JPH09289375A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH09289375A JPH09289375A JP10111396A JP10111396A JPH09289375A JP H09289375 A JPH09289375 A JP H09289375A JP 10111396 A JP10111396 A JP 10111396A JP 10111396 A JP10111396 A JP 10111396A JP H09289375 A JPH09289375 A JP H09289375A
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- Japan
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- organic resin
- insulating layer
- resin insulating
- thin film
- hole
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機樹脂絶縁層の上面に形成される段差によっ
て薄膜配線導体に断線が生じる。 【解決手段】絶縁基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜
配線導体３とを交互に積層するとともに上下に位置する
薄膜配線導体３を各有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホ
ール５の内壁に被着させたスルーホール導体６を介して
接続して成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶
縁層２のスルーホール５内に上面が各有機樹脂絶縁層２
の上面と実質的に同一である充填物７を充填させた。
て薄膜配線導体に断線が生じる。 【解決手段】絶縁基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜
配線導体３とを交互に積層するとともに上下に位置する
薄膜配線導体３を各有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホ
ール５の内壁に被着させたスルーホール導体６を介して
接続して成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶
縁層２のスルーホール５内に上面が各有機樹脂絶縁層２
の上面と実質的に同一である充填物７を充填させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏーＭ法は通常、タングステン、モ
リブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶
媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを生
セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定パ
ターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
リブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶
媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを生
セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定パ
ターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】尚、前記配線導体が形成されるセラミック
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックが使用される。
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックが使用される。
【０００５】しかしながら、このＭｏーＭｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体等から
成るセラミックやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ等か
ら成る絶縁基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
等によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成
る絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解メッキ
法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー
技術を採用することによって形成される薄膜配線導体と
を交互に多層に配設させるとともに、上下に位置する薄
膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内
壁に被着させたスルーホール導体を介して電気的に接続
させた構造を有している。
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体等から
成るセラミックやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ等か
ら成る絶縁基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
等によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成
る絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解メッキ
法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー
技術を採用することによって形成される薄膜配線導体と
を交互に多層に配設させるとともに、上下に位置する薄
膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内
壁に被着させたスルーホール導体を介して電気的に接続
させた構造を有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の多層配線基板においては、有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体とを交互に積層して多層配線基板となす際、上部
に配される有機樹脂絶縁層の表面に下部に配される有機
樹脂絶縁層に設けたスルーホールに起因して段差が形成
され、該段差によって各有機樹脂絶縁層上に薄膜形成技
術及びフォトリソグラフィー技術を採用することにより
形成される薄膜配線導体の厚みにバラツキや断線が生
じ、多層配線基板として所望する特性を充分に発揮させ
ることができないという欠点を有していた。
来の多層配線基板においては、有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体とを交互に積層して多層配線基板となす際、上部
に配される有機樹脂絶縁層の表面に下部に配される有機
樹脂絶縁層に設けたスルーホールに起因して段差が形成
され、該段差によって各有機樹脂絶縁層上に薄膜形成技
術及びフォトリソグラフィー技術を採用することにより
形成される薄膜配線導体の厚みにバラツキや断線が生
じ、多層配線基板として所望する特性を充分に発揮させ
ることができないという欠点を有していた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点に鑑み
案出されたもので、その目的は有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体とを交互に多層に積層して成る多層配線基板であ
って、前記薄膜配線導体の厚みバラツキ及び断線を有効
に防止し、これによって所望する特性を充分に発揮する
ことがてきる多層配線基板を提供することにある。
案出されたもので、その目的は有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体とを交互に多層に積層して成る多層配線基板であ
って、前記薄膜配線導体の厚みバラツキ及び断線を有効
に防止し、これによって所望する特性を充分に発揮する
ことがてきる多層配線基板を提供することにある。
【００１０】本発明は、絶縁基板上に、有機樹脂絶縁層
と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホ
ールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して接続
して成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層
のスルーホール内に上面が各有機樹脂絶縁層の上面と実
質的に同一である充填物を充填させたことを特徴とする
ものである。
と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホ
ールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して接続
