JPH08157615A - ポリスチレン系延伸フィルム及びポリスチレン系延伸フィルムの製造方法 - Google Patents
ポリスチレン系延伸フィルム及びポリスチレン系延伸フィルムの製造方法Info
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- JPH08157615A JPH08157615A JP6299254A JP29925494A JPH08157615A JP H08157615 A JPH08157615 A JP H08157615A JP 6299254 A JP6299254 A JP 6299254A JP 29925494 A JP29925494 A JP 29925494A JP H08157615 A JPH08157615 A JP H08157615A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた印刷性及び蒸着後の剥離強度等を有す
る延伸フィルムを提供すること、及び、優れた性能を有
するポリスチレン系延伸フィルムを効率的に製造する方
法を提供することができる。 【構成】 高度のシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体７０〜１００重量％を含むスチレン系樹脂
組成物からなる延伸フィルムであって、結晶化度が３５
％以上であり、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ以下
であり、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ3中１０００個以
下であることを特徴とするポリスチレン系延伸フィル
ム、及び特定量のスチレン系樹脂組成物を溶融濾過しな
がら押出し、冷却、二次延伸の順で処理後、処理度Ａが
１×１０-1以上５×１０2未満で熱処理を施すことを特
徴とするポリスチレン系延伸フィルムの製造方法。
る延伸フィルムを提供すること、及び、優れた性能を有
するポリスチレン系延伸フィルムを効率的に製造する方
法を提供することができる。 【構成】 高度のシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体７０〜１００重量％を含むスチレン系樹脂
組成物からなる延伸フィルムであって、結晶化度が３５
％以上であり、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ以下
であり、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ3中１０００個以
下であることを特徴とするポリスチレン系延伸フィル
ム、及び特定量のスチレン系樹脂組成物を溶融濾過しな
がら押出し、冷却、二次延伸の順で処理後、処理度Ａが
１×１０-1以上５×１０2未満で熱処理を施すことを特
徴とするポリスチレン系延伸フィルムの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリスチレン系延伸フィ
ルム及びその製造方法に関し、更に詳しくは、各種のフ
ィルム基材として、例えばコンデンサーフィルム，ＦＰ
Ｃ電絶用フィルム，写真用フィルム，製版用フィルム，
ＯＨＰ用フィルム，包装用フィルムなどの基材として有
用なポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法に関
する。
ルム及びその製造方法に関し、更に詳しくは、各種のフ
ィルム基材として、例えばコンデンサーフィルム，ＦＰ
Ｃ電絶用フィルム，写真用フィルム，製版用フィルム，
ＯＨＰ用フィルム，包装用フィルムなどの基材として有
用なポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】シンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体は、機械的
強度，耐熱性，外観，耐溶剤性，電気特性等に優れてい
ることから、種々の用途が期待され、特に各種のフィル
ム，シートあるいは繊維などの押出技術，成形品，用途
等が提案されている。フィルム用途においては、積層、
蒸着あるいは印刷して実用に供される場合が多く、従っ
て、印刷性や蒸着性に優れている必要がある。このよう
なシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を
用いた種々の物性を有する延伸フィルム、その延伸フィ
ルムの製造方法、及びその延伸フィルムを用いた種々の
用途については、特開平１−１８２３４８号公報，特開
平１−１８２３４６号公報，特開平２−６７３２８号公
報，特開平２−１４３８５１号公報，特開平３−７４４
３７号公報，特開平３−８６７０７号公報，特開平３−
１２４７５０号公報，特開平３−１３１８４３号公報，
特開平４−２６１４８５号公報，特開平５−２００８５
８号公報，特開平６−５７０１３号公報，特開平６−５
７０１４号公報，特開平６−５７０１５号公報，特開平
６−５７０１６号公報，特開平６−５７０１７号公報，
特開平６−６４０３６号公報，特開平６−６４０３７号
公報，特開平６−６５３９９号公報，特開平６−６５４
００号公報，特開平６−６５４０１号公報，特開平６−
６５４０２号公報，特開平６−８０７９３号公報，特開
平６−９１７４８号公報，特開平６−９１７４９号公
報，特開平６−９１７５０号公報，特開平６−９１７５
０号公報，特開平６−９９４８５号公報，特開平６−１
００７１１号公報，特開平６−１０６６１６号公報，特
開平６−１０７８１２号公報，特開平６−１０７８１３
号公報，特開平６−１１４９２４号公報，特開平６−１
１４９２５号公報に開示されている。しかしながら、従
来のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、印刷時の印字性（インキの接着性等）を含む印刷性
及び蒸着後の剥離強度などについては、未だ充分な性能
とはいえず、各種のフィルム用途において問題となって
いた。
オタクチック構造を有するスチレン系重合体は、機械的
強度，耐熱性，外観，耐溶剤性，電気特性等に優れてい
ることから、種々の用途が期待され、特に各種のフィル
ム，シートあるいは繊維などの押出技術，成形品，用途
等が提案されている。フィルム用途においては、積層、
蒸着あるいは印刷して実用に供される場合が多く、従っ
て、印刷性や蒸着性に優れている必要がある。このよう
なシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を
用いた種々の物性を有する延伸フィルム、その延伸フィ
ルムの製造方法、及びその延伸フィルムを用いた種々の
用途については、特開平１−１８２３４８号公報，特開
平１−１８２３４６号公報，特開平２−６７３２８号公
報，特開平２−１４３８５１号公報，特開平３−７４４
３７号公報，特開平３−８６７０７号公報，特開平３−
１２４７５０号公報，特開平３−１３１８４３号公報，
特開平４−２６１４８５号公報，特開平５−２００８５
８号公報，特開平６−５７０１３号公報，特開平６−５
７０１４号公報，特開平６−５７０１５号公報，特開平
６−５７０１６号公報，特開平６−５７０１７号公報，
特開平６−６４０３６号公報，特開平６−６４０３７号
公報，特開平６−６５３９９号公報，特開平６−６５４
００号公報，特開平６−６５４０１号公報，特開平６−
６５４０２号公報，特開平６−８０７９３号公報，特開
平６−９１７４８号公報，特開平６−９１７４９号公
報，特開平６−９１７５０号公報，特開平６−９１７５
０号公報，特開平６−９９４８５号公報，特開平６−１
００７１１号公報，特開平６−１０６６１６号公報，特
開平６−１０７８１２号公報，特開平６−１０７８１３
号公報，特開平６−１１４９２４号公報，特開平６−１
１４９２５号公報に開示されている。しかしながら、従
来のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、印刷時の印字性（インキの接着性等）を含む印刷性
及び蒸着後の剥離強度などについては、未だ充分な性能
とはいえず、各種のフィルム用途において問題となって
いた。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解消すべく鋭意検討の結果、フィルム中の揮発分で
ある残留モノマー成分量及び異物を特定値以下に低減
し、結晶化度を特定値以上とすることにより、優れた印
刷性及び蒸着後の剥離強度等を有するフィルムが得られ
ることを見出した。また、本発明者らは、これら特定値
を有するフィルム製造上、異物低減等のために溶融フィ
ルターを用いることにより、滞留時間が長くなり、残留
モノマー成分が増加した場合であっても特定の熱処理を
施すことで、残留モノマー成分の低減が可能であること
を見出した。本発明は、このような知見に基いて、印刷
性及び蒸着後の剥離強度等の性能に優れたフィルムを得
ることを目的として完成されたものである。すなわち、
本発明は、高度のシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体７０〜１００重量％を含むスチレン系樹脂
組成物からなる延伸フィルムであって、結晶化度が３５
％以上、好ましくは３７％以上であり、残留モノマー成
分量が２００ｐｐｍ以下、好ましくは１５０ｐｐｍ以下
であり、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ3中１０００個以
下、好ましくは１ｃｍ2 中８００個以下であることを特
徴とするポリスチレン系延伸フィルムを提供するもので
ある。また、本発明は、高度のシンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体７０〜１００重量％を含むス
チレン系樹脂組成物を３３０℃以下、６０分未満で溶融
濾過しながら押出し、冷却、二次延伸の順で処理後、下
式（Ｉ） Ａ＝Σ［Ｔ×ｔ／ｄ2 ］ ・・・ （Ｉ） 〔式中、Ｔは熱処理温度（Ｋ）、ｔは熱処理時間
（秒）、ｄはフィルム厚（μｍ）を示す。〕で表される
処理度Ａが、１×１０-1以上５×１０2以下、好ましく
は５×１０-1以上３×１０2以下で熱処理を施すことを
特徴とするポリスチレン系延伸フィルムの製造方法を提
供するものである。また、本発明においては、上記スチ
レン系重合体が、スチレン繰返し単位８０〜１００モル
％，ｐ−メチルスチレン繰返し単位０〜２０モル％から
なるものであることが特に好ましい。以下に、本発明を
更に詳細に説明する。
点を解消すべく鋭意検討の結果、フィルム中の揮発分で
ある残留モノマー成分量及び異物を特定値以下に低減
し、結晶化度を特定値以上とすることにより、優れた印
刷性及び蒸着後の剥離強度等を有するフィルムが得られ
ることを見出した。また、本発明者らは、これら特定値
を有するフィルム製造上、異物低減等のために溶融フィ
ルターを用いることにより、滞留時間が長くなり、残留
モノマー成分が増加した場合であっても特定の熱処理を
施すことで、残留モノマー成分の低減が可能であること
を見出した。本発明は、このような知見に基いて、印刷
性及び蒸着後の剥離強度等の性能に優れたフィルムを得
ることを目的として完成されたものである。すなわち、
本発明は、高度のシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体７０〜１００重量％を含むスチレン系樹脂
組成物からなる延伸フィルムであって、結晶化度が３５
％以上、好ましくは３７％以上であり、残留モノマー成
分量が２００ｐｐｍ以下、好ましくは１５０ｐｐｍ以下
であり、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ3中１０００個以
下、好ましくは１ｃｍ2 中８００個以下であることを特
徴とするポリスチレン系延伸フィルムを提供するもので
ある。また、本発明は、高度のシンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体７０〜１００重量％を含むス
チレン系樹脂組成物を３３０℃以下、６０分未満で溶融
濾過しながら押出し、冷却、二次延伸の順で処理後、下
式（Ｉ） Ａ＝Σ［Ｔ×ｔ／ｄ2 ］ ・・・ （Ｉ） 〔式中、Ｔは熱処理温度（Ｋ）、ｔは熱処理時間
（秒）、ｄはフィルム厚（μｍ）を示す。〕で表される
処理度Ａが、１×１０-1以上５×１０2以下、好ましく
は５×１０-1以上３×１０2以下で熱処理を施すことを
特徴とするポリスチレン系延伸フィルムの製造方法を提
供するものである。また、本発明においては、上記スチ
レン系重合体が、スチレン繰返し単位８０〜１００モル
％，ｐ−メチルスチレン繰返し単位０〜２０モル％から
なるものであることが特に好ましい。以下に、本発明を
更に詳細に説明する。
【０００４】先ず、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムの材料について説明する。本発明におけるシンジオタ
クチック構造のスチレン系重合体とは、立体化学構造が
シンジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成
される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニ
ル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するもの
であり、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁
気共鳴法(13Ｃ−ＮＭＲ法）により定量される。13Ｃ−
ＮＭＲ法により測定されるタクティシティーは、連続す
る複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダ
イアッド，３個の場合はトリアッド，５個の場合はペン
タッドによって示すことができるが、本発明にいう高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体と
