JPH0950620A - 磁気記録媒体、及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体、及びその製造方法Info
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- JPH0950620A JPH0950620A JP19844595A JP19844595A JPH0950620A JP H0950620 A JPH0950620 A JP H0950620A JP 19844595 A JP19844595 A JP 19844595A JP 19844595 A JP19844595 A JP 19844595A JP H0950620 A JPH0950620 A JP H0950620A
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- Japan
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- film
- magnetic
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- magnetic recording
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バックコート膜の密着強度が高く、剥離し難
い磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 磁性膜と、支持体と、バックコート膜
と、硬質メッキ膜とを具備してなる磁気記録媒体であっ
て、前記硬質メッキ膜が前記支持体とバックコート膜と
の間に設けられてなる磁気記録媒体。
い磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 磁性膜と、支持体と、バックコート膜
と、硬質メッキ膜とを具備してなる磁気記録媒体であっ
て、前記硬質メッキ膜が前記支持体とバックコート膜と
の間に設けられてなる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体にあっては、走行性を改善する為、所謂、バック
コート膜が設けられている。具体的には、磁性膜とは反
対側の支持体面上に、粒径が１０〜１００ｎｍのカーボ
ンブラック含有塗料を塗布し、乾燥させることによっ
て、バックコート膜が構成される。
録媒体にあっては、走行性を改善する為、所謂、バック
コート膜が設けられている。具体的には、磁性膜とは反
対側の支持体面上に、粒径が１０〜１００ｎｍのカーボ
ンブラック含有塗料を塗布し、乾燥させることによっ
て、バックコート膜が構成される。
【０００３】このバックコート膜を設ける目的は、 （１）導電性を持たせることにより、帯電防止を図り、
ゴミの付着を防止する。 （２）表面性（摩擦係数）を改善して、走行安定性を得
る。 （３）表の磁性層と裏とのバランスを図り、反りの発生
を防止する。 にある。
ゴミの付着を防止する。 （２）表面性（摩擦係数）を改善して、走行安定性を得
る。 （３）表の磁性層と裏とのバランスを図り、反りの発生
を防止する。 にある。
【０００４】ところで、これまでにあっては、帯電防止
を充分に図るには、バックコート膜中に含有させるカー
ボンブラック量を多くせざるを得ない。しかし、カーボ
ンブラック含有量が多くなると、帯電防止の目的が図れ
るものの、バックコート膜の結着強度が低下し、剥離し
易くなる。又、粉落ちが起き易くなり、これが記録・再
生特性を低下させたりする。従って、カーボンブラック
含有量を多くすることも出来ず、特長も中途半端なもの
になっている。
を充分に図るには、バックコート膜中に含有させるカー
ボンブラック量を多くせざるを得ない。しかし、カーボ
ンブラック含有量が多くなると、帯電防止の目的が図れ
るものの、バックコート膜の結着強度が低下し、剥離し
易くなる。又、粉落ちが起き易くなり、これが記録・再
生特性を低下させたりする。従って、カーボンブラック
含有量を多くすることも出来ず、特長も中途半端なもの
になっている。
【０００５】又、磁性膜側への反りがバックコート膜に
よって改善されるものの、この反りを効果的に改善する
為にはバックコート膜の厚さを厚くせざるを得ない。し
かし、規格から全厚が決まっており、従ってバックコー
ト膜の厚さを充分にとることも出来ない。従って、反り
を完全に改善することも出来ない。前記の問題点につい
ての検討を鋭意押し進めて行くうちに、蒸着テープの保
護膜として用いられているダイヤモンドライクカーボン
膜を支持体とバックコート膜との間に設けていると、こ
のものはバックコート膜と支持体との密着強度が著しく
改善されることを見出した。
よって改善されるものの、この反りを効果的に改善する
為にはバックコート膜の厚さを厚くせざるを得ない。し
かし、規格から全厚が決まっており、従ってバックコー
ト膜の厚さを充分にとることも出来ない。従って、反り
を完全に改善することも出来ない。前記の問題点につい
ての検討を鋭意押し進めて行くうちに、蒸着テープの保
護膜として用いられているダイヤモンドライクカーボン
膜を支持体とバックコート膜との間に設けていると、こ
のものはバックコート膜と支持体との密着強度が著しく
改善されることを見出した。
【０００６】しかも、ダイヤモンドライクカーボン膜は
表面性が良く、この上に設けられたバックコート膜もダ
イヤモンドライクカーボン膜の影響を受けて表面性が良
いものであった。更に、ダイヤモンドライクカーボン膜
