JPH09312480A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH09312480A JPH09312480A JP12820296A JP12820296A JPH09312480A JP H09312480 A JPH09312480 A JP H09312480A JP 12820296 A JP12820296 A JP 12820296A JP 12820296 A JP12820296 A JP 12820296A JP H09312480 A JPH09312480 A JP H09312480A
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- thin film
- wiring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線導体を伝播する電気信号の伝播速度が遅
く、高価である。 【解決手段】配線導体２ａを有する絶縁基板１の少なく
とも一主面に有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体３とを交
互に積層した多層配線４を被着させるとともに前記薄膜
配線導体３の一部を配線導体２ａに電気的に接続して成
る多層配線基板であって、前記絶縁基板１をガラス繊維
強化型ポリフェニレンエーテル樹脂板で形成した。
く、高価である。 【解決手段】配線導体２ａを有する絶縁基板１の少なく
とも一主面に有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体３とを交
互に積層した多層配線４を被着させるとともに前記薄膜
配線導体３の一部を配線導体２ａに電気的に接続して成
る多層配線基板であって、前記絶縁基板１をガラス繊維
強化型ポリフェニレンエーテル樹脂板で形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏーＭｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】尚、前記配線導体が形成されるセラミック
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体が好適に使
用されている。
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体が好適に使
用されている。
【０００５】しかしながら、このＭｏーＭｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
【０００７】かかる多層配線基板は、一般に配線導体を
有する酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基板の上
面にスピンコート法及び熱硬化処理等によって形成され
るエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層と、銅やア
ルミニウム等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜
形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用すること
によって形成される薄膜配線導体とを交互に積層させる
とともに薄膜配線導体の一部を絶縁基板に設けた配線導
体に電気的に接続させた構造を有している。
有する酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基板の上
面にスピンコート法及び熱硬化処理等によって形成され
るエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層と、銅やア
ルミニウム等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜
形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用すること
によって形成される薄膜配線導体とを交互に積層させる
とともに薄膜配線導体の一部を絶縁基板に設けた配線導
体に電気的に接続させた構造を有している。
【０００８】またこの多層配線基板においては、積層さ
れた各有機樹脂絶縁層間に配設されている薄膜配線導体
が有機樹脂絶縁層に形成したスルーホールの内壁に被着
されているスルーホール導体を介して電気的に接続され
ており、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はま
ず各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともに
これに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形
状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチ
ング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶
縁層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホール）
を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上よ
り剥離させ除去することによって行われている。
れた各有機樹脂絶縁層間に配設されている薄膜配線導体
が有機樹脂絶縁層に形成したスルーホールの内壁に被着
されているスルーホール導体を介して電気的に接続され
ており、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はま
ず各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともに
これに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形
状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチ
ング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶
縁層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホール）
を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上よ
り剥離させ除去することによって行われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板は、薄膜配線導体の一部と電気的に接続され
ている配線導体が酸化アルミニウム質焼結体から成る絶
縁基板に形成されており、該絶縁基板を形成する酸化ア
ルミニウム質焼結体はその比誘電率が１０（室温１ＭＨ
ｚ）と大きいことから、絶縁基板に設けた配線導体と薄
膜配線導体に電気信号を高速で伝播させた場合、絶縁基
板に設けた配線導体で信号の伝播遅延が起こり、信号を
高速で伝播させることができないという欠点を誘発し
た。
層配線基板は、薄膜配線導体の一部と電気的に接続され
ている配線導体が酸化アルミニウム質焼結体から成る絶
縁基板に形成されており、該絶縁基板を形成する酸化ア