は、通常はラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは
８５％以上、若しくはラセミペンタッドで３０％以上、
好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有
するポリスチレン，ポリ( アルキルスチレン),ポリ( ハ
ロゲン化スチレン),ポリ( アルコキシスチレン),ポリ(
ビニル安息香酸エステル），これらの水素化重合体およ
びこれらの混合物、あるいはこれらの構造単位を含む共
重合体を指称する。なお、ここでポリ( アルキルスチレ
ン) としては、ポリ( メチルスチレン),ポリ( エチルス
チレン),ポリ( プロピルスチレン),ポリ( ブチルスチレ
ン),ポリ( フェニルスチレン),ポリ( ビニルナフタレ
ン),ポリ( ビニルスチレン),ポリ( アセナフチレン) な
どがあり、ポリ( ハロゲン化スチレン) としては、ポリ
( クロロスチレン),ポリ( ブロモスチレン),ポリ( フル
オロスチレン) などがある。また、ポリ( アルコキシス
チレン) としては、ポリ( メトキシスチレン),ポリ( エ
トキシスチレン) などがある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、スチレンとｐ−メチルス
チレンとの共重合体，ポリスチレン，ポリ( ｐ−メチル
スチレン),ポリ( ｍ−メチルスチレン),ポリ( ｐ−ター
シャリーブチルスチレン),ポリ( ｐ−クロロスチレン),
ポリ( ｍ−クロロスチレン),ポリ(ｐ−フルオロスチレ
ン) をあげることができる（特開昭６２−１８７７０８
号公報）。
ムの材料について説明する。本発明におけるシンジオタ
クチック構造のスチレン系重合体とは、立体化学構造が
シンジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成
される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニ
ル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するもの
であり、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁
気共鳴法(13Ｃ−ＮＭＲ法）により定量される。13Ｃ−
ＮＭＲ法により測定されるタクティシティーは、連続す
る複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダ
イアッド，３個の場合はトリアッド，５個の場合はペン
タッドによって示すことができるが、本発明にいう高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体と
は、通常はラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは
８５％以上、若しくはラセミペンタッドで３０％以上、
好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有
するポリスチレン，ポリ( アルキルスチレン),ポリ( ハ
ロゲン化スチレン),ポリ( アルコキシスチレン),ポリ(
ビニル安息香酸エステル），これらの水素化重合体およ
びこれらの混合物、あるいはこれらの構造単位を含む共
重合体を指称する。なお、ここでポリ( アルキルスチレ
ン) としては、ポリ( メチルスチレン),ポリ( エチルス
チレン),ポリ( プロピルスチレン),ポリ( ブチルスチレ
ン),ポリ( フェニルスチレン),ポリ( ビニルナフタレ
ン),ポリ( ビニルスチレン),ポリ( アセナフチレン) な
どがあり、ポリ( ハロゲン化スチレン) としては、ポリ
( クロロスチレン),ポリ( ブロモスチレン),ポリ( フル
オロスチレン) などがある。また、ポリ( アルコキシス
チレン) としては、ポリ( メトキシスチレン),ポリ( エ
トキシスチレン) などがある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、スチレンとｐ−メチルス
チレンとの共重合体，ポリスチレン，ポリ( ｐ−メチル
スチレン),ポリ( ｍ−メチルスチレン),ポリ( ｐ−ター
シャリーブチルスチレン),ポリ( ｐ−クロロスチレン),
ポリ( ｍ−クロロスチレン),ポリ(ｐ−フルオロスチレ
ン) をあげることができる（特開昭６２−１８７７０８
号公報）。
【０００５】更に、スチレン系共重合体におけるコモノ
マーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマー
のほか、エチレン，プロピレン，ブテン，ヘキセン，オ
クテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン，イソプレ
ン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリ
ル酸メチル，無水マレイン酸，アクリロニトリル等の極
性ビニルモノマー等をあげることができる。特に、スチ
レン繰返し単位が８０〜１００モル％，ｐ−メチルスチ
レン繰返し単位が０〜２０モル％からなるスチレン系重
合体が好ましく用いられる。またこのスチレン系重合体
は、分子量について特に制限はないが、重量平均分子量
が10,000以上3,000,000 以下のものが好ましく、とりわ
け50,000以上 1,500,000以下のものが更に好ましい。こ
こで重量平均分子量が 10,000 未満であると、延伸が充
分にできない場合がある。さらに、分子量分布について
はその広狭は制約がなく、 様々なものを充当することが
可能であるが、重量平均分子量（Ｍw)／数平均分子量
（Ｍn)が 1. ５以上８以下のものが好ましい。なお、こ
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。上記高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体は、本発明のポリ
スチレン系延伸フィルム中に７０〜１００重量％、好ま
しくは８０〜１００重量％含有される。
マーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマー
のほか、エチレン，プロピレン，ブテン，ヘキセン，オ
クテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン，イソプレ
ン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリ
ル酸メチル，無水マレイン酸，アクリロニトリル等の極
性ビニルモノマー等をあげることができる。特に、スチ
レン繰返し単位が８０〜１００モル％，ｐ−メチルスチ
レン繰返し単位が０〜２０モル％からなるスチレン系重
合体が好ましく用いられる。またこのスチレン系重合体
は、分子量について特に制限はないが、重量平均分子量
が10,000以上3,000,000 以下のものが好ましく、とりわ
け50,000以上 1,500,000以下のものが更に好ましい。こ
こで重量平均分子量が 10,000 未満であると、延伸が充
分にできない場合がある。さらに、分子量分布について
はその広狭は制約がなく、 様々なものを充当することが
可能であるが、重量平均分子量（Ｍw)／数平均分子量
（Ｍn)が 1. ５以上８以下のものが好ましい。なお、こ
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。上記高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体は、本発明のポリ
スチレン系延伸フィルム中に７０〜１００重量％、好ま
しくは８０〜１００重量％含有される。
【０００６】本発明のポリスチレン系延伸フィルムに
は、その目的を阻害しない範囲で滑剤、他の熱可塑性樹
脂、酸化防止剤、無機充填剤、ゴム、相溶化剤、着色
剤、架橋剤、架橋助剤、核剤、可塑剤などを添加するこ
ともできる。滑剤としては、例えば無機微粒子を用いる
ことができる。ここで、無機微粒子とは、ＩＡ族，IIＡ
族，IVＡ族，VIＡ族，VII Ａ族，VIII族，ＩＢ族，IIＢ
族，III Ｂ族，IVＢ族元素の酸化物，水酸化物，硫化
物，窒素化物，ハロゲン化物，炭酸塩，硫酸塩，酢酸
塩，燐酸塩，亜燐酸塩，有機カルボン酸塩，珪酸塩，チ
タン酸塩，硼酸塩及びそれらの含水化合物、それらを中
心とする複合化合物，天然鉱物粒子を示す。
は、その目的を阻害しない範囲で滑剤、他の熱可塑性樹
脂、酸化防止剤、無機充填剤、ゴム、相溶化剤、着色
剤、架橋剤、架橋助剤、核剤、可塑剤などを添加するこ
ともできる。滑剤としては、例えば無機微粒子を用いる
ことができる。ここで、無機微粒子とは、ＩＡ族，IIＡ
族，IVＡ族，VIＡ族，VII Ａ族，VIII族，ＩＢ族，IIＢ
族，III Ｂ族，IVＢ族元素の酸化物，水酸化物，硫化
物，窒素化物，ハロゲン化物，炭酸塩，硫酸塩，酢酸
塩，燐酸塩，亜燐酸塩，有機カルボン酸塩，珪酸塩，チ
タン酸塩，硼酸塩及びそれらの含水化合物、それらを中
心とする複合化合物，天然鉱物粒子を示す。
【０００７】具体的には、弗化リチウム，硼砂( 硼酸ナ
トリウム含水塩) 等のＩＡ族元素化合物、炭酸マグネシ
ウム，燐酸マグネシウム，酸化マグネシウム( マグネシ
ア),塩化マグネシウム，酢酸マグネシウム，弗化マグネ
シウム，チタン酸マグネシウム，珪酸マグネシウム，珪
酸マグネシウム含水塩( タルク),炭酸カルシウム，燐酸
カルシウム，亜燐酸カルシウム，硫酸カルシウム( 石
膏),酢酸カルシウム，テレフタル酸カルシウム，水酸化
カルシウム，珪酸カルシウム，弗化カルシウム，チタン
酸カルシウム，チタン酸ストロンチウム，炭酸バリウ
ム，燐酸バリウム，硫酸バリウム，亜燐酸バリウム等の
IIＡ族元素化合物、二酸化チタン（チタニア),一酸化チ
タン，窒化チタン，二酸化ジルコニウム( ジルコニア),
一酸化ジルコニウム等のIVＡ族元素化合物、二酸化モリ
ブデン，三酸化モリブデン，硫化モリブデン等のVIＡ族
元素化合物、塩化マンガン，酢酸マンガン等のVII Ａ族
元素化合物、塩化コバルト，酢酸コバルト等のVIII族元
素化合物、沃化第一銅等のＩＢ族元素化合物、酸化亜
鉛，酢酸亜鉛等のIIＢ族元素化合物、酸化アルミニウム
(アルミナ),水酸化アルミニウム，弗化アルミニウム，
アルミノシリケート( 珪酸アルミナ，カオリン，カオリ
ナイト) 等のIII Ｂ族元素化合物、酸化珪素( シリカ，
シリカゲル),石墨, カーボン，グラファイト，ガラス等
のIVＢ族元素化合物、カーナル石，カイナイト，雲母(
マイカ, キンウンモ),バイロース鉱等の天然鉱物の粒子
が挙げられる。ここで用いる無機微粒子の平均粒径は、
特に制限はないが、好ましくは0.０１〜３μｍ、成形品
中の含量は0.００１〜５重量％、好ましくは0.００５〜
３重量％である。この無機微粒子は最終的な成形品に含
有されるが、含有される方法に限定はない。例えば、重
合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方法、溶融
押出する任意の過程で添加する方法が挙げられる。
トリウム含水塩) 等のＩＡ族元素化合物、炭酸マグネシ
ウム，燐酸マグネシウム，酸化マグネシウム( マグネシ
ア),塩化マグネシウム，酢酸マグネシウム，弗化マグネ
シウム，チタン酸マグネシウム，珪酸マグネシウム，珪
酸マグネシウム含水塩( タルク),炭酸カルシウム，燐酸
カルシウム，亜燐酸カルシウム，硫酸カルシウム( 石
膏),酢酸カルシウム，テレフタル酸カルシウム，水酸化
カルシウム，珪酸カルシウム，弗化カルシウム，チタン
酸カルシウム，チタン酸ストロンチウム，炭酸バリウ
ム，燐酸バリウム，硫酸バリウム，亜燐酸バリウム等の
IIＡ族元素化合物、二酸化チタン（チタニア),一酸化チ
タン，窒化チタン，二酸化ジルコニウム( ジルコニア),
一酸化ジルコニウム等のIVＡ族元素化合物、二酸化モリ
ブデン，三酸化モリブデン，硫化モリブデン等のVIＡ族
元素化合物、塩化マンガン，酢酸マンガン等のVII Ａ族
元素化合物、塩化コバルト，酢酸コバルト等のVIII族元
素化合物、沃化第一銅等のＩＢ族元素化合物、酸化亜
鉛，酢酸亜鉛等のIIＢ族元素化合物、酸化アルミニウム
(アルミナ),水酸化アルミニウム，弗化アルミニウム，
アルミノシリケート( 珪酸アルミナ，カオリン，カオリ
ナイト) 等のIII Ｂ族元素化合物、酸化珪素( シリカ，
シリカゲル),石墨, カーボン，グラファイト，ガラス等
のIVＢ族元素化合物、カーナル石，カイナイト，雲母(
マイカ, キンウンモ),バイロース鉱等の天然鉱物の粒子
が挙げられる。ここで用いる無機微粒子の平均粒径は、
特に制限はないが、好ましくは0.０１〜３μｍ、成形品
中の含量は0.００１〜５重量％、好ましくは0.００５〜
３重量％である。この無機微粒子は最終的な成形品に含
有されるが、含有される方法に限定はない。例えば、重
合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方法、溶融
押出する任意の過程で添加する方法が挙げられる。
【０００８】本発明において上記のスチレン系重合体
に、添加できる他の熱可塑性樹脂としては各種のものが
あるが、例えば、アタクチック構造のスチレン系重合
体，アイソタクチック構造のスチレン系重合体，ポリフ
ェニレンエーテル等が、挙げられる。これらの樹脂は前
述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶
しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の
制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制
御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得ること
ができる。このうち、アタクチック構造および／または
アイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる
場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
同様の単量体からなるものが好ましい。また、これら相
溶性樹脂成分の含有割合は１〜７０重量％、特に２〜５
０重量％とすればよい。ここで相溶性樹脂成分の含有割
合が７０重量％を超えると、シンジオタクチック構造の
スチレン系重合体の長所である耐熱性等が損なわれるこ
とがあるため好ましくない。
に、添加できる他の熱可塑性樹脂としては各種のものが
あるが、例えば、アタクチック構造のスチレン系重合
体，アイソタクチック構造のスチレン系重合体，ポリフ
ェニレンエーテル等が、挙げられる。これらの樹脂は前
述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶
しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の
制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制
御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得ること
ができる。このうち、アタクチック構造および／または
アイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる
場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
同様の単量体からなるものが好ましい。また、これら相
溶性樹脂成分の含有割合は１〜７０重量％、特に２〜５
０重量％とすればよい。ここで相溶性樹脂成分の含有割
合が７０重量％を超えると、シンジオタクチック構造の
スチレン系重合体の長所である耐熱性等が損なわれるこ
とがあるため好ましくない。
【０００９】また、本発明で用いられる上記のスチレン
系重合体に添加し得る他の樹脂であって、非相溶性樹脂
としては、例えば、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポ
リブテン，ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチ
レンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレート，ポ
リエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン−
６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンス
ルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート，ポ
リアリレート，ポリスルホン，ポリエーテルエーテルケ
トン，ポリエーテルスルホン，ポリイミド，テフロン等
のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル
等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、上記
相溶性の樹脂以外はすべて相当し、さらに、上記相溶性
の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、
本発明に用いられるシンジオタクチック構造のスチレン
系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合、シン
ジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島のように
分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えた
り、表面のすべり性を改良するのに有効である。これら
非相溶性樹脂成分の含有割合は、光沢を目的とする場合
は２〜５０重量％、表面性の制御を目的とする場合は0.
００１〜５重量％が好ましい。また、製品として使用す
る温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂
を用いることが好ましい。
系重合体に添加し得る他の樹脂であって、非相溶性樹脂
としては、例えば、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポ
リブテン，ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチ
レンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレート，ポ
リエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン−
６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンス
ルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート，ポ
リアリレート，ポリスルホン，ポリエーテルエーテルケ
トン，ポリエーテルスルホン，ポリイミド，テフロン等
のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル
等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、上記
相溶性の樹脂以外はすべて相当し、さらに、上記相溶性
の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、
本発明に用いられるシンジオタクチック構造のスチレン
系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合、シン
ジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島のように
分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えた
り、表面のすべり性を改良するのに有効である。これら
非相溶性樹脂成分の含有割合は、光沢を目的とする場合
は２〜５０重量％、表面性の制御を目的とする場合は0.
００１〜５重量％が好ましい。また、製品として使用す
る温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂
を用いることが好ましい。
【００１０】酸化防止剤としてはリン系酸化防止剤，フ
ェノール系酸化防止剤又は硫黄系酸化防止剤を用いるこ
とができる。このような酸化防止剤を用いることによ
り、熱安定性のよいポリスチレン系樹脂組成物が得られ
る。ここでリン系酸化防止剤としては種々のものが挙げ
られ、モノホスファイトやジホスファイト等であること
を問わない。モノホスファイトとしてはトリス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト；トリス（モ
ノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファイト等が挙げら
れる。またジホスファイトとしては、一般式
ェノール系酸化防止剤又は硫黄系酸化防止剤を用いるこ
とができる。このような酸化防止剤を用いることによ
り、熱安定性のよいポリスチレン系樹脂組成物が得られ
る。ここでリン系酸化防止剤としては種々のものが挙げ
られ、モノホスファイトやジホスファイト等であること
を問わない。モノホスファイトとしてはトリス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト；トリス（モ
ノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファイト等が挙げら
れる。またジホスファイトとしては、一般式
【００１１】
【化１】
【００１２】〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は同一でも異なって
いてもよく、それぞれ炭素数１〜２０のアルキル基，炭
素数３〜２０のシクロアルキル基あるいは炭素数６〜２
０のアリール基を示す。〕で表わされるホスファイトが
用いられ、具体例としては、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト；ジオクチルペンタエリスリト
ールジホスファイト；ジフェニルペンタエリスリトール
ジホスファイト；ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）ペンタエリスリトールジホスファイト；ビス（２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリ
スリトールジホスファイト；ジシクロヘキシルペンタエ
リスリトールジホスファイト；トリス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト；テトラキス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン
ホスフォナイトなどが挙げられる。これらの中でもビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト；ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−
４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト；トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト；テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）−４，４’−ビフェニレンホスフォナイトが好まし
く用いられる。
いてもよく、それぞれ炭素数１〜２０のアルキル基，炭
素数３〜２０のシクロアルキル基あるいは炭素数６〜２
０のアリール基を示す。〕で表わされるホスファイトが
用いられ、具体例としては、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト；ジオクチルペンタエリスリト
ールジホスファイト；ジフェニルペンタエリスリトール
ジホスファイト；ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）ペンタエリスリトールジホスファイト；ビス（２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリ
スリトールジホスファイト；ジシクロヘキシルペンタエ
リスリトールジホスファイト；トリス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト；テトラキス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン
ホスフォナイトなどが挙げられる。これらの中でもビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト；ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−
４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト；トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト；テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）−４，４’−ビフェニレンホスフォナイトが好まし
く用いられる。
【００１３】また、フェノール系酸化防止剤としては種
々のものを使用することができるが、具体的には、ジア
ルキルフェノール，トリアルキルフェノール，ジフェニ
ルモノアルコキシフェノール，テトラアルキルフェノー
ル等が用いられる。ジアルキルフェノールとしては、
２，２' −メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチル
フェノール）；１，１−ビス（５−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン；２，２' −メ
チレンビス( ４−メチル−６−シクロヘキシルフェノー
ル）；４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）；２，２−ビス（５−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシル
メルカプト−ブタンなどが挙げられる。トリアルキルフ
ェノールとしては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール；２，２'−メチレンビス（６−ｔ−ブチ
ル−４−エチルフェノール）；２，２' −メチレンビス
〔４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）フェ
ノール〕；２，２' −メチレンビス（４−メチル−６−
ノニルフェノール）；１，１，３−トリス−（５−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタ
ン；エチレングリコール−ビス〔３，３−ビス（３−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブチレート〕；１
−１−ビス（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）−３−（ｎ−ドデシルチオ）−ブタン；１，３，５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン；２，２−
ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル）マロン酸ジオクタデシルエステル；ｎ−オクタデシ
