JPH08204527A - 遅延リセット回路 - Google Patents
遅延リセット回路Info
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- JPH08204527A JPH08204527A JP7014109A JP1410995A JPH08204527A JP H08204527 A JPH08204527 A JP H08204527A JP 7014109 A JP7014109 A JP 7014109A JP 1410995 A JP1410995 A JP 1410995A JP H08204527 A JPH08204527 A JP H08204527A
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- voltage
- circuit
- power supply
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は遅延リセット回路に関し、十分な精
度を持ちつつ回路を簡略化できることを目的とする。 【構成】 基準電圧生成回路2は電源電圧VINに依存し
た基準電圧V2 を生成する。充電電流生成回路3は基準
電圧V2 に比例した充電電流Id を生成する。コンパレ
ータ11は充電電流Id で充電される遅延時間設定用コ
ンデンサCd の電圧と基準電圧V2 を比較して比較結果
の信号を出力する。電圧監視回路12は電源電圧VINが
閾値電圧より小さい場合コンデンサCd を放電させ、電
源電圧VINが閾値電圧以上の場合コンデンサCd の放電
を停止する。出力回路13は、コンデンサCd の電圧が
基準電圧V2 より小さい場合リセットを指示する出力電
圧V ROを生成し、コンデンサCd の電圧が基準電圧V2
以上の場合リセット解除を指示する出力電圧VROを生成
する。
度を持ちつつ回路を簡略化できることを目的とする。 【構成】 基準電圧生成回路2は電源電圧VINに依存し
た基準電圧V2 を生成する。充電電流生成回路3は基準
電圧V2 に比例した充電電流Id を生成する。コンパレ
ータ11は充電電流Id で充電される遅延時間設定用コ
ンデンサCd の電圧と基準電圧V2 を比較して比較結果
の信号を出力する。電圧監視回路12は電源電圧VINが
閾値電圧より小さい場合コンデンサCd を放電させ、電
源電圧VINが閾値電圧以上の場合コンデンサCd の放電
を停止する。出力回路13は、コンデンサCd の電圧が
基準電圧V2 より小さい場合リセットを指示する出力電
圧V ROを生成し、コンデンサCd の電圧が基準電圧V2
以上の場合リセット解除を指示する出力電圧VROを生成
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は遅延リセット回路に係
り、特に、電源電圧が閾値電圧に達した時点から設定時
間遅延して、リセットを指示する信号の生成を解除する
遅延リセット回路に関する。
り、特に、電源電圧が閾値電圧に達した時点から設定時
間遅延して、リセットを指示する信号の生成を解除する
遅延リセット回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の一例の遅延リセット回路
20の回路図を示す。遅延リセット回路20は、例え
ば、同一半導体チップ上に形成された集積回路として構
成される。遅延リセット回路20は、定電流源21,2
2、基準電圧源23、遅延時間設定用コンデンサCd 、
ヒステリシス特性を有するコンパレータ11、電圧監視
回路12、出力トランジスタQO 及び出力抵抗RL から
なる出力回路13から構成されている。
20の回路図を示す。遅延リセット回路20は、例え
ば、同一半導体チップ上に形成された集積回路として構
成される。遅延リセット回路20は、定電流源21,2
2、基準電圧源23、遅延時間設定用コンデンサCd 、
ヒステリシス特性を有するコンパレータ11、電圧監視
回路12、出力トランジスタQO 及び出力抵抗RL から
なる出力回路13から構成されている。
【0003】GND端子は接地されており、電源端子T
VIN には入力電源電圧VINが供給される。負論理のリセ
ット出力端子(RESET*)からは、ローレベル(0
V)でリセットを指示する出力信号(出力電圧VRO)が
出力される。定電流源21は、定電流IZ を基準電圧源
23に供給する。定電流源22は、電源電圧VINに依存
しない定電流Id をコンデンサCd に供給する。
VIN には入力電源電圧VINが供給される。負論理のリセ
ット出力端子(RESET*)からは、ローレベル(0
V)でリセットを指示する出力信号(出力電圧VRO)が
出力される。定電流源21は、定電流IZ を基準電圧源
23に供給する。定電流源22は、電源電圧VINに依存
しない定電流Id をコンデンサCd に供給する。
【0004】コンパレータ11は、プラス入力端子に供
給される基準電圧VZ とコンデンサCd のプラス電極の
電圧(充電電圧)VCdを比較して、プラス入力端子の電
圧がマイナス入力端子の電圧より大きいとき、プラスの
出力電圧を生成し、プラス入力端子の電圧がマイナス入
力端子の電圧以下のとき、約0Vの出力電圧を生成す
る。
給される基準電圧VZ とコンデンサCd のプラス電極の
電圧(充電電圧)VCdを比較して、プラス入力端子の電
圧がマイナス入力端子の電圧より大きいとき、プラスの
出力電圧を生成し、プラス入力端子の電圧がマイナス入
力端子の電圧以下のとき、約0Vの出力電圧を生成す
る。
【0005】電圧監視回路12は、電源電圧VINと設定
されている閾値電圧VTHとを比較して、電源電圧VINが
閾値電圧VTHより小さい場合には、コンデンサCd を放
電させて、コンデンサCd のプラス電極の電圧VCd(即
ち、充電電圧)をVCd=0に保つ。電圧監視回路12
は、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上の場合には、コン
デンサCd の放電を停止する。コンデンサCd の放電が
停止された時点から定電流Id によりコンデンサCd の
充電が開始される。なお、閾値電圧VTHは、定常時の電
源電圧VINに対応して、電源電圧VINが許容値以下に低
下したと見なされる値に設定される。