は導電性に優れていることから、静電気の帯電防止に対
しても効果的であり、塵や埃が付着し難く、よって記録
・再生にエラーが起き難いものとなることも判った。
表面性が良く、この上に設けられたバックコート膜もダ
イヤモンドライクカーボン膜の影響を受けて表面性が良
いものであった。更に、ダイヤモンドライクカーボン膜
は導電性に優れていることから、静電気の帯電防止に対
しても効果的であり、塵や埃が付着し難く、よって記録
・再生にエラーが起き難いものとなることも判った。
【０００７】かつ、ダイヤモンドライクカーボン膜は硬
質なものであるから、これが設けられていると、磁性膜
と磁気ヘッドとの当たりが良くなり、記録・再生特性が
良いものになる。このような知見を基にして本発明が達
成されたものであり、本発明の第１の目的は、バックコ
ート膜の密着強度が高く、剥離し難い磁気記録媒体を提
供することである。
質なものであるから、これが設けられていると、磁性膜
と磁気ヘッドとの当たりが良くなり、記録・再生特性が
良いものになる。このような知見を基にして本発明が達
成されたものであり、本発明の第１の目的は、バックコ
ート膜の密着強度が高く、剥離し難い磁気記録媒体を提
供することである。
【０００８】本発明の第２の目的は、表面性が良い磁気
記録媒体を提供することである。本発明の第３の目的
は、塵や埃が付着し難い磁気記録媒体を提供することで
ある。本発明の第４の目的は、記録再生特性に優れた磁
気記録媒体を提供することである。
記録媒体を提供することである。本発明の第３の目的
は、塵や埃が付着し難い磁気記録媒体を提供することで
ある。本発明の第４の目的は、記録再生特性に優れた磁
気記録媒体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、磁
性膜と、支持体と、バックコート膜と、硬質メッキ膜と
を具備してなる磁気記録媒体であって、前記硬質メッキ
膜が前記支持体とバックコート膜との間に設けられてな
ることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
性膜と、支持体と、バックコート膜と、硬質メッキ膜と
を具備してなる磁気記録媒体であって、前記硬質メッキ
膜が前記支持体とバックコート膜との間に設けられてな
ることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【００１０】又、支持体の一面側に磁性膜が、支持体の
他面側にバインダを含有する塗膜層が設けられてなる磁
気記録媒体であって、前記支持体とバインダを含有する
塗膜層との間に硬質メッキ膜が設けられてなることを特
徴とする磁気記録媒体によって達成される。又、支持体
の一面側に磁性膜を設ける磁性膜成膜工程と、支持体の
他面側にＰＶＤ手段及び／又はＣＶＤ手段で硬質メッキ
膜を設ける硬質メッキ膜成膜工程と、前記硬質メッキ膜
成膜工程の後、硬質メッキ膜上にバインダを含有する非
磁性の塗料を塗布し、塗膜層を設ける工程とを具備する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達成
される。
他面側にバインダを含有する塗膜層が設けられてなる磁
気記録媒体であって、前記支持体とバインダを含有する
塗膜層との間に硬質メッキ膜が設けられてなることを特
徴とする磁気記録媒体によって達成される。又、支持体
の一面側に磁性膜を設ける磁性膜成膜工程と、支持体の
他面側にＰＶＤ手段及び／又はＣＶＤ手段で硬質メッキ
膜を設ける硬質メッキ膜成膜工程と、前記硬質メッキ膜
成膜工程の後、硬質メッキ膜上にバインダを含有する非
磁性の塗料を塗布し、塗膜層を設ける工程とを具備する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達成
される。
【００１１】尚、上記本発明において、硬質メッキ膜と
しては、各種のものが有るが、中でもカーボン膜、特に
ダイヤモンドライクカーボン膜が好ましい。又、硬質メ
ッキ膜の厚さは５〜５００ｎｍが好ましい。すなわち、
５ｎｍ未満では、バックコート層の表面性を改善する効
果が小さく、逆に、５００ｎｍを越えると、バックコー
ト層側にカッピングが生じ、ヘッドタッチが悪化する。
特に好ましくは、１０〜１００ｎｍである。
しては、各種のものが有るが、中でもカーボン膜、特に
ダイヤモンドライクカーボン膜が好ましい。又、硬質メ
ッキ膜の厚さは５〜５００ｎｍが好ましい。すなわち、
５ｎｍ未満では、バックコート層の表面性を改善する効
果が小さく、逆に、５００ｎｍを越えると、バックコー
ト層側にカッピングが生じ、ヘッドタッチが悪化する。
特に好ましくは、１０〜１００ｎｍである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、磁性膜と、支持体と、
バックコート膜と、硬質メッキ膜とを具備してなる磁気
記録媒体であって、前記硬質メッキ膜が前記支持体とバ
ックコート膜との間に設けられたものである。又、支持
体の一面側に磁性膜が、支持体の他面側にバインダを含
有する塗膜層が設けられてなる磁気記録媒体であって、
前記支持体とバインダを含有する塗膜層との間に硬質メ
ッキ膜が設けられたものである。
バックコート膜と、硬質メッキ膜とを具備してなる磁気
記録媒体であって、前記硬質メッキ膜が前記支持体とバ
ックコート膜との間に設けられたものである。又、支持
体の一面側に磁性膜が、支持体の他面側にバインダを含
有する塗膜層が設けられてなる磁気記録媒体であって、
前記支持体とバインダを含有する塗膜層との間に硬質メ
