JPH09213856A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09213856A JPH09213856A JP2008996A JP2008996A JPH09213856A JP H09213856 A JPH09213856 A JP H09213856A JP 2008996 A JP2008996 A JP 2008996A JP 2008996 A JP2008996 A JP 2008996A JP H09213856 A JPH09213856 A JP H09213856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- solder
- circuit board
- package
- material used
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 はんだ濡れの不具合が発生し、はんだ接合部
のはんだのフロントフィレット形成の状態が悪くなり、
外観検査時の良否の判別が困難になってしまったり、接
合強度の低下や環境特性の低下をきたし、信頼性に欠け
てしまう等の課題がある。 【解決手段】 外部接続用アウターリード２が、それぞ
れの側面のうち配線回路基板５と接続されない部分に設
けられたサポートバー１０ａによってお互い接続されて
おり、配線回路基板５と接合される際にサポートバー１
０ａが切断除去されることによりお互いが分離される。
のはんだのフロントフィレット形成の状態が悪くなり、
外観検査時の良否の判別が困難になってしまったり、接
合強度の低下や環境特性の低下をきたし、信頼性に欠け
てしまう等の課題がある。 【解決手段】 外部接続用アウターリード２が、それぞ
れの側面のうち配線回路基板５と接続されない部分に設
けられたサポートバー１０ａによってお互い接続されて
おり、配線回路基板５と接合される際にサポートバー１
０ａが切断除去されることによりお互いが分離される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の入出
力信号を伝える端子としてパッケージ外部に外部接続用
アウターリードを備えた半導体装置に関する。
力信号を伝える端子としてパッケージ外部に外部接続用
アウターリードを備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置におけるパッケー
ジの構造としては、ＤＩＰ、ＦＰ、ＰＬＣＣ及びセラミ
ック・パッケージ等の挿入型や搭載型が一般に知られて
いる。これらの半導体装置においては、あらかじめ、入
出力信号を伝える端子のそれぞれが電気的に独立した状
態にパターニングされた後、半導体素子と入出力信号を
伝える端子とがそれぞれワイヤーボンディングにより接
続され、接続後に絶縁樹脂によりパッケージングされて
いる。
ジの構造としては、ＤＩＰ、ＦＰ、ＰＬＣＣ及びセラミ
ック・パッケージ等の挿入型や搭載型が一般に知られて
いる。これらの半導体装置においては、あらかじめ、入
出力信号を伝える端子のそれぞれが電気的に独立した状
態にパターニングされた後、半導体素子と入出力信号を
伝える端子とがそれぞれワイヤーボンディングにより接
続され、接続後に絶縁樹脂によりパッケージングされて
いる。
【０００３】これらの端子は、リードと呼ばれ、パッケ
ージ内部のものがインナーリード、パッケージ外部のも
のが外部接続用アウターリードと呼ばれており、パッケ
ージ外部に突出した外部接続用アウターリードにおいて
は、配線回路基板のパッドとはんだ接合されるために、
必要な長さにリードカットされ、その後、ガルウィング
状にフォーミングされる。そして、このフォーミングさ
れた複数のアウターリードがパッケージ外部に配置され
て配線回路基板のパッドとはんだ接合されている。
ージ内部のものがインナーリード、パッケージ外部のも
のが外部接続用アウターリードと呼ばれており、パッケ
ージ外部に突出した外部接続用アウターリードにおいて
は、配線回路基板のパッドとはんだ接合されるために、
必要な長さにリードカットされ、その後、ガルウィング
状にフォーミングされる。そして、このフォーミングさ
れた複数のアウターリードがパッケージ外部に配置され
て配線回路基板のパッドとはんだ接合されている。
【０００４】図３は、従来の半導体装置の一構成例を示
す図であり、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は
（ａ）に示すリードフレーム板９がＡ−Ａ’面において
切断された状態を示す図、（ｃ）は（ｂ）に示す半導体
装置が基板に搭載された状態を示す断面図である。
す図であり、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は
（ａ）に示すリードフレーム板９がＡ−Ａ’面において
切断された状態を示す図、（ｃ）は（ｂ）に示す半導体
装置が基板に搭載された状態を示す断面図である。
【０００５】本従来例は図３に示すように、半導体装置
のパッケージとなる絶縁用封止樹脂１０１と、入出力端
子となる外部接続用アウターリード１０２とから構成さ
れており、外部接続用アウターリード１０２の先端に設
けられた平坦部１０４が配線回路基板１０５に設けられ