されている閾値電圧VTHとを比較して、電源電圧VINが
閾値電圧VTHより小さい場合には、コンデンサCd を放
電させて、コンデンサCd のプラス電極の電圧VCd(即
ち、充電電圧)をVCd=0に保つ。電圧監視回路12
は、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上の場合には、コン
デンサCd の放電を停止する。コンデンサCd の放電が
停止された時点から定電流Id によりコンデンサCd の
充電が開始される。なお、閾値電圧VTHは、定常時の電
源電圧VINに対応して、電源電圧VINが許容値以下に低
下したと見なされる値に設定される。
【0006】出力トランジスタQO は、コンパレータ1
1がプラスの出力電圧を生成する時にオンとなる。この
とき、トランジスタQO のコレクタ電流が出力抵抗RL
に流れて、出力電圧VROはリセットを指示するレベル
(リセットレベル)である0Vとなる。コンパレータ1
1の出力電圧が0VでトランジスタQO がオフの場合
は、出力電圧VROはリセット解除を指示するレベル(リ
セット解除レベル)であるHレベル(=電源電圧VIN)
となる。
1がプラスの出力電圧を生成する時にオンとなる。この
とき、トランジスタQO のコレクタ電流が出力抵抗RL
に流れて、出力電圧VROはリセットを指示するレベル
(リセットレベル)である0Vとなる。コンパレータ1
1の出力電圧が0VでトランジスタQO がオフの場合
は、出力電圧VROはリセット解除を指示するレベル(リ
セット解除レベル)であるHレベル(=電源電圧VIN)
となる。
【0007】この出力電圧VROは、電源電圧VINが閾値
電圧VTH未満に低下した時にリセットを必要とする回路
のリセット用入力端子に供給される。次に、遅延リセッ
ト回路20の詳しい動作について説明する。図4は、電
源投入時における、電源電圧VINと出力電圧VROの関係
の説明図を示す。図4(A)は、電源投入時点からの電
源電圧VINの時間変化を示し、定常時の電源電圧VINが
VIN=VINA とVIN=VINB (VINB >VINA であ
る。)の2つの場合について記している。図4(A)で
は、VINA の場合を実線で示し、VINB の場合を破線で
示す。
電圧VTH未満に低下した時にリセットを必要とする回路
のリセット用入力端子に供給される。次に、遅延リセッ
ト回路20の詳しい動作について説明する。図4は、電
源投入時における、電源電圧VINと出力電圧VROの関係
の説明図を示す。図4(A)は、電源投入時点からの電
源電圧VINの時間変化を示し、定常時の電源電圧VINが
VIN=VINA とVIN=VINB (VINB >VINA であ
る。)の2つの場合について記している。図4(A)で
は、VINA の場合を実線で示し、VINB の場合を破線で
示す。
【0008】図4(B)は、図4(A)に対応して、電
源投入時点からの出力電圧VROの時間変化を示す。図4
(B)では、VIN=VINA の場合の出力電圧VROA を実
線で示し、VIN=VINB の場合の出力電圧VROB を破線
で示す。今、定常時の電源電圧VIN=VINA の場合につ
いて説明する。図4(A)に示すように、時刻t=0で
電源が投入されると、電源電圧VINは、時間とともに直
線的に上昇し、t=tS にて定常状態の電圧VIN=V
INA に達している。
源投入時点からの出力電圧VROの時間変化を示す。図4
(B)では、VIN=VINA の場合の出力電圧VROA を実
線で示し、VIN=VINB の場合の出力電圧VROB を破線
で示す。今、定常時の電源電圧VIN=VINA の場合につ
いて説明する。図4(A)に示すように、時刻t=0で
電源が投入されると、電源電圧VINは、時間とともに直
線的に上昇し、t=tS にて定常状態の電圧VIN=V
INA に達している。
【0009】時刻tが0〜tLAまでの間は、電源電圧V
INが動作限界電圧VLM(約0.8V)に達しないため遅
延リセット回路20は動作しない。このため、出力電圧
VRO A は、図4(B)に示すように電源電圧VINと同様
に上昇する。VINが時刻t=tLAでVIN=VLMに達した
時点から、遅延リセット回路20は、動作可能となる。
定電流源21,22は、定電流IZ ,Id を生成し、基
準電圧源23は、基準電圧VZ の生成を開始する。基準
電圧VZ は、例えば、1V程度に設定されており、定電
流IZ を供給されて、時刻tLAの直後に、定常値の基準
電圧VZ を生成する。コンパレータ11は、プラス入力
端子とマイナス入力端子の電圧の比較動作を正常に行
う。
INが動作限界電圧VLM(約0.8V)に達しないため遅
延リセット回路20は動作しない。このため、出力電圧
VRO A は、図4(B)に示すように電源電圧VINと同様
に上昇する。VINが時刻t=tLAでVIN=VLMに達した
時点から、遅延リセット回路20は、動作可能となる。
定電流源21,22は、定電流IZ ,Id を生成し、基
準電圧源23は、基準電圧VZ の生成を開始する。基準
電圧VZ は、例えば、1V程度に設定されており、定電
流IZ を供給されて、時刻tLAの直後に、定常値の基準
電圧VZ を生成する。コンパレータ11は、プラス入力
端子とマイナス入力端子の電圧の比較動作を正常に行
う。
【0010】閾値電圧VTHの値は、VLMに対しては十分
大きな値となる。従って、時刻t=tLAで遅延リセット
回路20が動作を開始した時点では、電源電圧VIN<V
THである。このとき、電圧監視回路12は、コンデンサ
Cd を放電させて、コンデンサCd のプラス電極の電圧
VCdをVCd=0に保つ。一方、基準電圧源23は、ほぼ
正常な値の基準電圧VZ を生成している。このため、コ
ンパレータ11はプラスの出力電圧を生成し、トランジ
スタQO がオンとなり、出力電圧VROA =0V(リセッ
トレベル)となる。
大きな値となる。従って、時刻t=tLAで遅延リセット
回路20が動作を開始した時点では、電源電圧VIN<V
THである。このとき、電圧監視回路12は、コンデンサ
Cd を放電させて、コンデンサCd のプラス電極の電圧
VCdをVCd=0に保つ。一方、基準電圧源23は、ほぼ
正常な値の基準電圧VZ を生成している。このため、コ
ンパレータ11はプラスの出力電圧を生成し、トランジ
