガスプラズ
マを生成し、処理の均一性を向上させる。 【構成】マイクロ波を発振する手段１と、マイクロ波を
導波管内で伝播する手段２，３，４と、伝播中のマイク
ロ波を導波管内で分割する手段９，１０と、分割された
マイクロ波をプラズマ発生領域へ入射しプラズマを発生
させる手段５と、プラズマ発生領域を真空排気する手段
と、プラズマ発生領域にプラズマ処理用のガスを導入す
る手段８とから構成する。
マを生成し、処理の均一性を向上させる。 【構成】マイクロ波を発振する手段１と、マイクロ波を
導波管内で伝播する手段２，３，４と、伝播中のマイク
ロ波を導波管内で分割する手段９，１０と、分割された
マイクロ波をプラズマ発生領域へ入射しプラズマを発生
させる手段５と、プラズマ発生領域を真空排気する手段
と、プラズマ発生領域にプラズマ処理用のガスを導入す
る手段８とから構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に係り、特に半導体デバイスや光学用部品等を製造
するのに好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関するも
のである。
装置に係り、特に半導体デバイスや光学用部品等を製造
するのに好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、特開昭６３−７２１２３
号公報や、特開昭６３−７２１２４号公報に記載のよう
にマイクロ波導波管内に金属製の移相器を設けたり、導
波管の一部を突起させたりして、処理速度の向上と処理
むらの解消を図っている。
号公報や、特開昭６３−７２１２４号公報に記載のよう
にマイクロ波導波管内に金属製の移相器を設けたり、導
波管の一部を突起させたりして、処理速度の向上と処理
むらの解消を図っている。
【０００３】また、特開昭６３−７３６２４号公報に記
載のように試料の被処理面と対応するベルジャーの誘電
率分布を調整することにより、プラズマ密度の均質化を
行ない、処理の均一性を向上していた。
載のように試料の被処理面と対応するベルジャーの誘電
率分布を調整することにより、プラズマ密度の均質化を
行ない、処理の均一性を向上していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で、特開
昭６３−７２１２３号公報や特開昭６３−７２１２４号
公報に記載される技術はマイクロ波の伝播の対象性が考
慮されておらず、このため処理条件が変化する毎に、移
相器やそれに相当するものを変化させることが必要であ
る。
昭６３−７２１２３号公報や特開昭６３−７２１２４号
公報に記載される技術はマイクロ波の伝播の対象性が考
慮されておらず、このため処理条件が変化する毎に、移
相器やそれに相当するものを変化させることが必要であ
る。
【０００５】また特開昭６３−７３６２４号公報では対
象性は確保されるものの、ベルジャー自体を加工する必
要があり、加工中におけるベルジャーの消耗による誘電
率の変化を保障し得るようになっていないという問題が
あった。
象性は確保されるものの、ベルジャー自体を加工する必
要があり、加工中におけるベルジャーの消耗による誘電
率の変化を保障し得るようになっていないという問題が
あった。
【０００６】本発明の目的は、安定して均一なガスプラ
ズマを生成し、処理の均一性を向上させることのできる
マイクロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
ズマを生成し、処理の均一性を向上させることのできる
マイクロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、マイクロ波
を発振する手段と、マイクロ波を導波管内で伝播する手
段と、伝播中のマイクロ波を導波管内で分割する手段
と、分割されたマイクロ波をプラズマ発生領域へ入射し
プラズマを発生させる手段と、プラズマ発生領域を真空
排気する手段と、プラズマ発生領域にプラズマ処理用の
ガスを導入する手段とから構成することにより、達成さ
せる。
を発振する手段と、マイクロ波を導波管内で伝播する手
段と、伝播中のマイクロ波を導波管内で分割する手段
と、分割されたマイクロ波をプラズマ発生領域へ入射し
プラズマを発生させる手段と、プラズマ発生領域を真空
排気する手段と、プラズマ発生領域にプラズマ処理用の
ガスを導入する手段とから構成することにより、達成さ
せる。
【０００８】
【作用】マイクロ波発振手段から発振させられたマイク
ロ波は、マイクロ波伝播手段により導波管内を伝播し、
伝播中のマイクロ波は導波管内で分割手段により分割さ
れて、導波管内で均一なモードのマイクロ波となって、
ガス導入手段および真空排気手段によってプラズマ処理
用ガスが所定の圧力に減圧保持されたプラズマ発生領域
へ入射され、プラズマ処理用ガスがプラズマ化される。
これにより、試料を処理するためのプラズマが安定して
均一に生成され、処理の均一性を向上させることができ
る。
ロ波は、マイクロ波伝播手段により導波管内を伝播し、
伝播中のマイクロ波は導波管内で分割手段により分割さ
れて、導波管内で均一なモードのマイクロ波となって、
ガス導入手段および真空排気手段によってプラズマ処理
用ガスが所定の圧力に減圧保持されたプラズマ発生領域
へ入射され、プラズマ処理用ガスがプラズマ化される。
これにより、試料を処理するためのプラズマが安定して
均一に生成され、処理の均一性を向上させることができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。本発明のマイクロ波プラズマ処理装置では、この場