して成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層
のスルーホール内に上面が各有機樹脂絶縁層の上面と実
質的に同一である充填物を充填させたことを特徴とする
ものである。
【００１１】また本発明は、前記充填物がスルーホール
導体の表面に被着させたメッキ金属よりなることを特徴
とするものである。
導体の表面に被着させたメッキ金属よりなることを特徴
とするものである。
【００１２】本発明の多層配線基板によれば、各有機樹
脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填物を充填し、各
有機樹脂絶縁層の上面を平坦としたことから各有機樹脂
絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー
技術を採用することによって薄膜配線導体を形成した
際、形成される薄膜配線導体に厚みのバラツキや断線が
生じることはなく、その結果、多層配線基板に所望する
特性を充分に発揮させることが可能となる。
脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填物を充填し、各
有機樹脂絶縁層の上面を平坦としたことから各有機樹脂
絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー
技術を採用することによって薄膜配線導体を形成した
際、形成される薄膜配線導体に厚みのバラツキや断線が
生じることはなく、その結果、多層配線基板に所望する
特性を充分に発揮させることが可能となる。
【００１３】また本発明の多層配線基板によれば、前記
各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填される
充填物をスルーホール導体の表面に被着させたメッキ金
属で形成するようにしておくと、スルーホール内への充
填物の充填が確実、かつ容易となる。
各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填される
充填物をスルーホール導体の表面に被着させたメッキ金
属で形成するようにしておくと、スルーホール内への充
填物の充填が確実、かつ容易となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は
薄膜配線導体である。
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は
薄膜配線導体である。
【００１５】前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線４が配設され
ており、該多層配線４を支持する支持部材として作用す
る。
層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線４が配設され
ており、該多層配線４を支持する支持部材として作用す
る。
【００１６】前記絶縁基板１は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば酸化アルミニウム質焼結体で形成されている
場合には、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（Ｓｉ
Ｏ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等
の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿
状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法
やカレンダーロール法を採用することによってセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６０
０℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末
を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって
所定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の
温度で焼成することによって製作される。
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば酸化アルミニウム質焼結体で形成されている
場合には、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（Ｓｉ
Ｏ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等
の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿
状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法
やカレンダーロール法を採用することによってセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６０
０℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末
を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって
所定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の
温度で焼成することによって製作される。
【００１７】また前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂
絶縁層２と薄膜配線導体３とが交互に多層に配設されて
多層配線４が被着されており、該多層配線４を構成する
有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線導体３の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体３は電
気信号を伝達するための伝達路として作用する。
絶縁層２と薄膜配線導体３とが交互に多層に配設されて
多層配線４が被着されており、該多層配線４を構成する
有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線導体３の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体３は電
気信号を伝達するための伝達路として作用する。
【００１８】前記多層配線４の有機樹脂絶縁層２は、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドポリアジ
ド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の
樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系
硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の
硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体
を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板１の上
部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これを
８０℃乃至２００℃の熱で０．５乃至３時間熱処理し、
熱硬化させることによって形成される。
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドポリアジ
ド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の
樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系
硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の
硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体
を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板１の上
部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これを
８０℃乃至２００℃の熱で０．５乃至３時間熱処理し、
熱硬化させることによって形成される。
【００１９】更に前記多層配線４の有機樹脂絶縁層２は
その各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚み
に対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成されて
おり、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２を
介して上下に位置する薄膜配線導体３の各々を電気的に
接続するスルーホール導体６を形成するための形成孔と
して作用する。
その各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚み