ッキ膜が設けられたものである。
【００１３】又、支持体の一面側に磁性膜を設ける磁性
膜成膜工程と、支持体の他面側にＰＶＤ手段及び／又は
ＣＶＤ手段で硬質メッキ膜を設ける硬質メッキ膜成膜工
程と、前記硬質メッキ膜成膜工程の後、硬質メッキ膜上
にバインダを含有する非磁性の塗料を塗布し、塗膜層を
設ける工程とを具備するものである。本発明の磁気記録
媒体の支持体としては、磁性を有するものでも、非磁性
のものでも良い。代表的なものとして、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテ
レフタレート、ポリエチレンビスフェノキシカルボキシ
レート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピ
レン等のポリオレフィン類、セルロースアセテートブチ
レート、セルロースアセテートプロピオネート等のセル
ロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等
のビニル系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等の非
磁性のプラスチック材料が挙げられる。勿論、これらに
限定されるものではない。又、各種の処理が行われるこ
とが有る。例えば、上記のような樹脂材料を溶融あるい
は溶液状態にて混練し、押出成形の後、必要に応じて延
伸処理が行われる。例えば、長手方向や幅方向に二軸延
伸の処理がなされても良い。又、コロナ放電、あるいは
その他適宜な手段による表面処理がなされる。又、接着
性向上の為のポリエステルやポリウレタンあるいはオリ
ゴマー等が塗布されても良い。
膜成膜工程と、支持体の他面側にＰＶＤ手段及び／又は
ＣＶＤ手段で硬質メッキ膜を設ける硬質メッキ膜成膜工
程と、前記硬質メッキ膜成膜工程の後、硬質メッキ膜上
にバインダを含有する非磁性の塗料を塗布し、塗膜層を
設ける工程とを具備するものである。本発明の磁気記録
媒体の支持体としては、磁性を有するものでも、非磁性
のものでも良い。代表的なものとして、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテ
レフタレート、ポリエチレンビスフェノキシカルボキシ
レート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピ
レン等のポリオレフィン類、セルロースアセテートブチ
レート、セルロースアセテートプロピオネート等のセル
ロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等
のビニル系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等の非
磁性のプラスチック材料が挙げられる。勿論、これらに
限定されるものではない。又、各種の処理が行われるこ
とが有る。例えば、上記のような樹脂材料を溶融あるい
は溶液状態にて混練し、押出成形の後、必要に応じて延
伸処理が行われる。例えば、長手方向や幅方向に二軸延
伸の処理がなされても良い。又、コロナ放電、あるいは
その他適宜な手段による表面処理がなされる。又、接着
性向上の為のポリエステルやポリウレタンあるいはオリ
ゴマー等が塗布されても良い。
【００１４】支持体の厚さは用途に応じて決まる。例え
ば、フィルム状で用いる場合には１〜１００μｍ（好ま
しくは、２〜５０μｍ）、ディスク状やカード状で用い
る場合には３０μｍ〜１０ｍｍの厚さである。上記支持
体の一面側には磁性膜が設けられる。この磁性膜は、磁
性塗料を塗布して設けた塗布型の磁性膜であっても、蒸
着やスパッタ等の乾式メッキ手段又は湿式メッキ手段で
設けた金属薄膜型であっても良い。これら磁性膜につい
ては、特開平６−１０３５５６号公報、特開平６−１１
１２６７号公報に記載の技術を援用できる。尚、磁性膜
が金属薄膜型のものである場合には、カーボン膜、特に
ダイヤモンドライクカーボン膜などの保護膜が磁性膜上
に設けられる。
ば、フィルム状で用いる場合には１〜１００μｍ（好ま
しくは、２〜５０μｍ）、ディスク状やカード状で用い
る場合には３０μｍ〜１０ｍｍの厚さである。上記支持
体の一面側には磁性膜が設けられる。この磁性膜は、磁
性塗料を塗布して設けた塗布型の磁性膜であっても、蒸
着やスパッタ等の乾式メッキ手段又は湿式メッキ手段で
設けた金属薄膜型であっても良い。これら磁性膜につい
ては、特開平６−１０３５５６号公報、特開平６−１１
１２６７号公報に記載の技術を援用できる。尚、磁性膜
が金属薄膜型のものである場合には、カーボン膜、特に
ダイヤモンドライクカーボン膜などの保護膜が磁性膜上
に設けられる。
【００１５】支持体の他面側には、蒸着法、直流スパッ
タ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネ
トロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イ
オンビームスパッタ法などの各種のＰＶＤ（フィジカル
ベーパーデポジション）手段及び／又はＣＶＤ（ケミカ
ルベーパーデポジション）手段により、例えば５〜５０
０ｎｍ厚さの硬質メッキ膜が設けられる。
タ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネ
トロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イ
オンビームスパッタ法などの各種のＰＶＤ（フィジカル
ベーパーデポジション）手段及び／又はＣＶＤ（ケミカ