ルミニウム質焼結体はその比誘電率が１０（室温１ＭＨ
ｚ）と大きいことから、絶縁基板に設けた配線導体と薄
膜配線導体に電気信号を高速で伝播させた場合、絶縁基
板に設けた配線導体で信号の伝播遅延が起こり、信号を
高速で伝播させることができないという欠点を誘発し
た。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の欠点に鑑
み案出されたもので、その目的は電気信号の高速伝播が
可能で、且つ配線が高密度に形成される小型の多層配線
基板を提供することにある。
み案出されたもので、その目的は電気信号の高速伝播が
可能で、且つ配線が高密度に形成される小型の多層配線
基板を提供することにある。
【００１１】本発明は、配線導体を有する絶縁基板の少
なくとも一主面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交
互に積層した多層配線を被着させるとともに前記薄膜配
線導体の一部を配線導体に電気的に接続して成る多層配
線基板であって、前記絶縁基板をガラス繊維強化型ポリ
フェニレンエーテル樹脂板で形成したことを特徴とする
ものである。
なくとも一主面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交
互に積層した多層配線を被着させるとともに前記薄膜配
線導体の一部を配線導体に電気的に接続して成る多層配
線基板であって、前記絶縁基板をガラス繊維強化型ポリ
フェニレンエーテル樹脂板で形成したことを特徴とする
ものである。
【００１２】また本発明は前記積層された有機樹脂絶縁
層の各々の厚みを５μｍ乃至１００μｍとしたことを特
徴とするものである。
層の各々の厚みを５μｍ乃至１００μｍとしたことを特
徴とするものである。
【００１３】更に本発明は前記積層された有機樹脂絶縁
層の各々の上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ≦Ｒａ≦５μｍであることを特徴とするものである。
層の各々の上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ≦Ｒａ≦５μｍであることを特徴とするものである。
【００１４】本発明の多層配線基板よれば、配線導体を
有する絶縁基板を比誘電率が約３（室温１ＭＨｚ）のガ
ラス繊維強化型ポリフェニレンエーテル樹脂板で形成し
たことから絶縁基板に設けた配線導体と薄膜配線導体に
電気信号を伝播させた場合、その信号の伝播を極めて高
速のものとなすことができ、近時の高速度化が進む半導
体素子の搭載に有効である。
有する絶縁基板を比誘電率が約３（室温１ＭＨｚ）のガ
ラス繊維強化型ポリフェニレンエーテル樹脂板で形成し
たことから絶縁基板に設けた配線導体と薄膜配線導体に
電気信号を伝播させた場合、その信号の伝播を極めて高
速のものとなすことができ、近時の高速度化が進む半導
体素子の搭載に有効である。
【００１５】また本発明の多層配線基板よれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。更に本発明の多層配線基板によれ
ば、積層される有機樹脂絶縁層の各々の上面を中心線平
均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとしてお
くと積層される上下の有機樹脂絶縁層を極めて強固に接
合させることができ、その結果、多層配線基板としての
機能を長期間にわたり維持することが可能となる。
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。更に本発明の多層配線基板によれ
ば、積層される有機樹脂絶縁層の各々の上面を中心線平
均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとしてお
くと積層される上下の有機樹脂絶縁層を極めて強固に接
合させることができ、その結果、多層配線基板としての
機能を長期間にわたり維持することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は
薄膜配線導体である。
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は
薄膜配線導体である。
【００１７】前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線４が配設され
ており、該多層配線４を支持する支持部材として作用す
る。
層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線４が配設され
ており、該多層配線４を支持する支持部材として作用す
る。
【００１８】前記絶縁基板１はガラス繊維強化型ポリフ
ェニレンエーテル樹脂板から成り、例えばガラス繊維を
織り込んだ布にポリフェニレンエーテル樹脂の前駆体を
含浸させるとともに該ポリフェニレンエーテル樹脂前駆
体を１５０℃乃至２００℃の熱で熱硬化させることによ
って形成されている。
ェニレンエーテル樹脂板から成り、例えばガラス繊維を
織り込んだ布にポリフェニレンエーテル樹脂の前駆体を
含浸させるとともに該ポリフェニレンエーテル樹脂前駆
体を１５０℃乃至２００℃の熱で熱硬化させることによ
って形成されている。
【００１９】前記絶縁基板１はガラス繊維で強化されて
いることからその機械的強度が優れ、上面に有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線４を被着形
成させる際、或いは外部から外力が印加された際、その
力に充分耐え得るものとなっている。
いることからその機械的強度が優れ、上面に有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線４を被着形
成させる際、或いは外部から外力が印加された際、その
力に充分耐え得るものとなっている。
【００２０】前記絶縁基板１はまたその上面に銅等の金
属材料から成る配線導体２ａが被着形成されており、該
配線導体２ａは例えば、絶縁基板１の上面に予め銅の箔
を接着剤を介して取着しておき、該銅箔をフォトリソグ
ラフィー技術により所定パターンに加工することによっ
て絶縁基板１上に形成される。
属材料から成る配線導体２ａが被着形成されており、該
配線導体２ａは例えば、絶縁基板１の上面に予め銅の箔
を接着剤を介して取着しておき、該銅箔をフォトリソグ
ラフィー技術により所定パターンに加工することによっ
て絶縁基板１上に形成される。
【００２１】前記絶縁基板１の上面に形成された配線導
体２ａは、絶縁基板１を形成するガラス繊維強化型ポリ
フェニレンエーテル樹脂板の比誘電率が約３（室温１Ｍ
Ｈｚ）と小さいことから配線導体２ａを伝播する信号の
伝播速度が極めて速いものとなる。
体２ａは、絶縁基板１を形成するガラス繊維強化型ポリ
フェニレンエーテル樹脂板の比誘電率が約３（室温１Ｍ
Ｈｚ）と小さいことから配線導体２ａを伝播する信号の
伝播速度が極めて速いものとなる。
【００２２】更に前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂
絶縁層２と薄膜配線導体３とが交互に多層に配設されて
多層配線４が被着されており、該多層配線４を構成する