たパッド１０６上にはんだ１０８により固定されること
により、半導体装置と配線回路基板１０５とが電気的に
接続されている。
のパッケージとなる絶縁用封止樹脂１０１と、入出力端
子となる外部接続用アウターリード１０２とから構成さ
れており、外部接続用アウターリード１０２の先端に設
けられた平坦部１０４が配線回路基板１０５に設けられ
たパッド１０６上にはんだ１０８により固定されること
により、半導体装置と配線回路基板１０５とが電気的に
接続されている。
【０００６】なお、外部接続用アウターリード１０２は
図３（ａ）に示すように、絶縁用封止樹脂１に接続さ
れ、全面メッキが行われているリードフレーム板１０９
がＡ−Ａ’面において専用金型で切断されることにより
形成される。
図３（ａ）に示すように、絶縁用封止樹脂１に接続さ
れ、全面メッキが行われているリードフレーム板１０９
がＡ−Ａ’面において専用金型で切断されることにより
形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体装置においては、製造効率を向上させるために、
外部接続用アウターリードがリード材の板材にレジスト
を用いてパターニングする方法、または、専用型でパン
チングする方法によって製造されており、これに半導体
素子が搭載され、半導体素子の端子とインナーリードの
それぞれとがワイヤーボンディング等により接続された
後、絶縁樹脂でパッケージングされている。
半導体装置においては、製造効率を向上させるために、
外部接続用アウターリードがリード材の板材にレジスト
を用いてパターニングする方法、または、専用型でパン
チングする方法によって製造されており、これに半導体
素子が搭載され、半導体素子の端子とインナーリードの
それぞれとがワイヤーボンディング等により接続された
後、絶縁樹脂でパッケージングされている。
【０００８】なお、外部接続用アウターリードにおいて
は、表面の酸化の防止及びはんだ付けの容易性の向上の
ためにメッキ加工が施されている。
は、表面の酸化の防止及びはんだ付けの容易性の向上の
ためにメッキ加工が施されている。
【０００９】ここで、半導体装置を配線回路基板と接続
する場合は、各アウターリードと配線回路基板上のパッ
ドとがはんだにより接合されるのが一般的であるため、
その後の工程において、アウターリードが配線回路基板
のパッドと接合しやすいようにリード形成用専用金型に
よって外部接続用アウターリードの切断及び曲げ形成が
行われている。
する場合は、各アウターリードと配線回路基板上のパッ
ドとがはんだにより接合されるのが一般的であるため、
その後の工程において、アウターリードが配線回路基板
のパッドと接合しやすいようにリード形成用専用金型に
よって外部接続用アウターリードの切断及び曲げ形成が
行われている。
【００１０】そのため、外部接続用アウターリードの先
端の切断面が、メッキ加工の無い表面となってしまう。
端の切断面が、メッキ加工の無い表面となってしまう。
【００１１】これにより、切断面のメッキ加工の無い面
は製造後の放置によって酸化が進行し、図３（ｃ）に示
すように、進行した酸化により、はんだ付け時において
はんだ濡れの不具合が生じてしまう。
は製造後の放置によって酸化が進行し、図３（ｃ）に示
すように、進行した酸化により、はんだ付け時において
はんだ濡れの不具合が生じてしまう。
【００１２】このはんだ濡れの不具合により、はんだ接
合部のはんだのフロントフィレット形成の状態が悪くな
り、外観検査時の良否の判別が困難になってしまうとい
う問題点がある。
合部のはんだのフロントフィレット形成の状態が悪くな
り、外観検査時の良否の判別が困難になってしまうとい
う問題点がある。
【００１３】また、接合強度の低下や環境特性の低下を
きたし、信頼性に欠けるという問題点があり、高信頼性
のリード接合が要求されていた。
きたし、信頼性に欠けるという問題点があり、高信頼性
のリード接合が要求されていた。
【００１４】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって、はんだ付け
強度及び環境特性の向上を図ることができ、また、外観
検査時の良否判断を容易に行うことができる半導体装置
を提供することを目的とする。
する問題点に鑑みてなされたものであって、はんだ付け
強度及び環境特性の向上を図ることができ、また、外観
検査時の良否判断を容易に行うことができる半導体装置
を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体素子をパッケージングするパッケー
ジと、該パッケージの外部に設けられ、前記半導体素子
の入出力端子のそれぞれと接続される複数のアウターリ
ードとを有し、該アウターリードが配線回路基板上のパ
ッドとはんだ材を用いて接合されることにより前記配線
回路基板と電気的に接続される半導体装置において、前
記アウターリードは、それぞれの側面のうち前記パッド
と接続されない部分に設けられた補助フレームによって
お互い接続されており、前記パッドと接合される際に前
記補助フレームが切断除去されることによりお互いが分
離されることを特徴とする。
に本発明は、半導体素子をパッケージングするパッケー
ジと、該パッケージの外部に設けられ、前記半導体素子
の入出力端子のそれぞれと接続される複数のアウターリ