スタQO がオンとなり、出力電圧VROA =0V(リセッ
トレベル)となる。
【0011】電源電圧VINが更に上昇して、時刻t=t
TAでVIN=VTHに達すると、電圧監視回路12は、コン
デンサCd の放電を停止させる。この時点からコンデン
サC d の定電流Id による充電が開始される。電源電圧
VINが閾値電圧VTHに達した時点から、出力電圧VROA
がリセットレベル(0V)からリセット解除を指示する
Hレベルとなるまでの時間、即ち、遅延時間td は、以
下のようにして求められる。
TAでVIN=VTHに達すると、電圧監視回路12は、コン
デンサCd の放電を停止させる。この時点からコンデン
サC d の定電流Id による充電が開始される。電源電圧
VINが閾値電圧VTHに達した時点から、出力電圧VROA
がリセットレベル(0V)からリセット解除を指示する
Hレベルとなるまでの時間、即ち、遅延時間td は、以
下のようにして求められる。
【0012】この遅延時間td は、コンデンサCd の充
電電圧VCdが基準電圧VZ に一致するまでの充電時間で
ある。従って、下記(1) 式が成立する。なお、コンデン
サC d の容量がCd であるものとする。 VCd=(Id ・td )/Cd =VZ (1) (1) 式より、下記(2) 式のように遅延時間td が求めら
れる。
電電圧VCdが基準電圧VZ に一致するまでの充電時間で
ある。従って、下記(1) 式が成立する。なお、コンデン
サC d の容量がCd であるものとする。 VCd=(Id ・td )/Cd =VZ (1) (1) 式より、下記(2) 式のように遅延時間td が求めら
れる。
【0013】 td =(Cd ・VZ )/Id (2) 図4(B)に示すように、時刻tTAでVIN=VTHに達し
た時点から遅延時間t d 経過した時点で、出力電圧V
ROA が0VからHレベル(リセット解除レベル)の電圧
(=VINA )に変化し、リセット指示が解除される。な
お、電源電圧VINが定常値VINA に達して十分安定な状
態になった後でリセット指示が解除されるように、td
の値が設定される。
た時点から遅延時間t d 経過した時点で、出力電圧V
ROA が0VからHレベル(リセット解除レベル)の電圧
(=VINA )に変化し、リセット指示が解除される。な
お、電源電圧VINが定常値VINA に達して十分安定な状
態になった後でリセット指示が解除されるように、td
の値が設定される。
【0014】電源電圧VIN=VINB の場合は、VIN=V
INA の場合よりも、電源電圧VINの上昇が急になるた
め、電源電圧VINが動作限界電圧VLMに達する時刻tLB
と、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達する時刻tTBは、
VIN=VINA の場合よりも、早い時刻となる。即ち、t
LB<tLA、tTB<tTAとなる。遅延時間td の起点は、
時刻tTBである。一方、遅延時間td は、前記(2) 式に
示すように、電源電圧V INの値に依存せず、一定の値と
なる。このため、図4(B)の破線で示すように、出力
電圧VROB が0VからHレベル(リセット解除レベル)
になる時刻は、V IN=VINA の場合よりも早い時刻とな
る。
INA の場合よりも、電源電圧VINの上昇が急になるた
め、電源電圧VINが動作限界電圧VLMに達する時刻tLB
と、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達する時刻tTBは、
VIN=VINA の場合よりも、早い時刻となる。即ち、t
LB<tLA、tTB<tTAとなる。遅延時間td の起点は、
時刻tTBである。一方、遅延時間td は、前記(2) 式に
示すように、電源電圧V INの値に依存せず、一定の値と
なる。このため、図4(B)の破線で示すように、出力
電圧VROB が0VからHレベル(リセット解除レベル)
になる時刻は、V IN=VINA の場合よりも早い時刻とな
る。
【0015】次に、電源電圧VINが定常状態にあるとき
に、何らかの理由で電源電圧VINが閾値電圧VTHを下回
った場合を考える。この場合、電圧監視回路12は、電
源電圧VINが閾値電圧VTHを下回ったことを検出して、
コンデンサCd を放電させる。これにより極短時間で、
VCd=0Vとなる。従って、電源電圧VINが閾値電圧V
THを下回った直後に、出力電圧VROがHレベルから0V
となり、遅延リセット回路20はリセット指示状態とな
る。この後、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上に回復す
ると、電圧監視回路12はコンデンサCd の放電を停止
し、コンデンサCd の充電が開始される。これにより、
電源投入時と同様にして、電源電圧VINの回復時点から
遅延時間td の経過後に、出力電圧VROが0VからHレ
ベルになり、遅延リセット回路20はリセット指示解除
状態となる。
に、何らかの理由で電源電圧VINが閾値電圧VTHを下回
った場合を考える。この場合、電圧監視回路12は、電
源電圧VINが閾値電圧VTHを下回ったことを検出して、
コンデンサCd を放電させる。これにより極短時間で、
VCd=0Vとなる。従って、電源電圧VINが閾値電圧V
THを下回った直後に、出力電圧VROがHレベルから0V
となり、遅延リセット回路20はリセット指示状態とな
る。この後、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上に回復す
ると、電圧監視回路12はコンデンサCd の放電を停止
し、コンデンサCd の充電が開始される。これにより、
電源投入時と同様にして、電源電圧VINの回復時点から
遅延時間td の経過後に、出力電圧VROが0VからHレ
ベルになり、遅延リセット回路20はリセット指示解除
状態となる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】従来の遅延リセット回
路20では、電源電圧VINに依存しない基準電圧VZ を
生成する基準電圧源23はトランジスタ6個程度を必要
とする複雑な回路となる。また、定電流源21、22も
トランジスタ6個程度の複雑な回路となる。このため、
遅延リセット回路20は回路が複雑となり全体の回路規