ルベーパーデポジション）手段により、例えば５〜５０
０ｎｍ厚さの硬質メッキ膜が設けられる。
【００１６】硬質メッキ膜の構成材料としては、例えば
Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ
等の金属の酸化物、窒化物、炭化物などが挙げられる。
更に、カーボンあるいはボロンナイトライド等も用いる
ことが出来る。中でも、ダイヤモンドライクカーボンが
好ましい。上記硬質メッキ膜上にバックコート膜が塗布
手段により設けられる。このバックコート膜を構成する
為のバインダとしては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂ま
たは反応型樹脂やこれらの混合物を併用することが出来
る。例えば、塩化ビニル系の樹脂などが挙げられる。そ
の他にも、特開昭５７−１６２１２８号公報に記載の樹
脂が挙げられる。これらのバインダの他に潤滑剤、研磨
剤、帯電防止剤、防錆剤、防黴剤等が加えられても良
い。例えば、特開昭５７−１６２１２８号公報に記載の
各種の添加剤が加えられても良い。特に、カーボンブラ
ックや研磨剤が用いられる。
Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ
等の金属の酸化物、窒化物、炭化物などが挙げられる。
更に、カーボンあるいはボロンナイトライド等も用いる
ことが出来る。中でも、ダイヤモンドライクカーボンが
好ましい。上記硬質メッキ膜上にバックコート膜が塗布
手段により設けられる。このバックコート膜を構成する
為のバインダとしては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂ま
たは反応型樹脂やこれらの混合物を併用することが出来
る。例えば、塩化ビニル系の樹脂などが挙げられる。そ
の他にも、特開昭５７−１６２１２８号公報に記載の樹
脂が挙げられる。これらのバインダの他に潤滑剤、研磨
剤、帯電防止剤、防錆剤、防黴剤等が加えられても良
い。例えば、特開昭５７−１６２１２８号公報に記載の
各種の添加剤が加えられても良い。特に、カーボンブラ
ックや研磨剤が用いられる。
【００１７】バックコート膜を構成する塗料の製造に用
いられる溶剤としては、ケトン系の溶剤、エステル系の
溶剤、エーテル系の溶剤、芳香族炭化水素系の溶剤、塩
素化炭化水素系の溶剤を適宜選択して使用できる。例え
ば、特開昭５７−１６２１２８号公報に記載の各種の溶
剤を用いることが出来る。
いられる溶剤としては、ケトン系の溶剤、エステル系の
溶剤、エーテル系の溶剤、芳香族炭化水素系の溶剤、塩
素化炭化水素系の溶剤を適宜選択して使用できる。例え
ば、特開昭５７−１６２１２８号公報に記載の各種の溶
剤を用いることが出来る。
【００１８】
【実施例１】図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略
断面図である。同図中、１は厚さ１０μｍのポリエチレ
ンテレフタート（ＰＥＴ）フィルム（支持体）である。
２は、ＰＥＴフィルム１の一面側に通常の斜め蒸着手段
により設けられた２００ｎｍ厚のＣｏ磁性膜である。
断面図である。同図中、１は厚さ１０μｍのポリエチレ
ンテレフタート（ＰＥＴ）フィルム（支持体）である。
２は、ＰＥＴフィルム１の一面側に通常の斜め蒸着手段
により設けられた２００ｎｍ厚のＣｏ磁性膜である。
【００１９】３は、Ｃｏ磁性膜面上に、直接、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法により設けられた１０ｎｍ（０．０
１μｍ）厚のダイヤモンドライクカーボン膜（硬質メッ
キ膜）、４は、ＰＥＴフィルム１の他面側に、直接、マ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により設けられた１００ｎｍ
厚のダイヤモンドライクカーボン膜（硬質メッキ膜）で
ある。
波プラズマＣＶＤ法により設けられた１０ｎｍ（０．０
１μｍ）厚のダイヤモンドライクカーボン膜（硬質メッ
キ膜）、４は、ＰＥＴフィルム１の他面側に、直接、マ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により設けられた１００ｎｍ
厚のダイヤモンドライクカーボン膜（硬質メッキ膜）で
ある。
【００２０】５は、ダイヤモンドライクカーボン膜４上
に、直接、塗布手段で設けられた４００ｎｍ厚のバック
コート膜である。尚、このバックコート膜５は、平均一
次粒径が２０ｎｍのカーボンブラック３２重量部と、平
均一次粒径が６０ｎｍのカーボンブラック８重量部と、
ポリウレタン２０重量部と、ニトロセルロース２０重量
部と、ポリイソシアネート４重量部と、ステアリン酸１
重量部と、メチルエチルケトン８０重量部と、トルエン
４０重量部と、シクロヘキサノン１２０重量部とを充分
に混練分散してなる塗料を塗布・乾燥することにより得
られたものである。
に、直接、塗布手段で設けられた４００ｎｍ厚のバック
コート膜である。尚、このバックコート膜５は、平均一
次粒径が２０ｎｍのカーボンブラック３２重量部と、平
均一次粒径が６０ｎｍのカーボンブラック８重量部と、
ポリウレタン２０重量部と、ニトロセルロース２０重量
部と、ポリイソシアネート４重量部と、ステアリン酸１
重量部と、メチルエチルケトン８０重量部と、トルエン
４０重量部と、シクロヘキサノン１２０重量部とを充分
に混練分散してなる塗料を塗布・乾燥することにより得
られたものである。
【００２１】そして、バックコート膜５形成用の塗料を