合、試料６が配置される試料台７を覆ってベルジャー５
が真空容器に気密に設けられている。真空容器には真空
排気装置（図示省略）が接続されるとともに、ベルジャ
ー７内に向けて試料台７を囲むように複数個のガス供給
ノズルが均等に設けられている。ベルジャー７の外側周
囲には、ベルジャー７を囲んで円形導波管４が設けられ
ている。円形導波管４内でベルジャー５の反試料台７側
には、円筒９および仕切板１０から成るマイクロ波を分
割し均一なモードのマイクロ波を形成する移相器が設け
られている。円筒９は円形導波管４内に、円形導波管４
と同心状に配置されるように、対象配置された複数枚の
仕切板１０によって支持される。円形導波管４の移相器
上部はテーパ状に形成され、更にテーパ状に絞られた開
口端部には変換導波管３を介して矩形導波管２が接続さ
れ、矩形導波管２の端部にマグネトロン１が取り付けら
れている。
る。本発明のマイクロ波プラズマ処理装置では、この場
合、試料６が配置される試料台７を覆ってベルジャー５
が真空容器に気密に設けられている。真空容器には真空
排気装置（図示省略）が接続されるとともに、ベルジャ
ー７内に向けて試料台７を囲むように複数個のガス供給
ノズルが均等に設けられている。ベルジャー７の外側周
囲には、ベルジャー７を囲んで円形導波管４が設けられ
ている。円形導波管４内でベルジャー５の反試料台７側
には、円筒９および仕切板１０から成るマイクロ波を分
割し均一なモードのマイクロ波を形成する移相器が設け
られている。円筒９は円形導波管４内に、円形導波管４
と同心状に配置されるように、対象配置された複数枚の
仕切板１０によって支持される。円形導波管４の移相器
上部はテーパ状に形成され、更にテーパ状に絞られた開
口端部には変換導波管３を介して矩形導波管２が接続さ
れ、矩形導波管２の端部にマグネトロン１が取り付けら
れている。
【００１０】このように構成された装置では、プラズマ
処理用のガスはガス供給ノズル８によりベルジャー５に
導入されるとともに、真空排気装置によって所定の処理
圧力に減圧保持される。マイクロ波はマグネトロン１に
より発生され、短形導波管２，変換導波管３，円形導波
管４内を伝播してプラズマ発生室を構成するベルジャー
５に導入される。ベルジャー５の下には試料６とそれを
保持する試料台７が設置され、試料台７の周囲の隙間よ
りプラズマ発生室中の反応生成物や未反応ガスなどが真
空排気される。
処理用のガスはガス供給ノズル８によりベルジャー５に
導入されるとともに、真空排気装置によって所定の処理
圧力に減圧保持される。マイクロ波はマグネトロン１に
より発生され、短形導波管２，変換導波管３，円形導波
管４内を伝播してプラズマ発生室を構成するベルジャー
５に導入される。ベルジャー５の下には試料６とそれを
保持する試料台７が設置され、試料台７の周囲の隙間よ
りプラズマ発生室中の反応生成物や未反応ガスなどが真
空排気される。
【００１１】この場合、円形導波管４内には、金属製の
円筒９を複数の仕切板１０によって互いに締結した移相
器が形成されていて、仕切板１０はマイクロ波の伝播方
向と垂直な面内で円筒９および円形導波管４を含めて対
称に設置されている。仕切板１０の数量は、円形導波管
４および円筒９の寸法によりマイクロ波の均一なモード
が発生するように設定される。円形導波管４に導入され
たマイクロ波は、この固定された移相器により分割さ
れ、均一なモードのマイクロ波となってベルジャー５内
に入射する。これにより、均一なモードのマイクロ波が
常に安定してベルジャー５内に入射されるので、プラズ
マ発生室内で均一なプラズマが形成され、試料の均一な
プラズマ処理が実施できるようになる。
円筒９を複数の仕切板１０によって互いに締結した移相
器が形成されていて、仕切板１０はマイクロ波の伝播方
向と垂直な面内で円筒９および円形導波管４を含めて対
称に設置されている。仕切板１０の数量は、円形導波管
４および円筒９の寸法によりマイクロ波の均一なモード
が発生するように設定される。円形導波管４に導入され
たマイクロ波は、この固定された移相器により分割さ
れ、均一なモードのマイクロ波となってベルジャー５内
に入射する。これにより、均一なモードのマイクロ波が
常に安定してベルジャー５内に入射されるので、プラズ
マ発生室内で均一なプラズマが形成され、試料の均一な
プラズマ処理が実施できるようになる。
【００１２】以上、本実施例によれば、均一なプラズマ
処理が可能となるガスプラズマをマイクロ波を用いて生
成、すなわち、プラズマ発生室に入射する前のマイクロ
波のモードを固定した移相器によって均一なモードに限
定して、プラズマ発生室に導入することができるので、
プラズマ発生室に安定した均一モードのマイクロ波が導
入でき、均一なプラズマが生成されて試料の処理むらを
防止、すなわち、処理の均一性が向上できるという効果
があり、プラズマ処理の生産性を向上できる。
処理が可能となるガスプラズマをマイクロ波を用いて生
成、すなわち、プラズマ発生室に入射する前のマイクロ
波のモードを固定した移相器によって均一なモードに限
定して、プラズマ発生室に導入することができるので、
プラズマ発生室に安定した均一モードのマイクロ波が導
入でき、均一なプラズマが生成されて試料の処理むらを
防止、すなわち、処理の均一性が向上できるという効果
があり、プラズマ処理の生産性を向上できる。
【００１３】なお、本実施例は円筒と円形導波管で示し
たが、短形の筒と円形導波管や、短形の筒と短形導波管