模が大きくなるという問題がある。
路20では、電源電圧VINに依存しない基準電圧VZ を
生成する基準電圧源23はトランジスタ6個程度を必要
とする複雑な回路となる。また、定電流源21、22も
トランジスタ6個程度の複雑な回路となる。このため、
遅延リセット回路20は回路が複雑となり全体の回路規
模が大きくなるという問題がある。
【0017】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
で、十分な精度を持ちつつ回路を簡略化することができ
る遅延リセット回路を提供することを目的とする。
で、十分な精度を持ちつつ回路を簡略化することができ
る遅延リセット回路を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の遅延リセット回
路は、入力電源電圧に依存した基準電圧を生成する基準
電圧生成回路と、前記基準電圧に比例した充電電流を生
成する充電電流生成回路と、前記充電電流により充電さ
れる遅延時間設定用コンデンサの充電電圧と前記基準電
圧とを比較して、比較結果の信号を出力する比較回路
と、前記入力電源電圧と閾値電圧とを比較して、前記入
力電源電圧が前記閾値電圧より小さい場合に前記遅延時
間設定用コンデンサを放電させ、前記入力電源電圧が前
記閾値電圧以上の場合に前記遅延時間設定用コンデンサ
の放電を停止する電圧監視回路と、前記比較回路から比
較結果の信号を供給されて、前記遅延時間設定用コンデ
ンサの充電電圧が前記基準電圧より小さい場合には、リ
セットを指示する出力信号を生成し、前記遅延時間設定
用コンデンサの充電電圧が前記基準電圧以上の場合に
は、リセット解除を指示する出力信号を生成する出力回
路とを有する構成とする。
路は、入力電源電圧に依存した基準電圧を生成する基準
電圧生成回路と、前記基準電圧に比例した充電電流を生
成する充電電流生成回路と、前記充電電流により充電さ
れる遅延時間設定用コンデンサの充電電圧と前記基準電
圧とを比較して、比較結果の信号を出力する比較回路
と、前記入力電源電圧と閾値電圧とを比較して、前記入
力電源電圧が前記閾値電圧より小さい場合に前記遅延時
間設定用コンデンサを放電させ、前記入力電源電圧が前
記閾値電圧以上の場合に前記遅延時間設定用コンデンサ
の放電を停止する電圧監視回路と、前記比較回路から比
較結果の信号を供給されて、前記遅延時間設定用コンデ
ンサの充電電圧が前記基準電圧より小さい場合には、リ
セットを指示する出力信号を生成し、前記遅延時間設定
用コンデンサの充電電圧が前記基準電圧以上の場合に
は、リセット解除を指示する出力信号を生成する出力回
路とを有する構成とする。
【0019】
【作用】本発明の遅延リセット回路では、入力電源電圧
が閾値電圧以上に達した時点から、出力信号がリセット
を指示する信号からリセット解除を指示する信号に変化
するまでの遅延時間は、遅延時間設定用コンデンサを基
準電圧まで充電する充電時間により決まる。
が閾値電圧以上に達した時点から、出力信号がリセット
を指示する信号からリセット解除を指示する信号に変化
するまでの遅延時間は、遅延時間設定用コンデンサを基
準電圧まで充電する充電時間により決まる。
【0020】本発明では、入力電源電圧により変化する
基準電圧に比例して充電電流が変化する構成とすること
により、入力電源電圧の値に依存しない遅延時間を得る
ことができる。これにより、基準電圧を定電圧とする必
要がなく、充電電流を定電流とする必要がないため、基
準電圧を生成する基準電圧生成回路と充電電流を生成す
る充電電流生成回路を、簡略な回路で構成することがで
きる。
基準電圧に比例して充電電流が変化する構成とすること
により、入力電源電圧の値に依存しない遅延時間を得る
ことができる。これにより、基準電圧を定電圧とする必
要がなく、充電電流を定電流とする必要がないため、基
準電圧を生成する基準電圧生成回路と充電電流を生成す
る充電電流生成回路を、簡略な回路で構成することがで
きる。
【0021】このため、入力電源電圧に依存しない基準
電圧源と定電流源を必要とする従来の遅延リセット回路
に比べて、大幅に回路を簡略化することを可能とする。
電圧源と定電流源を必要とする従来の遅延リセット回路
に比べて、大幅に回路を簡略化することを可能とする。
【0022】
【実施例】図1は本発明の一実施例の遅延リセット回路
1の回路図を示す。図1において、図3と同一構成部分
には、同一符号を付し、適宜説明を省略する。遅延リセ
ット回路1は、例えば、同一半導体チップ上に形成され
た集積回路として構成される。
1の回路図を示す。図1において、図3と同一構成部分
には、同一符号を付し、適宜説明を省略する。遅延リセ
ット回路1は、例えば、同一半導体チップ上に形成され
た集積回路として構成される。
【0023】遅延リセット回路20は、基準電圧生成回
路2、充電電流生成回路3、遅延時間設定用コンデンサ
Cd 、ヒステリシス特性を有するコンパレータ(比較回
路)11、電圧監視回路12、出力トランジスタQO 及
び出力抵抗RL からなる出力回路13から構成されてい
る。
路2、充電電流生成回路3、遅延時間設定用コンデンサ
Cd 、ヒステリシス特性を有するコンパレータ(比較回
路)11、電圧監視回路12、出力トランジスタQO 及
び出力抵抗RL からなる出力回路13から構成されてい
る。
【0024】GND端子は接地されており、電源端子T
VIN には電源電圧VINが供給される。負論理のリセット
出力端子(RESET*)からは、ローレベル(0V)
でリセットを指示する出力信号(出力電圧VRO)が出力
される。基準電圧生成回路2は、ダイオード接続のNP
N型トランジスタQ1 ,抵抗R 1 ,R2 、カレントミラ
ー回路を構成するNPN型トランジスタQ2 ,Q3 、エ
ミッタから基準電圧V2 を出力するNPN型トランジス
タQ5 から構成される。
VIN には電源電圧VINが供給される。負論理のリセット
出力端子(RESET*)からは、ローレベル(0V)
でリセットを指示する出力信号(出力電圧VRO)が出力
される。基準電圧生成回路2は、ダイオード接続のNP
N型トランジスタQ1 ,抵抗R 1 ,R2 、カレントミラ
ー回路を構成するNPN型トランジスタQ2 ,Q3 、エ
ミッタから基準電圧V2 を出力するNPN型トランジス