ードとを有し、該アウターリードが配線回路基板上のパ
ッドとはんだ材を用いて接合されることにより前記配線
回路基板と電気的に接続される半導体装置において、前
記アウターリードは、それぞれの側面のうち前記パッド
と接続されない部分に設けられた補助フレームによって
お互い接続されており、前記パッドと接合される際に前
記補助フレームが切断除去されることによりお互いが分
離されることを特徴とする。
【００１６】また、前記補助フレームは、前記パッケー
ジの外周から０．３〜２．０ｍｍの範囲内に設けられて
いることを特徴とする。
ジの外周から０．３〜２．０ｍｍの範囲内に設けられて
いることを特徴とする。
【００１７】また、前記アウターリードは、前記はんだ
材による接合に適した材料によりメッキ加工が施されて
いることを特徴とする。
材による接合に適した材料によりメッキ加工が施されて
いることを特徴とする。
【００１８】また、前記メッキ加工に用いられる材料
は、金であることを特徴とする。
は、金であることを特徴とする。
【００１９】また、前記メッキ加工に用いられる材料
は、銀であることを特徴とする。
は、銀であることを特徴とする。
【００２０】また、前記メッキ加工に用いられる材料
は、錫であることを特徴とする。
は、錫であることを特徴とする。
【００２１】また、前記メッキ加工に用いられる材料
は、パラジュウムであることを特徴とする。
は、パラジュウムであることを特徴とする。
【００２２】また、前記メッキ加工に用いられる材料
は、はんだ材であることを特徴とする。
は、はんだ材であることを特徴とする。
【００２３】また、前記メッキ加工に用いられる材料
は、ニッケルであることを特徴とする。
は、ニッケルであることを特徴とする。
【００２４】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、半導体素子を配線回路基板と接続するために
パッケージ外部に設けられた複数のアウターリードが、
それぞれの側面のうち配線回路基板と接続されない部分
に設けられた補助フレームによってお互い接続されてお
り、配線回路基板と接合される際に補助フレームが切断
除去されることによりお互いが分離される。
おいては、半導体素子を配線回路基板と接続するために
パッケージ外部に設けられた複数のアウターリードが、
それぞれの側面のうち配線回路基板と接続されない部分
に設けられた補助フレームによってお互い接続されてお
り、配線回路基板と接合される際に補助フレームが切断
除去されることによりお互いが分離される。
【００２５】このように、アウターリードの切断される
部分が配線回路基板と接合される部分とは離れた部分で
あるので、予めアウターリードにメッキ加工が施された
場合においても、配線回路基板と接合される部分のメッ
キが剥がれることはなく、接合の際にはんだ濡れが悪化
することはない。
部分が配線回路基板と接合される部分とは離れた部分で
あるので、予めアウターリードにメッキ加工が施された
場合においても、配線回路基板と接合される部分のメッ
キが剥がれることはなく、接合の際にはんだ濡れが悪化
することはない。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００２７】図１は、本発明の半導体装置の実施の一形
態を示す外観斜視図である。
態を示す外観斜視図である。
【００２８】本形態は図１に示すように、半導体素子
（不図示）をパッケージングするパッケージである絶縁
用封止樹脂１と、入出力端子となる外部接続用アウター
リード２とから構成されており、外部接続用アウターリ
ード２の先端に設けられた平坦部４が配線回路基板５に
設けられたパッド６上にはんだ８により固定されること
により、半導体装置と配線回路基板５とが電気的に接続
されている。
（不図示）をパッケージングするパッケージである絶縁
用封止樹脂１と、入出力端子となる外部接続用アウター
リード２とから構成されており、外部接続用アウターリ
ード２の先端に設けられた平坦部４が配線回路基板５に
設けられたパッド６上にはんだ８により固定されること
により、半導体装置と配線回路基板５とが電気的に接続
されている。
【００２９】以下に、上記のように構成された半導体装
置の製造工程について説明する。
置の製造工程について説明する。
【００３０】図２は、図１に示した半導体装置の詳細を
示す図であり、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は
（ａ）に示すリードフレーム板９が切断された状態を示
す図、（ｃ）は（ｂ）に示す半導体装置の断面図、
（ｄ）は（ｂ）に示す半導体装置が基板に搭載された状
態を示す断面図である。
示す図であり、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は
（ａ）に示すリードフレーム板９が切断された状態を示
す図、（ｃ）は（ｂ）に示す半導体装置の断面図、
（ｄ）は（ｂ）に示す半導体装置が基板に搭載された状
態を示す断面図である。
【００３１】まず、図２（ａ）に示すように、リードフ
レーム板９に、補助フレームであるサポートバー１０ａ
の配置が絶縁用封止樹脂１の外周から０．３〜２．０ｍ
ｍ内になるようにサポートバー１０，１０ａと外部接続