ル−３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）プロピオネート；テトラキス〔メチレン（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート）〕メタン；３，９−ビス〔１，１−ジメチル−２
−（β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチ
ルフェニル）プロピオニルオキシ）エチル−２，４，
８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン；
トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレイト等が挙げられる。また、ジフ
ェニルモノアルコキシフェノールとしては２，６−ジフ
ェニル−４−メトキシフェノール等が挙げられ、テトラ
アルキルフェノールとしてはトリス−（４−ｔ−ブチル
−２，６−ジ−メチル−３−ヒドロキシベンジル）−イ
ソシアヌレイト等が挙げられる。
々のものを使用することができるが、具体的には、ジア
ルキルフェノール，トリアルキルフェノール，ジフェニ
ルモノアルコキシフェノール，テトラアルキルフェノー
ル等が用いられる。ジアルキルフェノールとしては、
２，２' −メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチル
フェノール）；１，１−ビス（５−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン；２，２' −メ
チレンビス( ４−メチル−６−シクロヘキシルフェノー
ル）；４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）；２，２−ビス（５−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシル
メルカプト−ブタンなどが挙げられる。トリアルキルフ
ェノールとしては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール；２，２'−メチレンビス（６−ｔ−ブチ
ル−４−エチルフェノール）；２，２' −メチレンビス
〔４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）フェ
ノール〕；２，２' −メチレンビス（４−メチル−６−
ノニルフェノール）；１，１，３−トリス−（５−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタ
ン；エチレングリコール−ビス〔３，３−ビス（３−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブチレート〕；１
−１−ビス（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）−３−（ｎ−ドデシルチオ）−ブタン；１，３，５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン；２，２−
ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル）マロン酸ジオクタデシルエステル；ｎ−オクタデシ
ル−３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）プロピオネート；テトラキス〔メチレン（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート）〕メタン；３，９−ビス〔１，１−ジメチル−２
−（β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチ
ルフェニル）プロピオニルオキシ）エチル−２，４，
８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン；
トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレイト等が挙げられる。また、ジフ
ェニルモノアルコキシフェノールとしては２，６−ジフ
ェニル−４−メトキシフェノール等が挙げられ、テトラ
アルキルフェノールとしてはトリス−（４−ｔ−ブチル
−２，６−ジ−メチル−３−ヒドロキシベンジル）−イ
ソシアヌレイト等が挙げられる。
【００１４】更に硫黄系酸化防止剤としては、チオエー
テル系のものが好ましく、具体的にはジラウリル−３，
３’−チオジプロピオネート；ジミリスチル−３，３’
−チオジプロピオネート；ジステアリル−３，３’−チ
オジプロピオネート；ペンタエリスリトール−テトラキ
ス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）；ビス〔２
−メチル−４−（３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオ
キシ）−５−ｔ−ブチルフェニル〕スルフィド；２−メ
ルカプトベイゾイミダゾール等が挙げられる。これらの
中でも特にペンタエリスリトール−テトラキス−（β−
ラウリル−チオプロピオネート）が好ましい。
テル系のものが好ましく、具体的にはジラウリル−３，
３’−チオジプロピオネート；ジミリスチル−３，３’
−チオジプロピオネート；ジステアリル−３，３’−チ
オジプロピオネート；ペンタエリスリトール−テトラキ
ス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）；ビス〔２
−メチル−４−（３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオ
キシ）−５−ｔ−ブチルフェニル〕スルフィド；２−メ
ルカプトベイゾイミダゾール等が挙げられる。これらの
中でも特にペンタエリスリトール−テトラキス−（β−
ラウリル−チオプロピオネート）が好ましい。
【００１５】また、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ム中には、必要に応じて、−ＮＨ−基を有しかつ１0,０
００未満の分子量を有する有機化合物が含有する。この
ような有機化合物としては、−ＮＨ−基に電子吸引基が
隣接しているものが好ましく、このような電子吸引基と
しては、ベンゼン環，ナフタレン環，アントラセン環，
ピリジン環，トリアジン環，インデニル環及びこれらの
誘導体等の芳香族環又はカルボニル構造を含むことが好
ましい。また、上記有機化合物としては熱分解温度が２
６０℃以上のものが特に好ましい。具体的には以下の化
合物、例えば、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−
６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリ
ノ）−１，３，５−トリアジン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチ
レンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕
ヒドラジン、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，
２，４−トリアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサ
リチロイルヒドラジド、イソフタル酸（２−フェノキシ
プロピオニルヒドラジド）、２，２−オギザミド−ビス
〔エチル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネート〕、オギザリル−ビス
（ベンジリデン−ヒドラジド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−
サリシロイルヒドラジン、２−メルカプトベンツイミダ
ゾール、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレン
ジアミン、４，４’−ビス（α，α−ジメチルベンジ
ル）ジフェニルアミン、２−メルカプトメチルベンツイ
ミダゾール，スチレン化ジフェニルアミン、オクチル化
ジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミ
ン、ポリ（２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロ
キノリン）、６−エトキシ−１，２−ジヒドロ−２，
２，４−トリメチルキノリン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−（１，
３−ジメチルブチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−
フェニル−Ｎ’−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロ
キシプロピル）−ｐ−フェニレンジアミン、チオジフェ
ニルアミン、ｐ−アミノジフェニルアミン、Ｎ−サリシ
ロイル−Ｎ’−アルデヒドヒドラジン、Ｎ−サリシロイ
ル−Ｎ’−アセチルヒドラジン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−オキサミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ヒドロキシフェニ
ル）オキサミド、６−エトキシ−２，２，４−トリメチ
ル−１，２−ジヒドロキノリン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−
イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン等が挙げられ
る。上記−ＮＨ−基を有しかつ１0,０００未満の分子量
を有する有機化合物は、本発明のポリスチレン系延伸フ
ィルム中に、必要に応じて、３０重量％未満の量で含有
される。
ム中には、必要に応じて、−ＮＨ−基を有しかつ１0,０
００未満の分子量を有する有機化合物が含有する。この
ような有機化合物としては、−ＮＨ−基に電子吸引基が
隣接しているものが好ましく、このような電子吸引基と
しては、ベンゼン環，ナフタレン環，アントラセン環，
ピリジン環，トリアジン環，インデニル環及びこれらの
誘導体等の芳香族環又はカルボニル構造を含むことが好
ましい。また、上記有機化合物としては熱分解温度が２
６０℃以上のものが特に好ましい。具体的には以下の化
合物、例えば、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−
６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリ
ノ）−１，３，５−トリアジン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチ
レンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕
ヒドラジン、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，
２，４−トリアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサ
リチロイルヒドラジド、イソフタル酸（２−フェノキシ
プロピオニルヒドラジド）、２，２−オギザミド−ビス
〔エチル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネート〕、オギザリル−ビス
（ベンジリデン−ヒドラジド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−
サリシロイルヒドラジン、２−メルカプトベンツイミダ
ゾール、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレン
ジアミン、４，４’−ビス（α，α−ジメチルベンジ
ル）ジフェニルアミン、２−メルカプトメチルベンツイ
ミダゾール，スチレン化ジフェニルアミン、オクチル化
ジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミ
ン、ポリ（２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロ
キノリン）、６−エトキシ−１，２−ジヒドロ−２，
２，４−トリメチルキノリン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−（１，
３−ジメチルブチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−
フェニル−Ｎ’−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロ
キシプロピル）−ｐ−フェニレンジアミン、チオジフェ
ニルアミン、ｐ−アミノジフェニルアミン、Ｎ−サリシ
ロイル−Ｎ’−アルデヒドヒドラジン、Ｎ−サリシロイ
ル−Ｎ’−アセチルヒドラジン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−オキサミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ヒドロキシフェニ
ル）オキサミド、６−エトキシ−２，２，４−トリメチ
ル−１，２−ジヒドロキノリン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−
イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン等が挙げられ
る。上記−ＮＨ−基を有しかつ１0,０００未満の分子量
を有する有機化合物は、本発明のポリスチレン系延伸フ
ィルム中に、必要に応じて、３０重量％未満の量で含有
される。
【００１６】次に、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムの物性について説明する。本発明のポリスチレン系延
伸フィルムは、結晶化度（ＸC）３５％以上、好ましく