タQ5 から構成される。
【0025】ダイオード接続のトランジスタQ1 ,抵抗
R1 ,R2 ,ダイオード接続のトランジスタQ2 は、電
源電圧VINが供給される電源端子TVIN とGND端子間
に直列に接続されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタQ2 ,Q3 の共通エミッタは接地されて
いる。トランジスタQ2 ,Q3 のエミッタ面積比は1対
1に設定されている。トランジスタQ5 のベースは抵抗
R1 とR2 の接続点に接続され、コレクタは電源端子T
VIN に接続され、エミッタはトランジスタQ3のコレク
タ及びコンパレータ11のプラス入力端子に接続されて
いる。トランジスタQ5 のエミッタから基準電圧V2 が
生成されて、コンパレータ11のプラス入力端子に供給
される。
R1 ,R2 ,ダイオード接続のトランジスタQ2 は、電
源電圧VINが供給される電源端子TVIN とGND端子間
に直列に接続されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタQ2 ,Q3 の共通エミッタは接地されて
いる。トランジスタQ2 ,Q3 のエミッタ面積比は1対
1に設定されている。トランジスタQ5 のベースは抵抗
R1 とR2 の接続点に接続され、コレクタは電源端子T
VIN に接続され、エミッタはトランジスタQ3のコレク
タ及びコンパレータ11のプラス入力端子に接続されて
いる。トランジスタQ5 のエミッタから基準電圧V2 が
生成されて、コンパレータ11のプラス入力端子に供給
される。
【0026】充電電流生成回路3は、NPN型トランジ
スタQ1 ,抵抗R1 ,R2 、カレントミラー回路を構成
するNPN型トランジスタQ2 ,Q4 、トランジスタQ
4 のコレクタから電流を供給されカレントミラー回路を
構成するPNP型トランジスタQ6 ,Q7 から構成され
る。
スタQ1 ,抵抗R1 ,R2 、カレントミラー回路を構成
するNPN型トランジスタQ2 ,Q4 、トランジスタQ
4 のコレクタから電流を供給されカレントミラー回路を
構成するPNP型トランジスタQ6 ,Q7 から構成され
る。
【0027】トランジスタQ2 とカレントミラー回路を
構成するトランジスタQ4 のエミッタは、接地されてい
る。トランジスタQ2 ,Q4 のエミッタ面積比は1対1
に設定されている。カレントミラー回路を構成するトラ
ンジスタQ6 ,Q7 の共通エミッタは電源端子TVIN に
接続されている。トランジスタQ6 のコレクタはトラン
ジスタQ4 のコレクタに接続されている。トランジスタ
Q7 のエミッタ面積は、トランジスタQ6 のN倍に設定
されている。トランジスタQ7 のコレクタがコンデンサ
Cd のプラス側電極及びコンパレータ11のマイナス入
力端子に接続されている。トランジスタQ7 のコレクタ
電流が、コンデンサCd の充電電流Idとして生成され
る。
構成するトランジスタQ4 のエミッタは、接地されてい
る。トランジスタQ2 ,Q4 のエミッタ面積比は1対1
に設定されている。カレントミラー回路を構成するトラ
ンジスタQ6 ,Q7 の共通エミッタは電源端子TVIN に
接続されている。トランジスタQ6 のコレクタはトラン
ジスタQ4 のコレクタに接続されている。トランジスタ
Q7 のエミッタ面積は、トランジスタQ6 のN倍に設定
されている。トランジスタQ7 のコレクタがコンデンサ
Cd のプラス側電極及びコンパレータ11のマイナス入
力端子に接続されている。トランジスタQ7 のコレクタ
電流が、コンデンサCd の充電電流Idとして生成され
る。
【0028】電源電圧VINが閾値電圧VTH以上となり、
電圧監視回路12によるコンデンサCd の放電が停止さ
れた時点から、充電電流Id によりコンデンサCd の充
電が開始される。V2 >VCdの場合、コンパレータ11
がプラスの出力電圧を生成してトランジスタQO がオン
となり、出力電圧VROはリセットを指示するレベル(リ
セットレベル)である0Vとなる。V2 ≦VCdの場合、
コンパレータ11の出力電圧が0VでトランジスタQO
がオフとなり、出力電圧VROはリセット解除を指示する
レベル(リセット解除レベル)であるHレベル(=電源
電圧VIN)となる。
電圧監視回路12によるコンデンサCd の放電が停止さ
れた時点から、充電電流Id によりコンデンサCd の充
電が開始される。V2 >VCdの場合、コンパレータ11
がプラスの出力電圧を生成してトランジスタQO がオン
となり、出力電圧VROはリセットを指示するレベル(リ
セットレベル)である0Vとなる。V2 ≦VCdの場合、
コンパレータ11の出力電圧が0VでトランジスタQO
がオフとなり、出力電圧VROはリセット解除を指示する
レベル(リセット解除レベル)であるHレベル(=電源
電圧VIN)となる。
【0029】次に、遅延リセット回路1の詳しい動作に
ついて説明する。ここで、電源電圧VINが定常値である
場合で説明する。抵抗R2 の電流をI1 とすると、抵抗
R1と抵抗R2 の接続点の電圧V1 は、下記(3) 式で表
せる。 V1 =VBE2 +I1 ・R2 (3) また、電流I1 は、下記(4) 式で表せる。
ついて説明する。ここで、電源電圧VINが定常値である
場合で説明する。抵抗R2 の電流をI1 とすると、抵抗
R1と抵抗R2 の接続点の電圧V1 は、下記(3) 式で表
せる。 V1 =VBE2 +I1 ・R2 (3) また、電流I1 は、下記(4) 式で表せる。
【0030】 I1 =(VIN−VBE1 −VBE1 )/(R1 +R2 ) (4) ここで、VBE1 ,VBE2 は、夫々、トランジスタQ1 ,
Q2 のベース・エミッタ間電圧である。また、トランジ
スタQ5 のエミッタの電圧,即ち、基準電圧V2 は、前
記(3)式を用いて、下記(5) 式で表せる。ここで、V
BE5 は、トランジスタQ5 のベース・エミッタ間電圧で
ある。
Q2 のベース・エミッタ間電圧である。また、トランジ
スタQ5 のエミッタの電圧,即ち、基準電圧V2 は、前
記(3)式を用いて、下記(5) 式で表せる。ここで、V
BE5 は、トランジスタQ5 のベース・エミッタ間電圧で
ある。
【0031】 V2 =V1 −VBE5 =VBE2 −VBE5 +I1 ・R2 (5) カレントミラー回路のトランジスタQ2 ,Q3 はエミッ
タ面積が1対1でありコレクタ電流が等しくなる。トラ
ンジスタQ2 のコレクタ電流は、I1 にほぼ等しい。ま
た、トランジスタQ5 のコレクタ電流I5 は、トランジ
スタQ3 のコレクタ電流とほぼ等しい。このため、トラ
ンジスタQ5 のコレクタ電流I5 は、トランジスタQ2
のコレクタ電流とほぼ等しくなり、I5 ≒I1 となる。
また、トランジスタQ2 とトランジスタQ5 は、同一半
導体チップ上に形成された特性の等しいトランジスタで
ある。このため、VBE2 ≒VBE5 となる。従って、前記
(5) 式より、V2 は、下記(6) 式で表せる。
タ面積が1対1でありコレクタ電流が等しくなる。トラ
ンジスタQ2 のコレクタ電流は、I1 にほぼ等しい。ま
た、トランジスタQ5 のコレクタ電流I5 は、トランジ
スタQ3 のコレクタ電流とほぼ等しい。このため、トラ
ンジスタQ5 のコレクタ電流I5 は、トランジスタQ2
のコレクタ電流とほぼ等しくなり、I5 ≒I1 となる。
また、トランジスタQ2 とトランジスタQ5 は、同一半
導体チップ上に形成された特性の等しいトランジスタで
ある。このため、VBE2 ≒VBE5 となる。従って、前記
(5) 式より、V2 は、下記(6) 式で表せる。
【0032】 V2 =I1 ・R2 (6) また、カレントミラー回路のトランジスタQ2 ,Q4 は
エミッタ面積が1対1でありコレクタ電流が等しくな
る。トランジスタQ6 のコレクタ電流は、トランジスタ
Q4 のコレクタ電流にほぼ等しい。トランジスタQ6 ,
Q7 のエミッタ面積比はNであるため、トランジスタQ
7 のコレクタ電流,即ち、充電電流Id は、下記(7) 式
となる。
エミッタ面積が1対1でありコレクタ電流が等しくな
る。トランジスタQ6 のコレクタ電流は、トランジスタ
Q4 のコレクタ電流にほぼ等しい。トランジスタQ6 ,
Q7 のエミッタ面積比はNであるため、トランジスタQ
7 のコレクタ電流,即ち、充電電流Id は、下記(7) 式
となる。
【0033】 Id =N・I6 =N・I1 (7) 遅延時間td は、前記(2) 式と同様に、下記(8) 式で表
せる。 td =(Cd ・V2 )/Id (8) (8) 式に、(6) 式,(7) 式を代入して、下記(9) 式とな
る。
せる。 td =(Cd ・V2 )/Id (8) (8) 式に、(6) 式,(7) 式を代入して、下記(9) 式とな
る。
【0034】 td =(Cd ・I1 ・R2 )/N・I1 =(Cd ・R2 )/N (9) (9) 式で示されるように、遅延時間td は、コンデンサ
Cd の容量Cd ,抵抗R2 、エミッタ面積比Nのみで決
まり、電源電圧VINに依存しない。
Cd の容量Cd ,抵抗R2 、エミッタ面積比Nのみで決
まり、電源電圧VINに依存しない。
【0035】今、電源電圧VINが定常状態にあるとき
に、何らかの理由で電源電圧VINが閾値電圧VTHを下回
った場合を考える。この場合、電圧監視回路12は、電
源電圧VINが閾値電圧VTHを下回ったことを検出して、
コンデンサCd を放電させる。これにより極短時間で、
VCd=0Vとなる。従って、電源電圧VINが閾値電圧V
THを下回った直後に、出力電圧VROがHレベルから0V
(リセット指示レベル)となり、遅延リセット回路1は
リセット指示状態となる。
に、何らかの理由で電源電圧VINが閾値電圧VTHを下回
った場合を考える。この場合、電圧監視回路12は、電
源電圧VINが閾値電圧VTHを下回ったことを検出して、
コンデンサCd を放電させる。これにより極短時間で、
VCd=0Vとなる。従って、電源電圧VINが閾値電圧V
THを下回った直後に、出力電圧VROがHレベルから0V
(リセット指示レベル)となり、遅延リセット回路1は
リセット指示状態となる。
【0036】この後、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上
に回復すると、電圧監視回路12はコンデンサCd の放
電を停止し、(7) 式で決まる充電電流Id でコンデンサ
Cdの充電が開始される。これにより、電源電圧VINの
回復時点から(9) 式で決まる遅延時間td の経過後に、
出力電圧VROが0VからHレベルになり、遅延リセット
回路1はリセット指示解除状態となる。前記のように、
電源電圧VINの値に依存しない遅延時間td を得ること
ができる。
に回復すると、電圧監視回路12はコンデンサCd の放
電を停止し、(7) 式で決まる充電電流Id でコンデンサ
Cdの充電が開始される。これにより、電源電圧VINの
回復時点から(9) 式で決まる遅延時間td の経過後に、
出力電圧VROが0VからHレベルになり、遅延リセット
回路1はリセット指示解除状態となる。前記のように、
電源電圧VINの値に依存しない遅延時間td を得ること
ができる。
【0037】また、遅延リセット回路1の、電源投入時
における動作は、図3の回路と同様であり、電源投入時
点からの電源電圧VINの時間変化と、出力電圧VROの時
間変化は、夫々、図4(A),図4(B)と同様であ
る。即ち、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達した時点か
らtd 経過した時点で、出力電圧VROが0VからHレベ
ルに変化して、リセット指示解除状態となる。
における動作は、図3の回路と同様であり、電源投入時
点からの電源電圧VINの時間変化と、出力電圧VROの時
間変化は、夫々、図4(A),図4(B)と同様であ
る。即ち、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達した時点か
らtd 経過した時点で、出力電圧VROが0VからHレベ
ルに変化して、リセット指示解除状態となる。
【0038】但し、電源電圧VINが定常値に達する前
は、充電電流Id は定常値よりも少し小さくなるが、電
源電圧VINが閾値電圧VTHから定常値に達するまでの時
間に比べて遅延時間td が十分大きい場合、遅延時間t
d の値への影響はほとんどない。
は、充電電流Id は定常値よりも少し小さくなるが、電
源電圧VINが閾値電圧VTHから定常値に達するまでの時
間に比べて遅延時間td が十分大きい場合、遅延時間t