用アウターリード２とをパターニングし、これをエッチ
ング工程にて不要部となる開口部１１を形成し、半導体
素子（不図示）を絶縁用封止樹脂１でパッケージング
し、リードフレーム板９の全面にメッキ加工を施す。こ
こで、メッキ加工における材料は、金、銀、錫、パラジ
ュウム、はんだ、ニッケル等のはんだ材による接合に適
した材料である。
レーム板９に、補助フレームであるサポートバー１０ａ
の配置が絶縁用封止樹脂１の外周から０．３〜２．０ｍ
ｍ内になるようにサポートバー１０，１０ａと外部接続
用アウターリード２とをパターニングし、これをエッチ
ング工程にて不要部となる開口部１１を形成し、半導体
素子（不図示）を絶縁用封止樹脂１でパッケージング
し、リードフレーム板９の全面にメッキ加工を施す。こ
こで、メッキ加工における材料は、金、銀、錫、パラジ
ュウム、はんだ、ニッケル等のはんだ材による接合に適
した材料である。
【００３２】次に、図２（ｂ）に示すように、専用金型
によりリードフレーム板９と連結されたサポートバー１
０ａを切断除去する。
によりリードフレーム板９と連結されたサポートバー１
０ａを切断除去する。
【００３３】ここで、切断面３は、外部接続用アウター
リード２の両サイド面で、しかも絶縁用封止樹脂１の外
周近傍の０．３〜２．０ｍｍ内に位置しているため、外
部接続用アウターリード先端面２ａのメッキ面を損なう
ことはない。
リード２の両サイド面で、しかも絶縁用封止樹脂１の外
周近傍の０．３〜２．０ｍｍ内に位置しているため、外
部接続用アウターリード先端面２ａのメッキ面を損なう
ことはない。
【００３４】次に、図２（ｃ）に示すように、外部接続
用アウターリード２を配線回路基板５に接続されやすく
するために曲げて平坦部４を形成する。
用アウターリード２を配線回路基板５に接続されやすく
するために曲げて平坦部４を形成する。
【００３５】その後、図２（ｄ）に示すように、外部接
続用アウターリード２を成形した半導体装置を配線回路
基板５上のパッド６面上に搭載し、はんだ８にて接合す
る。
続用アウターリード２を成形した半導体装置を配線回路
基板５上のパッド６面上に搭載し、はんだ８にて接合す
る。
【００３６】上記工程によって製造された半導体装置に
おいては、図２（ｄ）に示すように、外部接続用アウタ
ーリード２の切断面３がはんだ接合部分に形成されてい
ないため、外部接続用アウターリード先端面２ａのはん
だ８の濡れが良くなり、はんだ接合強度が向上する。ま
た、はんだ８の濡れが良くなることで、はんだフィット
形状も奇麗に形成でき、目視や画像での外観検査も容易
に行うことができる。
おいては、図２（ｄ）に示すように、外部接続用アウタ
ーリード２の切断面３がはんだ接合部分に形成されてい
ないため、外部接続用アウターリード先端面２ａのはん
だ８の濡れが良くなり、はんだ接合強度が向上する。ま
た、はんだ８の濡れが良くなることで、はんだフィット
形状も奇麗に形成でき、目視や画像での外観検査も容易
に行うことができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子を配線回路基板と接続するためにパッケージ外
部に設けられた複数のアウターリードが、それぞれの側
面のうち配線回路基板と接続されない部分に設けられた
補助フレームによってお互い接続されており、配線回路
基板と接合される際に補助フレームが切断除去されるこ
とによりお互いが分離される構成としたため、アウター
リードの切断される部分が配線回路基板と接合される部
分とは離れた部分となり、予めアウターリードにメッキ
加工が施された場合においても、配線回路基板と接合さ
れる部分のメッキが剥がれることはない。
導体素子を配線回路基板と接続するためにパッケージ外
部に設けられた複数のアウターリードが、それぞれの側
面のうち配線回路基板と接続されない部分に設けられた
補助フレームによってお互い接続されており、配線回路
基板と接合される際に補助フレームが切断除去されるこ
とによりお互いが分離される構成としたため、アウター
リードの切断される部分が配線回路基板と接合される部
分とは離れた部分となり、予めアウターリードにメッキ
加工が施された場合においても、配線回路基板と接合さ
れる部分のメッキが剥がれることはない。
【００３８】これにより、はんだ濡れの悪化による不具
合を防止することができ、はんだ付け強度及び環境特性
の向上を図ることができる。
合を防止することができ、はんだ付け強度及び環境特性
の向上を図ることができる。
【００３９】また、外観検査時の良否判断を容易に行う
ことができる。
ことができる。
【図１】本発明の半導体装置の実施の一形態を示す外観
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１に示した半導体装置の詳細を示す図であ
り、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）に示
すリードフレーム板が切断された状態を示す図、（ｃ）
は（ｂ）に示す半導体装置の断面図、（ｄ）は（ｂ）に
示す半導体装置が基板に搭載された状態を示す断面図で
ある。
り、（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）に示
すリードフレーム板が切断された状態を示す図、（ｃ）