塗布後、通常の工程を経て、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
を作成した。
塗布後、通常の工程を経て、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
を作成した。
【００２２】
【実施例２】実施例１において、バックコート膜５の厚
さを１００ｎｍとした以外は実施例１に準じて行い、８
ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成した。
さを１００ｎｍとした以外は実施例１に準じて行い、８
ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成した。
【００２３】
【実施例３】実施例１において、平均一次粒径が２０ｎ
ｍのカーボンブラック２２重量部と、平均一次粒径が６
０ｎｍのカーボンブラック８重量部と、ポリビニルブチ
ラール５０重量部と、ステアリン酸１重量部と、二硫化
モリブデン１０重量部と、メチルエチルケトン８０重量
部と、トルエン４０重量部と、シクロヘキサノン１２０
重量部とを充分に混練分散してなる塗料を塗布・乾燥し
て１００ｎｍ厚のバックコート膜５を形成した以外は実
施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成
した。
ｍのカーボンブラック２２重量部と、平均一次粒径が６
０ｎｍのカーボンブラック８重量部と、ポリビニルブチ
ラール５０重量部と、ステアリン酸１重量部と、二硫化
モリブデン１０重量部と、メチルエチルケトン８０重量
部と、トルエン４０重量部と、シクロヘキサノン１２０
重量部とを充分に混練分散してなる塗料を塗布・乾燥し
て１００ｎｍ厚のバックコート膜５を形成した以外は実
施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成
した。
【００２４】
【実施例４】実施例１において、平均一次粒径が２０ｎ
ｍのカーボンブラック２０重量部と、平均一次粒径が６
０ｎｍのカーボンブラック２０重量部と、ポリ塩化ビニ
ル２０重量部と、ポリウレタン２０重量部と、ポリイソ
シアネート４重量部と、ステアリン酸１重量部と、メチ
ルエチルケトン８０重量部と、トルエン４０重量部と、
シクロヘキサノン１２０重量部とを充分に混練分散して
なる塗料を塗布・乾燥して１００ｎｍ厚のバックコート
膜５を形成した以外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを作成した。
ｍのカーボンブラック２０重量部と、平均一次粒径が６
０ｎｍのカーボンブラック２０重量部と、ポリ塩化ビニ
ル２０重量部と、ポリウレタン２０重量部と、ポリイソ
シアネート４重量部と、ステアリン酸１重量部と、メチ
ルエチルケトン８０重量部と、トルエン４０重量部と、
シクロヘキサノン１２０重量部とを充分に混練分散して
なる塗料を塗布・乾燥して１００ｎｍ厚のバックコート
膜５を形成した以外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを作成した。
【００２５】
【実施例５】実施例２において、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜４を直流マグネトロンスパッタリング法により
１００ｎｍ厚形成した以外は実施例２に準じて行い、８
ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成した。
ーボン膜４を直流マグネトロンスパッタリング法により
１００ｎｍ厚形成した以外は実施例２に準じて行い、８
ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成した。
【００２６】
【実施例６】実施例３において、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜４をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により１００
ｎｍ厚形成した以外は実施例３に準じて行い、８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを作成した。
ーボン膜４をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により１００
ｎｍ厚形成した以外は実施例３に準じて行い、８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを作成した。
【００２７】
【実施例７】実施例４において、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜４をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により１００
ｎｍ厚形成した以外は実施例４に準じて行い、８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを作成した。
ーボン膜４をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により１００
ｎｍ厚形成した以外は実施例４に準じて行い、８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを作成した。
【００２８】