あるいは円筒と短形導波管の組合せであってもさしつか
えないことは言うまでもない。
たが、短形の筒と円形導波管や、短形の筒と短形導波管
あるいは円筒と短形導波管の組合せであってもさしつか
えないことは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、安定して均一なガスプ
ラズマを生成でき、処理の均一性を向上できるという効
果がある。
ラズマを生成でき、処理の均一性を向上できるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すマイクロ波プラズマ処
理装置の縦断面斜視図である。
理装置の縦断面斜視図である。
１…マグネトロン、２…短形導波管、３…変換導波管、
４…円形導波管、５…ベルジャー、６…試料、７…試料
台、８…ガス供給ノズル、９…円筒、１０…仕切板。
４…円形導波管、５…ベルジャー、６…試料、７…試料
台、８…ガス供給ノズル、９…円筒、１０…仕切板。
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波を発振する手段と、該マイクロ
波を導波管内で伝播する手段と、該伝播中のマイクロ波
を導波管内で分割する手段と、該分割されたマイクロ波
をプラズマ発生領域へ入射しプラズマを発生させる手段
と、該プラズマ発生領域を真空排気する手段と、該プラ
ズマ発生領域にプラズマ処理用のガスを導入する手段と
から構成したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317712A JP2607832B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317712A JP2607832B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076895A true JPH076895A (ja) | 1995-01-10 |
| JP2607832B2 JP2607832B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=18091194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5317712A Expired - Lifetime JP2607832B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607832B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117265514A (zh) * | 2023-08-28 | 2023-12-22 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种毫米波频段的微波等离子体化学气相沉积装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122217A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS6372123A (ja) * | 1986-09-13 | 1988-04-01 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0267637U (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | ||
| JPH03110798A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-10 | Ryohei Itaya | マイクロ波プラズマ発生装置 |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP5317712A patent/JP2607832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122217A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS6372123A (ja) * | 1986-09-13 | 1988-04-01 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0267637U (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | ||
| JPH03110798A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-10 | Ryohei Itaya | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117265514A (zh) * | 2023-08-28 | 2023-12-22 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种毫米波频段的微波等离子体化学气相沉积装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2607832B2 (ja) | 1997-05-07 |
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