は３７％以上である。結晶化度が３５％未満では、熱収
縮率が大きくなり、加熱による変形が大きくなるので好
ましくない。また、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムは、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ以下、好まし
くは１５０ｐｐｍ以下である。残留モノマー成分量が２
００ｐｐｍを超える場合には、印刷性が悪化し、蒸着強
度が低下するので好ましくない。さらに本発明のポリス
チレン系延伸フィルムは、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ
2 中１０００個以下、好ましくは１ｃｍ2 中８００個以
下である。９μｍ以上の異物数が１ｃｍ2 中１０００個
を超える場合には、該延伸フィルムの印刷性が悪化する
ので好ましくない。なお、延伸フィルムについての上記
物性値は、例えば下記の評価、計算式により測定でき
る。 （１）結晶化度（ＸC）： １０００ｃｍ2 中の１０ｃ
ｍ間隔の格子点よりサンプリングし、示差走査熱量計等
にて測定する。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ なお、結晶化度１００％の場合の融解エンタルピーとし
て、シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
では５３Ｊ／ｇを用いて計算した。 （２）残留モノマー成分量 ： フィルムの一定範囲に
おける残留モノマーの量をガスクロマトグラフィー等に
より定量する。 （３）異物数 ： 体積１ｃｍ2 分のフィルムをＣＣＤ
カメラ等により連続的に測定し、１０回の測定結果の平
均値を計算する。 このような物性を有する本発明に係るポリスチレン系延
伸フィルムは、優れた印刷性及び蒸着後の剥離強度等の
性能を有する。本発明のポリスチレン系延伸フィルムを
得るには、従来の熱可塑性樹脂に用いられている種々の
方法により製造することができるが、上記物性を有する
延伸フィルムを効率的に得るには、本発明に係るポリス
チレン系延伸フィルムの製造方法によることが好まし
い。
ムの物性について説明する。本発明のポリスチレン系延
伸フィルムは、結晶化度（ＸC）３５％以上、好ましく
は３７％以上である。結晶化度が３５％未満では、熱収
縮率が大きくなり、加熱による変形が大きくなるので好
ましくない。また、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムは、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ以下、好まし
くは１５０ｐｐｍ以下である。残留モノマー成分量が２
００ｐｐｍを超える場合には、印刷性が悪化し、蒸着強
度が低下するので好ましくない。さらに本発明のポリス
チレン系延伸フィルムは、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ
2 中１０００個以下、好ましくは１ｃｍ2 中８００個以
下である。９μｍ以上の異物数が１ｃｍ2 中１０００個
を超える場合には、該延伸フィルムの印刷性が悪化する
ので好ましくない。なお、延伸フィルムについての上記
物性値は、例えば下記の評価、計算式により測定でき
る。 （１）結晶化度（ＸC）： １０００ｃｍ2 中の１０ｃ
ｍ間隔の格子点よりサンプリングし、示差走査熱量計等
にて測定する。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ なお、結晶化度１００％の場合の融解エンタルピーとし
て、シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
では５３Ｊ／ｇを用いて計算した。 （２）残留モノマー成分量 ： フィルムの一定範囲に
おける残留モノマーの量をガスクロマトグラフィー等に
より定量する。 （３）異物数 ： 体積１ｃｍ2 分のフィルムをＣＣＤ
カメラ等により連続的に測定し、１０回の測定結果の平
均値を計算する。 このような物性を有する本発明に係るポリスチレン系延
伸フィルムは、優れた印刷性及び蒸着後の剥離強度等の
性能を有する。本発明のポリスチレン系延伸フィルムを
得るには、従来の熱可塑性樹脂に用いられている種々の
方法により製造することができるが、上記物性を有する
延伸フィルムを効率的に得るには、本発明に係るポリス
チレン系延伸フィルムの製造方法によることが好まし
い。
【００１７】次に、本発明に係るポリスチレン系延伸フ
ィルムの製造方法について説明する。本発明のポリスチ
レン系延伸フィルムの製造方法では、まず、高度のシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体７０〜１
００重量％を含むスチレン系樹脂組成物を３３０℃以
下、６０分未満で溶融濾過しながら押出し、冷却、二次
延伸の順で処理を行う。すなわち、高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体を成形素材とし
て、これを通常は押出成形して、延伸用予備成形体（フ
ィルム，シート又はチューブ）とする。この成形にあっ
ては、上記成形素材の加熱溶融したものを溶融濾過しな
がら押出成形機にて所定形状に成形する。ここで用いる
押出成形機は、一軸押出成形機，二軸押出成形機のいず
れでもよく、ベント付き，ベント無しのいずれでもよ
い。また、溶融濾過は、焼結金属繊維により構成された
フィルターを用いることが好ましく、その空孔サイズ
は、５〜５０μｍであることがより好ましい。この溶融
濾過により異物数を低減することができるが、その熱履
歴によって上記スチレン系重合体の一部が熱分解するた
めに揮発分（残留モノマー成分）が増加する。この揮発
分は後述の熱処理により低減されるが、濾過工程での揮
発分の増加を可能な限り抑制するため、濾過温度は３３
０℃以下、好ましくは２５０〜３２０℃の範囲で滞留時
間６０分未満とすることが好ましい。またここで押出条
件は、特に制限はなく、種々の状況に応じて適宜選定す
ればよいが、好ましくは温度を成形素材の融点〜分解温
度より５０℃高い温度の範囲で選定し、剪断応力を５×
１０6 dyne／cm2 以下とする。用いるダイはＴ−ダイ，
円環ダイ等をあげることができる。
ィルムの製造方法について説明する。本発明のポリスチ
レン系延伸フィルムの製造方法では、まず、高度のシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体７０〜１
００重量％を含むスチレン系樹脂組成物を３３０℃以
下、６０分未満で溶融濾過しながら押出し、冷却、二次
延伸の順で処理を行う。すなわち、高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体を成形素材とし
て、これを通常は押出成形して、延伸用予備成形体（フ
ィルム，シート又はチューブ）とする。この成形にあっ
ては、上記成形素材の加熱溶融したものを溶融濾過しな
がら押出成形機にて所定形状に成形する。ここで用いる
押出成形機は、一軸押出成形機，二軸押出成形機のいず
れでもよく、ベント付き，ベント無しのいずれでもよ
い。また、溶融濾過は、焼結金属繊維により構成された
フィルターを用いることが好ましく、その空孔サイズ
は、５〜５０μｍであることがより好ましい。この溶融
濾過により異物数を低減することができるが、その熱履
歴によって上記スチレン系重合体の一部が熱分解するた
めに揮発分（残留モノマー成分）が増加する。この揮発
分は後述の熱処理により低減されるが、濾過工程での揮
発分の増加を可能な限り抑制するため、濾過温度は３３
０℃以下、好ましくは２５０〜３２０℃の範囲で滞留時
間６０分未満とすることが好ましい。またここで押出条
件は、特に制限はなく、種々の状況に応じて適宜選定す
ればよいが、好ましくは温度を成形素材の融点〜分解温
度より５０℃高い温度の範囲で選定し、剪断応力を５×
１０6 dyne／cm2 以下とする。用いるダイはＴ−ダイ，
円環ダイ等をあげることができる。
【００１８】本発明のポリスチレン系延伸フィルムの製
造方法では、上記押出成形後、得られた延伸用予備成形
体を冷却固化する。この際の冷媒は、気体，液体，金属
ロール等各種のものを使用することができる。金属ロー
ル等を用いる場合、エアナイフ，エアチャンバー，タッ
チロール，静電ピニング等の方法によると、厚みムラや
波うち防止に効果的である。冷却固化の温度は、通常は
０℃〜延伸用予備成形体のガラス転移温度より３０℃高
い温度の範囲、好ましくはガラス転移温度より７０℃低
い温度〜ガラス転移温度の範囲である。また冷却速度は
２００〜３℃／秒の範囲で適宜選択する。
造方法では、上記押出成形後、得られた延伸用予備成形
体を冷却固化する。この際の冷媒は、気体，液体，金属
ロール等各種のものを使用することができる。金属ロー
ル等を用いる場合、エアナイフ，エアチャンバー，タッ
チロール，静電ピニング等の方法によると、厚みムラや
波うち防止に効果的である。冷却固化の温度は、通常は
０℃〜延伸用予備成形体のガラス転移温度より３０℃高
い温度の範囲、好ましくはガラス転移温度より７０℃低
い温度〜ガラス転移温度の範囲である。また冷却速度は
２００〜３℃／秒の範囲で適宜選択する。
【００１９】冷却，固化した予備成形体は二軸延伸され
るが、この際、縦方向及び横方向に同時に延伸してもよ
いが、任意の順序で逐次延伸してもよい。また延伸は一
段で行ってもよく、多段で行ってもよい。この延伸倍率
は面積比で２倍以上、好ましくは３倍以上である。ここ
で延伸方法としては、テンターによる方法，ロール間で
延伸する方法，気体圧力を利用してバブリングによる方
法，圧延による方法など種々のものが使用でき、これら
を適当に選定あるいは組み合わせて適用すればよい。延
伸温度は、一般には予備成形体のガラス転移温度と融点
の間で設定すればよい。また延伸速度は、通常は１×１
０〜１×１０5 ％／分、好ましくは１×１０3 〜１×１
０5％／分である。
るが、この際、縦方向及び横方向に同時に延伸してもよ
いが、任意の順序で逐次延伸してもよい。また延伸は一
段で行ってもよく、多段で行ってもよい。この延伸倍率
は面積比で２倍以上、好ましくは３倍以上である。ここ
で延伸方法としては、テンターによる方法，ロール間で
延伸する方法，気体圧力を利用してバブリングによる方
法，圧延による方法など種々のものが使用でき、これら
を適当に選定あるいは組み合わせて適用すればよい。延
伸温度は、一般には予備成形体のガラス転移温度と融点
の間で設定すればよい。また延伸速度は、通常は１×１
０〜１×１０5 ％／分、好ましくは１×１０3 〜１×１
０5％／分である。
【００２０】本発明では、上述の如き条件で延伸して得
られた延伸処理後のフィルムに、下式（Ｉ） Ａ＝Σ［Ｔ×ｔ／ｄ2 ］ ・・・ （Ｉ） 〔式中、Ｔは熱処理温度（Ｋ）、ｔは熱処理時間
（秒）、ｄはフィルム厚（μｍ）を示す。〕で表される
処理度Ａが１×１０-1以上５×１０2以下、好ましくは
５×１０-1以上３×１０2以下となるように熱処理を施
す。熱処理は、通常行われている方法で行うことができ
るが、この延伸フィルムを緊張状態，弛緩状態あるいは
制限収縮状態の下で、該フィルムのガラス転移温度〜融
点、好ましくは融点より１００℃低い温度〜融点直前の
温度範囲にて、0.５〜１２０秒間保持することによって
行えばよい。なお、この熱処理は、上記範囲内で条件を
変えて二回以上行うことも可能である。また、この熱処
理はアルゴンガス，窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下
で行っても良い。このような本発明のポリスチレン系延
伸フィルムの製造方法によれば、前記本発明のポリスチ
レン系延伸フィルムを効率的に製造することができ、印
刷性及び蒸着後の剥離強度等の性能に優れたポリスチレ
ン系延伸フィルムを得ることができる。
られた延伸処理後のフィルムに、下式（Ｉ） Ａ＝Σ［Ｔ×ｔ／ｄ2 ］ ・・・ （Ｉ） 〔式中、Ｔは熱処理温度（Ｋ）、ｔは熱処理時間
（秒）、ｄはフィルム厚（μｍ）を示す。〕で表される
処理度Ａが１×１０-1以上５×１０2以下、好ましくは
５×１０-1以上３×１０2以下となるように熱処理を施
す。熱処理は、通常行われている方法で行うことができ
るが、この延伸フィルムを緊張状態，弛緩状態あるいは
制限収縮状態の下で、該フィルムのガラス転移温度〜融
点、好ましくは融点より１００℃低い温度〜融点直前の
温度範囲にて、0.５〜１２０秒間保持することによって
行えばよい。なお、この熱処理は、上記範囲内で条件を
変えて二回以上行うことも可能である。また、この熱処
理はアルゴンガス，窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下
で行っても良い。このような本発明のポリスチレン系延
伸フィルムの製造方法によれば、前記本発明のポリスチ
レン系延伸フィルムを効率的に製造することができ、印
刷性及び蒸着後の剥離強度等の性能に優れたポリスチレ
ン系延伸フィルムを得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明を実施例によりさらに具体的
に説明する。 参考例１ アルゴン置換した内容積５００ミリリットルのガラス製
容器に、硫酸銅５水塩( Ｃu ＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ）１７ｇ
（７１ミリモル),トルエン２００ミリリットル及びトリ
メチルアルミニウム２４ミリリットル（２５０ミリモ
ル）を入れ、４０℃で８時間反応させた。その後、固体
部分を除去して接触生成物 6. ７ｇを得た。この生成物
の凝固点降下法によって測定した分子量は６１０であっ
た。
に説明する。 参考例１ アルゴン置換した内容積５００ミリリットルのガラス製
容器に、硫酸銅５水塩( Ｃu ＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ）１７ｇ
（７１ミリモル),トルエン２００ミリリットル及びトリ