に対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成されて
おり、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２を
介して上下に位置する薄膜配線導体３の各々を電気的に
接続するスルーホール導体６を形成するための形成孔と
して作用する。
【００２０】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィ技術を採用することによって所定の径に形成される。
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィ技術を採用することによって所定の径に形成される。
【００２１】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体３が、更に各有機樹脂絶縁層
２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導体
６が各々配設されており、スルーホール導体６によって
間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体３の各々が電気的に接続されるようになってい
る。
定パターンの薄膜配線導体３が、更に各有機樹脂絶縁層
２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導体
６が各々配設されており、スルーホール導体６によって
間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体３の各々が電気的に接続されるようになってい
る。
【００２２】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体３及びスルー
ホール導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金
属材料を無電解メッキ法や蒸着法、スパッタリング法等
の薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用すること
によって形成され、例えば銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５の内表
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
から成る無電解メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μ
ｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング
加工法により所定パターンに加工することによって各有
機樹脂絶縁層２間に配設される。この場合、薄膜配線導
体３及びスルーホール導体６は薄膜形成技術により形成
されることから配線の微細化が可能であり、これによっ
て薄膜配線導体３を極めて高密度に形成することが可能
となる。
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体３及びスルー
ホール導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金
属材料を無電解メッキ法や蒸着法、スパッタリング法等
の薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用すること
によって形成され、例えば銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５の内表
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
から成る無電解メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μ
ｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング
加工法により所定パターンに加工することによって各有
機樹脂絶縁層２間に配設される。この場合、薄膜配線導
体３及びスルーホール導体６は薄膜形成技術により形成
されることから配線の微細化が可能であり、これによっ
て薄膜配線導体３を極めて高密度に形成することが可能
となる。
【００２３】尚、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
３とを交互に多層に配設して形成される多層配線４は各
有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹
脂絶縁層２と薄膜配線導体３との接合及び上下に位置す
る有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすことができ
る。従って、前記多層配線４の各有機樹脂絶縁層２はそ
の上面をエッチング加工法等によって粗し、中心線平均
粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面とし
ておくことが好ましい。
３とを交互に多層に配設して形成される多層配線４は各
有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹
脂絶縁層２と薄膜配線導体３との接合及び上下に位置す
る有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすことができ
る。従って、前記多層配線４の各有機樹脂絶縁層２はそ
の上面をエッチング加工法等によって粗し、中心線平均
粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面とし
ておくことが好ましい。
【００２４】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィ技術を採用することによってスルーホール５
を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスルー
ホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難とな
り、また５μｍｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体３に不要な電気
的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記有
機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィ技術を採用することによってスルーホール５
を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスルー
ホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難とな
り、また５μｍｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体３に不要な電気
的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記有
機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２５】更に前記多層配線４の各薄膜配線導体３は
その厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体３の電気
抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体３に所定の電
気信号を伝達させることが困難なものとなり、また４０
μｍを越えると薄膜配線導体３を有機樹脂絶縁層２に被
着させる際に薄膜配線導体３の内部に大きな応力が内在
し、該大きな内在応力によって薄膜配線導体３が有機樹
脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。従って、前記多
層配線４の各薄膜配線導体３の厚みは１μｍ乃至４０μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
その厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体３の電気
抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体３に所定の電
気信号を伝達させることが困難なものとなり、また４０
μｍを越えると薄膜配線導体３を有機樹脂絶縁層２に被
着させる際に薄膜配線導体３の内部に大きな応力が内在
し、該大きな内在応力によって薄膜配線導体３が有機樹
脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。従って、前記多
層配線４の各薄膜配線導体３の厚みは１μｍ乃至４０μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２６】また更に前記多層配線４の各有機樹脂絶縁
層２はその各々に設けたスルーホール５内に充填物７が
その上面を各有機樹脂絶縁層２の上面と実質的に同一と
なるようにして充填されている。
層２はその各々に設けたスルーホール５内に充填物７が
その上面を各有機樹脂絶縁層２の上面と実質的に同一と
なるようにして充填されている。
【００２７】前記充填物７は各有機樹脂絶縁層２の上面
を大きな段差のない平坦なものとなす作用をし、これに
よって各有機樹脂絶縁層２の上面に薄膜形成技術及びフ
ォトリソグラフィー技術を採用し薄膜配線導体３を形成
する際、形成される薄膜配線導体３はその厚みが均一に
なるとともに断線が発生することはなく、その結果、多
層配線基板に所望する特性を充分に発揮させることが可
能となる。
を大きな段差のない平坦なものとなす作用をし、これに
よって各有機樹脂絶縁層２の上面に薄膜形成技術及びフ
ォトリソグラフィー技術を採用し薄膜配線導体３を形成
する際、形成される薄膜配線導体３はその厚みが均一に
なるとともに断線が発生することはなく、その結果、多
層配線基板に所望する特性を充分に発揮させることが可
能となる。
【００２８】前記充填物７は例えば、金属材料より成
り、各有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホール５内に印
刷やメッキ法等によって上面が各有機樹脂絶縁層２の上
面と実質的に同一となるように充填される。
り、各有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホール５内に印
刷やメッキ法等によって上面が各有機樹脂絶縁層２の上
面と実質的に同一となるように充填される。
【００２９】また前記充填物７はそれをスルーホール導
体６表面にメッキ法によって被着されるメッキ金属で形
成するようにすると充填物７のスルーホール５内への充
填が確実、かつ容易となる。従って、前記充填物７の充
填の作業性を考慮すれば充填物７をスルーホール導体６
の表面にメッキ法によって被着されるメッキ金属で形成
するようにしておくことが好ましい。
体６表面にメッキ法によって被着されるメッキ金属で形
成するようにすると充填物７のスルーホール５内への充
填が確実、かつ容易となる。従って、前記充填物７の充
填の作業性を考慮すれば充填物７をスルーホール導体６
の表面にメッキ法によって被着されるメッキ金属で形成
するようにしておくことが好ましい。
【００３０】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
薄膜配線導体３の厚みが薄ければ、充填物７の上面を薄
膜配線導体３の上面に対し同じとなるように有機樹脂絶
縁層２の上面より若干突出させておいてもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
薄膜配線導体３の厚みが薄ければ、充填物７の上面を薄
膜配線導体３の上面に対し同じとなるように有機樹脂絶
縁層２の上面より若干突出させておいてもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、各有機
樹脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填物を充填し、
各有機樹脂絶縁層の上面を平坦としたことから各有機樹
脂絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィ
ー技術を採用することによって薄膜配線導体を形成した
際、形成される薄膜配線導体に厚みのバラツキや断線が
生じることはなく、その結果、多層配線基板に所望する
特性を充分に発揮させることが可能となる。
樹脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填物を充填し、
各有機樹脂絶縁層の上面を平坦としたことから各有機樹
脂絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィ
ー技術を採用することによって薄膜配線導体を形成した
際、形成される薄膜配線導体に厚みのバラツキや断線が
生じることはなく、その結果、多層配線基板に所望する
特性を充分に発揮させることが可能となる。
【００３２】また本発明の多層配線基板によれば、前記
各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填される
充填物をスルーホール導体の表面に被着させたメッキ金
属で形成するようにしておくと、スルーホール内への充
填物の充填が確実、かつ容易となる。
各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール内に充填される
充填物をスルーホール導体の表面に被着させたメッキ金
属で形成するようにしておくと、スルーホール内への充
填物の充填が確実、かつ容易となる。
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
１・・・絶縁基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体 ４・・・多層配線 ５・・・スルーホール ６・・・スルーホール導体 ７・・・充填物
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線
導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配
線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁
に被着させたスルーホール導体を介して接続して成る多
層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層のスルーホ
ール内に上面が各有機樹脂絶縁層の上面と実質的に同一
である充填物を充填させたことを特徴とする多層配線基
板。 - 【請求項２】前記充填物がスルーホール導体の表面に被
着させたメッキ金属であることを特徴とする請求項１に
記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111396A JPH09289375A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111396A JPH09289375A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289375A true JPH09289375A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14292027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10111396A Pending JPH09289375A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289375A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016597A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Ibiden Co., Ltd. | Plaquette de circuit imprime et son procede de fabrication |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP10111396A patent/JPH09289375A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016597A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Ibiden Co., Ltd. | Plaquette de circuit imprime et son procede de fabrication |
| US7230188B1 (en) | 1998-09-14 | 2007-06-12 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
| EP1919266A3 (en) * | 1998-09-14 | 2009-08-05 | Ibiden Co., Ltd. | Electroless plating solution, electroless plating process, and printed circuit board |
| US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
| US7827680B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-11-09 | Ibiden Co., Ltd. | Electroplating process of electroplating an elecrically conductive sustrate |
| US8065794B2 (en) | 1998-09-14 | 2011-11-29 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
| EP1667506B1 (en) * | 1998-09-14 | 2012-02-01 | Ibiden Co., Ltd. | Electroless plating process and printed circuit board |
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