【実施例８】実施例１において、２００ｎｍ厚のＣｏ磁
性膜２を、強磁性メタル粉末１００重量部、α−Ａｌ2
Ｏ3 ６重量部、パルミチン酸１．５重量部、ブチルステ
アレート１重量部、ポリイソシアネート（日本ポリウレ
タン工業社製のコロネートＬ）５重量部、ポリウレタン
樹脂２０重量部、及びメチルエチルケトンとメチルイソ
ブチルケトンとトルエンとの混合溶剤５００重量部の割
合からなる磁性塗料を塗布することによって設けた２．
５μｍ厚の磁性塗膜とした以外は実施例１に準じて行
い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成した。
性膜２を、強磁性メタル粉末１００重量部、α−Ａｌ2
Ｏ3 ６重量部、パルミチン酸１．５重量部、ブチルステ
アレート１重量部、ポリイソシアネート（日本ポリウレ
タン工業社製のコロネートＬ）５重量部、ポリウレタン
樹脂２０重量部、及びメチルエチルケトンとメチルイソ
ブチルケトンとトルエンとの混合溶剤５００重量部の割
合からなる磁性塗料を塗布することによって設けた２．
５μｍ厚の磁性塗膜とした以外は実施例１に準じて行
い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作成した。
【００２９】
【比較例１】実施例１において、硬質メッキ膜４を設け
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
【００３０】
【比較例２】実施例１において、硬質メッキ膜４を設け
なかった以外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用
磁気テープを作成した。
なかった以外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用
磁気テープを作成した。
【００３１】
【比較例３】実施例１において、硬質メッキ膜４を設け
ず、バックコート膜５の厚さを２００ｎｍとした以外は
実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
ず、バックコート膜５の厚さを２００ｎｍとした以外は
実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
【００３２】
【比較例４】実施例３において、硬質メッキ膜４を設け
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例３に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例３に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
【００３３】
【比較例５】実施例４において、硬質メッキ膜４を設け
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例４に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例４に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
【００３４】
【比較例６】実施例８において、硬質メッキ膜４を設け
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例８に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
ず、バックコート膜５の厚さを５００ｎｍとした以外は
実施例８に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
成した。
【００３５】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、ドロップアウトカウンタによりドロップアウト
（１０μｓの間に出力が１６ｄＢ低下）の発生数を調べ
たので、その結果を表−１に示す。又、ジッターについ
ても調べたので、その結果を併せて表−１に示す。
いて、ドロップアウトカウンタによりドロップアウト
（１０μｓの間に出力が１６ｄＢ低下）の発生数を調べ
たので、その結果を表−１に示す。又、ジッターについ
ても調べたので、その結果を併せて表−１に示す。
【００３６】 表−１ ドロップアウト（個） ジッター（ｎｓ） 実施例１ １２ ６０ 実施例２ １３ ６２ 実施例３ １２ ６１ 実施例４ １１ ６２ 実施例５ １２ ６１ 実施例６ １２ ６２ 実施例７ １３ ６３ 実施例８ １４ ６４ 比較例１ ２５ ７２ 比較例２ ２７ ７４ 比較例３ ２８ ８０ 比較例４ ２６ ７５ 比較例５ ２３ ７６ 比較例６ ２８ ８０ これによれば、硬質メッキ膜が支持体とバックコート膜
との間に設けられてなる本発明の磁気記録媒体は、ドロ
ップアウトが起き難く、かつ、ジッターも少なく、記録
再生特性に優れたものであることが判る。
との間に設けられてなる本発明の磁気記録媒体は、ドロ
ップアウトが起き難く、かつ、ジッターも少なく、記録
再生特性に優れたものであることが判る。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、記録再生特性に優れた
磁気記録媒体が得られる。
磁気記録媒体が得られる。
【図１】磁気記録媒体の概略断面図