は（ｂ）に示す半導体装置の断面図、（ｄ）は（ｂ）に
示す半導体装置が基板に搭載された状態を示す断面図で
ある。
【図３】従来の半導体装置の一構成例を示す図であり、
（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）に示すリ
ードフレーム板がＡ−Ａ’面において切断された状態を
示す図、（ｃ）は（ｂ）に示す半導体装置が基板に搭載
された状態を示す断面図である。
（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）に示すリ
ードフレーム板がＡ−Ａ’面において切断された状態を
示す図、（ｃ）は（ｂ）に示す半導体装置が基板に搭載
された状態を示す断面図である。
１ 絶緑用封止樹脂 ２ 外部接続用アウターリード ２ａ 外部接続用アウターリード先端面 ３ 切断面 ４ 平坦部 ５ 配線回路基板 ６ パッド ７ ソルダーレジスト ８ はんだ ９ リードフレーム板 １０，１０ａ サポートバー １１ 開口部
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体素子をパッケージングするパッケ
ージと、 該パッケージの外部に設けられ、前記半導体素子の入出
力端子のそれぞれと接続される複数のアウターリードと
を有し、 該アウターリードが配線回路基板上のパッドとはんだ材
を用いて接合されることにより前記配線回路基板と電気
的に接続される半導体装置において、 前記アウターリードは、それぞれの側面のうち前記パッ
ドと接続されない部分に設けられた補助フレームによっ
てお互い接続されており、前記パッドと接合される際に
前記補助フレームが切断除去されることによりお互いが
分離されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記補助フレームは、前記パッケージの外周から０．３
〜２．０ｍｍの範囲内に設けられていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の半導体
装置において、 前記アウターリードは、前記はんだ材による接合に適し
た材料によりメッキ加工が施されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記メッキ加工に用いられる材料は、金であることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記メッキ加工に用いられる材料は、銀であることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記メッキ加工に用いられる材料は、錫であることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記メッキ加工に用いられる材料は、パラジュウムであ
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記メッキ加工に用いられる材料は、はんだ材であるこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記メッキ加工に用いられる材料は、ニッケルであるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008996A JPH09213856A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008996A JPH09213856A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213856A true JPH09213856A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12017389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008996A Pending JPH09213856A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077189A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 照明装置 |
| WO2025197363A1 (ja) * | 2024-03-21 | 2025-09-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-02-06 JP JP2008996A patent/JPH09213856A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077189A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 照明装置 |
| WO2025197363A1 (ja) * | 2024-03-21 | 2025-09-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040310 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040721 |