メチルアルミニウム２４ミリリットル（２５０ミリモ
ル）を入れ、４０℃で８時間反応させた。その後、固体
部分を除去して接触生成物 6. ７ｇを得た。この生成物
の凝固点降下法によって測定した分子量は６１０であっ
た。
【００２２】製造例１ 〔シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の
製造〕内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で
得られた接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリ
モル，トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ドを 0. ０３８ミリモル及び精製スチレンを０.9５リッ
トル及びｐ−メチルスチレン０.0５リットルとり、９０
℃で５時間重合反応を行った。反応終了後、水酸化ナト
リウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、生成物を
メタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体４４６ｇ
を得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，２，４
−トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーにて測定したところ
３０5,０００であり、重量平均分子量／数平均分子量は
２.6７であった。また、 1Ｈ−ＮＭＲの測定により、得
られた重合体はｐ−メチルスチレンの含量が７モル％で
あることが確認された。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲの測
定により、得られた重合体はシンジオタクチック構造の
ポリスチレンであることが確認された。
製造〕内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で
得られた接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリ
モル，トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ドを 0. ０３８ミリモル及び精製スチレンを０.9５リッ
トル及びｐ−メチルスチレン０.0５リットルとり、９０
℃で５時間重合反応を行った。反応終了後、水酸化ナト
リウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、生成物を
メタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体４４６ｇ
を得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，２，４
−トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーにて測定したところ
３０5,０００であり、重量平均分子量／数平均分子量は
２.6７であった。また、 1Ｈ−ＮＭＲの測定により、得
られた重合体はｐ−メチルスチレンの含量が７モル％で
あることが確認された。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲの測
定により、得られた重合体はシンジオタクチック構造の
ポリスチレンであることが確認された。
【００２３】製造例２ 〔シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の
製造〕内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で
得られた接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリ
モル，トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ドを 0. ０３８ミリモル及び精製スチレンを0.９７リッ
トル及びｐ−メチルスチレン0.０３リットルとり、９０
℃で５時間重合反応を行った。反応終了後、水酸化ナト
リウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、生成物を
メタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体４６６ｇ
を得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，２，４
−トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーにて測定したところ
３１8,０００であり、重量平均分子量／数平均分子量は
２.5１であった。また、 1Ｈ−ＮＭＲの測定により、得
られた重合体はｐ−メチルスチレンの含量が４モル％で
あることが確認された。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲの測
定により、得られた重合体はシンジオタクチック構造の
ポリスチレンであることが確認された。
製造〕内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で
得られた接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリ
モル，トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ドを 0. ０３８ミリモル及び精製スチレンを0.９７リッ
トル及びｐ−メチルスチレン0.０３リットルとり、９０
℃で５時間重合反応を行った。反応終了後、水酸化ナト
リウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、生成物を
メタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体４６６ｇ
を得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，２，４
−トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーにて測定したところ
３１8,０００であり、重量平均分子量／数平均分子量は
２.5１であった。また、 1Ｈ−ＮＭＲの測定により、得
られた重合体はｐ−メチルスチレンの含量が４モル％で
あることが確認された。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲの測
定により、得られた重合体はシンジオタクチック構造の
ポリスチレンであることが確認された。
【００２４】製造例３ 〔シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の
製造〕内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で
得られた接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリ
モル，トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ドを0.０３８ミリモル及び精製スチレンを0.９０リット
ル及びｐ−メチルスチレン0.１０リットルとり、９０℃
で５時間重合反応を行った。反応終了後、水酸化ナトリ
ウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、生成物をメ
タノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体４６６ｇを
得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，２，４−
トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパー
ミエーションクロマトグラフィーにて測定したところ３
１2,０００であり、重量平均分子量／数平均分子量は
２.7３であった。また、 1Ｈ−ＮＭＲの測定により、得
られた重合体はｐ−メチルスチレンの含量が１２モル％
であることが確認された。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲの
測定により、得られた重合体はシンジオタクチック構造
のポリスチレンであることが確認された。
製造〕内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で
得られた接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリ
モル，トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ドを0.０３８ミリモル及び精製スチレンを0.９０リット
ル及びｐ−メチルスチレン0.１０リットルとり、９０℃
で５時間重合反応を行った。反応終了後、水酸化ナトリ
ウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、生成物をメ
タノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体４６６ｇを
得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，２，４−
トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパー
ミエーションクロマトグラフィーにて測定したところ３
１2,０００であり、重量平均分子量／数平均分子量は
２.7３であった。また、 1Ｈ−ＮＭＲの測定により、得
られた重合体はｐ−メチルスチレンの含量が１２モル％
であることが確認された。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲの
測定により、得られた重合体はシンジオタクチック構造
のポリスチレンであることが確認された。
【００２５】実施例１ 製造例１で得られたシンジオタクチック構造のスチレン
系重合体を３００℃で溶融押出し後、ペレットにした。
得られた材料を濾過精度１０μｍの溶融フィルター（日
本精線製：焼結金属繊維フィルター，リーフディスクタ
イプ）を取り付けた押出機にて、溶融押出し静電ピニン
グ法にて５０℃の冷却ロールに密着させ、厚さ１４００
μｍの延伸用予備成形シートを作成した。この際の溶融
濾過温度は、２８０℃であり、平均滞留時間は３０分間
であった。この延伸用予備成形シートを連続的に縦方向
に１１０℃で３.5倍に延伸した。なおこの時、延伸部を
赤外線ヒーターで加熱した。次いで、横方向に１１５℃
で４.0倍に延伸後、固定幅で２４５℃で１５秒間熱処理
し、さらに６％の制限収縮下で２４５℃にて１５秒間熱
処理して、厚さ１００μｍのフィルムを得た。この際、
前記式（Ｉ）の熱処理度Ａは１.6であった。
系重合体を３００℃で溶融押出し後、ペレットにした。
得られた材料を濾過精度１０μｍの溶融フィルター（日
本精線製：焼結金属繊維フィルター，リーフディスクタ
イプ）を取り付けた押出機にて、溶融押出し静電ピニン
グ法にて５０℃の冷却ロールに密着させ、厚さ１４００
μｍの延伸用予備成形シートを作成した。この際の溶融
濾過温度は、２８０℃であり、平均滞留時間は３０分間
であった。この延伸用予備成形シートを連続的に縦方向
に１１０℃で３.5倍に延伸した。なおこの時、延伸部を
赤外線ヒーターで加熱した。次いで、横方向に１１５℃
で４.0倍に延伸後、固定幅で２４５℃で１５秒間熱処理
し、さらに６％の制限収縮下で２４５℃にて１５秒間熱
処理して、厚さ１００μｍのフィルムを得た。この際、
前記式（Ｉ）の熱処理度Ａは１.6であった。
【００２６】得られたフィルムについて下記の評価、測
定を行った。 （１）結晶化度（ＸC） ： １０００ｃｍ2 中の１０
ｃｍ間隔の格子点よりサンプリングし、示差走査熱量計
にて測定した。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ （２）残留モノマー成分量 ： フィルムを一片３ｍｍ
に裁断し、N,N-ジメチルホルムアミド中、１００℃で抽
出後、ガスクロマトグラフィーにてモノマー量を定量し
た。 （３）異物数 ： クラス１０００未満のクリーンルー
ム中でフィルムにイオン化エアーを吹き付けながら、
３.0ｍ／ｍｉｎで繰り出し、光拡散板を取り付けたスト
ロボとＣＣＤカメラの間を通過させ、ＣＣＤカメラに捕
らえられた映像を画像処理することにより、９μｍ以上
の異物をカウントした。なお、この時のストロボの発光
頻度は、１２００ショット／ｍｉｎとし、２.0×２.5ｍ
ｍの視野を体積１ｃｍ3 について連続的に測定した。こ
の測定を１０回繰り返し、１０回の平均値を１ｃｍ3 中
の異物数として算出した。 （４）蒸着後の剥離強度 ： 得られたフィルムに真空
蒸着により、アルミニウムを約８０ｎｍの厚みで蒸着し
た。この蒸着面を１ｍｍ間隔で碁盤目状にカッターで傷
を付けた後、粘着テープを張り、これを剥がした後の碁
盤目１００個中の剥がれをカウントした。 （５）印刷性 ： 面積１４０ｃｍ2の碁盤目状（１０
ｍｍ間隔）のスタンプに油性インクを塗り、フィルムを
印刷した。印刷後の線の途切れ箇所、滲み箇所をカウン
トした。 結果を第１表に示す。なお、クラス１０００未満のクリ
ーンルーム内における異物数評価装置の概略を図１に示
す。
定を行った。 （１）結晶化度（ＸC） ： １０００ｃｍ2 中の１０
ｃｍ間隔の格子点よりサンプリングし、示差走査熱量計
にて測定した。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ （２）残留モノマー成分量 ： フィルムを一片３ｍｍ
に裁断し、N,N-ジメチルホルムアミド中、１００℃で抽
出後、ガスクロマトグラフィーにてモノマー量を定量し
た。 （３）異物数 ： クラス１０００未満のクリーンルー