有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線導体３の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体３は絶
縁基板１の上面に設けた配線導体２ａに電気的に接続
し、配線導体２ａとともに電気信号を伝達するための伝
達路として作用する。
絶縁層２と薄膜配線導体３とが交互に多層に配設されて
多層配線４が被着されており、該多層配線４を構成する
有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線導体３の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体３は絶
縁基板１の上面に設けた配線導体２ａに電気的に接続
し、配線導体２ａとともに電気信号を伝達するための伝
達路として作用する。
【００２３】前記多層配線４の有機樹脂絶縁層２は、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドポリアジ
ン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の
樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系
硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の
硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体
を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板１の上
部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これを
８０℃乃至２００℃の熱で０．５乃至３時間熱処理し、
熱硬化させることによって形成される。
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドポリアジ
ン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の
樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系
硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の
硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体
を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板１の上
部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これを
８０℃乃至２００℃の熱で０．５乃至３時間熱処理し、
熱硬化させることによって形成される。
【００２４】更に前記多層配線４の有機樹脂絶縁層２は
その各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚み
に対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成されて
おり、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２を
介して上下に位置する薄膜配線導体３の各々を電気的に
接続するスルーホール導体６を形成するための形成孔と
して作用する。
その各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚み
に対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成されて
おり、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２を
介して上下に位置する薄膜配線導体３の各々を電気的に
接続するスルーホール導体６を形成するための形成孔と
して作用する。
【００２５】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル５は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層２を除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホー
ル）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
２上より剥離させ除去することによって行われる。
ル５は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層２を除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホー
ル）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
２上より剥離させ除去することによって行われる。
【００２６】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体３が、更に各有機樹脂絶縁層
２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導体
６が各々配設されており、スルーホール導体６によって
間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体３の各々が電気的に接続されるようになってい
る。
定パターンの薄膜配線導体３が、更に各有機樹脂絶縁層
２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導体
６が各々配設されており、スルーホール導体６によって
間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体３の各々が電気的に接続されるようになってい
る。
【００２７】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５内に配設される薄膜配線導体３及びスルーホー
ル導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材
料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄
膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することによ
って形成され、例えば銅で形成されている場合には、有
機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５の内表面に硫
酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３モル／
リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リットル、
エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットルからな
る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μｍの
銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって各有機樹
脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁層２のスルーホール５
内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体３は薄膜形
成技術により形成されることから配線の微細化が可能で
あり、これによって薄膜配線導体３を極めて高密度に形
成することが可能となる。
ホール５内に配設される薄膜配線導体３及びスルーホー
ル導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材
料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄
膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することによ
って形成され、例えば銅で形成されている場合には、有
機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５の内表面に硫
酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３モル／
リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リットル、
エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットルからな
る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μｍの
銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって各有機樹
脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁層２のスルーホール５
内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体３は薄膜形
成技術により形成されることから配線の微細化が可能で
あり、これによって薄膜配線導体３を極めて高密度に形
成することが可能となる。
【００２８】また前記薄膜配線導体３はそれが接触する
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドポリア
ジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等
の樹脂から成る有機樹脂絶縁層２の比誘電率が約４以下
（室温１ＭＨｚ）と小さいことから薄膜配線導体３を伝
播する信号の伝播速度を極めて速いものとなすことがで
きる。
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドポリア
ジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等
の樹脂から成る有機樹脂絶縁層２の比誘電率が約４以下
（室温１ＭＨｚ）と小さいことから薄膜配線導体３を伝
播する信号の伝播速度を極めて速いものとなすことがで
きる。
【００２９】尚、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
３とを交互に多層に配設して形成される多層配線４は各
有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹
脂絶縁層２と薄膜配線導体３との接合及び上下に位置す
る有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこができ
る。従って、前記多層配線４の各有機樹脂絶縁層２はそ
の上面にＣＨＦ3 、ＣＦ4、Ａｒ等のガスを吹きつけリ
アクティブイオンエッチング処理をすること等によって
粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦
５μｍの粗面としておくことが好ましい。
３とを交互に多層に配設して形成される多層配線４は各
有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹
脂絶縁層２と薄膜配線導体３との接合及び上下に位置す
る有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこができ
る。従って、前記多層配線４の各有機樹脂絶縁層２はそ
の上面にＣＨＦ3 、ＣＦ4、Ａｒ等のガスを吹きつけリ
アクティブイオンエッチング処理をすること等によって
粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦
５μｍの粗面としておくことが好ましい。
【００３０】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチングの加工時間が長くなってス
ルーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難
となり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上
面に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げ
るための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な
穴が形成され上下に位置する薄膜配線導体３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１００
μｍの範囲としておくことが好ましい。
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチングの加工時間が長くなってス
ルーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難
となり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上
面に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げ
るための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な
穴が形成され上下に位置する薄膜配線導体３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１００
μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３１】更に前記多層配線４の各薄膜配線導体２は
その厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体３の電気
抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体３に所定の電
気信号を伝達させることが困難なものとなり、また４０
μｍを越えると薄膜配線導体３を有機樹脂絶縁層２に被
着させる際、薄膜配線導体３内に大きな応力が内在し、
該内在応力によって薄膜配線導体３が有機樹脂絶縁層２
より剥離し易いものとなる。従って、前記多層配線４の