d の値への影響はほとんどない。
【0039】上記のように、本実施例の遅延リセット回
路1では、電源電圧VINにより変化する基準電圧V2 に
比例して充電電流Id が変化する構成とすることによ
り、電源電圧VINの値に依存しない遅延時間td を得る
ことができる。基準電圧V2 を定電圧とする必要がな
く、充電電流Id を定電流とする必要がないため、基準
電圧V2 を生成する基準電圧生成回路2と充電電流Id
を生成する充電電流生成回路3を合わせた回路を、トラ
ンジスタ7個と抵抗2個の簡略な回路で構成することが
できる。
路1では、電源電圧VINにより変化する基準電圧V2 に
比例して充電電流Id が変化する構成とすることによ
り、電源電圧VINの値に依存しない遅延時間td を得る
ことができる。基準電圧V2 を定電圧とする必要がな
く、充電電流Id を定電流とする必要がないため、基準
電圧V2 を生成する基準電圧生成回路2と充電電流Id
を生成する充電電流生成回路3を合わせた回路を、トラ
ンジスタ7個と抵抗2個の簡略な回路で構成することが
できる。
【0040】このため、基準電圧源23、定電流源2
1,22夫々にトランジスタ6個程度を必要とする従来
の遅延リセット回路20に比べて、大幅に回路を簡略化
することができる。なお、トランジスタQ2 とトランジ
スタQ4 のエミッタ面積比をNに設定し、トランジスタ
Q6 とトランジスタQ7 のエミッタ面積比を1対1に設
定した構成とすることもできる。また、トランジスタQ
1 には、PNP型トランジスタ又はダイオードを用いて
もよい。
1,22夫々にトランジスタ6個程度を必要とする従来
の遅延リセット回路20に比べて、大幅に回路を簡略化
することができる。なお、トランジスタQ2 とトランジ
スタQ4 のエミッタ面積比をNに設定し、トランジスタ
Q6 とトランジスタQ7 のエミッタ面積比を1対1に設
定した構成とすることもできる。また、トランジスタQ
1 には、PNP型トランジスタ又はダイオードを用いて
もよい。
【0041】図2は、本発明の一実施例の遅延リセット
回路1の変形例としての遅延リセット回路1M の回路図
を示す。図2において、図1と同一構成部分には、同一
符号を付し、適宜説明を省略する。図2の遅延リセット
回路1M では、基準電圧生成回路2と充電電流生成回路
3の代わりに、基準電圧生成回路2M と充電電流生成回
路3M が設けられている。
回路1の変形例としての遅延リセット回路1M の回路図
を示す。図2において、図1と同一構成部分には、同一
符号を付し、適宜説明を省略する。図2の遅延リセット
回路1M では、基準電圧生成回路2と充電電流生成回路
3の代わりに、基準電圧生成回路2M と充電電流生成回
路3M が設けられている。
【0042】遅延時間設定用コンデンサCd を電源端子
TVIN とコンパレータ11M のプラス入力端子間に配置
し、充電電流生成回路3M で生成した充電電流Id をコ
ンデンサCd のマイナス側電極から流し出す。また、基
準電圧生成回路2M は、基準電圧V2Mを電源端子TVIN
とコンパレータ11M のマイナス入力端子間に供給する
構成である。
TVIN とコンパレータ11M のプラス入力端子間に配置
し、充電電流生成回路3M で生成した充電電流Id をコ
ンデンサCd のマイナス側電極から流し出す。また、基
準電圧生成回路2M は、基準電圧V2Mを電源端子TVIN
とコンパレータ11M のマイナス入力端子間に供給する
構成である。
【0043】トランジスタQ1M〜Q7Mは、図1の回路の
トランジスタQ1 〜Q7 に対応し、かつ、極性が反対の
関係(NPN型とPNP型の関係)となっている。ま
た、抵抗R1M,R2Mは、抵抗R1 ,R2 に対応する。抵
抗R2Mの電流I1Mは電流I1 に対応する。
トランジスタQ1 〜Q7 に対応し、かつ、極性が反対の
関係(NPN型とPNP型の関係)となっている。ま
た、抵抗R1M,R2Mは、抵抗R1 ,R2 に対応する。抵
抗R2Mの電流I1Mは電流I1 に対応する。
【0044】基準電圧生成回路2M は、基準電圧生成回
路2と同様にして、電源端子TVINとコンパレータ11
M のマイナス入力端子間に基準電圧V2Mを生成する。前
記(6) 式と同様に、基準電圧V2Mは、下記(10)式で表せ
る。 V2M=I1M・R2M (10) 充電電流生成回路3M は、充電電流生成回路3と同様に
して、コンデンサCdのマイナス電極から引き込む向き
の充電電流Id を生成する。充電電流Id により、コン
デンサCd の両端に充電電圧VCdが発生する。
路2と同様にして、電源端子TVINとコンパレータ11
M のマイナス入力端子間に基準電圧V2Mを生成する。前
記(6) 式と同様に、基準電圧V2Mは、下記(10)式で表せ
る。 V2M=I1M・R2M (10) 充電電流生成回路3M は、充電電流生成回路3と同様に
して、コンデンサCdのマイナス電極から引き込む向き
の充電電流Id を生成する。充電電流Id により、コン
デンサCd の両端に充電電圧VCdが発生する。
【0045】前記(7) 式と同様に、充電電流Id は、下
記(11)式で表せる。 Id =N・I1M (11) コンパレータ11M のマイナス入力端子の電圧(GND
端子を基準として)は、VIN−V2Mとなり、コンパレー
タ11M のプラス入力端子の電圧(GND端子を基準と
して)は、VIN−VCdとなる。
記(11)式で表せる。 Id =N・I1M (11) コンパレータ11M のマイナス入力端子の電圧(GND
端子を基準として)は、VIN−V2Mとなり、コンパレー
タ11M のプラス入力端子の電圧(GND端子を基準と
して)は、VIN−VCdとなる。
【0046】V2M>VCdのとき、コンパレータ11M は
プラスの出力電圧を出力し、出力電圧VROはリセットレ
ベルの0Vとなる。V2M≦VCdのとき、コンパレータ1
1Mの出力電圧は0Vとなり、出力電圧VROはリセット
解除レベルのHレベル(電源電圧VIN)となる。
プラスの出力電圧を出力し、出力電圧VROはリセットレ
ベルの0Vとなる。V2M≦VCdのとき、コンパレータ1
1Mの出力電圧は0Vとなり、出力電圧VROはリセット
解除レベルのHレベル(電源電圧VIN)となる。
【0047】電源電圧監視回路12M は、電源電圧VIN
が閾値電圧VTH未満のとき、コンデンサCd を放電させ
て、VCd=0Vとし、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上
のとき、コンデンサCd の放電を停止する。遅延時間t
d の値は、図1の遅延リセット回路1と同様に、下記(1
2)式で表せ、電源電圧VINに依存しない。
が閾値電圧VTH未満のとき、コンデンサCd を放電させ
て、VCd=0Vとし、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上
のとき、コンデンサCd の放電を停止する。遅延時間t
d の値は、図1の遅延リセット回路1と同様に、下記(1
2)式で表せ、電源電圧VINに依存しない。
【0048】 td =(Cd ・R2M)/N (12) 遅延リセット回路1M は、図1の遅延リセット回路1と
同様に動作する。即ち、電源電圧VINが閾値電圧VTHに
達しないときに出力電圧VROが0Vでリセット指示状態
となり、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達した時点から
遅延時間td 遅延した時点で電圧VROが0VからHレベ
ルに変化してリセット指示解除状態となる。
同様に動作する。即ち、電源電圧VINが閾値電圧VTHに
達しないときに出力電圧VROが0Vでリセット指示状態
となり、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達した時点から
遅延時間td 遅延した時点で電圧VROが0VからHレベ
ルに変化してリセット指示解除状態となる。
【0049】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、入力電源
電圧により変化する基準電圧に比例して充電電流が変化
する構成により、入力電源電圧の値に依存しない遅延時
間を得ることができ、基準電圧と充電電流を入力電源電
圧に対して安定化する必要がないため、基準電圧生成回
路と充電電流生成回路を簡略な回路で構成することがで
きる。このため、入力電源電圧に依存しない基準電圧源
と定電流源を必要とする従来の遅延リセット回路に比べ
て、大幅に回路を簡略化することができる。
電圧により変化する基準電圧に比例して充電電流が変化
する構成により、入力電源電圧の値に依存しない遅延時
間を得ることができ、基準電圧と充電電流を入力電源電
圧に対して安定化する必要がないため、基準電圧生成回
路と充電電流生成回路を簡略な回路で構成することがで
きる。このため、入力電源電圧に依存しない基準電圧源
と定電流源を必要とする従来の遅延リセット回路に比べ
て、大幅に回路を簡略化することができる。
【図1】本発明の一実施例の遅延リセット回路の回路図
である。
である。
【図2】本発明の一実施例の変形例としての遅延リセッ
ト回路の回路図である。
ト回路の回路図である。
【図3】従来の一例の遅延リセット回路の回路図であ
る。
る。
【図4】電源投入時における、電源電圧と出力電圧の関
係の説明図である。
係の説明図である。
1,1M 遅延リセット回路 2,2M 基準電圧生成回路 3,3M 充電電流生成回路 11,11M コンパレータ 12 電圧監視回路 13 出力回路 Cd 遅延時間設定用コンデンサ TVIN 電源端子 RESET* リセット出力端子 VIN 電源電圧 VRO 出力電圧
Claims (1)
- 【請求項1】 入力電源電圧に依存した基準電圧を生成
する基準電圧生成回路と、 前記基準電圧に比例した充電電流を生成する充電電流生
成回路と、 前記充電電流により充電される遅延時間設定用コンデン
サの充電電圧と前記基準電圧とを比較して、比較結果の
信号を出力する比較回路と、 前記入力電源電圧と閾値電圧とを比較して、前記入力電
源電圧が前記閾値電圧より小さい場合に前記遅延時間設
定用コンデンサを放電させ、前記入力電源電圧が前記閾
値電圧以上の場合に前記遅延時間設定用コンデンサの放
電を停止する電圧監視回路と、 前記比較回路から比較結果の信号を供給されて、前記遅
延時間設定用コンデンサの充電電圧が前記基準電圧より
小さい場合には、リセットを指示する出力信号を生成
し、前記遅延時間設定用コンデンサの充電電圧が前記基
準電圧以上の場合には、リセット解除を指示する出力信
号を生成する出力回路とを有することを特徴とする遅延
リセット回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7014109A JPH08204527A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 遅延リセット回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7014109A JPH08204527A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 遅延リセット回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204527A true JPH08204527A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11851959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7014109A Pending JPH08204527A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 遅延リセット回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006166305A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP7014109A patent/JPH08204527A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006166305A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路 |
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