ム中でフィルムにイオン化エアーを吹き付けながら、
３.0ｍ／ｍｉｎで繰り出し、光拡散板を取り付けたスト
ロボとＣＣＤカメラの間を通過させ、ＣＣＤカメラに捕
らえられた映像を画像処理することにより、９μｍ以上
の異物をカウントした。なお、この時のストロボの発光
頻度は、１２００ショット／ｍｉｎとし、２.0×２.5ｍ
ｍの視野を体積１ｃｍ3 について連続的に測定した。こ
の測定を１０回繰り返し、１０回の平均値を１ｃｍ3 中
の異物数として算出した。 （４）蒸着後の剥離強度 ： 得られたフィルムに真空
蒸着により、アルミニウムを約８０ｎｍの厚みで蒸着し
た。この蒸着面を１ｍｍ間隔で碁盤目状にカッターで傷
を付けた後、粘着テープを張り、これを剥がした後の碁
盤目１００個中の剥がれをカウントした。 （５）印刷性 ： 面積１４０ｃｍ2の碁盤目状（１０
ｍｍ間隔）のスタンプに油性インクを塗り、フィルムを
印刷した。印刷後の線の途切れ箇所、滲み箇所をカウン
トした。 結果を第１表に示す。なお、クラス１０００未満のクリ
ーンルーム内における異物数評価装置の概略を図１に示
す。
【００２７】実施例２ 製造例２で得られたスチレン系重合体を３００℃で溶融
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ７００μｍの延伸用予備成形シ
ートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃で
あり、平均滞留時間は４８分間であった。この延伸用予
備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に延
伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加熱
した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、固
定幅にて２５５℃で１５秒間熱処理し、さらに６％の制
限収縮下２５５℃で１５秒間熱処理して、厚さ５０μｍ
のフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａ
は６.3であった。得られたフィルムについて実施例１と
同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示す。
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ７００μｍの延伸用予備成形シ
ートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃で
あり、平均滞留時間は４８分間であった。この延伸用予
備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に延
伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加熱
した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、固
定幅にて２５５℃で１５秒間熱処理し、さらに６％の制
限収縮下２５５℃で１５秒間熱処理して、厚さ５０μｍ
のフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａ
は６.3であった。得られたフィルムについて実施例１と
同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示す。
【００２８】実施例３ 製造例３で得られたスチレン系重合体を３００℃で溶融
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ２４００μｍの延伸用予備成形
シートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２９０℃
であり、平均滞留時間は１７分間であった。この延伸用
予備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に
延伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加
熱した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、
固定幅にて２２０℃で２０秒間熱処理し、さらに６％の
制限収縮下２２０℃で２０秒間熱処理して、厚さ１７５
μｍのフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理
度Ａは０.6であった。得られたフィルムについて実施例
１と同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示
す。
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ２４００μｍの延伸用予備成形
シートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２９０℃
であり、平均滞留時間は１７分間であった。この延伸用
予備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に
延伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加
熱した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、
固定幅にて２２０℃で２０秒間熱処理し、さらに６％の
制限収縮下２２０℃で２０秒間熱処理して、厚さ１７５
μｍのフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理
度Ａは０.6であった。得られたフィルムについて実施例
１と同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示
す。
【００２９】実施例４ 製造例２で得られたスチレン系重合体を３００℃で溶融
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ１４０μｍの延伸用予備成形シ
ートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃で
あり、平均滞留時間は５５分間であった。この延伸用予
備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に延
伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加熱
した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、固
定幅にて２５５℃で１５秒間熱処理し、さらに６％の制
限収縮下２５５℃で１５秒間熱処理して、厚さ１０μｍ
のフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａ
は１５８.4であった。得られたフィルムについて実施例
１と同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示
す。
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ１４０μｍの延伸用予備成形シ
ートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃で
あり、平均滞留時間は５５分間であった。この延伸用予
備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に延
伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加熱
した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、固
定幅にて２５５℃で１５秒間熱処理し、さらに６％の制
限収縮下２５５℃で１５秒間熱処理して、厚さ１０μｍ
のフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａ
は１５８.4であった。得られたフィルムについて実施例
１と同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示
す。
【００３０】比較例１ 製造例１で得られたスチレン系重合体を３００℃で溶融
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ１４００μｍの延伸用予備成形
シートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃
であり、平均滞留時間は８０分間であった。この延伸用
予備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に
延伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加
熱した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、
固定幅にて１８０℃で２秒間熱処理し、厚さ１００μｍ
のフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａ
は０.0９であった。得られたフィルムについて実施例１
と同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示
す。
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ１４００μｍの延伸用予備成形
シートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃
であり、平均滞留時間は８０分間であった。この延伸用
予備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に
延伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加
熱した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、
固定幅にて１８０℃で２秒間熱処理し、厚さ１００μｍ
のフィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａ
は０.0９であった。得られたフィルムについて実施例１
と同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示
す。
【００３１】比較例２ 製造例２で得られたスチレン系重合体を３００℃で溶融
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ１００μｍの延伸用予備成形シ
ートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃で
あり、平均滞留時間は９０分間であった。この延伸用予
備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に延
伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加熱
した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、固
定幅にて１９０℃で６５秒間熱処理し、さらに６％の制
限収縮下１９０℃で５５秒間熱処理し、厚さ１０μｍの
フィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａは
５５６であった。得られたフィルムについて実施例１と
同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示す。
押出し後、ペレットとした。得られた材料を濾過精度１
０μｍの溶融フィルター（日本精線製：焼結金属繊維フ
ィルター，リーフディスクタイプ）を取り付けた押出機
によって、溶融押出し静電ピニング法にて５０℃の冷却
ロールに密着させ、厚さ１００μｍの延伸用予備成形シ
ートを作成した。この際の溶融濾過温度は、２８０℃で
あり、平均滞留時間は９０分間であった。この延伸用予
備成形シートを連続的に縦方向に１１０℃で３.5倍に延
伸した。なお、この時、延伸部を赤外線ヒーターで加熱
した。次いで、横方向に１１５℃で４.0倍に延伸後、固
定幅にて１９０℃で６５秒間熱処理し、さらに６％の制
限収縮下１９０℃で５５秒間熱処理し、厚さ１０μｍの
フィルムを得た。この際、前記式（Ｉ）の熱処理度Ａは
５５６であった。得られたフィルムについて実施例１と
同様に評価、測定を行った。その結果を第１表に示す。
【００３２】比較例３ 実施例１において、押出機に溶融フィルターを取り付け
ずに溶融押出しを行った以外は、実施例１と同様にして
行った。得られたフィルムについて実施例１と同様に評
価、測定を行った。その結果を第１表に示す。
ずに溶融押出しを行った以外は、実施例１と同様にして
行った。得られたフィルムについて実施例１と同様に評
価、測定を行った。その結果を第１表に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明のポリ
スチレン系延伸フィルムは、優れた印刷性及び蒸着後の
剥離強度等を有するフィルムであり、また、本発明のポ
リスチレン系延伸フィルムの製造方法によれば、優れた
性能を有するポリスチレン系延伸フィルムを効率的に製
造することができる。従って、本発明のポリスチレン系
延伸フィルムは、コンデンサー，電絶フィルム、または
写真用フィルム，製版用フィルム，ＯＨＰ用フィルム等
の光学フィルム、さらには包装用フィルムとして好適に
用いられ、その工業的利用価値は極めて大きい。
スチレン系延伸フィルムは、優れた印刷性及び蒸着後の
剥離強度等を有するフィルムであり、また、本発明のポ
リスチレン系延伸フィルムの製造方法によれば、優れた
性能を有するポリスチレン系延伸フィルムを効率的に製
造することができる。従って、本発明のポリスチレン系
延伸フィルムは、コンデンサー，電絶フィルム、または
写真用フィルム，製版用フィルム，ＯＨＰ用フィルム等
の光学フィルム、さらには包装用フィルムとして好適に
用いられ、その工業的利用価値は極めて大きい。
【図１】 異物数評価装置の概略を示す模式図である。
１ ・・・イオン化エアー吹き出し部 ２ ・・・ストロボスコープ ３ ・・・ＣＣＤカメラ １１・・・フィルム繰り出し部 １２・・・フィルム巻き取り部 １３・・・画像処理装置 １４・・・発光制御装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１１月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】次に、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムの物性について説明する。本発明のポリスチレン系延
伸フィルムは、結晶化度（ＸC）３５％以上、好ましく
は３７％以上である。結晶化度が３５％未満では、熱収
縮率が大きくなり、加熱による変形が大きくなるので好
ましくない。また、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムは、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ以下、好まし
くは１５０ｐｐｍ以下である。残留モノマー成分量が２
００ｐｐｍを超える場合には、印刷性が悪化し、蒸着強
度が低下するので好ましくない。さらに本発明のポリス
チレン系延伸フィルムは、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ
2 中１０００個以下、好ましくは１ｃｍ2 中８００個以
下である。９μｍ以上の異物数が１ｃｍ2 中１０００個
を超える場合には、該延伸フィルムの印刷性が悪化する
ので好ましくない。なお、延伸フィルムについての上記
物性値は、例えば下記の評価、計算式により測定でき
る。 （１）結晶化度（ＸC）： 示差走査熱量計等にて測定
する。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ なお、結晶化度１００％の場合の融解エンタルピーとし
て、シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
では５３Ｊ／ｇを用いて計算した。 （２）残留モノマー成分量 ： フィルム片をジメチル
ホルムアミド中、１００℃、３時間浸漬し、抽出液のガ
スクロマトグラフィー測定により残留モノマー量を定量
した。 （３）異物数 ： 体積１ｃｍ2 分のフィルムをＣＣＤ
カメラ等により連続的に測定し、１０回の測定結果の平
均値を計算する。 このような物性を有する本発明に係るポリスチレン系延
伸フィルムは、優れた印刷性及び蒸着後の剥離強度等の
性能を有する。本発明のポリスチレン系延伸フィルムを
得るには、従来の熱可塑性樹脂に用いられている種々の
方法により製造することができるが、上記物性を有する
延伸フィルムを効率的に得るには、本発明に係るポリス
チレン系延伸フィルムの製造方法によることが好まし
い。
ムの物性について説明する。本発明のポリスチレン系延
伸フィルムは、結晶化度（ＸC）３５％以上、好ましく
は３７％以上である。結晶化度が３５％未満では、熱収
縮率が大きくなり、加熱による変形が大きくなるので好
ましくない。また、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムは、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ以下、好まし
くは１５０ｐｐｍ以下である。残留モノマー成分量が２
００ｐｐｍを超える場合には、印刷性が悪化し、蒸着強
度が低下するので好ましくない。さらに本発明のポリス
チレン系延伸フィルムは、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ
2 中１０００個以下、好ましくは１ｃｍ2 中８００個以
下である。９μｍ以上の異物数が１ｃｍ2 中１０００個
を超える場合には、該延伸フィルムの印刷性が悪化する
ので好ましくない。なお、延伸フィルムについての上記
物性値は、例えば下記の評価、計算式により測定でき
る。 （１）結晶化度（ＸC）： 示差走査熱量計等にて測定
する。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ なお、結晶化度１００％の場合の融解エンタルピーとし
て、シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
では５３Ｊ／ｇを用いて計算した。 （２）残留モノマー成分量 ： フィルム片をジメチル
ホルムアミド中、１００℃、３時間浸漬し、抽出液のガ
スクロマトグラフィー測定により残留モノマー量を定量
した。 （３）異物数 ： 体積１ｃｍ2 分のフィルムをＣＣＤ
カメラ等により連続的に測定し、１０回の測定結果の平
均値を計算する。 このような物性を有する本発明に係るポリスチレン系延
伸フィルムは、優れた印刷性及び蒸着後の剥離強度等の
性能を有する。本発明のポリスチレン系延伸フィルムを
得るには、従来の熱可塑性樹脂に用いられている種々の
方法により製造することができるが、上記物性を有する
延伸フィルムを効率的に得るには、本発明に係るポリス
チレン系延伸フィルムの製造方法によることが好まし
い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】得られたフィルムについて下記の評価、測
定を行った。 （１）結晶化度（ＸC） ： 示差走査熱量計にて測定
した。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ （２）残留モノマー成分量 ： フィルムを一片３ｍｍ
に裁断し、N,N-ジメチルホルムアミド中、１００℃で抽
出後、ガスクロマトグラフィーにてモノマー量を定量し
た。 （３）異物数 ： クラス１０００未満のクリーンルー
ム中でフィルムにイオン化エアーを吹き付けながら、
３.0ｍ／ｍｉｎで繰り出し、光拡散板を取り付けたスト
ロボとＣＣＤカメラの間を通過させ、ＣＣＤカメラに捕
らえられた映像を画像処理することにより、９μｍ以上
の異物をカウントした。なお、この時のストロボの発光
頻度は、１２００ショット／ｍｉｎとし、２.0×２.5ｍ
ｍの視野を体積１ｃｍ3 について連続的に測定した。こ
の測定を１０回繰り返し、１０回の平均値を１ｃｍ3 中
の異物数として算出した。 （４）蒸着後の剥離強度 ： 得られたフィルムに真空
蒸着により、アルミニウムを約８０ｎｍの厚みで蒸着し
た。この蒸着面を１ｍｍ間隔で碁盤目状にカッターで傷
を付けた後、粘着テープを張り、これを剥がした後の碁
盤目１００個中の剥がれをカウントした。 （５）印刷性 ： 面積１４０ｃｍ2の碁盤目状（１０
ｍｍ間隔）のスタンプに油性インクを塗り、フィルムを
印刷した。印刷後の線の途切れ箇所、滲み箇所をカウン
トした。 結果を第１表に示す。なお、クラス１０００未満のクリ
ーンルーム内における異物数評価装置の概略を図１に示
す。
定を行った。 （１）結晶化度（ＸC） ： 示差走査熱量計にて測定
した。 結晶化度(%) ＝｛（融解エンタルピー(J/g) −冷結晶化
エンタルピー(J/g) ）／53(J/g) ｝×１００ （２）残留モノマー成分量 ： フィルムを一片３ｍｍ
に裁断し、N,N-ジメチルホルムアミド中、１００℃で抽
出後、ガスクロマトグラフィーにてモノマー量を定量し
た。 （３）異物数 ： クラス１０００未満のクリーンルー
ム中でフィルムにイオン化エアーを吹き付けながら、
３.0ｍ／ｍｉｎで繰り出し、光拡散板を取り付けたスト
ロボとＣＣＤカメラの間を通過させ、ＣＣＤカメラに捕
らえられた映像を画像処理することにより、９μｍ以上
の異物をカウントした。なお、この時のストロボの発光
頻度は、１２００ショット／ｍｉｎとし、２.0×２.5ｍ
ｍの視野を体積１ｃｍ3 について連続的に測定した。こ
の測定を１０回繰り返し、１０回の平均値を１ｃｍ3 中
の異物数として算出した。 （４）蒸着後の剥離強度 ： 得られたフィルムに真空
蒸着により、アルミニウムを約８０ｎｍの厚みで蒸着し
た。この蒸着面を１ｍｍ間隔で碁盤目状にカッターで傷
を付けた後、粘着テープを張り、これを剥がした後の碁
盤目１００個中の剥がれをカウントした。 （５）印刷性 ： 面積１４０ｃｍ2の碁盤目状（１０
ｍｍ間隔）のスタンプに油性インクを塗り、フィルムを
印刷した。印刷後の線の途切れ箇所、滲み箇所をカウン
トした。 結果を第１表に示す。なお、クラス１０００未満のクリ
ーンルーム内における異物数評価装置の概略を図１に示
す。
Claims (4)
- 【請求項１】 高度のシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体７０〜１００重量％を含むスチレン系
樹脂組成物からなる延伸フィルムであって、結晶化度が
３５％以上であり、残留モノマー成分量が２００ｐｐｍ
以下であり、９μｍ以上の異物数が１ｃｍ3中１０００
個以下であることを特徴とするポリスチレン系延伸フィ
ルム。 - 【請求項２】 前記スチレン系重合体が、スチレン繰返
し単位が８０〜１００モル％，ｐ−メチルスチレン繰返
し単位が０〜２０モル％からなるものである請求項１記
載のポリスチレン系延伸フィルム。 - 【請求項３】 高度のシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体７０〜１００重量％を含むスチレン系
樹脂組成物を３３０℃以下、６０分未満で溶融濾過しな
がら押出し、冷却、二次延伸の順で処理後、下式（Ｉ） Ａ＝Σ［Ｔ×ｔ／ｄ2 ］ ・・・ （Ｉ） 〔式中、Ｔは熱処理温度（Ｋ）、ｔは熱処理時間
（秒）、ｄはフィルム厚（μｍ）を示す。〕で表される
処理度Ａが、１×１０-1以上５×１０2未満で熱処理を
施すことを特徴とするポリスチレン系延伸フィルムの製
造方法。 - 【請求項４】 前記スチレン系重合体が、スチレン繰返
し単位８０〜１００モル％，ｐ−メチルスチレン繰返し
単位０〜２０モル％からなるものである請求項３記載の
ポリスチレン系延伸フィルムの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6299254A JPH08157615A (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | ポリスチレン系延伸フィルム及びポリスチレン系延伸フィルムの製造方法 |
| DE69528042T DE69528042T2 (de) | 1994-12-02 | 1995-11-29 | Verstreckter polystyrolfilm und verfahren zur herstellung |
| US08/669,387 US5837384A (en) | 1994-12-02 | 1995-11-29 | Polystyrenic stretched film and process for producing the polystyrenic stretched film |
| EP95938604A EP0742246B1 (en) | 1994-12-02 | 1995-11-29 | Stretched polystyrene film and process for the preparation thereof |
| CN95191466A CN1139940A (zh) | 1994-12-02 | 1995-11-29 | 聚苯乙烯拉伸膜和生产该聚苯乙烯拉伸膜的方法 |
| PCT/JP1995/002430 WO1996017005A1 (en) | 1994-12-02 | 1995-11-29 | Stretched polystyrene film and process for the preparation of strechted polystyrene film |
| KR1019960704213A KR970700719A (ko) | 1994-12-02 | 1996-08-02 | 폴리스티렌계 연신필름 및 폴리스티렌계 연신필름의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6299254A JPH08157615A (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | ポリスチレン系延伸フィルム及びポリスチレン系延伸フィルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157615A true JPH08157615A (ja) | 1996-06-18 |
Family
ID=17870159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6299254A Pending JPH08157615A (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | ポリスチレン系延伸フィルム及びポリスチレン系延伸フィルムの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5837384A (ja) |
| EP (1) | EP0742246B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08157615A (ja) |
| KR (1) | KR970700719A (ja) |
| CN (1) | CN1139940A (ja) |
| DE (1) | DE69528042T2 (ja) |
| WO (1) | WO1996017005A1 (ja) |
Cited By (6)
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