１ ＰＥＴフィルム（支持体） ２ 磁性膜 ４ ダイヤモンドライクカーボン膜（硬質メッキ膜） ５ 塗布型バックコート膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 修 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 磁性膜と、支持体と、バックコート膜
と、硬質メッキ膜とを具備してなる磁気記録媒体であっ
て、 前記硬質メッキ膜が前記支持体とバックコート膜との間
に設けられてなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体の一面側に磁性膜が、支持体の他
面側にバインダを含有する塗膜層が設けられてなる磁気
記録媒体であって、 前記支持体とバインダを含有する塗膜層との間に硬質メ
ッキ膜が設けられてなることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 硬質メッキ膜はＰＶＤ手段で設けられて
なることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録
媒体。 - 【請求項４】 硬質メッキ膜はＣＶＤ手段で設けられて
なることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録
媒体。 - 【請求項５】 硬質メッキ膜がカーボン膜であることを
特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 硬質メッキ膜がダイヤモンドライクカー
ボン膜であることを特徴とする請求項１〜請求項５いず
れかの磁気記録媒体。 - 【請求項７】 硬質メッキ膜は、その厚さが５〜５００
ｎｍであることを特徴とする請求項１〜請求項６いずれ
かの磁気記録媒体。 - 【請求項８】 支持体の一面側に磁性膜を設ける磁性膜
成膜工程と、 支持体の他面側にＰＶＤ手段及び／又はＣＶＤ手段で硬
質メッキ膜を設ける硬質メッキ膜成膜工程と、 前記硬質メッキ膜成膜工程の後、硬質メッキ膜上にバイ
ンダを含有する非磁性の塗料を塗布し、塗膜層を設ける
工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19844595A JPH0950620A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19844595A JPH0950620A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950620A true JPH0950620A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16391218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19844595A Pending JPH0950620A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999038158A1 (en) * | 1998-01-21 | 1999-07-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6586086B1 (en) | 1999-09-13 | 2003-07-01 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and making method |
| JP2004009165A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 吸着用チャック |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194721A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH04298340A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Kobe Steel Ltd | 成膜用積層基板 |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP19844595A patent/JPH0950620A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194721A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH04298340A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Kobe Steel Ltd | 成膜用積層基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999038158A1 (en) * | 1998-01-21 | 1999-07-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6586086B1 (en) | 1999-09-13 | 2003-07-01 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and making method |
| JP2004009165A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 吸着用チャック |
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