各薄膜配線導体２の厚みを１μｍ乃至４０μｍの範囲と
しておくことが好ましい。
その厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体３の電気
抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体３に所定の電
気信号を伝達させることが困難なものとなり、また４０
μｍを越えると薄膜配線導体３を有機樹脂絶縁層２に被
着させる際、薄膜配線導体３内に大きな応力が内在し、
該内在応力によって薄膜配線導体３が有機樹脂絶縁層２
より剥離し易いものとなる。従って、前記多層配線４の
各薄膜配線導体２の厚みを１μｍ乃至４０μｍの範囲と
しておくことが好ましい。
【００３２】かくして本発明の多層配線基板によれば、
多層配線４の薄膜配線導体３に半導体素子等の電極を、
絶縁基板１に設けた配線導体２ａを外部電気回路に電気
的に接続すれば、半導体素子の各電極は薄膜配線導体３
及び配線導体２ａを介して外部電気回路に電気的に接続
され、配線導体２ａ及び薄膜配線導体３を介して外部電
気回路より半導体素子に電気信号を伝播さすればその信
号の伝播速度は極めて高速となり、高速駆動する半導体
素子を正常に作動させることが可能となる。
多層配線４の薄膜配線導体３に半導体素子等の電極を、
絶縁基板１に設けた配線導体２ａを外部電気回路に電気
的に接続すれば、半導体素子の各電極は薄膜配線導体３
及び配線導体２ａを介して外部電気回路に電気的に接続
され、配線導体２ａ及び薄膜配線導体３を介して外部電
気回路より半導体素子に電気信号を伝播さすればその信
号の伝播速度は極めて高速となり、高速駆動する半導体
素子を正常に作動させることが可能となる。
【００３３】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の偏光は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の偏光は可能である。
【００３４】
【発明の効果】本発明の多層配線基板よれば、配線を薄
膜形成技術によって形成したことから配線の微細化が可
能となり、配線を極めて高密度に形成することが可能と
なる。
膜形成技術によって形成したことから配線の微細化が可
能となり、配線を極めて高密度に形成することが可能と
なる。
【００３５】また本発明の多層配線基板によれば、配線
導体を有する絶縁基板を比誘電率が約３（室温１ＭＨ
ｚ）のガラス繊維強化型ポリフェニレンエーテル樹脂板
で形成したことから絶縁基板に設けた配線導体と薄膜配
線導体に電気信号を伝播させた場合、その信号の伝播を
極めて高速のものとなすことができ、近時の高速度化が
進む半導体素子の搭載に有効である。
導体を有する絶縁基板を比誘電率が約３（室温１ＭＨ
ｚ）のガラス繊維強化型ポリフェニレンエーテル樹脂板
で形成したことから絶縁基板に設けた配線導体と薄膜配
線導体に電気信号を伝播させた場合、その信号の伝播を
極めて高速のものとなすことができ、近時の高速度化が
進む半導体素子の搭載に有効である。
【００３６】更に本発明の多層配線基板によれば、積層
される有機樹脂絶縁層の各々の上面を中心線平均粗さ
（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとしておくと積
層される上下の有機樹脂絶縁層を極めて強固に接合させ
ることができ、その結果、多層配線基板としての機能を
長期間にわたり維持することが可能となる。
される有機樹脂絶縁層の各々の上面を中心線平均粗さ
（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとしておくと積
層される上下の有機樹脂絶縁層を極めて強固に接合させ
ることができ、その結果、多層配線基板としての機能を
長期間にわたり維持することが可能となる。
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
１・・・絶縁基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体 ４・・・多層配線 ５・・・スルーホール ６・・・スルーホール導体
Claims (3)
- 【請求項１】配線導体を有する絶縁基板の少なくとも一
主面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層し
た多層配線を被着させるとともに前記薄膜配線導体の一
部を配線導体に電気的に接続して成る多層配線基板であ
って、前記絶縁基板をガラス繊維強化型ポリフェニレン
エーテル樹脂板で形成したことを特徴とする多層配線基
板。 - 【請求項２】前記積層された有機樹脂絶縁層の各々の厚
みを５μｍ乃至１００μｍとしたことを特徴とする請求
項１に記載の多層配線基板。 - 【請求項３】前記積層された有機樹脂絶縁層の各々の上
面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５
μｍであることを特徴とする請求項１に記載の多層配線
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12820296A JPH09312480A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12820296A JPH09312480A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312480A true JPH09312480A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14979002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12820296A Pending JPH09312480A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312480A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001058228A1 (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Zeon Corporation | Method for manufacturing multilayer circuit board |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP12820296A patent/JPH09312480A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001058228A1 (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Zeon Corporation | Method for manufacturing multilayer circuit board |
| KR100760487B1 (ko) * | 2000-02-03 | 2007-09-20 | 제온 코포레이션 | 다층회로기판의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |